Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Смолярова, Татьяна Евгеньевна$<.>)

Общее количество найденных документов : 59
Показаны документы с 1 по 20

Fabrication of multi-terminal planar devices based on epitaxial Fe1-xSix films grown on Si(111) / A. V. Luyanenko [et al.] // International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. - Krasnoyarsk, 2017. - P. 28

Материалы совещания

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Luyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics(27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Approach to form planar structures based on epitaxial Fe1 − xSix films grown on Si(111) / A. S. Tarasov [et al.] // Thin Solid Films. - 2017. - Vol. 642. - P. 20-24, DOI 10.1016/j.tsf.2017.09.025. - Cited References: 29. - We thank V.S. Zhigalov for assistance with the electron microscopy studies. The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research projects Nos. 16-42-243046, 16-42-242036 and 16-42-243060. The work was also supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 7559.2016.2). . - ISSN 0040-6090
Кл.слова (ненормированные):
Iron silicides -- Wet etching -- Planar structures -- MOKE microscopy
Аннотация: An approach to form planar structures based on ferromagnetic Fe1 − xSix films is presented. Epitaxial Fe1 − xSix iron‑silicon alloy films with different silicon content (x = 0–0.4) were grown on Si(111) substrates. Structural in situ and ex situ characterization of the films obtained was made by X-ray diffraction, reflective high-energy electron diffraction, Rutherford backscattering spectrometry and transmission electron microscopy, which confirmed single crystallinity and interface abruptness for all films. Etching rates in the wet etchant (HF: HNO3: H2O = 1: 2: 400) for the films with various chemical composition were obtained. A nonmonotonic dependence of the etching rate on silicon content with a maximum for the composition Fe0.92Si0.08 was discovered. Moreover, the etching process is vertical and selective in the etching solution, i.e., the etching process takes place only in silicide film and does not affect substrate. As an example, a four-terminal planar structure was made of Fe0.75Si0.25/Si(111) structure using the etching rate obtained for this silicon content. Magneto-optical Kerr effect (MOKE) microscopy and transport properties characterization indicated successful etching process.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
M.V.Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Komarov, V. A.; Комаров, Василий Андреевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Shemukhin, A. A.; Чемухин, А. А.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Selective synthesis of higher manganese silicides: a new Mn17Si30 phase, its electronic, transport, and optical properties in comparison with Mn4Si7 / I. A. Tarasov [et al.] // J. Mater. Sci. - 2018. - Vol. 53, Is. 10. - P. 7571–7594, DOI 10.1007/s10853-018-2105-y. - Cited References: 62. - This work was supported by the Russian Science Foundation, Project No. 16-13-00060. Aleksandr S. Aleksandrovsky thanks RFBR Grant No. 17-52-53031 for partial work related to the NIR measurements in section “Optical Properties”. The authors are grateful to Dr. A.V. Mudriy of Minsk State University for technical assistance. The equipment of the Center for Shared Use of Federal Research Center KSC SB RAS and the Ural Center “Modern Nanotechnology” of Ural Federal University was used. . - ISSN 0022-2461
Кл.слова (ненормированные):
Semiconducting silicon compounds
Аннотация: The electronic structure, transport and optical properties of thin films of Mn4Si7 and Mn17Si30 higher manganese silicides (HMS) with the Nowotny “chimney-ladder” crystal structure are investigated using different experimental techniques and density functional theory calculations. Formation of new Mn17Si30 compound through selective solid-state reaction synthesis proposed and its crystal structure is reported for the first time, the latter belonging to I-42d. Absorption measurements show that both materials demonstrate direct interband transitions around 0.9 eV, while the lowest indirect transitions are observed close to 0.4 eV. According to ab initio calculations, ideally structured Mn17Si30 is a degenerate n-type semiconductor; however, the Hall measurements on the both investigated materials reveal their p-type conductivity and degenerate nature. Such a shift of the Fermi level is attributed to introduction of silicon vacancies in accordance with our DFT calculations and optical characteristics in low photon energy range (0.076–0.4 eV). The Hall mobility for Mn17Si30 thin film was found to be 25 cm2/V s at T = 77 K, being the highest among all HMS known before. X-ray photoelectron spectroscopy discloses a presence of plasmon satellites in the Mn4Si7 and Mn17Si30 valence band spectra. Experimental permittivity spectra for the Mn4Si7 and Mn17Si30 compounds in a wide range (0.076–6.54 eV) also indicate degenerate nature of both materials and put more emphasis upon the intrinsic relationship between lattice defects and optical properties.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation
M.N. Miheev Institute of Metal Physics of the UB RAS, Yekaterinburg, Russian Federation
Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russian Federation
Siberian Federal University, Institute of Nanotechnology, Quantum Chemistry and Spectroscopy, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Natural Sciences, Ural Federal University, Yekaterinburg, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Visotin, M. A.; Высотин Максим Александрович; Kuznetzova, T. V.; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Solovyov, L. A.; Kuzubov, A. A.; Nikolaeva, K. M.; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Pryahina, V. I.; Esin, A. A.; Yarmoshenko, Y. M.; Shur, V. Y.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Lukyanenko, A. V.
Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography / A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52: 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia), Is. 5. - P. 636-638, DOI 10.1134/S1063782618050202. - Cited References:9. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project nos. 16-42-243046, 16-42-242036 and 16-42-243060. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter

Аннотация: For modern microelectronics, at the present time, the technologies of consciousness smart structures play an important role, which can provide accuracy, stability and high quality of the structures. Submicron lithography methods are quite expensive and have natural size limitations, not allowing the production of structures with an extremely small lateral limitation. Therefore, an intensive search was conducted for alternative methods for creating submicron resolution structures. Especially attractive one is the possibility of self-organization effects utilization, where the nanostructure of a certain size is formed under the influence of internal forces. The dip pen nanolithography method based on a scanning probe microscope uses a directwrite technology and allows one to carry out a playback of small size structures with high accuracy. In the experiment, a substrate coated with Au (15 nm) using a DPN technique is applied to the polymer to form a desired pattern nano-sized channel. The experiment was conducted using a pointed probe SiN, coated MHA-Acetonitrile, on the Si(111)/Fe3Si/Au structure.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на "русском языке" Lukyanenko A. V. Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography [Текст] / A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova // Физ. и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52 : 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia) Вып. 5.- с.519

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Лукьяненко, Анна Витальевна; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [16-42-243046, 16-42-242036, 16-42-243060]; International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology(25th ; Jun 26-30, 2017 ; Saint Petersburg, Russia)
}
Найти похожие

Dip-Pen Nanolithography method for fabrication of biofunctionalized magnetic nanodiscs applied in medicine / T. E. Smolyarova [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52: 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia), Is. 5. - P. 675-677, DOI 10.1134/S1063782618050305. - Cited References:22. - The study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project nos. 17-42-240080, 16-42-243046, 16-42-242036 and the Grant of the President of the Russian Federation no. NSh-7559.2016.2. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
DRUG-DELIVERY
   FORCE MICROSCOPY
   NANOPARTICLES
   HYPERTHERMIA
   THERAPY
Аннотация: The magnetic properties of ferromagnetic nanodiscs coated with gold, manufactured using the Dip-Pen Nanolithography method, and were studied by atomic-force and magnetic force microscopy methods. The magnetic discs (dots) are represented as nanoagents (nanorobots) applied in medicine for the cancer cell destruction. The motivation of this work stem from the necessity of the understanding of the magnetization distribution in ferromagnetic discs that is crucial for their application in biomedicine. We have performed the theoretical calculations in order to compare the theoretical image contrast to experimental results. Herein, we report about the fabrication and analysis of biocompatible ferromagnetic nanodiscs with the homogenous magnetized state.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на "русском языке" Dip-Pen Nanolithography method for fabrication of biofunctionalized magnetic nanodiscs applied in medicine [Текст] / T. E. Smolyarova [et al.] // Физ. и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52 : 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia) Вып. 5.- с.528

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Sokolov, A. Е.; Соколов, Алексей Эдуардович; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [17-42-240080, 16-42-243046, 16-42-242036]; Russian Federation [NSh-7559.2016.2]; International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology(25th ; Jun 26-30, 2017 ; Saint Petersburg, Russia)
}
Найти похожие

