Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Rautskii, M. V.$<.>)

Общее количество найденных документов : 134
Показаны документы с 1 по 20

Magnetization dynamics electron transport in hybrid structures La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]]/Y[[d]]3[[/d]]Fe[[d]]5[[/d]]O[[d]]12[[/d]] [Текст] / N. V. Volkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P96 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Chichkov, V. I.; Чичков В.И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 / Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1383–1386DOI 10.7868/S0367676513100153. - Работа поддержана грантами РФФИ № 11-02-00972 и 12-02-92607.
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.

Смотреть статью

Переводная версия Magnetic and magnetooptical properties of polycrystalline films of La 0.7Sr0.3MnO3. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova Yu.E.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Соколов, Алексей Эдуардович; Sokolov A.E.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin E. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii M.V.; Андреев, Н. В.; Чичков, В. И.; Муковский, Я. М.
}
Найти похожие

Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]] / Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXII международной конференции. - Астрахань, 2012. - С. 516-518
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova Yu.E.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Edelman, I. S.; Соколов, Алексей Эдуардович; Sokolov A.E.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin E. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii M.V.; Андреев, Н. В.; Чичков, В. И.; Муковский, Я. М.; Российская академия наук; Научный совет по физике конденсированных сред РАН; Институт физики твердого тела РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Астраханский государственный университет ; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция (22 ; 2012 ; сент. ; 17-23 ; Астрахань)
}
Найти похожие

Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation / N. V. Volkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 125-128, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125 . - ISBN 978. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
Magnetic tunnel structure -- Microwave detection effect -- Spintronics -- Current flowing -- Current-in-plane geometry -- Magnetic tunnels -- Magnetization dynamics -- Microwave detection -- Non-Linearity -- Rectification effects -- Spin-polarized currents -- Voltage signals -- Magnetic materials -- Magnetoelectronics -- Manganese oxide -- Microwaves -- Magnetism
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kim, P. D.; Ким, Петр Дементьевич; Lee, C. G.; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

Magnetic resonance in a Cu-Cr-S structure / A. M. Vorotynov [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 117, Is. 5. - P. 879-884, DOI 10.1134/S1063776113130189 . - ISSN 1063-7761
Аннотация: A layered Cu-Cr-S structure composed of single-crystal CuCrS2 layers and thin CuCr2S4 plates embedded in them has been investigated by the magnetic resonance and scanning electron microscopy methods. The Curie temperature and saturation magnetization of the spinel phase of the investigated samples have been determined. The thickness of the CuCr 2S4 layers has been estimated. The dependence of the growncrystal topology on synthesis conditions has been established. An interpretation of the anomalous behavior of the magnetostatic oscillation intensity is offered.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Магнитный резонанс в структуре Cu-Cr-S. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, Nikolaev Inst Inorgan Chem, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia

Доп.точки доступа:
Vorotynov, A. M.; Воротынов, Александр Михайлович; Abramova, G. M.; Абрамова, Галина Михайловна; Pankrats, A. I.; Панкрац, Анатолий Иванович; Petrakovskii, G. A.; Петраковский, Герман Антонович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Zeer, G. M.; Tugarinov, V. I.; Тугаринов, Василий Иванович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sokolov, V. V.
}
Найти похожие

Magnetic tunnel structures: Transport properties controlled by bias, magnetic field, and microwave and optical radiation / N. V. Volkov [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P. 3579-3583, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095. - Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15). . - ISSN 0304-8853

РУБ Physics, Condensed Matter + Materials Science, Multidisciplinary

Кл.слова (ненормированные):
Spintronics -- Magnetic tunnel junction -- High-frequency rectification -- Photoelectric effect
Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin / O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P. 12-16, DOI 10.1134/S1063785012010154. - Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project). . - ISSN 1063-7850
Рубрики:
Pd
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов [Текст] / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 38 Вып. 1. - С. 27-36

Держатели документа:
[Tereshchenko, O. E.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Rzhanov Inst Semicond Phys, Novosibirsk 630090, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Boreskov Inst Catalysis, Novosibirsk 644053, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Tereshchenko, O. E.; Paulish, A. G.; Neklyudova, M. A.; Shamirzaev, T. S.; Yaroshevich, A. S.; Prosvirin, I. P.; Zhaksylykova, I. E.; Dmitriev, D. V.; Toropov, A. I.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Latyshev, A. V.
}
Найти похожие

Magnetization dynamics and electron transport in the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 hybrid structures / N. V. Volkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 368-371, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.368. - Cited References: 6 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Hybrid structure -- Manganite -- Spin pumping
Аннотация: We present the results of investigations of the spin-polarized current and spin dynamics in the hybrid structures ferrimagnetic insulator/ferromagnetic metal subjected to microwave radiation. We studied the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 bilayer films on the Gd3Ga5O12 substrate. It was experimentally established that under the action of spin pumping the resistance of the La0.7Sr0.3MnO3 film changes. The value of ?R is maximum in the sample with a La0.7Sr0.3MnO3 layer thickness of 10 nm and sharply drops as the manganite film thickness is increased. The resistance decreases in the paramagnetic region and grows in the ferromagnetic region at temperatures below the metal-insulator transition point. The variation in the resistance of the manganite film can be attributed to the correlation of the spin dynamics and transport properties of conduction electrons in the structure. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Chichkov, V. I.; Чичков В. И.; Mukovskii, Y. M.; Муковский Я. М.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Giant magnetotransport effects driven by bias and optical irradiation in silicon-based hybrid structures / N. V. Volkov [et al.] // Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P. 36. - Библиогр.: 4 назв.

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference(2015 ; jun. ; 1-5 ; Saint Peterburg); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН; "Инно-мир, центр межрегионального инновационного развития
}
Найти похожие

10.

    The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device / N. V. Volkov [et al.] // J. Surf. Invest. - 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P. 984-994, DOI 10.1134/S1027451015050432. - Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043. . - ISSN 1027-4510
   Перевод заглавия: Оптически индуцированный и управляемый напряжением магниторезистивный эффект в устройстве на основе кремния

РУБ Surfaces and Interfaces, Thin Films

Кл.слова (ненормированные):
magnetoresistance -- magnetotransport properties -- photoconductivity -- bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Institute of Space Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

11.

    Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах / И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Кл.слова (ненормированные):
оксид индия -- тонкие пленки -- автоволновое окисление -- indium oxide -- thin films -- autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

12.

Growth of α-FeSi2 nanocrystals on si(100) with Au catalyst / I. A. Tarasov [et al.] // Mater. Lett. - 2016. - Vol. 168. - P. 90-94, DOI 10.1016/j.matlet.2016.01.033. - Cited References: 25. - The work was supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants no. 13-02-01265), State Contract no. 02.G25.31.0043 and State Task no. 16.663.2014К). . - ISSN 0167-577X

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
EPITAXIAL-GROWTH
   LOW-TEMPERATURE
   FeSi2
   NANOWIRES
   Si(111)
   FILMS
   Si
Кл.слова (ненормированные):
Nanomaterials -- Molecular beam epitaxy -- α-FeSi2 -- Electrode
Аннотация: Self-organized α-FeSi2 nanocrystals on (100) silicon substrate were synthesized by molecular beam epitaxy with Au catalyst. The microstructure and basic orientation relationship between the silicide nanocrystals and silicon substrate were analyzed in detail. α-FeSi2 nanocrystals appeared to be inclined trapezoid and rectangular nanoplates, polyhedral nanobars and pyramid-like ones, aligned along 011 directions on (100) silicon substrate with the length up to 1.5 μm, width ranging between 80 and 500 nm and thickness from 30 to 170 nm. As has been proposed metallic iron silicide may be used for manufacturing electric contacts on silicon. A current-voltage characteristic of the structure was measured at room temperature and showed good linearity.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian State Aerospace University, 31 Krasnoyarsky Rabochiy Av., Krasnoyarsk, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, bld. 38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Far Eastern State Transport University, Serysheva str. 47, Khabarovsk, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Centre, Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

13.

Ferromagnetic resonance characterization of the single-crystal epitaxial Fe3Si film on the Si(111) substrate / M. V. Rautskii [et al.] // Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2015. - Ст. III.24.04p. - Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234 . - ISBN 978-5-8044-1556-4

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Volochaev, M. N.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(3 ; 2015 ; Aug. ; 19-26 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(3 ; 2015 ; авг. ; 19-26 ; Владивосток)
}
Найти похожие

14.

Magnetoresonance properties of three-layer Co/Ge/Co films / G. S. Patrin [et al.] // Phys. Solid State. - 2016. - Vol. 58, Is. 5. - P. 1034-1040, DOI 10.1134/S1063783416050206. - Cited References:20. - This study was performed in the framework of the State Task of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to the Siberian Federal University (task no. 3.2534.2014/K) and was supported by the Russian Federation for Basic Research (project no. 14-02-00238-a). . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
Magnetic-properties
   Multilayers
   Spacer
   Layers
Аннотация: Three-layer Co/Ge/Co films have been studied using electron magnetic resonance. It has been established that the resonance spectrum of the film is a superposition of two Lorentzian lines. It has been found that the anisotropy induced at the cobaltaEuro'germanium interface makes the main contribution to the resonance spectrum and determines its features. The temperature dependences of the anisotropy field and the parameters of the interlayer exchange have been measured. The interlayer interactions exhibit an antiferromagnetic character and have been explained in terms of a model similar to the description of superexchange in magnetic dielectrics.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Магниторезонансные свойства трехслойных пленок Co/Ge/Co [Текст] / Г. С. Патрин [и др.] // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2016. - Т. 58 Вып. 5. - С. 1000-1006

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Akad 50-38, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Pr Svobodny 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Russian Federation for Basic Research [14-02-00238-a]
}
Найти похожие

15.

Magnetic, transport, and magnetotransport properties of the textured Fe3O4 thin films reactively deposited onto SiO2/Si / A. S. Tarasov [et al.] // J. Alloys Compd. - 2016. - Vol. 688. - P. 1095-1100, DOI 10.1016/j.jallcom.2016.07.138. - Cited References: 40. - This work was supported in part by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 14-02-00234; the Russian Academy of Sciences, Program “Far East” no. 0262-2015-0057; and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, state order no. 16.663.2014K. The XRD study was supported by the state budget allocated to the Russian Academy of Sciences, fundamental research project no. V. 45.3.1. The authors are grateful to the Krasnoyarsk Regional Fund for Science and Technical Activity Support and the Council of the President of the Russian Federation on Grants. . - ISSN 0925-8388
Кл.слова (ненормированные):
Magnetite -- Magnetoresistance -- Reactive deposition
Аннотация: The structural, magnetic, transport, and magnetotransport properties of Fe3O4 thin films with thicknesses from 38 nm to 95 nm are systematically investigated. The occurrence of the Verwey transition in these films at a temperature of about 120 K is established. It is found that the temperature dependences of the magnetic moment have a feature near 40 K, which can be attributed to the multiferroic phase. According to the X-ray diffraction data, the film structure represents a (001) texture. As was established using transmission electron microscopy, the height and width of texture crystallites increase with film thickness. Analysis of the temperature dependences of the resistivity showed that the dominant carrier transport mechanism in the films is thermoactivated tunneling. The thermoactivation energy, along with the room-temperature resistivity, decreases with increasing film thicknesses, which is most likely related to the variation in the crystallite size, especially in the crystallite width. The field dependence of magnetoresistance behaves similarly over the entire temperature range and has a positive MR peak in weak fields, which is related to spin-dependent tunneling through Fe3O4 grains and antiferromagnetically coupled antiphase boundaries. © 2016 Elsevier B.V.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Automation and Control Processes, Russian Academy of Sciences, Far Eastern Branch, Vladivostok, Russian Federation
School of Natural Sciences, Far Eastern Federal University, Vladivostok, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Korobtsov, V. V.; Balashev, V. V.; Vikulov, V. A.; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

16.

Магниторезонансные свойства трехслойных пленок Co/Ge/Co / Г. С. Патрин [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2016. - Т. 58, Вып. 5. - С. 1000-1006. - Библиогр.: 20. - Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ Сибирскому федеральному университету по выполнению НИР (задание N 3.2534.2014/К) и при финансовой поддержке РФФИ (грант N 14-02-00238-a). . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Представлены результаты исследований трехслойных пленок Co/Ge/Co методом электронного магнитного резонанса. Обнаружено, что резонансный спектр пленки представляет собой суперпозицию двух линий лоренцевского типа. Установлено, что анизотропия, возникающая на интерфейсе кобальт-германий, вносит главный вклад в резонансный спектр и определяет его особенности. Определены температурные зависимости поля анизотропии и параметров межслоевого обмена. Межслоевые взаимодействия имеют антиферромагнитный характер и объясняются в рамках модели, подобной описанию сверхобмена в магнитных диэлектриках.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Magnetoresonance properties of three-layer Co/Ge/Co films [Текст] / G. S. Patrin [et al.] // Phys. Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2016. - Vol. 58 Is. 5.- P.1034-1040

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Константин Геннадьевич; Patrin, K. G.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.
}
Найти похожие

17.

Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/insulator/semiconductor hybrid structures / N. V. Volkov [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. I4.4. - P. 214. - References: 3 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structures -- magnetoresistance -- magnetoimpedance

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

18.

Magnetic field-sensitive lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hybrid structure / I. A. Bondarev [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P4.11. - P. 239. - References: 1. - This work was supported by the Russian Foundation of Basic Research, project nos. 14-02-00234 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hybrid structure -- magnetoresistance -- lateral photovoltage

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

19.

Ferromagnetic Resonance Study of the epitaxial Fe3Si(111) film on the Si(111) substrate / M. V. Rautskii [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. O5.5. - P. 253. - References: 2 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- FMR -- magnetic anisotropy

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

20.

La-Sr and Pr-Sr polycrystalline manganite films: correlation between magneto-optical and transport properties / Yu. E. Samoshkina [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P6.7. - P. 315. - The work was supported partly by the Russian Foundation for Basic Researches, Grants Nos. 14-02-01211 and 16-32-00209 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
hole-doped manganites -- thin films -- magnetic circular dichroism -- metal-insulator transition

Доп.точки доступа:
Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Sokolov, A. E.; Соколов, Алексей Эдуардович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Semenov, S. V.; Семёнов, Сергей Васильевич; Andreev, N. V.; Андреев Н. В.; Chichkov, V. I.; Чичков В.И.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие