Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=коэффициент затухания<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

    Восстановление влажности древесины лесного полога с использованием сигналов навигационных спутников / М. И. Михайлов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч... - 2015. - Ч. 1. - С. 308-310. - Библиогр.: 5. - Работа выполнена на базе Красноярского регионального центра коллективного пользования СО РАН в рамках программы фундаментальных исследований «Радиофизические методы диагностики окружающей среды» по теме «Изучение процессов поглощения и рассеяния электромагнитных волн СВЧ-диапазона лесными покровами Сибири». . - ISSN 1990-7702
   Перевод заглавия: Recovery of wood moisture for forest canopy using the signals of navigation satellites
Кл.слова (ненормированные):
влажность древесины -- лесной полог -- сигналы навигационных спутников -- коэффициент затухания -- moisture wood -- forest canopy -- signals of navigating satellites -- attenuation coefficient
Аннотация: Представлены экспериментальные данные для коэффициента ослабления сигналов навигационных спутников ГЛОНАСС и GPS в лесном пологе и оценка возможности их использования для восстановления влажности древесины.
The paper treats experimental data for the attenuation coefficient of signals from navigation satellites GLONASS and GPS in the forest canopy, and estimation the possibility of their use for determination of moisture wood.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михайлов, Михаил Иванович; Mikhaylov, M. I.; Сорокин, Анатолий Васильевич; Sorokin, A. V.; Фомин, Сергей Викторович; Fomin, S. V.; Музалевский, Константин Викторович; Muzalevskiy, K. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

    Romanova, O. B.
    Electronic Structure Change at Cationic Substitition of Manganese Sulfide by Elements with Variable Valence / O. B. Romanova, S. S. Aplesnin, L. V. Udod // Sib. J. Sci. Technol. - 2020. - Vol. 21, Is. 3. - P. 441-450 ; Сибирский журнал науки и технологий, DOI 10.31772/2587-6066-2020-21-3-441-450. - Cited References: 27. - The reported study was funded by RFBR and BRFBR, project number 20-00005 Bel_a . - ISSN 2587-6066
   Перевод заглавия: Изменение электронной структуры при катионном замещении сульфида марганца элементами с переменной валентностью
Кл.слова (ненормированные):
elements with variable valence -- structure -- IR spectroscopy -- attenuation coefficient -- conductivity -- electronic structure -- элементы с переменной валентностью -- структура -- ИК-спектроскопия -- коэффициент затухания -- проводимость -- электронная структура
Аннотация: Cation-substituted solid solutions YbxMn1-xS were prepared by the melt method from polycristalline sulfide powders. The synthesized samples are antiferromagnetic semiconductors and, according to the results of X-ray structural analysis, have an FCC structure of the NaCl type. Structural, electrical, optical, and acoustic properties of the chalcogenide system YbxMn1-xS were studied in the temperature range 80 - 500 K. The effect of variable valence elements on the electronic structure of cationic substitution of manganese sulfide has been studied. The change in the electronic structure in the YbxMn1-xS system occurs due to the electron-phonon interaction. Samples with variable valence have anomalous compressibility, which is confirmed by the data on the thermal expansion coefficient and the change in the attenuation coefficient. As a result of inelastic interaction with d- electrons, the density of states at the Fermi level changes, this is reflected in the temperature dependence of the conductivity. The positions of the f-level and two electronic transitions were determined from the IR spectra. A zone of temperatures and concentrations was found, where a correlation of structural, electrical, optical and acoustic properties is observed. To explain the experimantal results, the electronic structure of the semiconductor is considered and a model is proposed that qualitatively describes the experiment.
Методом расплава из поликристаллических порошков сульфидов приготовлены катион замещенные твердые растворы YbxMn1-xS. Синтезированные образцы являются антиферромагнитными полупроводниками и согласно результатам рентгеноструктурного анализа имеют ГЦК структуру типа NaCl. Проведены исследования структурных, электрических, оптических и акустических свойств халькогенидной системы YbxMn1-xS в интервале температур 80 - 500 К. Исследовано влияние на электронную структуру элементов переменной валентности при катионном замещении сульфида марганца. Изменение электронной структуры в системе YbxMn1-xS происходит за счет электрон-фононного взаимодействия. Образцы с переменной валентностью обладают аномальной сжимаемостью, что подтверждается данными коэффициента теплового расширения и изменением коэффициента затухания. В результате неупругого взаимодействия с d-электронами меняется плотность состояний на уровне Ферми, что отражается на температурной зависимости проводимости. Из ИК спектров определены положения f-уровня и два электронных перехода. Обнаружена область температур и концентраций, где наблюдается корреляция структурных, электрических, оптических и акустических свойств. Для объяснения экспериментальных результатов рассмотрена электронная структура полупроводника и предложена модель, качественно описывающая эксперимент.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Researh Center KSC SB RAS, 50-38, Akademgorodok, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, 31, Krasnoyarskii rabochii prospect, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Романова, Оксана Борисовна

}
Найти похожие