Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Быкова, Людмила Евгеньевна$<.>)

Общее количество найденных документов : 150
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

   В37
   Б 95

    Быкова, Людмила Евгеньевна.
    Твердофазный синтез в двухслойных тонких металлических пленках, связанный с мартенситными превращениями в продуктах реакции [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Л. Е. Быкова ; науч. конс. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2005. - 105 с. - Библиогр.: с.98-105. -

ГРНТИ

29.19.16

ББК В371.26я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. конс.\; Myagkov, V.G.; Bykova, L. E.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
Дс (1)
Свободны: Дс (1)}
Найти похожие

Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov I.A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev I.V.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova L.E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.; Балашов, С. В.; Карпенко, Д. С.
}
Найти похожие

Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors. - 2013. - Vol. 47, Is. 4. - P. 569-573DOI 10.1134/S1063782613040210
Аннотация: Cubic-phase In2O3 films are produced by the autowave oxidation reaction. Electron microscopy and photoelectron spectroscopy of the atomic profiles show that the samples are homogeneous over the entire area and throughout the thickness, with the typical grain size being 20–40 nm. The optical and electrical properties are studied for In2O3 films fabricated at different pressures in the vacuum chamber. In the wave-length range from 400 to 1100 nm, the transparency of the films was higher than 85%; the resistivity of the films was 1.8 × 10–2Ω cm.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirenskii Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Joint Stock Co Academician MF Reshetnev Informat, Zheleznogorsk 662972, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Mihlin, J. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Maksimov, I. A.; Максимов И. А.; Ivanov, V. V.; Иванов В. В.; Balashov, S. V.; Балашов С. В.; Karpenko, D. S.; Карпенко Д. С.
}
Найти похожие

    Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis [Текст] / V. G. Myagkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]] : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P134 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Магнитные и структурные свойства пленочных Fe3O4-ZnO нанокомпозитов полученных твердофазным синтезом

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

    Solid-state formation of ferromagnetic germanides in 40gE/60mNetamagnetism, giant magnetostriction and magnetocaloric [Текст] / V. G. Myagkov // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P211 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Твердофазное формирование германидов в 40Ge/60Mn пленках: магнитные и структурные свойства

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Mikhlin, Yu. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, Вып. 2. - С. 220-224. - Библиогр.: 42 назв. - Работа выполнена при поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2013 годы" (госконтракт № 14.513.11.0023). . - ISSN 0015-3222
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15Ом/с первые 30 с и 7Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In2O3-пленок.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation [Текст] / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 48 Is. 2.- P.207-211

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov I. A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko A. A.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Ежикова, Е. В.; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.
}
Найти похожие

Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2012. - Т. 96, Вып. 1-2. - С. 42-45. - Библиогр.: 36 назв. . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge : 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn5Ge3-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ～ 120 °C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 °C приводит к началу синтеза Mn11Ge8-фазы, которая становится доминирующей при 400 °C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ～ 120 и ～ 300 °C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn5Ge3- и Mn11Ge8-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge : 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в GexMn1-x (x 0.95) разбавленных полупроводниках.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors [Текст] / V. G. Myagkov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 96 Is. 1.- P.40-43

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov V.S.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin A.A.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko G.V.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko G. N.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin G.S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov D. A.
}
Найти похожие

Стуктурные и магнитные свойства ферромагнитных φ-Ga[[d]]7.7[[/d]]Mn[[d]]2.3[[/d]] и δ-Mn[[d]]0.6[[/d]]Ga[[d]]0.4[[/d]] тонких пленок / В. Г. Мягков [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - Ст. I-4. - С. 164 . - ISBN 978-5-85827-756-9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov V.S.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova L.E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin G.S.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov D. A.; Ли, Людмила Алексеевна; Li L.A.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(5 ; 2012 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(5 ; 2012 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2012 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk); Восточно-сибирская государственная академия образования; Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

Магнитные свойства пленок MnGe разного состава, полученных твердофазным синтезом / A. A. Мацынин [и др.] // Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных : материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 621-622

Материалы конференции,
Обложка
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V.G.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V.S.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18 ; 2012 ; 25 март.-5 апр. ; Красноярск)
}
Найти похожие

10.

Твердофазный синтез CoPd эпитаксиальных тонких пленок: структурные и магнитные свойства / П. В. Прохоров [и др.] // Восемнадцатая Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных : материалы конф., информ. бюллетень. - Красноярск, 2012. - С. 311-313

Материалы конференции,
Обложка
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Прохоров, П. В.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (18 ; 2012 ; 25 март.-5 апр. ; Красноярск)
}
Найти похожие

11.

"γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001) / V. G. Myagkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 502-505, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
?-Fe -- Cu-Fe system -- Magneto-volume effect -- Solid-state synthesis -- Thin films -- Cu-Fe system -- Interlayer formation -- Magnetic studies -- Magneto-volume effects -- Orientation relationship -- Pseudomorphic growth -- Residual gas -- Solid-state synthesis -- Ultra-thin -- Buffer layers -- Magnetic materials -- Mossbauer spectroscopy -- Thin films -- Epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Drozdova, N. A.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

12.

Formation of ferromagnetic germanides by solid-state reactions in 20Ge/80Mn films / V. G. Myagkov [et al.] // Thin Solid Films. - 2014. - Vol. 552. - P. 86-91, DOI 10.1016/j.tsf.2013.12.029. - Cited References: 53 . - ISSN 0040-6090

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Materials Science, Coatings & Films + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
PHASE-FORMATION
   MAGNETIC-PROPERTIES
   Mn5Ge3 FILMS
   X-RAY
   Ge(111)
   TRANSFORMATIONS
   DIFFUSION
   SPECTRA
   SYSTEM
   LAYERS
Кл.слова (ненормированные):
Manganite-germanium -- Solid state reaction -- First phase -- Mn5Ge3 alloy -- Carbon impurity -- Oxygen impurity -- Annealing -- Magnetic anisotropy
Аннотация: Solid state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy, and magnetic and electrical measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 20:80 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~ 120°C, the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is the first phase to form at the 20Ge/80Mn interface. As the annealing temperature increases to 300°C, the weak magnetic Mn5Ge 2 + Mn3Ge phases simultaneously begin to grow and they become dominant at 400°C. Increasing the annealing temperature to 500°C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 350-360 K and magnetization 14-25 kA/m at room temperature. The X-ray diffraction study of the samples shows the reflections from the Mn 5Ge3 phase, and the photoelectron spectra contain the oxygen and carbon peaks. The homogeneous distribution of oxygen and carbon over the sample thickness suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn 5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5Ge3CxOy. The initiation temperature (~ 120 C) is the same in the Mn5Ge3 phase with the solid-state reactions in the Ge/Mn films as well as in the phase separation in the GexMn1 - x diluted semiconductors. Thus, we conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn 1 - x diluted semiconductors.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Mikhlin, Y. L.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yurkin, G. Yu.; Юркин, Глеб Юрьевич
}
Найти похожие

13.

Solid-state synthesis and magnetic properties of epitaxial FePd3(0 0 1) films / V. G. Myagkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2012. - Vol. 324, Is. 8. - P. 1571-1574, DOI 10.1016/j.jmmm.2011.12.005. - Cited References: 23. - This study was supported by the Analytical Departmental Target Program: Development of Scientific Potential of Higher School 2009-2011, Project no. 2.1.1/9193. . - ISSN 0304-8853

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
DISORDER PHASE-TRANSITION
THIN-FILMS
Кл.слова (ненормированные):
Fe-Pd system -- Thin film -- Solid-state synthesis -- Order-disorder transformation -- Magnetic anisotropy
Аннотация: The solid-state synthesis of magnetically soft phase FePd3 in epitaxial Pd(0 0 1)/Fe(0 0 1)/MgO(0 0 1) film systems was studied experimentally. The system had a Fe to Pd ratio of 1:3. An increase to 450 °C leads to the formation of three variants of ordered L10-FePd crystallites. At 500 °C, the solid-state reaction of unreacted Pd with L10-FePd crystallites initiates the growth of an ordered epitaxial L12-FePd3(0 0 1) layer. When annealing at 650 °С, a gradual disordering is observed. The magnetic anisotropy (K1=−2.0×103 erg/cm3) and the saturation magnetization (MS=650 emu/cm3) of the disordered FePd3 phase were determined.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Belyaev, B. A.
Bykova, L. E.] SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Zhigalov, V. S.
Belyaev, B. A.
Bykova, L. E.] Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Solovyov, L. A.
Bondarenko, G. N.] SB RAS, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна
}
Найти похожие

14.

Solid-state formation of ferromagnetic δ-Mn0.6Ga0.4 thin films with high rotatable uniaxial anisotropy / V. G. Myagkov [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2012. - Vol. 249, Is. 8. - P. 1541-1545, DOI 10.1002/pssb.201248064. - Cited References: 39 . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
EPITAXIAL-GROWTH
   PERPENDICULAR ANISOTROPY
   MAGNETIC-PROPERTIES
   PHASE-FORMATION
   GAAS
   GAN
Кл.слова (ненормированные):
high anisotropy constants -- MnxGa1-x alloys -- rotatable magnetic anisotropies -- thin films
Аннотация: Solid-state reactions in Ga/Mn polycrystalline films of the composition 1 Ga:3 Mn were experimentally investigated. Our X-ray study showed that the formation of the Ga/Mn → (250 °C) ϕ-Ga7.7Mn2.3 → (350 °C) δ-Mn0.6Ga0.4 phase sequence occurs when the annealing temperature is increased to 400 °C. δ-Mn0.6Ga0.4 samples were found to have high rotatable uniaxial anisotropy. We also showed that magnetic fields with coercivities above H > HC = 8.3 kOe can be used to orient the easy anisotropy axis in any spatial direction while taking the angle of the lag into account.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Bykova, L. E.
Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.] Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Bondarenko, G. N.
Mikhlin, Yu. L.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia
[Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Mikhlin, Y. L.; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич
}
Найти похожие

15.

Phase transformations in the Mn-Ge system and in Ge x Mn1-x diluted semiconductors / V. G. Myagkov [et al.] // JETP Letters. - 2012. - Vol. 96, Is. 1. - P. 40-43, DOI 10.1134/S0021364012130097. - Cited References: 36 . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
Аннотация: Results of an X-ray diffraction study as well as magnetic and electrical measurements of the solid-state reactions in Ge/Mn polycrystalline films of an 80/20 atomic composition have been presented. It has been shown that the ferromagnetic Mn5Ge3 phase is formed first on the Ge/Mn interface after annealing at similar to 120A degrees C. The further increase in the annealing temperature to 300A degrees C leads to the beginning of the synthesis of the Mn11Ge8 phase, which becomes dominating at 400A degrees C. The existence of new structural transitions in the Mn-Ge system in the region of similar to 120 and similar to 300A degrees C has been predicted on the basis of the presented results and results obtained earlier when studying solid-state reactions in different film structures. The supposition about the general chemical mechanisms of the synthesis of the Mn5Ge3 and Mn11Ge8 phases during the solid-state reactions in the Ge/Mn films of the 80/20 atomic composition and the phase separation in Ge (x) Mn1 - x (x 0.95) diluted semiconductors has been substantiated.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x [Текст] / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 96 Вып. 1-2. - С. 42-45

Держатели документа:
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Matsynin, A. A.
Bykova, L. E.
Bondarenko, G. V.
Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Myagkov, V. G.
Zhigalov, V. S.
Matsynin, A. A.] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
[Bondarenko, G. N.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Patrin, G. S.
Velikanov, D. A.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич
}
Найти похожие

16.

Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors. - 2014. - Vol. 48, Is. 2. - P. 207-211, DOI 10.1134/S1063782614020286. - Cited References: 42. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Federal Targeted Program "Research and Development in Priority Fields of Development of the Science and Technology Complex of Russia for 2007-2013", state contract no. 14.513.11.0023. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
GAS SENSOR RESPONSE
   INDIUM OXIDE-FILMS
   THIN-FILMS
   HIGH-PERFORMANCE
   TIN OXIDE
   TRANSPARENT CONDUCTORS
   SUBSTRATE-TEMPERATURE
   ROOM-TEMPERATURE
   TRANSISTORS
   PHOTOREDUCTION
Аннотация: Indium-oxide films are synthesized by the autowave-oxidation reaction. It is shown that, upon exposure to optical radiation, the resistance of the films sharply decreases and the maximal relative change in the resistance is 52% at room temperature. Two resistance relaxation rates after termination of the irradiation, 15 Omega s(-1) during the first 30 s and 7 Omega s(-1) over the remaining time, are determined. The data of infrared spectroscopy of the films show that exposure to optical radiation induces a 2.4% decrease in the transmittance at a wavelength of 6.3 mu m. It is found that, after termination of the irradiation, the transmittance gradually increases with a rate of 0.006% s(-1). It is suggested that photoreduction is the dominant mechanism responsible for changes in the electrical and optical properties of the In2O3 films.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением [Текст] / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 48 Вып. 2. - С. 220-224

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660037, Russia
Joint Stock Co Academician MF Reshetnev Informat, Zheleznogorsk 662972, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Yozhikova, E. V.; Maksimov, I. A.; Ivanov, V. V.; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0023]
}
Найти похожие

17.

Solid state synthesis and characterization of ferromagnetic nanocomposite Fe-In2O3 thin films / V. G. Myagkov [et al.] // J. Alloys Compd. - 2014. - Vol. 612. - P. 189-194, DOI 10.1016/j.jallcom.2014.05.176. - Cited References: 56 . - ISSN 0925-8388. - ISSN 1873-4669

РУБ Chemistry, Physical + Materials Science, Multidisciplinary + Metallurgy & Metallurgical Engineering
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
   PHASE-FORMATION
   In2O
   OXIDE
   NANOPARTICLES
   CO
   SEMICONDUCTORS
   NANOCRYSTALS
   COMBUSTION
   SYSTEMS
Кл.слова (ненормированные):
Thermite reactions -- Reactive films -- Ferromagnetic nanocomposite films -- Transparent conducting oxides
Аннотация: We have successfully synthesized ferromagnetic Fe-In2O 3 nanocomposite thin films for the first time using the thermite reaction Fe2O3 + In = In2O3 + Fe. The initial In/Fe2O3 bilayers were obtained by the deposition of In layers on α-Fe2O3 films. The reaction occurs in a self-propagating mode in a homogeneous thermal film plane field at heating rates above 20 K/s and at temperatures above initiation temperature T[[d]]in[[/d]] ~ 180 °C. At heating rates lower than 20 K/s the mixing of the In and Fe2O3 layers occurs across the whole In/Fe2O3 interface and the synthesis of the ferromagnetic α-Fe phase starts above the initiation temperature T[[d]]in[[/d]] = 180 °C. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, Mossbauer spectroscopy, transmission electron microscopy and magnetic measurements were used for phase identification and microstructure observation of the synthesized Fe-In2O3 samples. The reaction products contain (1 1 0) textured α-Fe nanocrystals with a diameter around 100 nm and surrounded by an In2O3 matrix. These results enable new efficient low-temperature methods for synthesizing ferromagnetic nanocomposite films containing ferromagnetic nanoclusters embedded in transparent conducting oxides. © 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Mikhlin, Yu. L.; Volochaev, M. N.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна
}
Найти похожие

18.

Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст. 82001, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156. . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641

РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
   Ga-DOPED ZnO
   LOW-TEMPERATURE
   HIGH-PERFORMANCE
   SUBSTRATE-TEMPERATURE
   INSULATOR-TRANSITION
   ROOM-TEMPERATURE
   TRANSISTORS
   COMBUSTION
   PHOTOREDUCTION
Кл.слова (ненормированные):
indium oxide thin films -- autowave oxidation -- metal-semiconductor transition -- UV irradiation -- photoreduction
Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Yozhikova, E. V.; Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]
}
Найти похожие

19.

Long-range chemical interactions in solid-state reactions: effect of an inert Ag interlayer on the formation of L10-FePd in epitaxial Pd(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Fe(0 0 1) and Fe(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Pd(0 0 1) trilayers / V. G. Myagkov [et al.] // Philos. Mag. - 2014. - Vol. 94, Is. 23. - P. 2595-2622, DOI 10.1080/14786435.2014.926037. - Cited References: 117 . - ISSN 1478-6435. - ISSN 1478-6443

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Mechanics + Metallurgy & Metallurgical Engineering + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE SYNTHESIS
   THIN-FILMS
   PHASE-FORMATION
   MAGNETIC-PROPERTIES
   X-RAY
   MARTENSITIC TRANSFORMATIONS
   PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
   STRUCTURAL CHARACTERISTICS
   CASIMIR FORCE
   GOLD-FILMS
Кл.слова (ненормированные):
Fe-Pd system -- epitaxial thin film -- inert Ag buffer layer -- diffusion -- solid-state reactions -- L1(0) -- long-range chemical interactions
Аннотация: The effect of 0, 0.5, and 1 μm-thick Ag interlayers on the chemical interaction between Pd and Fe in epitaxial Pd(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Fe(0 0 1)/MgO(0 0 1) and Fe(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Pd(0 0 1)/MgO(0 0 1) trilayers has been studied using X-ray diffraction, 57Fe Mössbauer spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and magnetic structural measurements. No mixing of Pd and Fe occurs via the chemically inert Ag layer at annealing temperatures up to 400 °C. As the annealing temperature is increased above 400 °C, a solid-state synthesis of an ordered L10-FePd phase begins in the Pd(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Fe(0 0 1) and Fe(0 0 1)/Ag(0 0 1)/Pd(0 0 1) film trilayers regardless of the thickness of the buffer Ag layer. In all samples, annealing above 500 °C leads to the formation of a disordered FexPd1−x(0 0 1) phase; however, in samples lacking the Ag layer, the synthesis of FexPd1−x is preceded by the formation of an ordered L12-FePd3 phase. An analysis of the X-ray photoelectron spectroscopy results shows that Pd is the dominant moving species in the reaction between Pd and Fe. According to the preliminary results, the 2.2 μm-thick Ag film does not prevent the synthesis of the L10-FePd phase and only slightly increases the phase’s initiation temperature. Data showing the ultra-fast transport of Pd atoms via thick inert Ag layers are interpreted as direct evidence of the long-range character of the chemical interaction between Pd and Fe. Thus, in the reaction state, Pd and Fe interact chemically even though the distance between them is about 104 times greater than an ordinary chemical bond length.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна
}
Найти похожие

20.

Magnetic and structural properties of nanocomposite ZnO-Fe3O4 films prepared by solid-state synthesis / L. E. Bykova [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 158-162, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.158. - Cited References: 18 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Ferromagnetic nanocomposite films -- Magnetite -- Solid-state synthesis -- Zinc oxide
Аннотация: A simple method for obtaining ZnO-FeO3O4 nanocomposites using solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 > ZnO + 2FeO3O4 is suggested. An analysis of the characteristics and properties of ZnOFeO3O4 nanocomposites was carried out by a combination of structural and physical methods (X-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoelectron spectroscopy, Mossbauer measurements, X-ray fluorescent analysis, and magnetic measurements). The magnetization of the hybrid ZnOFeO3O4 films is equal to 440 emu/cm3. The resulting FeO3O4 nanoparticles are surrounded by a ZnO shell and have sizes ranging between 20 and 40 nm. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие