Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
Регистрация
Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Базы данных
Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска
Вид поиска
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН
Труды сотрудников ИФ СО РАН
Область поиска
Ключевые слова
Автор
Заглавие
Год издания
Место работы автора
в найденном
Найдено в других БД:
Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (7)
Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полный
информационный
краткий
Отсортировать найденные документы по:
автору
заглавию
году издания
типу документа
Поисковый запрос:
(<.>K=silicon<.>)
Общее количество найденных документов
:
120
Показаны документы
с 1 по 20
1.
Теоретическое исследование сорбции
и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.]> // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. -
Т. 97
,
Вып. 11
. - С. 732-736
DOI
10.7868/S0370274X13110064
Аннотация:
В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.
Смотреть статью
,
Читать в сети ИФ
Переводная версия
Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline
silicon
and inside it. - [Б. м. : б. и.]
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие
2.
Теоретическое исследование диффузии
лития в кристаллическом и аморфном кремнии / А. С. Федоров [и др.]> // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. -
Т. 95
,
Вып. 3
. - С. 159-163 . - ISSN 0370-274X
Аннотация:
Методом ab initio DFT-расчетов проведено исследование влияния деформации решетки на величины потенциальных барьеров для движения атома лития в кристаллическом кремнии. C использованием этих данных предложен новый универсальный метод расчета коэффициента диффузии примеси в аморфных твердых средах, происходящей по активационному механизму. Метод основан на вычислении статистического распределения величин потенциальных барьеров для движения атома примеси между минимумами в зависимости от положения соседних атомов. При этом вначале проводится моделирование аморфной структуры, генерируемой методом отжига из кристаллической структуры с вакансиями. Далее с помощью линейной регрессии с параметрами, определяемыми для барьеров в кристаллическом кремнии, подвергаемом различной деформации, вычисляется статистическое распределение потенциальных барьеров в аморфной структуре для различных локальных окружений атома примеси. Из полученного распределения с применением формулы Аррениуса вычисляется коэффициент диффузии примеси. Представленный метод протестирован на примере кристаллического и аморфного кремния с примесью атомов лития. Метод показал существенное ускорение диффузии лития в аморфном кремнии по сравнению с кристаллическим, что подтверждается экспериментами.
Смотреть статью
,
Читать в сети ИФ
Переводная версия
Theoretical study of the diffusion of lithium in crystalline and amorphous
silicon
// JETP Letters : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 95, Is. 3. - P.143-147. - ISSN 0021-3640
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие
3.
Теоретическое исследование внедрения
атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.]> // Вестник СибГАУ. - 2015. -
Т. 16
,
№ 2
. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
Перевод заглавия:
Theoretical study of lithium atoms penetration into
silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ
--
ЛИТИЙ
--
КРЕМНИЙ
--
DFT
--
DIFFUSION
--
LITHIUM
--
SILICON
Аннотация:
Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through
silicon
(001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed
silicon
(001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the
silicon
crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of
silicon
crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between
silicon
dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the
silicon
(001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between
silicon
dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through
silicon
(001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath
silicon
surface at low lithium concentrations.
РИНЦ
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие
4.
Теоретическое исследование влияния
допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.]> // Вестник СибГАУ. - 2015. -
Т. 16
,
№ 3
. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
Перевод заглавия:
Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия
--
литий
--
кремний
--
кремний
--
допирование
--
метод функционала плотности (DFT)
--
diffusion
--
lithium
--
silicon
--
doping
--
DFT
Аннотация:
В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently,
silicon
is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from
silicon
surface into volume that can be solved by modifying
silicon
surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the
silicon
replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to
silicon
decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of
silicon
, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between
silicon
dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on
silicon
surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие
5.
Киренский, Леонид Васильевич
.
Исследование упругого гистерезиса, термоупругого эффекта в никеле и никель-кремнистых сплавах [Текст] / Л. В. Киренский, З. М. Патюкова> //
Изв. АН СССР, Сер. физич. - 1964. -
Т. 28
,
№ 1
. - С. 198-201. - Библиогр.: 8 назв. - Phys. Abstr. - 1966. - Vol. 69, 5593
Перевод заглавия:
Investigation of elastic hysteresis of the thermoelastic effect in nickel and nickel-
silicon
alloys
Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Вонсовский, Сергей Васильевич \предс. орг. ком.\; Патюкова, З. М.; Kirenskii, L. V.; Симпозиум по вопросам ферро- и антиферромагнетизма (1962 ; 25 июня - 7 июля ; Красноярск)
}
Найти похожие
6.
Vetrov, S. Y.
Dissipative effects of the interaction of crystal-lattice surface with medium / S. Y. Vetrov, V. F. Shabanov> // Phys. Status Solidi B. - 1987. -
Vol. 140
,
Is. 1
. - P. 103-112. - Cited References: 14 . - ISSN 0370-1972
РУБ
Physics, Condensed Matter
Кл.слова (ненормированные):
ELECTRIC CONDUCTIVITY - Measurements
--
INTERFEROMETRY
--
SILICON
COMPOUNDS - Thin Films
--
X-RAYS - Diffraction
--
DISSIPATIVE EFFECTS
--
MULTIPLE-REFLECTION INTERFEROMETRY
--
SILVER AND ALLOYS
WOS
,
Scopus
Держатели документа:
Acad of Sciences of the USSR, Krasnoyarsk, USSR, Acad of Sciences of the USSR, Krasnoyarsk, USSR
Доп.точки доступа:
Shabanov, V. F.; Шабанов, Василий Филиппович
}
Найти похожие
7.
Transport properties of
spintronic devices fabricated from ferromagnet/
silicon
hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.]> //
Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. -
Vol. 1
. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4
Материалы симпозиума
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia
Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
8.
Titanium nitride as
light trapping plasmonic material in
silicon
solar cell / N. Venugopal [et al.]> // Opt. Mater. - 2017. -
Vol. 72
. - P. 397-402,
DOI
10.1016/j.optmat.2017.06.035. - Cited References: 56 . - ISSN 0925-3467
Кл.слова (ненормированные):
Photovoltaics
--
Plasmonics
--
Titanium nitride
Аннотация:
Light trapping is a crucial prominence to improve the efficiency in thin film solar cells. However, last few years, plasmonic based thin film solar cells shows potential structure to improve efficiency in photovoltaics. In order to achieve the high efficiency in plasmonic based thin film solar cells, traditionally noble metals like Silver (Ag) and Gold (Au) are extensively used due to their ability to localize the light in nanoscale structures. In this paper, we numerically demonstrated the absorption enhancement due to the incorporation of novel plasmonic TiN nanoparticles on thin film
Silicon
Solar cells. Absorption enhancement significantly affected by TiN plasmonic nanoparticles on thin film
silicon
was studied using Finite-Difference-Time-Domain Method (FDTD). The optimal absorption enhancement 1.2 was achieved for TiN nanoparticles with the diameter of 100 nm. The results show that the plasmonic effect significantly dominant to achieve maximum absorption enhancement g(λ) at longer wavelengths (red and near infrared) and as comparable with Au nanoparticle on thin film
Silicon
. The absorption enhancement can be tuned to the desired position of solar spectrum by adjusting the size of TiN nanoparticles. Effect of nanoparticle diameters on the absorption enhancement was also thoroughly analyzed. The numerically simulated results show that TiN can play the similar role as gold nanoparticles on thin film
silicon
solar cells. Furthermore, TiN plasmonic material is cheap, abundant and more Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) compatible material than traditional plasmonic metals like Ag and Au, which can be easy integration with other optoelectronic devices.
Смотреть статью
,
Scopus
,
WOS
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Institute of Nanotechnology, Spectroscopy and Quantum Chemistry, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Computational Modeling, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
L.V. Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Venugopal, N.; Gerasimov, V. S.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Ershov, A. E.; Ершов, Александр Евгеньевич; Karpov, S. V.; Карпов, Сергей Васильевич; Polyutov, S. P.
}
Найти похожие
9.
Thermokinetic study of
aluminum-induced crystallization of a-Si: The effect of Al layer thickness / S. M. Zharkov, V. V. Yumashev, E. T. Moiseenko [et al.]> // Nanomaterials. - 2023. -
Vol. 13
,
Is. 22
. - Ст. 2925,
DOI
10.3390/nano13222925. - Cited References: 70. - This work was supported by the Russian Science Foundation under grant #22-13-00313 . - ISSN 2079-4991
Перевод заглавия:
Термокинетическое исследование кристаллизации a-Si, индуцированной алюминием: влияние толщины слоя Al
Кл.слова (ненормированные):
amorphous
silicon
--
Al/Si
--
nanolayer
--
multilayer film
--
metal-induced crystallization
--
aluminum-induced crystallization
--
kinetics
--
activation energy
--
enthalpy
--
simultaneous thermal analysis (STA)
Аннотация:
The effect of the aluminum layer on the kinetics and mechanism of aluminum-induced crystallization (AIC) of amorphous
silicon
(a-Si) in (Al/a-Si)n multilayered films was studied using a complex of in situ methods (simultaneous thermal analysis, transmission electron microscopy, electron diffraction, and four-point probe resistance measurement) and ex situ methods (X-ray diffraction and optical microscopy). An increase in the thickness of the aluminum layer from 10 to 80 nm was found to result in a decrease in the value of the apparent activation energy Ea of
silicon
crystallization from 137 to 117 kJ/mol (as estimated by the Kissinger method) as well as an increase in the crystallization heat from 12.3 to 16.0 kJ/(mol Si). The detailed kinetic analysis showed that the change in the thickness of an individual Al layer could lead to a qualitative change in the mechanism of aluminum-induced
silicon
crystallization: with the thickness of Al ≤ 20 nm. The process followed two parallel routes described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X) and the Avrami–Erofeev equation (An): with an increase in the thickness of Al ≥ 40 nm, the process occurred in two consecutive steps. The first one can be described by the n-th order reaction equation with autocatalysis (Cn-X), and the second one can be described by the n-th order reaction equation (Fn). The change in the mechanism of amorphous
silicon
crystallization was assumed to be due to the influence of the degree of Al defects at the initial state on the kinetics of the crystallization process.
Смотреть статью
,
Scopus
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Laboratory of Electron Microscopy, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Доп.точки доступа:
Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Yumashev, V. V.; Moiseenko, E. T.; Altunin, R. R.; Solovyov, L. A.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zeer, G. M.; Nikolaeva, N. S.; Belousov, O. V.
}
Найти похожие
10.
Theoretical study of
the lithium diffusion in the crystalline and amorphous
silicon
, as well as on its surface at different lithium concentrations / A. S. Fedorov [и др.]> //
Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. - 2013. - P. 133-134
Материалы конференции
Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие
11.
Theoretical study of
the lithium diffusion in the crystalline and amorphous
silicon
as well as on its surface [] / A. S. Fedorov [et al.]> // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. -
Vol. 213
: Physics and Technology of Nanostructured Materials II. - P. 29-34,
DOI
10.4028/www.scientific.net/SSP.213.29. - Cited References: 21 . - ISSN 1662-9779. - ISSN 978-3-037
Кл.слова (ненормированные):
Ab initio calculations
--
Diffusion
--
Lithium-ion accumulators
--
Silicon
Аннотация:
Using the PAW DFT-GGA method and numerical solving of master equation the diffusion rates of lithium atoms inside both crystal and amorphous
silicon
of LixSi (x= 0.0.5) composition have been calculated for different temperatures. It is shown the diffusion rate for amorphous
silicon
is ~10 times greater than that for the crystal
silicon
. For both structures the rate is increased by 1.5-2 orders of magnitude while the lithium concentration is increased up to 0.5 value. This should result in that the LixSi/Si interface will be sharp. This fact has been further confirmed using molecular dynamic calculations based on Angular Dependent Potential (ADP) model. Also binding energies of Li atoms lying on different sites of Si (001) surface as well as the potential barriers for the atom jumps both along the surface and in the subsurface layers have been calculated. The data show the Li atoms move along the surface very easily but their jumps into subsurface layers are very difficult due to the high potential barrier values. В© (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Смотреть статью
,
Scopus
,
WOS
Доп.точки доступа:
Galkin, N. \ed.\; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Visotin, M. A.; Galkin, N. G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие
12.
Theoretical study of
the elastic properties of branched
silicon
nanowires [Text] / P. B. Sorokin, D. G. Kvashnin, A. G. Kvashnin> //
9th Biennial International Workshop "Fullerenes and Atomic Clusters" (IWFAC 2009) : July 6-10, 2009, St Petersburg, Russia : abstracts. - 2009. - Ст. P4.6. - P101
Смотреть статью
,
Читать в сети ИФ
Доп.точки доступа:
Sorokin, P.B.; Kvashnin, D.G.; Kvashnin, A.G.; "Fullerenes and Atomic Clusters", Biennial International Workshop(9 ; 2009 ; JUL)
}
Найти похожие
13.
Theoretical study of
the diffusion of lithium in crystalline and amorphous
silicon
/ A. S. Fedorov [et al.]> // JETP Letters. - 2012. -
Vol. 95
,
Is. 3
. - P. 143-147,
DOI
10.1134/S0021364012030058. - Cited References: 28. - We are grateful to the Institute of Computational Modeling, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences; the Interdepartmental Supercomputer Center, Russian Academy of Sciences; and the Computer Center, Siberian Federal University, for the use of their computer clusters for performing all calculations. This work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013). . - ISSN 0021-3640
РУБ
Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ACCELERATED MOLECULAR-DYNAMICS
AB-INITIO
INFREQUENT EVENTS
SIMULATION
RELAXATION
HYDROGEN
POINTS
SI
Аннотация:
The effect of the lattice deformation on potential barriers for the motion of a lithium atom in crystalline
silicon
has been studied through ab initio density functional calculations. A new universal method of calculating the diffusion coefficient of an admixture in amorphous solid media through the activation mechanism has been proposed on the basis of these data. The method is based on the calculation of the statistical distribution of potential barriers for the motion of an admixture atom between minima depending on the position of neighboring atoms. First, the amorphous structure, which is generated by annealing from the crystalline structure with vacancies, has been simulated. Then, the statistical distribution of the potential barriers in the amorphous structure for various local environments of the admixture atoms has been calculated by means of linear regression with the parameters determined for barriers in crystalline
silicon
subjected to different deformations. The diffusion coefficient of the admixture has been calculated from this distribution by using the Arrhenius formula. This method has been tested by the example of crystalline and amorphous
silicon
with admixture of lithium atoms. The method demonstrates that the diffusion of lithium in amorphous
silicon
is much faster than that in crystalline
silicon
; this relation is confirmed experimentally.
Смотреть статью
,
Scopus
,
WoS
,
Читать в сети ИФ
Публикация на русском языке
Теоретическое исследование диффузии лития в кристаллическом и аморфном кремнии [Текст] / А. С. Федоров [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2012. - Т. 95 Вып. 3-4. - С. 159-163
Держатели документа:
[Fedorov, A. S.
Popov, Z. I.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Kuzubov, A. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие
14.
Theoretical study of
sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline
silicon
and inside it / A. A. Kuzubov [et al.]> // JETP Letters. - 2013. -
Vol. 97
,
Is. 11
. - P. 634-638,
DOI
10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация:
The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100)
silicon
surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline
silicon
, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between
silicon
dimers. The diffusion of lithium into near-surface
silicon
layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside
silicon
on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.
Scopus
,
WOS
,
Читать в сети ИФ
Публикация на русском языке
Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]
Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие
15.
Theoretical study of
elastic properties of SiC nanowires of different shapes / P. B. Sorokin [et al.]> // J. Nanosci. Nanotechnol. - 2010. -
Vol. 10
,
Is. 8
. - P. 4992-4997,
DOI
10.1166/jnn.2010.2424. - Cited Reference Count: 49. - Гранты: This work was partially supported by JSPS-RFBR collaborative grant 09-02-92107. The electronic structure calculations have been performed on the Joint Supercomputer Centre of the Russian Academy of Sciences. One of the authors (Pavel V. Avramov) acknowledges the encouragement of Professor K. Morokuma, research leader of Fukui Institute, Kyoto University and Dr. Alister Page for kind help and support. The geometry of all structures was visualized by ChemCraft software.SUP53/SUP. - Финансирующая организация: JSPS-RFBR [09-02-92107]; Fukui Institute, Kyoto University . - ISSN 1533-4880. - ISSN 1533-4899
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
SILICON
-CARBIDE
THERMAL-STABILITY
CARBON NANOTUBES
NANORODS
GROWTH
SURFACES
NANOCRYSTALS
POTENTIALS
CONSTANTS
Кл.слова (ненормированные):
Silicon
Carbide
--
Nanowires
--
Elastic Properties
--
DFT
--
Molecular Mechanics
--
DFT
--
Elastic properties
--
Molecular mechanics
--
Nanowires
--
Silicon
carbide
--
Atomic structure
--
Cubic phasis
--
DFT
--
Effective size
--
Elastic properties
--
SiC nanowire
--
Silicon
carbide nanowires
--
Theoretical study
--
Wire geometries
--
Young's Modulus
--
Crystal atomic structure
--
Density functional theory
--
Elastic moduli
--
Elasticity
--
Molecular mechanics
--
Nanowires
--
Wire
--
Silicon
carbide
Аннотация:
The atomic structure and elastic properties of
silicon
carbide nanowires of different shapes and effective sizes were studied using density functional theory and classical molecular mechanics. Upon surface relaxation, surface reconstruction led to the splitting of the wire geometry, forming both hexagonal (surface) and cubic phases (bulk). The behavior of the pristine SiC wires under compression and stretching was studied and Young's moduli were obtained. For Y-shaped SiC nanowires the effective Young's moduli and behavior in inelastic regime were elucidated.
WOS
,
Scopus
,
eLibrary
Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 119334, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Доп.точки доступа:
Sorokin, P.B.; Kvashnin, D.G.; Kvashnin, A.G.; Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Chernozatonskii, L.A.
}
Найти похожие
16.
Theoretical Study of
Atomic Structure and Elastic Properties of Branched
Silicon
Nanowires / P. B. Sorokin [et al.]> // ACS Nano. - 2010. -
Vol. 4
,
Is. 5
. - P. 2784-2790,
DOI
10.1021/nn9018027. - Cited Reference Count: 28. - Гранты: P.B.S. acknowledges partial support by the National Science Foundation grant CMMI-0708096, NIRT. L.A.C. was supported by the Russian Academy of Sciences, program No. 21. P.V.A. and P.B.S. also acknowledge the collaborative RFBR-JSPS Grant No. 09-02-92107-Phi. All calculations have been performed on the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences. The geometry of all presented structures was visualized by ChemCraft software. - Финансирующая организация: National Science Foundation [CMMI-0708096]; NIRT; Russian Academy of Sciences [21]; RFBR-JSPS [09-02-92107-Phi] . - MAY. - ISSN 1936-0851
Рубрики:
ELECTRONIC-PROPERTIES
BUILDING-BLOCKS
NANOCRYSTALS
Кл.слова (ненормированные):
silicon
nanowires
--
elastic properties
--
molecular mechanics
--
Tersoff potential
--
Elastic properties
--
Molecular mechanics
--
Silicon
nanowires
--
Tersoff potential
--
Atomic structure
--
Branch length
--
Elastic properties
--
Interatomic potential
--
Silicon
Nanowires
--
Tersoff potential
--
Theoretical study
--
Young modulus
--
Carbon nanotubes
--
Elasticity
--
Molecular mechanics
--
Nanowires
--
Stiffness
--
Crystal atomic structure
--
nanowire
--
silicon
--
article
--
chemical structure
--
chemistry
--
conformation
--
elasticity
--
mechanical stress
--
Young modulus
--
Elastic Modulus
--
Elasticity
--
Models, Molecular
--
Molecular Conformation
--
Nanowires
--
Silicon
--
Stress, Mechanical
Аннотация:
The atomic structure and elastic properties of Y-shaped
silicon
nanowires of "fork"- and "bough"-types were theoretically studied, and effective Young moduli were calculated using Tersoff interatomic potential. The oscillation of fork Y-type branched nanowires with various branch lengths and diameters was studied. In the final stages of the bending, the formation of new bonds between different parts of the wires was observed. It was found that the stiffness of the nanowires is comparable with the stiffness of Y-shaped carbon nanotubes.
WOS
,
Scopus
,
eLibrary
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 119334, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Доп.точки доступа:
Sorokin, P.B.; Kvashnin, A.G.; Kvashnin, D.G.; Filicheva, J.A.; Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Chernozatonskii, L.A.; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович
}
Найти похожие
17.
Theoretical investigation of
molecular and electronic structures of buckminsterfullerene-
silicon
quantum dot systems / A. S. Fedorov [et al.]> // J. Phys. Chem. A. - 2016. -
Vol. 120
,
Is. 49
. - P. 9767-9775,
DOI
10.1021/acs.jpca.6b06959. - Cited References:20. - The work was supported by Ministry of Education and Science of Russia (Russian-Japanese joined project, Agreement 14.613.21.0010, ID RFMEFI61314X0010). We are grateful to the Joint Supercomputer Center of Russian Academy of Sciences, Moscow and Siberian Supercomputer Center of SB RAS, Novosibirsk for the opportunity to use their computer clusters to perform the calculations. S.I. acknowledges partial support from a JST CREST grant. . - ISSN 1089-5639
РУБ
Chemistry, Physical + Physics, Atomic, Molecular & Chemical
Рубрики:
Si
NANOPARTICLES
DYNAMICS
Аннотация:
Density functional theory (DFT) and density functional tight binding (DFTB) molecular dynamics Density functional theory (DFT) and density functional tight binding (DFTB) molecular dynamics (DFTB/MD) simulations of embedding and relaxation of buckminsterfullerene C60 molecules chemisorbed on (001) and (111) surfaces and inside bulk
silicon
lattice were performed. DFT calculations of chemisorbed fullerenes on both surfaces show that the C60 molecule deformation was very small and the C60 binding energies were roughly ∼4 eV. The charge analysis shows that the C60 molecule charges on (001) and (111) surfaces were between −2 and −3.5 electrons, respectively, that correlates well with the number of C–Si bonds linking the fullerene molecule and the
silicon
surface. DFT calculations of the C60 molecule inside bulk
silicon
confirm that the C60 molecule remains stable with the deformation energy values of between 11 and 15 eV for geometries with different C60 configurations. The formation of some C–Si bonds causes local
silicon
amorphization and corresponding electronic charge uptake on the embedded fullerene cages. Charge analysis confirms that a single C60 molecule can accept up to 20 excessive electrons that can be used in practice, wherein the main charge contribution is located on the fullerene’s carbon atoms bonded to
silicon
atoms. These DFT calculations correlate well with DFTB/MD simulations of the embedding process. In this process, the C60 molecule was placed on the top of the Si(111) surface, and it was further exposed by a stream of
silicon
dimers, resulting in subsequent overgrowth by
silicon
.
Смотреть статью
,
WOS
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian Branch RAS, Fed Res Ctr KSC, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, 79 Svobodny Prospect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Univ Bremen, Bremen Ctr Cormputat Mat Sci, D-28359 Bremen, Germany.
Nagoya Univ, Grad Sch Sci, Inst Transformat Biomol WPI ITbM, Nagoya, Aichi 4648602, Japan.
Nagoya Univ, Grad Sch Sci, Dept Chem, Nagoya, Aichi 4648602, Japan.
Atotech Deutschland GmbH, D-10553 Berlin, Germany.
Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Kholtobina, A. S.; Kovaleva, E. A.; Knaup, J.; Irle, S.
}
Найти похожие
18.
The theoretical study
of elastic properties of
silicon
nanowires / P. B. Sorokin [et al.]> //
Workshop "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering" : book of abstracts / предс. сем. K. S. Aleksandrov ; зам. предс. сем.: G. S. Patrin, S. G. Ovchinnikov ; чл. лок. ком.: N. N. Kosyrev, A. S. Fedorov [et al]. - 2009. - P. 17
Материалы семинара
Доп.точки доступа:
Aleksandrov, K. S. \предс. сем.\; Александров, Кирилл Сергеевич; Patrin, G. S. \зам. предс. сем.\; Патрин, Геннадий Семёнович; Ovchinnikov, S. G. \зам. предс. сем.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Kosyrev, N. N. \чл. лок. ком.\; Косырев, Николай Николаевич; Fedorov, A. S. \чл. лок. ком.\; Федоров, Александр Семенович; Sorokin, P. B.; Kvashnin, D. G.; Квашнин, Дмитрий Геннадиевич; Avramov, P. V.; Аврамов, Павел Вениаминович; Filicheva, J. A.; Chernozatonskii, L. A.; "Trends in Nanomechanics and Nanoengineering", workshop(2009 ; Aug. ; 24-28 ; Krasnoyarsk); Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие
19.
The regularities of
phase formation in Fe3Si(111)/Si(111) structure at vacuum annealing / M. N. Volochaev [et al.]> //
J. Phys. Conf. Ser. - 2017. -
Vol. 857
,
Is. 1
. - Ст. 012053,
DOI
10.1088/1742-6596/857/1/012053. - Cited References: 10 . - ISSN 1742-6588
Кл.слова (ненормированные):
Coatings
--
High resolution transmission electron microscopy
--
Molecular beam epitaxy
--
Silicon
--
Transmission electron microscopy
--
Phase formations
--
Polycrystalline
--
Polycrystalline film
--
Si(111) substrate
--
Vacuum-annealing
--
Annealing
Аннотация:
The regularities of phase formation and thermal stability in Fe3Si(111)/Si(111) structure at stepped vacuum annealing (350, 450 and 550 °C) were investigated. The layer of 32 nm Fe3Si was deposited onto Si(111) substrate by molecular beam epitaxy at 260 °C. Transmission electron microscopy (TEM) measurements demonstrated that the film thickness increases by ∼19 % at 350 °C annealing without changing the phase composition. The polycrystalline -FeSi sublayer was formed on the interface at 450 °C annealing. Further annealing at 550 °C led to the ∼ 80 nm polycrystalline film formation containing the crystallites of -FeSi, Fe5Si3, and β-FeSi2 phases.
Смотреть статью
,
Scopus
,
WOS
,
Читать в сети ИФ
Доп.точки доступа:
Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Loginov, Yu. Yu.; Cherkov, A. G.; Kovalev, I. V.; International Conference on Films and Coatings(13th ; St. Petersburg)(18 - 20 April 2017)
}
Найти похожие
20.
The optically induced
and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a
silicon
-based device / N. V. Volkov [et al.]> // J. Surf. Invest. - 2015. -
Vol. 9
,
Is. 5
. - P. 984-994,
DOI
10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 1027-4510
Перевод заглавия:
Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния
РУБ
Surfaces and Interfaces, Thin Films
Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance
--
magnetotransport properties
--
photoconductivity
--
bias voltage
Аннотация:
The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of
silicon
chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью
,
Scopus
,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation
Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие
полный формат
краткий формат
все найденные
отмеченные
кроме отмеченных
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Другие библиотеки
Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН
Библиотека института биофизики
Библиотека института химии и химический технологии
Библиотека института вычислительного моделирования
Библиотека института леса
Библиотека СФУ
Краевая научная библиотека
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)