Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=interface<.>)

Общее количество найденных документов : 89
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Greben'kova Yu.E., Edelman I. S., Chernichenko A. V., Velikanov D. A., Turpanov I. A., Yakunin S. N.
Заглавие : Morphology and structure of the interface layers in Ni-Ge thin films
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 167. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гребенькова, Юлия Эрнестовна, Черниченко, Ангелина Виталиевна, Великанов, Дмитрий Анатольевич, Турпанов, Игорь Александрович, Мухамеджанов Э. Х., Зубавичус Я. В., Черков А. К., Патрин, Геннадий Семёнович
Заглавие : Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 7. - P.1405-1411. - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: 17 назв.
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле. Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00972 и 11-02-00675; синхротронные исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования "Курчатовский центр синхротронного излучения и нанотехнологий" в рамках государственного контракта N 16.552.11.7003.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Федоров, Александр Семенович, Кузубов, Александр Александрович, Кожевникова Т. А., Елисеева, Наталья Сергеевна, Галкин Н. Г., Овчинников, Сергей Геннадьевич, Саранин А. А., Латышев А. В.
Заглавие : Особенности структуры и свойств нанопленок β-FeSi[[d]]2[[/d]] и интерфейса β-FeSi[[d]]2[[/d]] /Si
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 95, Вып. 1. - С. 23-28. - ISSN 0370-274X
Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной, геометрической и магнитной структуры нанопленок β -фазы дисилицида железа FeSi 2 с поверхностями (001), (100) и (010). Обнаружена существенная реконструкция поверхности (001), заканчивающейся атомами кремния, сопровождающаяся повышением симметрии поверхности и возникновением “квадратов” из атомов кремния. На основе анализа плотности электронных состояний (DOS), а также спиновой DOS, спроектированной по вкладам слоев атомов (LSDOS), вычислено, что все пластины обладают металлическими свойствами. При этом основной вклад вблизи уровня Ферми вносят поверхностные слои железа, причем он быстро убывает при продвижения в глубь пластины. Из анализа вычисленных эффективных магнитных моментов атомов обнаружено, что поверхностные слои в пластинах обладают существенным магнитным моментом, особенно слои железа на поверхности (001) (1.89μ В /атом), причем моменты атомов быстро спадают по мере удаления их от поверхности. Исследованы электронная и геометрическая области интерфейса (001)Si/FeSi 2 . На основе анализа LSDOS показано, что в данной области также реализуется поверхностное проводящее состояние, определяемое в основном вкладом от слоев приповерхностного силицида. Продемонстрирована возможность образования совершенной и резкой области перехода Si/FeSi 2 .
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kuzubov A. A., Kozhevnikova T. A., Eliseeva N. S., Galkin N. G., Saranin A. A., Latyshev A. V.
Заглавие : Features of the structure and properties of β-FeSi2 nanofilms and a β-FeSi2/Si interface
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 95, Is. 1. - P.20-24. - ISSN 0370-274X
Аннотация: The electronic, geometric, and magnetic structure of nanofilms of the β phase of iron disilicide FeSi2 with the (001), (100), and (010) surfaces have been simulated through density functional calculations. A substantial reconstruction of the (001) surface terminated with silicon atoms has been observed, which was accompanied by an increase in the surface symmetry and appearance of “squares” of silicon atoms. Analysis of the electron density of states (DOS) and spin DOS projected on the contributions of layers of atoms (LSDOS) indicates that all plates have metallic properties. The main contribution near the Fermi level comes from the surface iron layers and it decreases rapidly with an increase in the distance from the surface of the plate. Analysis of the calculated effective magnetic moments of atoms shows that the surface layers in the plates have a significant magnetic moment, in particular, iron layers on the (001) surface (1.89 μB/atom). The moments of atoms decrease rapidly with an increase in their distance from the surface. The electron and geometric regions of a (001)Si/FeSi2 interface have been studied. Analysis of the LSDOS shows that the surface conducting state mainly determined by the contribution from the near-surface silicide layers is implemented in this region. The possibility of the formation of the perfect and sharp Si/FeSi2 interface has been demonstrated.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Greben'kova Yu.E., Chernichenko A. V., Velikanov D. A., Turpanov I. A., Mukhamedzhanov E. Kh., Zubavichus Y. V., Cherkov A. K., Patrin G. S.