Lukyanenko, A. V.
Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography / A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova // Физ. и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52: 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia), Вып. 5. - с. 519, DOI 10.21883/FTP.2018.05.45863.52. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project nos. 16-42-243046, 16-42-242036 and 16-42-243060. . - ISSN 0015-3222
Аннотация: For modern microelectronics, at the present time, the technologies of consciousness smart structures play an important role, which can provide accuracy, stability and high quality of the structures. Submicron lithography methods are quite expensive and have natural size limitations, not allowing the production of structures with an extremely small lateral limitation. Therefore, an intensive search was conducted for alternative methods for creating submicron resolution structures. Especially attractive one is the possibility of self-organization effects utilization, where the nanostructure of a certain size is formed under the influence of internal forces. The dip pen nanolithography method based on a scanning probe microscope uses a directwrite technology and allows one to carry out a playback of small size structures with high accuracy. In the experiment, a substrate coated with Au (15 nm) using a DPN technique is applied to the polymer to form a desired pattern nano-sized channel. The experiment was conducted using a pointed probe SiN, coated MHA-Acetonitrile, on the Si(111)/Fe3Si/Au structure.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

"Переводная" версия Lukyanenko A. V. Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography [Текст] / A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52 : 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia) Is. 5.- P.636-638

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Лукьяненко, Анна Витальевна; International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology(25th ; Jun 26-30, 2017 ; Saint Petersburg, Russia)
}
Найти похожие

Dip-Pen Nanolithography method for fabrication of biofunctionalized magnetic nanodiscs applied in medicine / T. E. Smolyarova [et al.] // Физ. и техника полупроводников. - 2018. - Т. 52: 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia), Вып. 5. - с. 528, DOI 10.21883/FTP.2018.05.45872.61. - The study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research project nos. 17-42-240080, 16-42-243046, 16-42-242036 and the Grant of the President of the Russian Federation no. NSh-7559.2016.2. . - ISSN 0015-3222
Аннотация: The magnetic properties of ferromagnetic nanodiscs coated with gold, manufactured using the Dip-Pen Nanolithography method, and were studied by atomic-force and magnetic force microscopy methods. The magnetic discs (dots) are represented as nanoagents (nanorobots) applied in medicine for the cancer cell destruction. The motivation of this work stem from the necessity of the understanding of the magnetization distribution in ferromagnetic discs that is crucial for their application in biomedicine. We have performed the theoretical calculations in order to compare the theoretical image contrast to experimental results. Herein, we report about the fabrication and analysis of biocompatible ferromagnetic nanodiscs with the homogenous magnetized state.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

"Переводная" версия Dip-Pen Nanolithography method for fabrication of biofunctionalized magnetic nanodiscs applied in medicine [Текст] / T. E. Smolyarova [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52 : 25th International Symposium on Nanostructures - Physics and Technology (Jun 26-30, 2017, Saint Petersburg, Russia) Is. 5.- P.675-677

Size-controllable growth of Au3Fe(111)/Fe(110) hybrid nanocrystals by MBE / I. A. Tarasov [et al.] // Nanostructures: physics and technology : proc. 26th Int. symp. - 2018. - P. 211-212. - Cited References: 2 . - ISBN 978-985-7202-35-5

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rauzkii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium(26 ; 2018 ; June ; 18-22 ; Minsk, Belarus); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

Synthesis of 3-terminal ferromagnet/silicon spintronics devices and their transport properties / A. S. Tarasov [et al.] // Nanostructures: physics and technology : proc. 26th Int. symp. - 2018. - P. 245-246. - Cited References: 9 . - ISBN 978-985-7202-35-5

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium(26 ; 2018 ; June ; 18-22 ; Minsk, Belarus); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

10.

    Fabrication and DC/AC characterization of 3-terminal ferromagnet/silicon spintronics devices / A. S. Tarasov [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, Is. 14. - P. 1875–1878, DOI 10.1134/S1063782618140312. - Cited References: 10. - The work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund project no. 18-42-243022. This work is partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 “Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies”. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479
   Перевод заглавия: Изготовление и транспортные свойства 3-х терминальных спинтронных устройств ферромагнетик/полупроводник
Аннотация: CMOS and SOI technology compatible structures and devices are currently intensively investigated by many research groups, since various effects observed in such structures can be relatively easy implemented in electronic devices thereby expanding their functionality. The most promising is the research and development of spintronic devices, which will allow using both electron charge and spin degrees of freedom for transmission, storage and processing of information. In this work we report the fabrication process of 3-terminal (3-T) ferromagnet/silicon devices of two types. First is the planar Fe3Si/Si 3-T structure with 5 μm gap between closest ferromagnetic electrodes. Second is silicon nanowire back-gate transistor with Fe film source and drain synthesized on SOI substrate. Transport and magnetotransport properties of both devices are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

11.

    Silicon nanowire field-effect transistors. Technology and characterization / A. V. Lukyanenko [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - P. 111
   Перевод заглавия: Полевые транзисторы на базе кремниевых нанопроволок. Технология и характеризация

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие

12.

    Hybrid Au-Fe crystalline nanoparticles obtained by MBE / A. S. Tarasov [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - P. 77
   Перевод заглавия: Гибридные кристаллические наночастицы Au-Fe, полученные методом МЛЭ

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие

13.

Как ты себя проявишь от пола не зависит // Наука в Сибири : газета Сибирского отделения Российской Академии Наук. - 2019. - № 10, 14 марта. - С. 4
Аннотация: В преддверии 8 марта поговорили с тремя женщинами-учеными, работающими в ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН», о том, что привело их в науку, чего они ждали от этой сферы деятельности и оправдались ли их ожидания, а также о том, есть ли отличия между работой мужчин и женщин в науке.

Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смолярова, Татьяна Евгеньевна \о ней\
}
Найти похожие

14.

Growth of Textured Au-Fe/Fe Hybrid Nanocrystals on Oxidized Silicon Surface / I. A. Tarasov [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, Is. 16. - P. 2073-2077, DOI 10.1134/S1063782618160364. - Cited References: 19. - The reported research was funded by Russian Foundation for Basic Research and the government of the region of the Russian Federation, grant no. 18-42-243013, the Program of the President of the Russian Federation for the support of young scientist (C Pi-2796.2018.1). We also thank L.A. Solovyov for his asistance in XRD analysis. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
INTERMETALLIC AU3FE1-X
MAGNETIC-PROPERTIES
FECU NANOPARTICLES
Аннотация: We present in this report the route to produce highly-textured Au3Fe(111)/Fe(110) hybrid nanocrystals on an amorphous surface of SiO2/Si by molecular beam epitaxy. By controlling the quantity of Au atoms deposited onto the SiO2/Si it is possible to tune the average lateral size of resultant Au-Fe hybrid nanocrystals from 10-20 nm up to 100-150 nm at the same Fe nominal thickness deposited. This process is sensitive to the initial density and size of Au islands. Examination of Au-Fe hybrid nanocrystals obtained was carried out using X-ray diffraction, transmission and scanning electron microscopy, reflection high energy electron diffraction, and Kerr effect methods.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Krasnoyarsk State Agr Univ, Achinsk Branch, Achinsk 662150, Russia.
Russian Acad Sci, Fed Res Ctr KSC, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Komarov, V. A.; Комаров, Василий Андреевич; Nemtsev, I. V.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research; government of the region of the Russian Federation [18-42-243013]; Russian Federation [CPi-2796.2018.1]; International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology"(26th ; June 18-22, 2018 ; Minsk, Belarus)
}
Найти похожие

15.

Dual wavelength Talbot self-imaging using facet patterned nonlinear crystals / A. M. Vyunishev [et al.] // Opt. Lett. - 2019. - Vol. 44, Is. 15. - P. 3761-3764, DOI 10.1364/OL.44.003761. - Cited References: 19. - Russian Science Foundation (RSF) (19-12-00203). . - ISSN 0146-9592. - ISSN 1539-4794

РУБ Optics
Рубрики:
RAMAN-NATH DIFFRACTION
LITHOGRAPHY
FIELD
Аннотация: A method for functional patterning of facets of a nonlinear crystal using focused ion beam milling has been developed. The near-field diffraction on periodic gratings has been experimentally and theoretically studied. The periodicity of the structure enables Talbot self-imaging at the fundamental and second-harmonic frequencies simultaneously. Spatial interference patterns for both harmonic frequencies are individual ones, which can enable the higher-accuracy optical testing, coupling the radiation at both frequencies, and wavelength-division demultiplexing. The impact of the aperture effect on a Talbot carpet is discussed.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Dept Photon & Laser Technol, Krasnoyarsk 660079, Russia.
Moscow MV Lomonosov State Univ, Fac Phys, Moscow 119992, Russia.
Moscow MV Lomonosov State Univ, Int Laser Ctr, Moscow 119992, Russia.

Доп.точки доступа:
Vyunishev, A. M.; Вьюнышев, Андрей Михайлович; Myslivets, S. A.; Мысливец, Сергей Александрович; Fokin, V. A.; Фокин, В. А.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Radionov, N. V.; Радионов, Никита Вячеславович; Zaitsev, A. I.; Зайцев, Александр Иванович; Arkhipkin, V. G.; Архипкин, Василий Григорьевич; Chirkin, A. S.; Russian Science Foundation (RSF) [19-12-00203]
}
Найти похожие

16.

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

17.

Magneto-optical activity of Fe3Si-Au based magnetoplasmonic nanostructures / I. A. Tarasov [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. E.P12. - P. 441. - Cited References: 3. - The reported study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project No. 18-42-243013 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

18.

Красноярск собрал специалистов по исследованию аптамеров. - Электрон. текстовые дан. // Наука в Сибири : газета Сибирского отделения Российской Академии Наук. - 2019. - 9 сент. ; Официальный сайт ФИЦ КНЦ СО РАН. - 2019. - Новости, 10 сент.
Аннотация: Первая международная конференция «Aptamers in Russia 2019» состоялась в ФИЦ «Красноярский научный центр СО РАН». Более ста ведущих российских и зарубежных исследователей обсудили проблемы селекции, изучения и работы с одноцепочечными молекулярными конструкциями — аптамерами.

Смотреть статью,
Смотреть статью
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Томилин, Феликс Николаевич \о нем\; Волков, Никита Валентинович \о нем\; Смолярова, Татьяна Евгеньевна \о ней\; Группа научных коммуникаций ФИЦ КНЦ СО РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН \о нем\

}
Найти похожие

19.

Tailoring the preferable orientation relationship and shape of α-FeSi2nanocrystals on Si(001): The impact of gold and the Si/Fe flux ratio, and the origin of α/Si boundaries / I. A. Tarasov, T. E. Smolyarova, I. V. Nemtsev [et al.] // CrystEngComm. - 2020. - Vol. 22, Is. 23. - P. 3943-3955, DOI 10.1039/d0ce00399a. - Cited References: 52. - The experimental part of the reported study was funded by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060-Π. Theoretical analysis of the ORs of the α-FeSi2 nanocrystals grown was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science via research project No. 18-42-243013. We also acknowledge the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS” for support with carrying out the microscopic investigations. I. A. Tarasov personally thanks M. A. Visotin for continuous fruitful discussion about the energetics of the formation of the α-FeSi2 nanocrystals . - ISSN 1466-8033
Кл.слова (ненормированные):
Gold -- Morphology -- Nanocrystals -- Silicides
Аннотация: The growth of α-FeSi2 nanocrystal ensembles on gold-activated and gold-free Si(001) surfaces at different Si/Fe flux ratios via molecular beam epitaxy is reported. The study reveals that the utilisation of gold as a catalyst regulates the preferable orientation relationship (OR) of the nanocrystals to silicon and their morphology at a given Si/Fe flux ratio. α-FeSi2 free-standing crystals with continuously tuned sizes from 30 nm up to several micrometres can be grown with an α(001)//Si(001) basic OR under gold-assisted conditions and an α(111)//Si(001) OR under gold-free growth conditions on a Si(001) surface. The preferred morphology of nanocrystals with a particular OR can be altered through changes to the Si/Fe flux ratio. Herein, the microstructure and basic OR between the silicide nanocrystals and the silicon substrate, and the formation of nanocrystal facets were analysed in detail with the help of microscopic techniques and simulation methods based on the analysis of near coincidence site (NCS) distributions at silicide/silicon interfaces. On the basis of the simulations used, we managed to reveal the nature of the interfaces observed for the main types of α-FeSi2 nanocrystals grown. Three types of interfaces typical for nanoplates with an α(001)//Si(001) basic OR, which are (i) stepped, (ii) stressed, and (iii) flat, are explained based on the tendency for the NCS density to increase at the interface. The results presented reveal the potential for the bottom-up fabrication of α-FeSi2 nanocrystals with tuned physical properties as potentially important contact materials and as building blocks for future nanoelectronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center, KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

20.

Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111) / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.03.07o. - P. 107 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие