Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (142)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дефекты<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Квантово-химический расчет стабильности и подвижности вакансий в графене / А. М. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1204-1206. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
графен -- дефекты -- квантово-химическое моделирование -- деформации
Аннотация: С помощью квантово-химических расчетов проведена оценка термодинамической стабильности моно и бивакансий в графене для случаев деформированной и недеформированной решетки. Проведена оценка констант перескока моновакансий в зависимости от приложенных одноосных деформаций.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Quantum-chemical calculations on the stability and mobility of vacancies in graphene [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1088-1090

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Ананьева, Ю. Е.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Krasnov, P. O.; Краснов, Павел Олегович
}
Найти похожие

Расчет энергии вакансий и адатомов в монослое гексагонального SiC / А. А. Кузубов [и др.] // Журн. физ. химии. - 2012. - Т. 86, № 7. - С. 1207-1211. - Библиогр.: 21 назв. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- дефекты -- адатомы -- метод функционала плотности
Аннотация: Отмечено, что развитию полупроводниковой SiC-электроники препятствует низкое качество выращиваемых монокристаллов карбида кремния. Установлено, что структурные дефекты подложки, проникающие при последующем гомоэпитаксиальном росте в эпитаксиальный слой, способны значительно ухудшить характеристики приборов. Проведено исследование влияния деформации монослоя гексагонального SiC на стабильность вакансий и свойства материала, а также изучение процессов миграции адатомов кремния и углерода по поверхности SiC.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Calculating the energy of vacancies and adatoms in a hexagonal SiC monolayer [Текст] / A. A. Kuzubov [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 86 Is. 7.- P.1091-1095

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Толстая, А. В.
}
Найти похожие

Шабанов, Василий Филиппович.
Оптика реальных фотонных кристаллов. Жидкокристаллические дефекты, неоднородности [Текст] / В. Ф. Шабанов, С. Я. Ветров, А. В. Шабанов ; отв. ред. В. В. Слабко ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Спец. конструкт.-технол. бюро "Наука" КНЦ , Красноярский гос. технич. ун-т. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2005. - 239 с. : ил. - Библиогр.: с. 219-239. - ISBN 5-7692-0737-Х : Б. ц.
Аннотация: Монография посвящена современной оптике фотонных кристаллов. В ней изложены теоретические и экспериментальные данные о таких структурах. Монография восполняет пробел в описании оптических свойств фотонно-кристаллических структур, организованных на основе жидких кристаллов или с включением их в качестве дефектов. Рассматриваются вопросы распространения электромагнитных волн в фотонных кристаллах, теория локализованных мод на дефектах структуры, распространения поверхностных волн. Исследуется влияние дефектов, примесей и неоднородностей на спектры пропускания, отражения, флуоресценции, нелинейные эффекты в области запрещенных зон фотонных кристаллов: плоскослоистых сред, холестерических жидких кристаллов, в том числе капсулированных холестериков.

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ветров, Степан Яковлевич; Шабанов, Александр Васильевич; Shabanov, A. V.; Слабко, Виталий Васильевич \отв. ред.\; Slabko, V. V.; Shabanov, V. F.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Специальное конструкторско-технологическое бюро "Наука" КНЦ Сибирского отделения РАН; Красноярский государственный технический университет
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Природа активных центров ферросфер в процессе окислительной конденсации метана / А. Г. Аншиц [и др.] // Кинетика и катализ. - 2015. - Т. 56, № 4. - С. 529-538, DOI 10.7868/S0453881115040024. - Библиогр.: 37. - Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант No 14-13-00289). . - ISSN 0453-8811
Кл.слова (ненормированные):
окислительная конденсация метана -- ферросферы -- феррошпинель -- мёссбауэровская спектроскопия -- дефекты структуры
Аннотация: Проведено сопоставление каталитических свойств ферросфер, содержащих 7697 мас. % Fe2O3, в процессе окислительной конденсации метана с их фазовым составом и катионным распределением железа по кристаллографическим позициям железосодержащих фаз в стационарном состоянии. Установлено, что при содержании Fe2O3 89 мас. % маршрут окисления метана изменяется. На ферросферах с содержанием Fe2O3 < 88.8 мас. % основным маршрутом реакции является глубокое окисление. При содержании Fe2O3 89 мас. % резко увеличивается выход углеводородов C2 и уменьшается вклад глубокого окисления. Выход углеводородов C2 коррелирует с количеством дефектов в структуре феррошпинели, которые представляют собой ионы железа с тетраэдрическим катионом Ca2+ и октаэдрической катионной вакансией среди ближайших соседей.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Nature of the active sites of ferrospheres in the oxidative condensation of methane [Текст] / A. G. Anshits [et al.] // Kinet. Catal. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 56 Is. 4.- P.523-531

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аншиц, Александр Георгиевич; Anshits, A. G.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Аншиц, Наталья Николаевна; Anshits, N. N.; Плетнев, Олег Николаевич; Pletnev, O. N.; Рабчевский, Е. В.; Верещагин, С. Н.; Кондратенко, Е. В.; Российский конгресс по катализу (2 ; 2014 ; окт. ; 2-5 ; Самара)
}
Найти похожие

   В37

    Козиев, Камолудин Сангинович.
    Исследование структурных фазовых переходов твердых тел с дефектами : автореферат дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / К. С. Козиев ; науч. рук. М. Умаров ; науч. конс. А. Л. Кадыров ; Худжан. гос. ун-т, вед. орг. Краснояр. гос. ун-т. - Худжанд, 2004. - 17 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.31.21

29.19.15

Рубрики:
Твердое тело--Свойства оптические--Исследование
Кристаллы--Дефекты--Фазовые переходы--Исследование

Смотреть автореферат,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Умаров, Максуджон \науч. рук.\; Кадыров, А. Л. \науч. конс.\; Худжанский государственный университет Республики Таджикистан; Красноярский государственный университет
Свободных экз. нет}
Найти похожие

    Krakhalev, M. N.
    Point defects in nematic liquid crystal materials with conical anchoring at the interface / M. N. Krakhalev, V. F. Shabanov, V. Ya. Zyryanov // Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P. 433-440 ; Сибирский журнал науки и технологий, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-433-440. - Cited References: 25 . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Точечные дефекты в нематических жидкокристаллических материалах с коническим сцеплением на границе раздела
Кл.слова (ненормированные):
topological defect -- orientational structure -- nematic liquid crystal -- optical phase difference -- топологический дефект -- ориентационная структура -- нематический жидкий кристалл -- оптическая разность фаз
Аннотация: The topological point defects in nematic liquid crystal materials have been studied. The method of oblique light incidence has been proposed to determine an azimuthal director angle of an achiral nematic as well as a chiral nematic (cholesteric). The idea of the method is based on the dependence of the optical phase difference between ordinary and extraordinary light beams on the azimuthal director angle at the layer center at oblique incidence of light on a structure in which the polar director angle of a nematic liquid crystal is not equal to 0° or 90° (conical boundary conditions). It has been shown that the phase difference reaches a maximum at a zero azimuthal angle at the center of the layer regardless of the total twist angle of the director. The developed method has been used to analyze topological defects formed in the nematic and cholesteric layers under conical boundary conditions at the interface. The director field distributions of nematic and cholesteric near the surface point defects (boojums) with topological charges m = +1 and m = –1 have been drawn based on the experimental data. The proposed method of oblique light incidence can be used to analyze a wide class of the achiral and chiral liquid crystal media of various types: smectics, nematics, and cholesterics with tilted or hybrid boundary conditions.
ГИсследованы топологические точечные дефекты в нематических жидкокристаллических материалах. Предложен метод наклонного падения света, позволяющий определять азимутальный угол директора ахирального нематика, а также закрученного нематика (холестерика). Суть метода состоит в том, что при наклонном падении света на структуру с отличным от 0° и 90° полярным углом директора нематического жидкого кристалла (конические граничные условия) оптическая разность фаз, возникающая между обыкновенным и необыкновенным лучами, определяется величиной азимутального угла директора в центре слоя. Показано, что максимальное значение разности фаз достигается при нулевом азимутальном угле в центре слоя независимо от полного угла закрутки директора. Разработанный метод был использован для анализа топологических дефектов, формирующихся в слоях нематика и холестерика с коническими граничными условиями на межфазной границе. На основании полученных экспериментальных данных были построены распределения поля директора нематика и холестерика вблизи поверхностных точечных дефектов (буджумов) с топологическими зарядами m = +1 и m = –1. Полученные результаты интересны для исследований структурированных материалов, анализа оптическими методами дефектов структур, а предложенный метод наклонного падения света может использоваться для анализа широкого класса ахиральных и хиральных жидкокристаллических сред различного типа: смектиков, нематиков и холестериков с наклонными или гибридными граничными условиями.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS; 50/38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University; 79, Svobodny Av., Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences”; 50, Akademgorodok St., Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Shabanov, V. F.; Zyryanov, V. Ya.; Зырянов, Виктор Яковлевич; Крахалев, Михаил Николаевич

}
Найти похожие

Дефекты атомной структуры и магнитные свойства наночастиц Co-Ni, капсулированных в углеродных на нотрубках / А. А. Зимин, С. В. Комогорцев [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии: BICMM 2010 = Magnetic materials. New technologies : тез. докл. IV Байкал. междунар. конф. - Иркутск, 2010. - С. 121

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Зимин, А. А.; Комогорцев, Сергей Викторович; Komogortsev, S. V.; Исхаков, Рауф Садыкович; Iskhakov, R. S.; Мальцев, Вадим Константинович; Maltsev, V. K.; Окотруб, А. В.; Кудашов, А. Г.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(4 ; 2010 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(4 ; 2010 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2010 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk); Иркутский государственный университет; Восточно-сибирская государственная академия образования
}
Найти похожие

Дефекты коллоидных кристаллов / С. В. Карпов, И. Л. Исаев, А. П. Гаврилюк [и др.] // Коллоидный журнал. - 2009. - Т. 71, № 3. - С. 330-341 . - ISSN 0023-2912

ГРНТИ

31.15

Рубрики:

Аннотация: На примере лиозолей наночастиц металлов, стабилизированных полимерами, проанализированы причины появления дефектов различного типа в кристаллических коллоидных структурах, образующихся в процессе самоорганизации ансамблей сферических наночастиц. Предложена количественная характеристика степени дефектности коллоидных кристаллов, обсуждены способы минимизации степени дефектности. Изучены фазовые превращения коллоидных кристаллов типа “порядок?беспорядок”.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН 660036 Красноярск, Академгородок
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН 660036 Красноярск, Академгородок
Сибирский федеральный университет 660028 Красноярск, ул. Киренского, 26

Доп.точки доступа:
Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S. V.; Исаев, Иван Леонидович; Isaev I.L.; Гаврилюк, А. П.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov V. S.; Грачев, Александр Сергеевич
}
Найти похожие

Дефекты коллоидных кристаллов / С. В. Карпов, И. Л. Исаев [и др.] // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы : Махачкала, 25-29 мая 2009 г. : тезисы докл. XI международной конференции. - Махачкала, 2009. - С. 146

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S. V.; Исаев, Иван Леонидович; Isaev, I. L.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov V. S.; Грачев, Александр Сергеевич; Гаврилюк, Анатолий Петрович; Gavrilyuk A.P.; "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы", международная конференция(11 ; 2009 ; май ; Махачкала); "Opto-, nanoelectronics, nanotechnology, and microsystems", International Conference(11 ; 2009 ; May ; Makhachkala); Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН; Дагестанский государственный университет
}
Найти похожие