Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=epitaxy<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-16

    Яковлев, Иван Александрович.
    Сравнение магнитной анизотропии поликристаллической и монокристаллической пленок Fe3Si / И. А. Яковлев // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 398-405, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-398-405. - Библиогр.: 19. - Автор статьи выражает благодарность Беляеву Борису Афанасьевичу (ИФ СО РАН) за проведенные измерения на сканирующем спектрометре ферромагнитного резонанса . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: The magnetic anisotropy comparison of polycrystalline and single-crystal Fe3Si films
Кл.слова (ненормированные):
магнитная анизотропия -- ферромагнитные пленки -- Fe3Si -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- magnetic anisotropy -- ferromagnetic films -- molecular beam epitaxy
Аннотация: Постоянное совершенствование высокотехнологичных приборов требует от науки постоянного развития технологий и поиска новых материалов. На сегодняшний день развитие области магнетизма достигло очень широких знаний, что позволило создать и изучить множество искусственных ферромагнитных материалов, которые уже сейчас активно применяются в науке и технике. Последние научные знания показывают, что один и тот же материал в различном состоянии может проявлять разные электрические, магнитные свойства. Так в современных приборах активно применяются тонкие магнитные пленки. Физические процессы в тонких пленках протекает иначе, чем в массивных материалах. В результате пленочные элементы имеют характеристики, отличные от характеристик массивных образцов и позволяют наблюдать эффекты, не свойственные массивным образцам. Пленка – это тонкий слой связанного конденсированного вещества, толщина которого сравнивается с расстоянием действия поверхностных сил; представляет собой термодинамически стабильную или метастабильную часть гетерогенной системы «пленка – подложка». Дальнейшее изучение пленочных структур привело к созданию и исследованию многослойных магнитных систем. В таких структурах возможно присутствие как слоёв различных ферромагнитных материалов, так и неферромагнитных прослоек, а свойства многослойных систем могут значительно отличаться от свойств любого из компонентов системы. Для практики эти материалы также имеют множество применений, в том числе, радиосвязь и геологоразведка. В нашем эксперименте методом молекулярно-лучевой эпитаксии при совместном осаждении Fe и Si синтезированы ферромагнитные тонкие пленки силицида Fe3Si. На подложке SiO2/Si(111) была получена поликристаллическая пленка силицида, а на Si(111)7×7 – монокристаллическая. Структура была исследована с помощью дифракции отраженных быстрых электронов непосредственно в процессе роста. Методом ферромагнитного резонанса была изучена магнитная анизотропия полученных образцов. Установлено, что поликристаллическая пленка характеризуется одноосной магнитной анизотропией, которая составляет 13.42 Э и формируется в следствие «косого» напыления. А магнитная анизотропия для монокристаллической пленки Fe3Si формируется в большей степени внутренними магнитокристаллическими силами.
High-tech devices improvement requires development of technology and search for new materials from science. To date, the development of the magnetism research field has reached a very broad knowledge, which made it possible to create and study a variety of artificial ferromagnetic materials, which are already actively used in science and technology. The latest scientific knowledge shows that the same material in different states can exhibit different electrical and magnetic properties. So, thin magnetic films are actively used in modern devices. Physical processes in thin films proceed differently than in bulk materials. As a result, the film elements have characteristics that differ from those of bulk samples and make it possible to observe effects that are not characteristic of bulk samples. A film is a thin layer of a bound condensed substance, the thickness of which is compared with the distance of surface forces action; it is a thermodynamically stable or metastable part of a heterogeneous film-substrate system. Further study of film structures led to the creation and study of multilayer magnetic systems. In such structures, the presence of both various ferromagnetic materials layers and non-ferromagnetic interlayers is possible, and the multilayer systems properties can differ significantly from the properties of any system components. These materials also have many applications for practice, including radio communications and geological exploration. In our experiment, ferromagnetic thin films of Fe3Si silicide were synthesized by molecular beam epitaxy with co-deposition of Fe and Si. A polycrystalline silicide film was obtained on a SiO2/Si(111) substrate, and a single crystal film was on Si(111)7×7. The structure was investigated using the diffraction of reflected fast electrons directly during the growth process. The magnetic anisotropy of the obtained samples was studied by the ferromagnetic resonance. It was found that the polycrystalline film is characterized by uniaxial magnetic anisotropy, which is 13.42 Oe and is formed as a result of “oblique” deposition. And the magnetic anisotropy for a single-crystal Fe3Si film is formed to a greater extent by internal magnetocrystalline forces.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН, Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties / A. S. Tarasov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст. 131, DOI 10.3390/nano12010131. - Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991

РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Nanoscience & Nanotechnology + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
FILMS
   ANISOTROPY
   SI(001)
   DEVICES
   SURFACE
   GROWTH
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- germanium -- molecular beam epitaxy -- epitaxial stress -- lattice distortion -- dislocation lattices -- FMR -- Rutherford backscattering -- spintronics
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 < x < 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Boreskov Inst Catalysis SB, Synchrotron Radiat Facil SKIF, Nikolskiy Prospekt 1, Koltsov 630559, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Smart Mat & Biomed Applicat, Kaliningrad 236041, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Funct Nanomat, Kaliningrad 236016, Russia.
Univ Duisburg Essen, Fac Phys, D-47057 Duisburg, Germany.
Univ Duisburg Essen, Ctr Nanointegrat, D-47057 Duisburg, Germany.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, Dmitriy D.; Goikhman, Aleksandr Yu.; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Farle, M.; Фарле, Михаель; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
}
Найти похожие

Examination of structure, optical and magnetic properties of epitaxial Fe1–xSix/Si(111) alloy films / I. A. Tarasov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O10.20. - P. 464. - References: 1. - The work was supported by State contract No. 02.G25.31.0043, State task No.16.663.2014К, the Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0007 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
epitaxy -- iron silicides -- optical and magnetic properties -- structure, defects

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Zamkova, N. G.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Shemukhin, A. A.; Чемухин А. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

The regularities of phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing / M. N. Volochaev [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2017. - Vol. 857, Is. 1. - Ст. 012053, DOI 10.1088/1742-6596/857/1/012053. - Cited References: 10 . - ISSN 1742-6588
Кл.слова (ненормированные):
Coatings -- High resolution transmission electron microscopy -- Molecular beam epitaxy -- Silicon -- Transmission electron microscopy -- Phase formations -- Polycrystalline -- Polycrystalline film -- Si(111) substrate -- Vacuum-annealing -- Annealing
Аннотация: The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Loginov, Yu. Yu.; Cherkov, A. G.; Kovalev, I. V.; International Conference on Films and Coatings(13th ; St. Petersburg)(18 - 20 April 2017)
}
Найти похожие

    Яковлев, Иван Александрович.
    Особенности образования силицидов железа при реактивной и твердофазной эпитаксии / И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков // Решетневские чтения : [Электронный ресурс] : материалы XIV Междунар. науч. конф., посвяще. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч. / Сиб. гос. аэрокосмич. ун-т.; под общ. ред. Ю.Ю. Логинова. - Красноярск, 2010. - Ч. 2. - С. 598-599. - Библиогр.: 3. - Работа выполнена в рамках программы № 4.1 ОФН РАН «Спинтроника», программы Президиума РАН № 27.10, инте грационного проекта СО РАН и ДВО РАН № 22, федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кад ры инновационной России» на 2009–2013 гг. (коды проектов: НК-179П/ГК П1464, НК-556П/ГК П555)
   Перевод заглавия: Features of iron silicide formation in reactive and solid-phase epitaxy
Аннотация: Методом дифракции отраженных быстрых электронов были изучены начальные этапы формирования си лицидов системы Fe–Si, полученные методами реактивной и твердофазной эпитаксии при разных темпера турах подложки Si. Установлено влияние технологических параметров при напылении на процесс формирова ния силицидов.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Логинов, Ю. Ю. \ред.\; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S.N.; "Решетневские чтения", международная научная конференция(14 ; 2010 ; нояб. ; 10-12 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АОКрасноярский машиностроительный завод, ОАО
}
Найти похожие

Reflection electron energy loss spectroscopy and ross section for inelastic scatteringof electrons in nanostructures of Fe/Si(100) grown by reactive depozition epitaxy [Text] / A. S. Parshin, G. A. Alexandrova [et al.] // IV Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" Nanospintronics (EASTMAG-2010). School for young scientist "Spintronics" : June 28 - Lule 2, 2010"Book of abstracts. - Ekaterinburg, 2010. - P. 195

РИНЦ

Доп.точки доступа:
Parshin, A.S.; Alexandrova, G.A.; Kushchenkov, S.A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); Уральское отделение РАН
}
Найти похожие

CEMS analysis of phase formation in nanostructured films (Fe/Si) 3 / S. N. Varnakov [et al.] // Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P. 277-280, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.277 . - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
interfaces metal/semiconductor -- magnetic silicides -- molecular beam epitaxy technology -- semiconductor and magnetic geterostructures
Аннотация: Determination of stable phases formed at the Fe/Si interface in (Fe/Si)n structure, grown by thermal evaporation in an ultrahigh vacuum system was performed using conversion electron Mossbauer spectroscopy (CEMS).

РИНЦ
Держатели документа:
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Ciencia de Materiales e Ingenieria Metalurgica,CSIC-Universidad de Zaragoza
Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon,Departamento de Fisica de la Materia Condensada,CSIC-Universidad de Zaragoza
Kirensky Institute of Physics,Siberian Division,Russian Academy of Sciences
Siberian Aerospace University

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bartolomé, J.; Rubin, J.; Badia, L.; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(4 ; 2010 ; Jun.-Jul. ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

Investigation of Fe structure formation on Si (100) molecular-beam epitaxy and solid-phase epitaxy / I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinyikov // Proceedings Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2011) / Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia), Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток). - 2011

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I.A.; Varnakov, S.N.; Ovchinyikov, S.G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток)
}
Найти похожие

    Morphology of a polar twin structure in Czochralski grown α-SrB4O7 crystals / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 444-445
   Перевод заглавия: Морфология полярных двойниковых структур в кристаллах α-SrB4O7 выращенных методом Чехральского

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Cherepakhin, A. V.; Черепахин, Александр Владимирович; Radionov, N. V.; Радионов, Никита Вячеславович; Zamkov, A. V.; Замков, Анатолий Васильевич; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)
}
Найти похожие

10.

    Growth, optical and microstructural properties of PbB4O7 plate crystals / A. I. Zaitsev [et al.] // 17th Int. Conf. on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) : Book of Abstracts. - 2013. - P. 452
   Перевод заглавия: Рост, оптические и микроструктурные свойства пластинчатых кристаллов PbB4O7

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Pokrovsky, L.; Atuchin, V. V.; Атучин, Виктор Валерьевич; Kokh, K. A.; International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (17 ; 2013 ; Aug. ; 11-16 ; Warsaw, Poland)
}
Найти похожие