Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (7)Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=silicon<.>)
Общее количество найденных документов : 120
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Киренский, Леонид Васильевич, Патюкова З. М.
Заглавие : Исследование упругого гистерезиса, термоупругого эффекта в никеле и никель-кремнистых сплавах
Коллективы : Симпозиум по вопросам ферро- и антиферромагнетизма (1962 ; 25 июня - 7 июля; Красноярск)
Место публикации : Изв. АН СССР, Сер. физич./ предс. орг. ком. С. В. Вонсовский. - 1964. - Т. 28, № 1. - С. 198-201
Примечания : Библиогр.: 8 назв. - Phys. Abstr. - 1966. - Vol. 69, 5593
Смотреть статью
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vetrov S. Y., Shabanov V. F.
Заглавие : Dissipative effects of the interaction of crystal-lattice surface with medium
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: DISSIPATIVE EFFECTS OF THE INTERACTION OF CRYSTAL LATTICE SURFACE WITH MEDIUM
Место публикации : Phys. Status Solidi B. - 1987. - Vol. 140, Is. 1. - P.103-112. - ISSN 0370-1972
Примечания : Cited References: 14
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electric conductivity - measurements--interferometry--silicon compounds - thin films--x-rays - diffraction--dissipative effects--multiple-reflection interferometry--silver and alloys
WOS,
Scopus
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Savchenko M. K., Turpanov I. A., Efimov V. I.
Заглавие : High-temperature magnetic afteraction in iron and iron-silicon alloys
Место публикации : Izvestiya Akademii nauk SSSR Seriya Fizicheskaya. - 1989. - Vol. 53, Is. 4. - P.630-635. - ISSN 0367-6765
Примечания : Cited References: 10
WOS
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Peng J. L., Bulcock S., Belobrov P. I., Bursill L. A.
Заглавие : Surface bonding states of nano-crystalline diamond balls
Место публикации : Int. J. Mod. Phys. B: WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD, 2001. - Vol. 15, Is. 31. - P4071-4085. - ISSN 0217-9792, DOI 10.1142/S0217979201007865
Примечания : Cited References: 20
Предметные рубрики: PLASMON RESPONSE
POWDER
SPECTROSCOPY
MICROSCOPY
SILICON
SI(111)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): diamond--article--crystal structure--electron--energy transfer--nanoparticle--particulate matter--structure analysis--surface property--transmission electron microscopy
Аннотация: The rough surface of nano-crystalline diamond spheres induces surface electronic states which appear as a broadened pre-peak over approx. 15 eV at the C K-edge energy threshold for carbon in the parallel electron energy loss spectrum (PEELS). This appears to be at least partially due to 1s-pi* transitions, although typically the latter occupy a range of only 4 eV for the sp(2) edge of highly-oriented pyrollytic graphite (HOPG). No pi* electrons appear in the conduction band inside the diamond particles, where all electrons are sp(3) hybridized. PEELS data were also obtained from a chemical vapour deposited diamond film (CVDF) and gem-quality diamond for comparison with the spectra of nano-diamonds. The density of sp(2) and sp(3) states on the surface of diamond nano-crystals is calculated for simple structural models of the diamond balls, including some conjecture about surface structures. The results are used to interpret the sp(2)/sp(3) ratios measured from the PEELS spectra recorded as scans across the particles. Surface roughness at the atomic scale was also examined using high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and electron nano-diffraction patterns were used to confirm the crystal structures.
WOS,
Scopus
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Vas'kovskii V. O., Velikanov D. A., Svalov A. V., Panova M. A.
Заглавие : Spin-glass-like behavior of low field magnetisation in multilayer (Gd/Si/Co/Si)(n) films
Разночтения заглавия :авие SCOPUS: Spin-glass-like behavior of low field magnetisation in multilayer (Gd/Si/Co/Si)n films
Место публикации : Phys. Lett. A. - 2003. - Vol. 309, Is. 1-2. - P.155-159. - ISSN 0375-9601, DOI 10.1016/S0375-9601(03)00169-5
Примечания : Cited References: 13
Предметные рубрики: BIQUADRATIC EXCHANGE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): cobalt--gadolinium--glass--silicon--silicon derivative--acceleration--article--film--magnetic field--magnetism--molecular dynamics--molecular interaction
Аннотация: The results of experimental investigations of magnetic properties of multilayer (Gd/Si/Co/Si)(n) films in low magnetic fields are represented. The spin-glass-like behavior of magnetization is found. The role of biquadratic exchange coupling in a forming of magnetic state of system is discussed. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Iskhakov R. S., Komogortsev S. V., Chekanova L. A., Balaev A. D., Yuzova V. A., Semenova O. V.
Заглавие : The magnetic structure of ferromagnetic filaments of a CoNi(P) alloy in a porous silicon matrix
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: AMER INST PHYSICS, 2003. - Vol. 29, Is. 4. - P263-266. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/1.1573285
Примечания : Cited References: 12
Предметные рубрики: RANDOM ANISOTROPY
NI NANOWIRES
NANOCRYSTALLINE
FILMS
CO
FE
Аннотация: The magnetic and resonance properties of CoNi(P) alloys, synthesized by chemical deposition as films on single crystal silicon substrates and as filaments in linear pores of porous silicon substrates, were studied by magnetization and ferromagnetic resonance measurements. It is established that CoNi(P) alloys of the same composition but different morphologies occur in states characterized by different degrees of nonequilibrium, which is manifested by different modes of the magnetization approach to saturation. (C) 2003 MAIK "Nauka / Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Avramov P. V., Sorokin P. B., Fedorov A. S., Fedorov D. G., Maeda Y.
Заглавие : Band-gap unification of partially Si-substituted single-wall carbon nanotubes
Место публикации : Phys. Rev. B: AMER PHYSICAL SOC, 2006. - Vol. 74, Is. 24. - Ст.245417. - ISSN 1098-0121, DOI 10.1103/PhysRevB.74.245417
Примечания : Cited References: 72
Предметные рубрики: SILICON-CARBIDE NANOTUBES
DENSITY-FUNCTIONAL THEORY
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE BASIS-SET
ELECTRONIC-STRUCTURE
AB-INITIO
NANORODS
EXCITATIONS
TRANSITION
NANOWIRES
Аннотация: The atomic and electronic structure of a set of pristine single wall SiC nanotubes as well as Si-substituted carbon nanotubes and a SiC sheet was studied by the local-density approximation (LDA) plane wave band structure calculations. Consecutive substitution of carbon atoms by Si leads to a gap opening in the energetic spectrum of the metallic (8,8) SWCNT with approximately quadratic dependence of the band gap upon the Si concentration. The same substitution for the semiconductor (10,0) single wall carbon nanotubes (SWCNT) results in a band gap minimum (0.27 eV) at similar to 25% of Si concentration. In the Si concentration region of 12-18 %, both types of nanotubes have less than 0.5 eV direct band gaps at the Gamma-Gamma point. The calculation of the chiral (8,2) SWSi0.15C0.85NT system gives a similar (0.6 eV) direct band gap. The regular distribution of Si atoms in the atomic lattice is by similar to 0.1 eV/atom energetically preferable in comparison with a random distribution. Time dependent density functional theory (DFT) calculations showed that the silicon substitution sufficiently increases (roughly by one order of magnitude) the total probability of optical transitions in the near infrared region, which is caused by the opening of the direct band gap in metallic SWCNTs, the unification of the nature and energy of the band gaps of all SWCNT species, the large values of Si3p parallel to r parallel to Si3s radial integrals and participation of Si3d states in chemical bonding in both valence and conductance bands.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chernozatonskii L. A., Sorokin P. B., Fedorov A. S.
Заглавие : Energy and electronic properties of non-carbon nanotubes based on silicon dioxide
Место публикации : Phys. Solid State: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2006. - Vol. 48, Is. 10. - P2021-2027. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783406100337
Примечания : Cited References: 32
Предметные рубрики: MOLECULAR-DYNAMICS
SIO2
Аннотация: The geometric, energy, and electronic characteristics of new non-carbon nanotubes based on silicon dioxide are investigated in the framework of the local electron density functional formalism. Nanotubes are classified according to the type of rolling-up of the SiO2 sheet. It is shown that, among the entire set of considered nanotubes with different symmetries, the (6, 0) nanotubes are energetically more favorable. The densities of states for nanotubes are calculated. It is established that all nanotubes are dielectrics with a wide band gap. The band gap varies over a wide range with a change in the longitudinal strain of the nanotube.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bulina N. V., Lopatin V. A., Vnukova N. G., Osipova I. V., Churilov G. N., Krtschmer W.
Заглавие : Arc synthesis of silicon-doped heterofullerenes in plasma at atmospheric pressure
Место публикации : Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures: Marcel Dekker Inc., 2007. - Т. 15, № 5. - С. 395-400. - ISSN 1536-383X, DOI 10.1080/15363830701512229. - ISSN 1536-4046(eissn)
ГРНТИ : 31
РИНЦ
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Avramov P. V., Sorokin P. B. , Chernozatonskii L. A. , Gordon M. S.
Заглавие : Multiterminal nanowire junctions of silicon: A theoretical prediction of atomic structure and electronic properties
Место публикации : Nano Letters: American Chemical Society, 2007. - Т. 7, № 7. - С. 2063-2067. - ISSN 1530-6984, DOI 10.1021/nl070973y. - ISSN 1530-6992(eissn)
ГРНТИ : 34
РИНЦ
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)