Заглавие : Ni-Ge nanostructures: Role of the interface and the magnetic properties
Место публикации : Phys. Solid State: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 54, Is. 7. - P.1494-1500. - ISSN 1063-7834
Примечания : Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 11-02-00675 and 11-02-00972). The synchrotron investigations were performed on equipment of the Center for Collective Use "Kurchatov Center for Synchrotron Radiation and Nanotechnology" (state contract no. 16.552.11.7003).
Предметные рубрики: FILMS
PHASE
FeGe
Аннотация: The surface morphology and local structure of layers in the Ni-Ge and Ge-Ni-Ge-Ni-Ge films have been investigated. It has been shown that the surface of the films follows the roughnesses of the substrate surface, which have characteristic dimensions of 2–4 nm in height and ∼100 nm in plane. It has been found that an interface with the depth ranging from 9 to 18 nm is formed at the boundaries between the Ni and Ge layers. The data obtained have been used to explain the specific features of the magnetic properties of the studied films, such as the asymmetry of hysteresis loops at low temperatures and the difference between the temperature dependences of the magnetization of the samples for two cooling modes: in a magnetic field and without a magnetic field.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ветров, Степан Яковлевич, Бикбаев, Рашид Гельмединович, Тимофеев, Иван Владимирович
Заглавие : Оптические таммовские состояния на границе фотонного кристалла и нанокомпозита c резонансной дисперсией
Место публикации : Журн. эксперимент. и теор. физ. - 2013. - Т. 144, Вып. 6. - С. 1129-1139. - DOI 10.7868/S004445101312002X
Аннотация: Исследуются оптические таммовские состояния, локализованные на краях фотонного кристалла, ограниченного с одной или обеих сторон нанокомпозитом. Нанокомпозит состоит из диспергированных в прозрачной матрице металлических наноразмерных включений сферической или ориентационно-упорядоченной сфероидальной формы и характеризуется эффективной резонансной диэлектрической проницаемостью. Решена задача расчета спектра пропускания, отражения и поглощения волн продольной и поперечной поляризаций подобных структур при нормальном падении света. Изучено спектральное проявление таммовских состояний, обусловленное наличием отрицательных значений вещественной части эффективной диэлектрической проницаемости для частот видимой области спектра. Установлена существенная зависимость характеристик локализованных на краю фотонного кристалла таммовских состояний от концентрации наношаров в пленке нанокомпозита и от ее толщины. Исследованы моды, образованные двумя связанными таммовскими плазмон-поляритонами, локализованными на границах фотонного кристалла, сопряженного с двумя слоями нанокомпозита. Показано, что в случае анизотропного нанокомпозитного слоя, сопряженного с фотонным кристаллом, каждой из двух ортогональных поляризаций падающей волны отвечает своя частота локализованного на границе таммовского состояния, что делает спектры пропускания такой структуры поляризационно-чувствительными.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Badía-Romano L., Rubin J., Bartolomé F., Bartolome J., Ovchinnikov S. G., Varnakov S.N., Magen C., Rubio-Zuazo J., Castro G. R.
Заглавие : Morphological and compositional study at the Si/Fe interface of (Fe/Si) multilayer
Место публикации : SPIN. - 2014. - Vol. 4, № 1. - P.1440002. - DOI 10.1142/S2010324714400025
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): fe-si interlayer--magnetic nanostructures--fe silicides--reflectivity--conversion electron möossbauer spectroscopy
Аннотация: Diffusion and reaction of elements at the interfaces of nanostructured systems play an important role in controlling their physical and chemical properties for subsequent applications. (Fe/Si) nanolayers were prepared by thermal evaporation under ultrahigh vacuum onto a Si(100) substrate. A morphological characterization of these films was performed by combination of scanning transmission electron microscopy (STEM) and X-ray reflectivity (XRR). The compositional depth profile of the (Fe/Si) structures was obtained by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS) and hard X-ray photoelectron spectroscopy (HAXPES). Moreover, determination of the stable phases formed at the Si on Fe interfaces was performed using conversion electron Mössbauer spectroscopy. The Si/Fe interface thickness and roughness were determined to be 1.4 nm and 0.6 nm, respectively. A large fraction of the interface is composed of c-Fe1-xSi paramagnetic phase, though a minoritary ferromagnetic Fe rich silicide phase is also present.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vetrov S. Y., Bikbaev R. G., Timofeev I. V.
Заглавие : Optical Tamm states at the interface between a photonic crystal and a nanocomposite with resonance dispersion
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.V37.21.0730, 14V37.21.0730]; Presidium of the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [24.29]; Division of Physical Sciences, Russian Academy of Sciences [Sh.9.5]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [24.29, 24.31]; Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [43, 101]
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2013. - Vol. 117, Is. 6. - P.988-998. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776113140185. - ISSN 1090-6509
Примечания : Cited References: 28. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.V37.21.0730, federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia"); by the Presidium of the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project no. 24.29); by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (contract no. 14V37.21.0730); by the Division of Physical Sciences, Russian Academy of Sciences (project no. Sh.9.5); by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project nos. 24.29 and 24.31); and by the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project nos. 43 and 101).
Предметные рубрики: LIGHT
TRANSMISSION
MEDIA
LAYER
Аннотация: Optical Tamm states localized at the edges of a photonic crystal bounded from one or both sides by a nanocomposite have been studied. The nanocomposite consists of metallic nanoinclusions, which have a spherical or orientationally ordered spheroidal shape and are dispersed in a transparent matrix, and is characterized by the resonant effective permittivity. The transmission, reflection, and absorption spectra have been calculated for waves with longitudinal and transverse polarizations in such structures at the normal incidence of light. The spectral manifestation of Tamm states that is due to the existence of negative values of the real part of the effective permittivity has been analyzed for the visible spectral range. It has been established that the characteristics of Tamm states localized at the edge of the photonic crystal depend strongly both on the concentration of nanoballs in the nanocomposite film and on its thickness. Modes formed by two coupled Tamm plasmon polaritons localized at the edges of the photonic crystal adjacent to two nanocomposite layers have been examined. It has been shown that, in the case of the anisotropic nanocomposite layer adjacent to the photonic crystal, each of two orthogonal polarizations of the incident wave corresponds to a specific frequency of the Tamm state localized at the edge; owing to this property, the transmission spectra of such a structure are polarization sensitive.
WOS,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Sutormin V. S., Крахалев, Михаил Николаевич, Prishchepa O. O., Zyryanov V. Ya.
Заглавие : Electrically controlled local Frédericksz transition in a layer of a nematic liquid crystal
Место публикации : JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 8. - P.511-516. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/S0021364012200131
Примечания : Cited References: 18. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 12-03-00816, 12-02-31613, and 12-03-31144); by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project nos. 24.29 and 24.32); by the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (project nos. 30 and 101); and by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.V37.21.0730, federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia").
Предметные рубрики: ANCHORING TRANSITIONS
INTERFACE
ORIENTATION
SURFACES
Аннотация: A local Frédericksz transition caused by electrically controlled surface anchoring in a nematic liquid crystal has been implemented owing to the displacement of surface-active ions. In the initial case, the nematic is homeotropically aligned by monomolecular layers of cetyltrimethylammonium bromide cations adsorbed on the surface of substrates. One of the substrates in a static electric field becomes free of a cation layer and specifies planar boundary conditions; as a result, a homeoplanar orientation structure is formed. The features of the dynamics of the optical response of the cell under study that are characteristic of the effect under consideration are discussed.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tereshchenko O. E., Paulish A. G., Neklyudova M. A., Shamirzaev T. S., Yaroshevich A. S., Prosvirin I. P., Zhaksylykova I. E., Dmitriev D. V., Toropov A. I., Varnakov S. N., Rautskii M. V., Volkov N. V., Ovchinnikov S. G., Latyshev A. V.
Заглавие : Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P.12-16. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785012010154
Примечания : Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project).
Предметные рубрики: Pd
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие