Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Алферов, Жорес Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 18

   В3
   А 53

    Алферов, Жорес Иванович.
    Физика и жизнь / Ж. И. Алферов. - 2-е изд., доп. - СПб. : Наука, 2001. - 134 с. - Список осн. науч. публикаций. - ISBN 5-02-024962-9 : 118.04 р.

ГРНТИ

29.01.09

29.19.31

ББК В3д + В379.2

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \о нем\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В3
   З-38

    Захарченя, Борис Петрович.
    Радость творчества : Повести, рассказы, эссе, заметки / Б. П. Захарченя. - СПб. : Коло, 2008. - 384 с. : ил. - 500 экз. - ISBN 978-5-901841-53-2 : 0.00

ГРНТИ

ББК В3д + В379д
Рубрики:
Экситоны--Открытия--История

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Захарченя, Борис Петрович \о нем\; Алферов, Жорес Иванович \о нем\; Альтшулер, Семен Александрович \о нем\; Иоффе, Абрам Федорович \о нем\; Осипьян, Юрий Андреевич \о нем\; Френкель, Виктор Яковлевич \о нем\; Зельдович, Яков Борисович \о нем\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В3
   З-17

    Зайдель, Александр Натанович.
    Погрешности измерений физических величин / А. Н. Зайдель ; ред. Ж. И. Алферов ; Акад. наук СССР. Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1985. - 112 с. - Библиогр.: с. 110. - 0.36 р.

ГРНТИ

29.03

ББК В3в642
Рубрики:
Величины физические--Измерения--Погрешности

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Академия наук СССРФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   З85
   Ф 81


    Фотоника-2008 : тезисы докладов / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников, Науч. совет по проблеме "Квант. наноструктуры", Рос. фонд фундаментал. исслед. ; предс. совещ. Ж. И. Алферов ; предс. орг. комитета П. Т. Девяткин. - Новосибирск : [б. и.], 2008. - 169 с. - Авт. указ. - Указ. адресов. - 60.00 р.

ГРНТИ

ББК З854я431
Рубрики:
Фотоэлектроника полупроводниковая--Сборники
Наноструктуры--Фотоэлектроника--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Девяткин, Пётр Тихонович \пред.\; Российская академия наук; Сибирское отделение РАНИнститут физики полупроводников Сибирского отделения РАН; Научный совет по проблеме "Квантовые наноструктуры" РАН; Российский фонд фундаментальных исследований; Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (19-23 августа 2008 г. ; Новосибирск)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   М 75


    Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры : пер. с англ. / [Л. Эскаки и др.] ; ред.: Л. Ченг, К. Плог ; пер. под ред.: Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева. - М. : Мир, 1989. - 582 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Пер. изд. : Molecular beam epitaxy and heterostructures. - ISBN 5-03-000737-7 : 5.90 р., 50.00 р.
    Содержание:
Процесс молекулярно-лучевой эпитаксии
Выращивание полупроводников и их свойства
Теория гетероструктур
Электронные свойства гетероструктур
Приборы на основе гетероструктур
Альтернативный процесс эпитаксии

ГРНТИ

29.19.09

ББК В375 + З843.308
Рубрики:
Твердое тело--Эпитаксия

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Эскаки, Л.; Ченг, Л. \ред.\; Плог, К. \ред.\; Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Шмарцев, Ю. В. \ред.\
Экземпляры всего: 2
КФ (2)
Свободны: КФ (2)}
Найти похожие

   В37
   П 16

    Панков, Ж.
    Оптические процессы в полупроводниках : пер. с англ. / Ж. Панков ; ред. пер.: Ж. И. Алферов, В. С. Вавилов. - М. : Мир, 1973. - 456 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 443-451. - Пер. изд. : Optical processes in semiconductors / Jacoes I. Pankove. - 2.17 р.

ГРНТИ

29.19.31

ББК В379.24
Рубрики:
Полупроводники--Свойства оптические

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Вавилов, Виктор Сергеевич \ред.\; Pankove, Jacoes I.
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

   В37
   Х 21

   Харрисон, У.
    Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи : пер. с англ.: в 2 т. / У. Харрисон ; пер.: И. П. Ипатова, Ю. Э. Китаев ; ред. пер. Ж. И. Алферов. - М. : Мир, 1983 - .
   Т. 1. - 1983. - 381 с. : ил. - Библиогр.: с. 372-379. - Пер. изд. : Electronic structure and the propeties of solids / Walter A. Harrison. - 3.60 р.

ГРНТИ

29.19.23

29.19.24

ББК В371.2 + В373
Рубрики:
Твердое тело--Структура электронная
Твердое тело--Свойства электромагнитные

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ипатова, И.П. \пер.\; Китаев, Ю.Э. \пер.\; Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Harrison, Walter A.
Экземпляры всего: 2
КФ (2)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

   В37
   Х 21

   Харрисон, У.
    Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи : пер. с англ.: в 2 т. / У. Харрисон ; пер.: И. П. Ипатова, Ю. Э. Китаев ; ред. пер. Ж. И. Алферов. - М. : Мир, 1983 - .
   Т. 2. - 1983. - 332 с. : ил. - Библиогр.: с. 322-327. - Предм. указ.: с. 328-330. - Пер. изд. : Electronic structure and the propeties of solids / Walter A. Harrison. - 3.20 р.

ГРНТИ

29.19.23

29.19.24

   Ч
   Н 34


    Наука и человечество : доступно и точно о главном в мировой науке : междунар. ежегодник. 1976 / Акад. наук СССР, Всесоюз. о-во "Знание" ; редкол.: А. П. Виноградов (пред.) ; отв. ред. Е. Б. Этингоф. - М. : Знание, 1975. - 400 с. : ил. - Библиогр.: с. 397-398. - 100000 экз. - 3.40 р.
    Содержание:
Седов, Леонид Иванович. Выделение действительных явлений из мысленно возможных (вариационные подходы) / Л. И. Седов
Дрейпер, Ч. С. Автономные системы инерциальной навигации / Ч. С. Дрейпер, Б. Л. Бердичевский
Алферов, Жорес Иванович. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе / Ж. И. Алферов, У. Ригли
Суннер, С. Энергия молекул и ее измерения / С. Суннер

ГРНТИ

12.91

ББК Ч21я91
Рубрики:
Наука--История--Будущее--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Виноградов, А. П. \ред.\; Этингоф, Е. Б. \ред.\; Академия наук СССР; "Знание", Всесоюзное общество
Экземпляры всего: 1
ЧЗ (1)
Свободны: ЧЗ (1)}
Найти похожие

10.

   Ч2
   А 38


    Академия наук в истории культуры России XVIII- XX веков / Рос. акад. наук, Ин-т истории естествознания и техники им. С.И. Вавилова ; ред. Ж. И. Алферов ; сост.: Э. А. Тропп, Г. И. Смагина. - СПб. : Наука, 2010. - 706 с. : ил. - Имен. указ.: с. 680-703. - 800 экз. - ISBN 978-5-02-025334-6 : 868.00 р.
Авт. указ. на стр. 704-705
Перевод заглавия: The Academy of science in the cultural history of Russia in the XVIII-XX centuries
   Перевод заглавия: The Academy of science in the cultural history of Russia in the XVIII-XX centuries

ГРНТИ

03.23.31

13.09

ББК Ч214(2)711г
Рубрики:
Наука--Академия наук--История
Культура--Социология--История--Россия

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Алфёров, Жорес Иванович; Тропп, Эдуард Абрамович \сост.\; Смагина, Г. И. \сост.\; Российская академия наук; Институт истории естествознания и техники им. С.И. Вавилова РАН
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

11.

   З86
   П 53


    Полупроводниковые лазеры: физика и технология. К 50-летию первого лазера : Программа и тезисы докладов / Рос. акад. наук, Физ.-тех. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петерб. акад. ун-т - научно-образов. центр нанотехнологий РАН. Всероссийский сипмозиум "Пролупроводниковые лазеры: физика и технология" (2 ; 10-12 ноября 2010 г. ; СПб.) ; предс. симпоз. Ж. И. Алфёров. - СПб. : ФТИ, 2010. - 77 с. - Библиогр. в конце ст. - 150 экз. - 60.00 р.

ГРНТИ

47.35.41

29.33.15

ББК З86-534я431
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Российская академия наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН; Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (2 ; 10-12 ноября 2010 г. ; СПб.)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

12.

   В37
   В 31

    Веревкин, Юрий Николаевич.
    Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел / Ю. Н. Веревкин ; отв. ред. Ж. И. Алферов ; Акад. наук СССР, Отд-ние общ. физики и астрономии. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1984. - 122 с. - Библиогр.: л. 299-342. - 1200 экз. - 1.30 р.

ГРНТИ

29.31.23

29.31.21

ББК В374.98
Рубрики:
Твердое тело--Люминесценция

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Академия наук СССРОтделение общей физики и астрономии АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

13.

   В37
   В 88

    Вул, Бенцион Моисеевич.
    Физика диэлектриков и полупроводников : Избранные труды : избранные труды / Б. М. Вул ; редкол.: Н. Г. Басов (пред.), К. А. Валиев, Л. В. Келдыш [и др.] ; ред.-сост. Б. Н. Мацонашвили ; [авт. предисл. А. П. Шотов] ; Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П.Н. Лебедева. - М. : Наука, 1988. - 271 с. : ил., 1 л.портр. - 1250 экз. - ISBN 5-02-000071-X : 6.30 р.

ГРНТИ

29.19.31

29.19.33

ББК В379 + В379.231.6
Рубрики:
Полупроводники--Физика
Диэлектрики--Физика

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Басов, Николай Геннадьевич \ред.\; Шотов, А. П. \авт. предисл.\; Мацонашвили, Б. Н. \ред., сост.\; Келдыш, Леонид Вениаминович \ред.\; Валиев, Камиль Ахметович \ред.\; Алферов, Жорес Иванович \ред.\; Осипьян, Юрий Андреевич \ред.\; Плотников, А. Ф. \ред.\; Академия наук СССР; Физический институт им. П.Н. Лебедева АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

14.

   З84
   Б 43

    Белоус, Анатолий Иванович.
    Основы схемотехники микроэлектронных устройств / А. И. Белоус, В. А. Емельянов, А. С. Турцевич ; авт. предисл. Ж. И. Алфёров. - М. : Техносфера, 2012. - 471 с. - Библиогр. в конце глав. - 3000 экз. - ISBN 978-5-94836-307-3 : 572.40 р.

ГРНТИ

47.41

ББК З852
Рубрики:
Схемы--Микроэлектроника--Проектирование

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Емельянов, Виктор Андреевич; Турцевич, Аркадий Степанович; Алферов, Жорес Иванович \авт. предисл.\
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

15.

   В37
   Р 78

    Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок : [сб. в 2 ч.] / Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии. - Новосибирск : Наука, Сиб. отд-ние, 1977. - 2800 экз.
   Ч. 1 / отв. ред. д-р хим. наук Ф. А. Кузнецов. - 1977. - 314 с. : рис., фот. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
    Содержание:
Усков, Е. М. Изучение микронеоднородного распределения примесей в монокристаллах кремния оптическим методом / Е. М. Усков, В. Н. Вертопрахов. - С .307-310
Заможский, В. Д. Изучение поверхности кристаллов методом световых фигур / В. Д. Заможский, В. Н. Вертопрахов. - С .222-225
Резниченко, М. Ф. Изучение микронеоднородностей полупроводников комбинированным методом модуляционной спектроскопии / М. Ф. Резниченко, В. Н. Вертопрахов. - С .300-304
Хабаров, Э. Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие а атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях / Э. Н. Хабаров. - С .248-253
Шигаев, С. М. К вопросу о получении гомогенных легированных твердых растворов системы германий-кремний / С. М. Шигаев, Ю. Г. Белашов. - С .156-158
Косов, А. В. К вопросу о подавлении флуктуаций температуры в расплавах при выращивании монокристаллов / А. В. Косов, Н. В. Бузовкина. - С .176-178
Мигаль, В. П. Травление германия в потоке HJ+H2 / В. П. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .93-96
Скворцов, И. М. О роли подготовки поверхности подложек при низкотемпературной эпитаксии кремния / И. М. Скворцов, Б. В. Орион. - С .58-62
Киселева, Э Н. Преимущества совмещения очистки исходных веществ с синтезом кристаллов полупроводников / Э Н. Киселева, С. А. Строителев. - С .236-238
Орлов, В. П. Влияние гравитации на процессы жидкостной эпитаксии / В. П. Орлов, В. Г. Цепилевич. - С .121-124
Заможский, В. Д. Некоторые особенности выращивания слоев GaAs в изотермических условиях / В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов. - С .138-141
Гайдуков, Г. Н. Диффузионные процессы в эпитасиальнорастущих пленках / Г. Н. Гайдуков, Б. Я. Любов. - С .96-101
Драбкин, И. А. О возможности двухзарядовых состояний примеси индия в решетке PbTe и других халькогенидов / И. А. Драбкин, Б. Я. Мойжес. - С .280-283
Сунагава, И. Деятельность японских ученых в области роста кристаллов / И. Сунагава. - С .196-198
Строителев, С. А. Кристаллохимические закономерности распределения примесей и основные условия получения химически однородных полупроводников / С. А. Строителев. - С .182-186
Опперман, Г. Влияние отклонения от стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник-металл в двуокиси ванадия / Г. Опперман. - С .62-65
Новые методики роста кристаллов и пленок . - С .204-238
Кутвицкий, В. А. Магнитная восприимчивость и предкристаллизационные явления в полупроводниковых расплавах / В. А. Кутвицкий. - С .159-162
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост кремния в Японии / Дж. Нишизава. - С .110-115
Лузин, А. Н. О роли фокусонов в формировании в формировании структуры растущего кристалла / А. Н. Лузин. - С .230-233
Грейсух, М. Р. Влияние облучения на захват примеси при кристаллизации полупроводников / М. Р. Грейсух. - С .85-87
Маслов, В. Н. Полупроводниковые периодические структуры, их применение и методы получения / В. Н. Маслов. - С .6-17
Закономерности роста и распределения примесей при кристаллизации из газовой фазы . - С .6-115
Буттер, Е. Некоторые особенности синтеза монокристаллических слоев нитрида галлия / Е. Буттер. - С .27-29
Химическое состояние примесей в кристаллах и пленках . - С .239-291
Закономерности роста кристаллов и пленок из расплава и раствора в расплаве . - С .116-203
Методы исследования неоднородностей в кристаллах и пленках . - С .292-310
Сорокин, Г. П. Образование кристаллических несовершенств Cu2S, Cu2Se, Cu2Te / Г. П. Сорокин [и др.]. - С .283-286
Другие авторы: Идричан Г. З., Андроник И. Я., Бодруг С. Н., Шевчук А. А.
Вольф, Э. Соосаждение кремния с донорами и бором / Э. Вольф, М. Сейдлер, К. Барч. - С .260-265
Родионов, А. В. Масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga-AsCl3-H2 / А. В. Родионов [и др.]. - С .214-218
Другие авторы: Свешников Ю. Н., Белоусов В. И., Афанасьев А. К.
Кузнецов, Ф. А. О возможности безводородного метода получения пленок нитрида кремния / Ф. А. Кузнецов [и др.]. - С .34-41
Другие авторы: Буждан Я. М., Белый В. И., Смирнова Т. П., Кошечкова А. А., Кравченко В. С.
Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов ZnTe, легированных изоэлектронными примесями второй группы / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан. - С .50-54
Вилисов, А. А. Влияние условий выращивания на свойствах эпитаксиальных слоев твердых растворов Alx Ga1-x Sb / А. А. Вилисов [и др.]. - С .128-131
Другие авторы: Вяткин А. П., Гермогенов В. П., Эпиктетова Л. Е.
Угай, Я. А. Получение монокристаллов фосфида германия / Я. А. Угай [и др.]. - С .198-200
Другие авторы: Соколов Л. И., Гончаров Е. Г., Лукин А. Н., Кавецкий В. С.
Толомасов, В. А. Исследование эпитаксиальных слоев кремния, подвергнутых в процессе роста бомбардировке ионами низких энергий / В. А. Толомасов [и др.]. - С .106-110
Другие авторы: Рубцова В. А., Горшенин Г. Н., Гудкова Н. В., АбросимоваЛ. Н., Прохорова Л. М.
Круглов, М. В. Исследование поверхностных нарушений структуры полупроводников методом внешнего фотоэффекта в условиях брэгговского отражения рентгеновских лучей / М. В. Круглов, В. Н. Шмелев, Б. Г. Захаров. - С .292-296
Бабич, В. М. Примесные комплексы, структурное совершенство и электрофизические свойства n-Ge / В. М. Бабич [и др.]. - С .269-272
Другие авторы: Баранский П. И., Ильчишин В. А., Шершель В. А.
Мигаль, В. П. Влияние лимитирующих условий роста на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев германия / В. П. Мигаль, Н. Н. Мигаль, Ю. О. Кантер. - С .88-93
Голубев, Л. В. Теоретические и экспериментальное исследование метода электрожидкостной эпитаксии / Л. В. Голубев [и др.]. - С .124-128
Другие авторы: Геворкян В. А., Каряев В. Н., Шмарцев Ю. В.
Бобков, В. В. Исследование химического состояния поверхностей GaAs, GaP и Ga1-xAlxAsx / В. В. Бобков [и др.]. - С .225-227
Другие авторы: Коваль А. Г., Климовский Ю. А., Стрельченко С. С., Шубина В. В., Бондарь С. А., Матяш А. П.
Румянцев, Ю. М. Исследование переноса и кристаллизации Ga1-xInxAs в газотранспортной системе Ga-In-As-I-H / Ю. М. Румянцев [и др.]. - С .41-45
Другие авторы: Демин В. М., Коковин Г. А., Федорова Т. В.
Алферов, Жорес Иванович. Жидкостная эпитаксия структур с гетеропереходами в системе Al-Ga-As / Ж. И. Алферов [и др.]. - С .209-214
Другие авторы: Андреев В. М., Конников С. Г., Ларионов В. Р.
Маслов, В. Н. Эпитаксиальный рост и свойства варизонных твердых растворов GaAs-GaAs0,64 P0,36 / В. Н. Маслов [и др.]. - С .69-74
Другие авторы: Лупачева А. Н., Коробов О. Е., Ухорская Т. А., Юрова Е. С.
Дьяконов, Л. И. Исследование переходных процессов при выращивании многослойных структур арсенида галлия / Л. И. Дьяконов [и др.]. - С .74-79
Другие авторы: Деменков Н. М., Кривко Л. А., Гуляева А. С., Руда Б. И.
Леонов, В. П. Теоретическое исследование возникновения неоднородностей толщины слоев при осаждении из газовой фазы / В. П. Леонов, В. Г. Цепилевич, Ф. А. Кузнецов. - С .66-69
Бушмарина, Г. С. Особенности растворения примесей в соединениях переменного состава Ge1-xTe и Sn1-xTe / Г. С. Бушмарина [и др.]. - С .286-290
Другие авторы: Грузинов Б. Ф., Лев Е. Я., Сысоева Л. М.
Биленко, Д. И. Изучение в ходе процесса макрокинетики локального травления кремния гексафторидом серы / Д. И. Биленко [и др.]. - С .21-27
Другие авторы: Галишникова Ю. Н., Лопатина Л. Б., Смирнов А. И., Тучкевич В. В., Явич Б. С.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия в открытой хлоридной системе / Г. А. Александрова [и др.]. - С .45-50
Другие авторы: Дорская Е. Н., Лымарь Г. Ф., Марчуков Л. В., Шубин А. Е.
Акчурин, Р. Х. Особенности роста монокристаллов и эпитаксиальных пленок твердых растворов Pb1-xSnxTe при кристаллизации из жидкой фазы / Р. Х. Акчурин, А. А. Лобанов, В. В. Марычев. - С .152-156
Новоселова, А. В. P-T-X фазовые диаграммы и механизм роста монокристаллов соединений группы IV-VI из пара / А. В. Новоселова [и др.]. - С .30-34
Другие авторы: Зломанов В. П., Масякин Е. В., Тананаева О. И.
Горемыкин, В. В. Получение эпитаксиальных слоев Gax In1-x методом жидкофазной эпитаксии / В. В. Горемыкин, Э И. Марков, И. П. Молодян. - С .132-135
В., Е. Ильиных Распределение компонентов при выращивании монокристаллов германия, легированных золотом и сурьмой совместно / Е. Ильиных В., В. С. Земсков, О. Г. Муртазин. - С .186-190
Батырев, Н. И. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов In1-xGaxP и (GaP)xZnSe1-x / Н. И. Батырев [и др.]. - С .144-147
Другие авторы: Вигдорович В. Н., Нестюрина Е. Е., Селин А. А., Уфимцев В. Д., Червяков А. И., Шумилин В. П.
Абдукаримов, Э. Т. Процессы кристаллизации легированного теллурида висмута / Э. Т. Абдукаримов [и др.]. - С .190-193
Другие авторы: Останина К. В., Орлов А. Г., Романенко В. Н., Сидоров А. Ф.
Радауцан, С. И. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита / С. И. Радауцан [и др.]. - С .54-58
Другие авторы: Цуркан А. Е., Пасько П. Г., Кичерман Л. В.
Александрова, Галина Алексеевна. Выращивание столбчатых кристаллов арсенида индия через жидкую фазу с подпидкой из газовой фазы / Г. А. Александрова, Г. Ф. Лымарь, П. Б. Пащенко. - С .147-152
Бадиков, В. В. Исследование роста монокристаллов AgGaS2 / В. В. Бадиков [и др.]. - С .193-196
Другие авторы: Овчинникова В. А., Пивоваров О. Н., Скоков Ю. В., Скребнева О. В.
Лузин, А. Н. О бомбардировке медленными ионами поверхности растущей алмазоподобной пленки / А. Н. Лузин, Л. Л. Мендрин, А. В. Попов. - С .233-236
Блистанов, А. А. Анизотропия рассеяния инфракрасного излучения в монокристаллическом кремнии / А. А. Блистанов, В. Н. Вишняков, А. Г. Портнов. - С .296-300
Алейникова, К. Б. Выращивание монокристаллов метастабильной ß-модификации CdAs2 / К. Б. Алейникова [и др.]. - С .200-203
Другие авторы: Зюбина Т. А., Работкина Н. С., Угай Я. А.
Качурин, Г. А. Радиационные методы получения полупроводниковых пленок / Г. А. Качурин [и др.]. - С .227-230
Другие авторы: Придачин Н. Б., Романов С. И., Смирнов Л. С.
Жиляев, Ю. В. Особенности эпитаксиального выращивания твердых растворов Gax In1-x P методом химических транспортных реакций / Ю. В. Жиляев [и др.]. - С .79-85
Другие авторы: Конников С. Г., Румянцев В. Д., Улин В. П.
Вахрамеев, С. С. Анализ тепловых условий выращивания детекторного германия / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .169-173
Другие авторы: Гончаров Л. Г., Русин А. П., Щелкин Ю. ф.
Резниченко, М. Ф. Изучение неоднородностей легирования германия / М. Ф. Резниченко [и др.]. - С .304-307
Другие авторы: Усков Е. М., Рыбин Ю. А., Вертопрахов В. Н.
Балагурова, Е. А. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в АIIIВV / Е. А. Балагурова [и др.]. - С .253-255
Другие авторы: Морозов В. Н., Рязанцев А. А., Хабаров Э. Н.
Биленко, Д. И. Исследование хлоридного процесса получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия "in siti" оптическим методом / Д. И. Биленко [и др.]. - С .218-222
Другие авторы: Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Смирнов А. И., Цыпленков И. Н.
Хохлов, В. И. Свойство легированного арсенида при высоких температурах / В. И. Хохлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров. - С .276-280
Сидоров, Ю. Г. Отклонение поведения примесей от равновесного при эпитаксии / Ю. Г. Сидоров [и др.]. - С .272-276
Другие авторы: Васильева Л. Ф., Сидорова А. В., Сабинина И. В., Дворецкий С. А.
Иванов-Омский, В. И. Эпитаксиальные слои Cdx Hg1-x Te / В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, П. Г. Сидорчук. - С .141-144
Вахрамеев, С. С. Анализ полей температур и термоупругих напряжений в процессах выращивания монокристаллов из расплавов / С. С. Вахрамеев [и др.]. - С .162-168
Другие авторы: Мильвидский М. Г., Смирнов В. А., Щелкин Ю. Ф.
Нишизава, Дж. Эпитаксиальный рост соединений АIIIВV из жидкой фазы методом температурного градиента при контролируемом давлении пара / Дж. Нишизава, И. Окуно, Т. Сого. - С .204-209
Макеев, Х. И. Анализ распределений температур и тепловых потоков в области фронта кристаллизации при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского / Х. И. Макеев [и др.]. - С .173-176
Другие авторы: Погодин А. И., Старшинов И. П., Холодовская А. А.
Болховитянов, Ю. Б. Получение эпитаксиальных слоев GaAs с равномерным распределением примеси / Ю. Б. Болховитянов [и др.]. - С .135-138
Другие авторы: Мельников П. Л., Строителев С. А., Чикичев С. И.
Полозова, И. Е. Влияние температурных режимов отжигов и закалки на состояние примеси серебра в германии / И. Е. Полозова [и др.]. - С .290-291
Другие авторы: Романычев Д. А., Тарасова И. М., Белашов Ю. Г.
Сэдед, Бахтуянг. Кислород в кремнии, выращенном методом зонной плавки / Бахтуянг Сэдед, К. Темпельхофф, Т. Тиме. - С .265-269
Родо, М. Фазовая диаграмма и кинетика выделения избыточных компонентов в нестехиометрических IV-VI соединениях / М. Родо [и др.]. - С .239-248
Другие авторы: Шнейдер М., Тьерри-Мит В., Гуллауме Дж.
Нишинага, Т. Применение теории морфологической стабильности к изучению волнистости слоев, полученных жидкостной эпитаксией / Т. Нишинага, К. Пак, С. Ушияма. - С .116-121
Фалькевич, С. Структурное совершенство и однородность осаждения слоев, полученных в процессе разложения силана / С. Фалькевич [и др.]. - С .102-106
Другие авторы: Петрик А. Г., Шварцман Л. Я., Шейхет Э. Г., Николашин Ж. П., Трайнин А. Л.
Розин, К. М. О механизмах формирования микронеоднородности в монокристаллах при росте из расплава / К. М. Розин, П. О. Саморуков, М. О. Шимановская. - С .179-182
Нишизава, ДЖ. Механизм роста кристаллов в системе SiCl4-H2 / ДЖ. Нишизава, У. Като, М. Шимбо. - С .17-21
Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и IVгрупп периодической системы в соединениях типа АIIIВV и природа твердых растворов типа АIIIВV - АIIВVI / В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин. - С .255-260

ГРНТИ

29.19.31

ББК В375.14я43 + З852я43
Рубрики:
Кристаллы полупроводниковые--Рост--Сборники
Пленки полупроводниковые--Рост--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузнецов, Ф. А. \ред.\; Смирнов, А. И.; Тучкевич, В. В.; Явич, Б. С.; Академия наук СССР; Сибирское отделение АН СССР; Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

16.

   В3
   Ф 50


    Физика сегодня и завтра: прогнозы науки / [отв. ред. В. М. Тучкевич]. - Л. : Наука, Ленингр. отд-ние, 1973. - 330 с. : ил. - (Современные тенденции развития науки). - Библиогр. в конце ст. - 43000 экз. - 1.37 р.
    Содержание:
Гинзбург, Виталий Лазаревич. Некоторые проблемы физики и астрофизики / В. Л. Гинзбург
Алферов, Жорес Иванович. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего / Ж. И. Алферов
Регель, Вадим Робертович. Кинетическая природа прочности / В. Р. Регель, А. И. Слуцкер
Френкель, С. Я. Полимеры. Проблемы, перспективы, прогнозы / С. Я. Френкель
Кузнецов, Борис Васильевич. Неклассическая наука и гносеология научного прогноза / Б. Г. КУзнецов

ГРНТИ

29.01.11

ББК В3я43
Рубрики:
Физика--История науки--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Академия наук СССР
Экземпляры всего: 3
КФ (3)
Свободны: КФ (3)}
Найти похожие

17.

   З86
   П 53


    Полупроводниковые лазеры: физика и технология : Программа и тезисы докладов / Рос. акад. наук, Физ.-тех. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петерб. акад. ун-т - научно-образов. центр нанотехнологий РАН. Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (3 ; 13-16 ноября 2012 г. ; СПб.) ; предс. симпоз. Ж. И. Алферов. - СПб. : ФТИ, 2012. - 77 с. - Библиогр. в конце ст. - 125 экз. - 30.00 р.

ГРНТИ

47.35.41

29.33.15

ББК З86-534я431
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые--Сборники

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович \пред.\; Российская академия наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий РАН; Всероссийский сипмозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" (3 ; 13-16 ноября 2012 г. ; СПб.)
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

18.

   У
   Э 40


    Экономические проблемы развития революционных технологий. Нанотехнологии / Ж. И. Алферов [и др.] ; рук. авт. колл.: В. Л. Макаров, А. Е. Варшавский ; Рос. акад. наук, Центр. экон.-мат. ин-т. - М. : Наука, 2012. - 404 с. - Библиогр. в конце гл. - 1000 экз. - ISBN 978-5-02-037962-6 : 150.00 р.
    Содержание:
Проблемы развития науки и высоких технологий в России
Экономические и социальные проблемы развития нанотехнологии
Важнейшие факторы развития нанотехнологии
Библиометрический и наукометрический анализ
Совершенствование управления развитием нанотехнологии

ГРНТИ

06.56.31

06.71.03

06.71.37

ББК У291.551
Рубрики:
Нанотехнологии--Развитие--Экономика
Инновации--Экономика--Россия
Наука--Экономика--Результаты исследований

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Алферов, Жорес Иванович; Макаров, Валерий Леонидович; Варшавский, Александр Евгеньевич; Дымова, И. А.; Рудцкая, Е. Р.; Хрусталев, Е. Ю.; Цыганов, С. А.; Дубинина, М. Г.; Плис, И. А.; Козырев, А. Н.; Комкина, Т. А.; Маркусова, В. А.; Терехов, А. И.; Никонова, М. А.; Дементьев, В. Е.; Яркин, А. П.; Макаров, Валерий Леонидович \рук. авт. колл.\; Варшавский, Александр Евгеньевич \рук. авт. колл.\; Российская академия наук; Центральный экономико-математический институт АН СССР
Экземпляры всего: 1
КФ (1)
Свободны: КФ (1)}
Найти похожие

Тематический навигатор

Другие библиотеки

Центральная Научная Библиотека КНЦ СО РАН

Библиотека института биофизики

Библиотека института химии и химический технологии

Библиотека института вычислительного моделирования

Библиотека института леса

Библиотека СФУ

Краевая научная библиотека

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)