Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>S=Pairs<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Frequency-dependent magnetotransport phenomena in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure / N. V. Volkov [et al.] // J. Appl. Phys. - 2012. - Vol. 112, Is. 12. - Ст. 123906, DOI 10.1063/1.4769788. - Cited References: 31. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Quantum Mesoscopic and Disordered Structures, Project No. 20.8; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin Phenomena in Solids Nanostructures and Spintronics, Project No. II.4.3; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Integration Projects Nos. 85 and 102, and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State Contract No. NK-556P_15). . - ISSN 0021-8979

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
SILICON
   IRON
   SPINTRONICS
   PAIRS
Аннотация: We report the large magnetoimpedance effect in a hybrid Fe/SiO2/p-Si structure with the Schottky barrier. The pronounced effect of magnetic field on the real and imaginary parts of the impedance has been found at temperatures 25-100K in two relatively narrow frequency ranges around 1 kHz and 100MHz. The observed frequency-dependent magnetotransport effect is related to the presence of localized "magnetic" states near the SiO2/p-Si interface. In these states, two different recharging processes with different relaxation times are implemented. One process is capture-emission of carriers that involves the interface levels and the valence band; the other is the electron tunneling between the ferromagnetic electrode and the interface states through SiO2 potential barrier. In the first case, the applied magnetic field shifts energy levels of the surface states relative to the valence band, which changes recharging characteristic times. In the second case, the magnetic field governs the spin-dependent tunneling of carriers through the potential barrier. The "magnetic" interface states originate, most likely, from the formation of the centers that contain Fe ions, which can easily diffuse through the SiO2 layer. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4769788]

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Volkov, N. V.
Tarasov, A. S.
Eremin, E. V.
Eremin, A. V.
Varnakov, S. N.
Ovchinnikov, S. G.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Volkov, N. V.
Eremin, E. V.
Varnakov, S. N.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, A. V.; Ерёмин, Александр Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Electron paramagnetic resonance of Cr3+ ions in ABO3 (A = Sc, Lu, In) diamagnetic crystals / A. M. Vorotynov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2016. - Vol. 122, Is. 4. - P. 734-737, DOI 10.1134/S1063776116040087. - Cited References:11 . - ISSN 1063-7761. - ISSN 1090-6509

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
Spin-resonance
   Pairs
   Anisotropy
   CrBO3
   VBO3
Аннотация: A magnetic resonance method is applied to the investigation of a number of isostructural diamagnetic compounds ABO3 (A = Sc, Lu, In) with small additions of Cr3+ ions (S = 3/2) sufficient to observe single-ion spectra. It is shown that the resonance spectra for isolated Cr3+ ions can be described to a good accuracy by the ordinary axial spin Hamiltonian for 3d ions in octahedral oxygen environment. The parameters of the spin Hamiltonian are determined. It is established that Cr3+ ions in these crystals are characterized by easy-axis-type anisotropy.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Электронный парамагнитный резонанс ионов Cr3+ в диамагнитных кристаллах ABO3 (A = Sc, Lu, In) [Текст] / А. М. Воротынов [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2016. - Т. 149 Вып. 4. - С. 848-851

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Rudenko, V. V.; Руденко, Валерий Васильевич; Vorotynova, O. V.
}
Найти похожие

    Electron Paramagnetic Resonance of Cr3+ Ions in ABO(3) (A = Sc, In, Ga) Diamagnetic Crystals / A. M. Vorotynov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2018. - Vol. 127, Is. 6. - P. 1067-1073, DOI 10.1134/S1063776118120245. - Cited References: 14 . - ISSN 1063-7761. - ISSN 1090-6509
Рубрики:
SPIN-RESONANCE
   PAIRS
   ANISOTROPY
   VBO3
Аннотация: A magnetic resonance method is applied to the investigation of a number of isostructural diamagnetic compounds ABO3 (A = Sc, In, and Ga) with small additions of Cr3+ ions (S = 3/2) sufficient to observe single-ion and pair spectra. It is shown that the resonance spectra for isolated Cr3+ ions can be described to a good accuracy by the ordinary axial spin Hamiltonian for 3d ions in octahedral oxygen environment. The parameters of the spin Hamiltonian are determined for single Cr3+ ion and Cr3+–Cr3+ pair. Lattice distorsions of the parent ABO3 crystals caused by the Cr3+ impurities is discussed.

Смотреть статью,
Scopus, ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Электронный парамагнитный резонанс ионов Cr3+ в диамагнитных кристаллах ABO3 (A = Sc, In, Ga) [Текст] / А. М. Воротынов [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2018. - Т. 154 Вып. 6. - С. 1160-1167

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, Krasnoyarsk Sci Ctr,Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Rudenko, V. V.; Руденко, Валерий Васильевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич
}
Найти похожие