Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Aksenov, S. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 110
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

   В37
   А 42

    Аксенов, Сергей Владимирович.
    Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Аксенов ; науч. рук. В. В. Вальков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2011. - 168 с. - Библиогр.: 195 назв. -

ГРНТИ

29.19.22

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович \науч. рук.\; Val'kov V.V.; Aksenov, S. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Аксенов, Сергей Владимирович.
Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 143, Вып. 5. - С. 984-990DOI 10.7868/S0044451013050248
Аннотация: Показано, что включение неупругих спин-зависящих процессов рассеяния электрона на потенциальных профилях одиночной магнитной примеси и спинового димера инициирует резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано, в транспортных характеристиках таких спиновых структур атомного масштаба. Для реализации резонанса и антирезонанса Фано принципиальную роль играют спин-флип-процессы, приводящие к конфигурационному взаимодействию состояний системы. Установлено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет радикально изменять проводящие свойства спиновых структур через резонансный механизм Фано

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.
}
Найти похожие

Val'kov, V. V.
Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures / V.V. Val'kov // J. Experim. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 116, Is. 5. - P. 854-859DOI 10.1134/S1063776113050130
Аннотация: The inclusion of inelastic spin-dependent electron scatterings by the potential profiles of a single magnetic impurity and a spin dimer is shown to induce resonance features due to the Fano effect in the transport characteristics of such atomic-scale spin structures. The spin-flip processes leading to a configuration interaction of the system’s states play a fundamental role for the realization of Fano resonance and antiresonance. It has been established that applying an external magnetic field and a gate electric field allows the conductive properties of spin structures to be changed radically through the Fano resonance mechanism

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia;

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Физ. низких температур. - 2013. - Т. 39, Вып. 1. - С. 48-52

Смотреть статью,
WOS

Переводная версия Val'kov, V. V. Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov // Low Temperature Physics / Физика низких температур . - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P.35-38

Держатели документа:
Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

    Val'kov, V. V.
    Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Low Temp. Phys. - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P. 35-38 ; Физика низких температурDOI 10.1063/1.4775746
   Перевод заглавия: Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
Аннотация: The calculations of transport characteristics of a single magnetic impurity showed that the presence of different effective channels for electron transmission results in the Fano effect. It was noticed that the external magnetic field and gate voltage allow controlling the conducting properties, which are governed by the configuration interaction between the states of the system

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович

}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты многократного отражения при неупругом электронном транспорте через анизотропный магнитный атом / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 98, Вып. 7. - С. 459-465DOI 10.7868/S0370274X13190107
Аннотация: Исследовано влияние многократного отражения при электронном транспорте на вольт-амперную характеристику адсорбированного магнитного атома с одноионной анизотропией. Для учета вкладов всех порядков теории возмущений по параметрам связи контактов с многоуровневой примесью применены операторы Хаббарда и диаграммная техника Келдыша. Показано, что в режиме сильной неравновесности вольт-амперные характеристики рассмотренной системы содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Обсуждаются способы увеличения этого эффекта.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effects of multiple reflection in the process of inelastic electron transport through an anisotropic magnetic atom. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Неупругий транспорт электронов в магнитном поле через адсорбированную на поверхность магнитную примесь / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // XI Российская конференция по физике полупроводников : Тезисы докладов. - 2013. - С. 306. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», ФЦП (ГК № 16.740.11.0644), РФФИ (гранты № 12-02-31130, № 13-02-00523), а также гранта Президента РФ МК-526.2013.2 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

    Val'kov, V. V.
    Effect of multiple scattering on the quantum transport of electrons through a magnetic impurity with a single-ion anisotropy : abstract / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Spin Waves 2013, Int. Symp. : Program. Abstracts. - СПб., 2013. - P. 75 . - ISBN 978-5-91918-334-1
   Перевод заглавия: Влияние многократного рассеяния на квантовый транспорт электронов через магнитную примесь с одноионной анизотропией

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; "Spin Waves", International Symposium (2013 ; июнь ; 9-15 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление антирезонанса Фано в вольт-амперной характеристике наноструктуры с одиночной магнитной примесью / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Изв. РАН. Сер. физич. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 411-416
Аннотация: Проведено теоретическое изучение квантового когерентного электронного транспорта через наноструктуру, содержащую примесный ион с нескомпенсированным магнитным моментом. Показано, что коэффициент прохождения спин-поляризованного электрона через такую структуру содержит особенность, в виде антирезонанса Фано. Этот эффект возникает в результате обменного взаимодействия спинового момента транспортируемого электрона со спиновым моментом примеси. Продемонстрировано, что наличие антирезонанса Фано приводит к качественному изменению вольт-амперной характеристики структуры и индуцирует большое значение магнитосопротивления.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

10.

    Val'kov, V. V.
    Effect of multiple scattering on the quantum transport of electrons through a magnetic impurity with a single-ion anisotropy : abstract / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov ; Taurida National V. I. Vernadsky University // Functional materials : Abstracts / ed. V. N. Berzhansky. - Simferopol, 2013. - Ст. BP2-1P/2. - P. . - ISBN 978-966-491-465-6
   Перевод заглавия: Влияние многократного рассеяния на квантовый транспорт электронов через магнитную примесь с одноионной анизотропией

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Berzhansky, V. N. \ed.\; Бержанский, Владимир Наумович; Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович; Taurida National V. I. Vernadsky University; "Functional Materials", International Conference(2013 ; 29 Sept.-5 Oct. ; Partenit, Yalta; Ukraine Crimea)
}
Найти похожие