Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бондарев, Михаил Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Admittance spectroscopy of dopants implanted in silicon and impurity state-induced AC magnetoresistance effect / D. A. Smolyakov, A. S. Tarasov, M. A. Bondarev [et al.] // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2021. - Vol. 126. - Ст. 105663, DOI 10.1016/j.mssp.2021.105663. - Cited References: 21. - This study was supported by the Government of the Russian Federation , Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) . - ISSN 1369-8001
Кл.слова (ненормированные):
Semiconductors -- Magnetoimpedance -- Impurities -- Implantation
Аннотация: A silicon structure doped with Ga using ion implantation has been investigated by admittance spectroscopy. It has been established that the presence of the Ga impurity, along with the B one, in the silicon structure leads to the appearance of the second peak in the temperature dependence of the real part of the impedance (admittance). Moreover, switching-on a magnetic field parallel to the sample plane shifts the singularities in the temperature curve to the high-temperature region. This results in the manifestation of both the positive and negative magnetoresistance effect upon temperature and magnetic field variation. It has been found by the standard admittance spectroscopy analysis of the impedance data that the energy structure of the investigated sample includes two interfacial energy levels ES1(0) = 42 meV and ES2(0) = 69.4 meV. As expected, these energies are consistent with the energies of B and Ga dopants. In a magnetic field, these levels increase by 3 meV for B and 2 meV for Ga, which induces the magnetoresistance effect. It has been demonstrated that the interfacial state-induced magnetoresistance effect can be tuned by ion implantation and dopant selection.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences660036, Russian Federation
Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod603950, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Nikolskaya, A. A.; Vasiliev, V. K.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Бондарев, Михаил Александрович.
Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок Mn5Ge3 на подложке кремния / Бондарев Михаил Александрович // Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXV). - Красноярск : ФИЦ КНЦ СО РАН, 2022. - секция: Физика. - С. 12. - Библиогр.: 3. - Данная работа выполнена научным коллективом . - ISBN 978-5-6045249-8-5

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАННаучно-исследовательский институт медицинских проблем Севера; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН(25 ; 2022 ; 14 апр. ; Красноярск)

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

Synthesis and characterization of epitaxial Mn5Ge3 thin films on a silicon substrate / M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, A. S. Tarasov, M. A. Bondarev // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect. : Spin dynamics and magnetic resonances. - Ст. B.P2. - P. 266-268. - Cited References: 2. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, (project no. 20-42-243007) and support by Krasnoyarsk Regional Fund of Science is acknowledged . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума, ,
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \program com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие

Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок MN5GE3 на подложке кремния / М. А. Бондарев, М. В. Рауцкий, А. С. Тарасов, И. А. Яковлев // Решетневские чтения : материалы XXVI междунар. науч.-практ. конф. : в 2-х ч. - 2022. - Ч. 1. Секция "Наноматериалы, нанотехнологии и информационные системы в аэрокосмической отрасли". - С. 644-645. - Библиогр.: 2. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта . - ISSN 978-5-864

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Михаил Александрович; Bondarev M. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(26 ; 2022 ; нояб. ; 9-11 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. М.Ф. Решетнева, ОАО; "Красноярский машиностроительный завод", ОАО; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"
}
Найти похожие

Growth process, structure and electronic properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films prepared by magnetron sputtering / A. S. Tarasov, S. A. Lyaschenko, M. V. Rautskii [et al.] // Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 8. - Ст. 2236, DOI 10.3390/pr11082236. - Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 21-12-00226. - The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance . - ISSN 2227-9717
Кл.слова (ненормированные):
MAX phase -- thin film -- magnetron sputtering -- electronic transport -- optical spectra
Аннотация: The growth and phase formation features, along with the influence of structure and morphology on the electronic, optical, and transport properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC MAX phase thin films synthesized by magnetron sputtering technique, were studied. It was found that the Cr:Ge:C atomic ratios most likely play the main role in the formation of a thin film of the MAX phase. A slight excess of carbon and manganese doping significantly improved the phase composition of the films. Cr2GeC films with a thicknesses exceeding 40 nm consisted of crystallites with well-developed facets, exhibiting metallic optical and transport properties. The hopping conduction observed in the Cr2-xMnxGeC film could be attributed to the columnar form of crystallites. Calculations based on a two-band model indicated high carrier concentrations N, P and mobility μ in the best-synthesized Cr2GeC film, suggesting transport properties close to single crystal material. The findings of this study can be utilized to enhance the growth technology of MAX phase thin films.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Andryushchenko, T. A.; Андрющенко, Татьяна Александровна; Solovyov, Leonid A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич
}
Найти похожие

Electronic transport in Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films grown by magnetron sputtering / A. S. Tarasov, M. V. Rautskii, A. V. Lukyanenko [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 130. - Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Andryushchenko, T. A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие