Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=силициды железа<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

    Исследование силицида FeSi методами электронной спектроскопии / А. Ю. Игуменов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - 2015. - Ч. 1. - С. 525-527. - Библиогр.: 7 . - ISSN 1990-7702
   Перевод заглавия: Silicide FeSi investigation with the electron spectroscopy methods
Кл.слова (ненормированные):
силициды железа -- спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов -- спектроскопия характеристических потерь энергии электронов -- iron silicides -- inelastic electron scattering cross-section -- electron energy loss spectroscopy
Аннотация: Для создания наногетероструктур на основе железа и кремния необходим строгий контроль элементного состава и фазообразования, в том числе силицидообразования. Моносилицид железа – перспективный материал для создания источников и детекторов света в ближней инфракрасной области, которые могут быть использованы в ракетно-космической отрасли. В данной работе проведено исследование силицида FeSi методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии отраженных электронов и сечения неупругого рассеяния электронов. Проведено исследование тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов посредством аппроксимации этих спектров Лоренцевоподобными пиками Тоугаарда.
The creation of iron-silicon based nanoheterostructures requires precise control of the elemental composition and phase formation, including silicide formation. Iron monosilicide is a promising material to create light sources or detectors in the near infrared region, which can be used in the space industry. In this work, the silicide FeSi investigation with X-ray photoelectron spectroscopy, electron energy loss spectroscopy and inelastic electron scattering cross-section is carried out. The inelastic electron scattering cross-section spectra fine structure investigation approximating of these spectra with the Lorentzian-type Tougaard peaks is performed.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Игуменов, А. Ю.; Igumenov A. Y.; Паршин, Анатолий Сергеевич; Parshin A. S.; Михлин, Юрий Леонидович; Mikhlin Yu. L.; Пчеляков, О. П.; Pchelyakov O. P.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Кущенков, С. А.; Kuschenkov S. A.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

Спектроскопия потерь энергии отраженных электронов моносилицида железа / А. С. Паршин [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 10. - С. 82-86. - Библиогр.: 15 . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные):
силициды железа -- моносилицид железа -- спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов -- спектроскопия характеристических потерь энергии электронов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
Аннотация: Исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры, спектры характеристических потерь и сечения неупругого рассеяния электронов моносилицида железа FeSi. Показано, что спектры сечения неупругого рассеяния электронов имеют преимущества в изучении процессов потерь энергии электронов по сравнению со спектрами потерь энергии отраженных электронов. Анализ тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов позволил выявить неразрешенные пики, определить их энергии, интенсивность и природу. Различия между энергиями подгоночных пиков потерь в спектрах сечения неупругого рассеяния электронов для FeSi и чистого Fe существеннее, чем химические сдвиги в рентгеновских фотоэлектронных спектрах, что отражает возможность применения тонкой структуры спектров сечения неупругого рассеяния электронов для элементного анализа.

РИНЦ

Переводная версия Reflection electron energy loss spectroscopy of iron monosilicide [Текст] / A. S. Parshin [et al.] // Russ. Phys. J. : Springer, 2017. - Vol. 59 Is. 10.- P.1610-1615

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Институт химии и химической технологии СО РАН
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Паршин, Анатолий Сергеевич; Игуменов, Александр Юрьевич; Михлин, Юрий Леонидович; Пчеляков, Олег Петрович; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.
}
Найти похожие

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие