Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бондарев, Илья Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 73
Показаны документы с 1 по 20

Features of the behavior of the barocaloric effect near ferroelectric phase transition close to the tricritical point / E. A. Mikhaleva, I. N. Flerov, M. V. Gorev [et al.] // Crystals. - 2020. - Vol. 10, Is. 1. - Ст. 51, DOI 10.3390/cryst10010051. - Cited References: 28. - The reported study was supported by the Russian Science Foundation (project no. 19-72-00023) . - ISSN 2073-4352
Кл.слова (ненормированные):
polymorphic phase transformation -- phase diagram -- order-disorder phenomena -- entropy -- barocaloric effect
Аннотация: A detailed study of the effect of temperature and pressure on heat capacity, entropy and hysteresis phenomena near the ferroelectric phase transition in ammonium sulfate (AS) was performed. An analysis of experimental results within the framework of the phenomenological theory showed that taking into account the temperature-dependent part of the anomalous entropy leads to a significant increase in the barocaloric effect (BCE). The maximum values of extensive and intensive BCE near the tricritical point are outstanding: ΔSmaxBCE≈85 J/kgK, ΔTmaxAD≈12 K and can be achieved at low pressure ∼0.5 GPa.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radioelectronics, Siberian Federal University, 660074 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Systems and Energy, Krasnoyarsk State Agrarian University, 660049 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, E. A.; Михалева, Екатерина Андреевна; Flerov, I. N.; Флёров, Игорь Николаевич; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bogdanov, E. V.; Богданов, Евгений Витальевич
}
Найти похожие

Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46, Is. 7. - P. 665-668, DOI 10.1134/S1063785020070135. - Cited References: 17. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk krai, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities (project no. 18-42-243022), and a Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories (agreement no. 075-15-2019-1886) . - ISSN 1063-7850. - ISSN 1090-6533

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
TRANSPORT
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- ferromagnet/semiconductor structures -- Hanle effect -- spin accumulation -- electric spin injection
Аннотация: The electrical injection of the spin-polarized current into silicon in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure is demonstrated. The spin accumulation effect is examined by measuring the local and nonlocal voltage in a special four-terminal device. The observed effect of the electric bias on the spin signal is discussed and compared with the results obtained for ferromagnet/semiconductor structures.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения [Текст] / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46 № 13. - С. 43-46

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Luk'yanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Government of Krasnoyarsk krai; Krasnoyarsk Territorial Foundation [18-42-243022]; Grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Level Laboratories [075-15-2019-1886]
}
Найти похожие

Study of lateral photovoltaic effect in Mn/SlO2/n-SI hybrid structure / M. V. Rautskii [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.P16. - P. 105. - Cited References: 1. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 17-02-00302 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

    Magnetotransport phenomena and spin accumulation in MIS structures / N. V. Volkov [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1347, Is. 1. - Ст. 012006, DOI 10.1088/1742-6596/1347/1/012006. - Cited References: 32. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, project No 17-02-00302. . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Магнитотранспортные эффекты и спиновая аккумуляция в МДП структурах

РУБ Functional materials

Аннотация: The present work is devoted to magnetic transport in Fe/SiO2/p-Si, Mn/SiO2/p-Si and Fe3Si/p-Si hybrid structure. For Mn/SiO2/p-Si diode extremely large values of magnetoresistance were observed (105 % for AC and 107 % for DC) which is explained by impact ionization process that can be suppressed by the magnetic field. Lateral photovoltaic effect in Fe/SiO2/p-Si have also shown a strong dependence on the magnetic field in low-temperature region (the relative change of photovoltage exceeded 103 %). In Fe3Si/p-Si spin accumulation was found via 3-terminal Hanle measurements. We believe that the magnetic field affects electric transport through Lorentz force and through the interface states which are localized at the insulator/semiconductor or metal/semiconductor interfaces. Such states play a decisive role in magnetotrasnport as their energy can be controlled by a magnetic field. In Fe3Si/p-Si they also participate in spin-dependent tunneling, causing spin injection from the Fe3Si film into the silicon.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of physics of the Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of engineering physics and radio electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Russian-Chinese Symposium "New Materials and Technologies"(XV ; 16-19 October 2019 ; Sochi, Russian Federation)
}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Optically tunable magnetoimpedance in Fe/Al2O3/p-Si / M. V. Rautskii, D. A. Smolyakov, I. A. Bondarev [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.31.11p. - P. 120. - The work was partially supported by the Ministry of Education and Science, Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project № 18-42-243022. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P. 65-69, DOI 10.1134/S1027451021010109. - Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022 . - ISSN 1027-4510
Кл.слова (ненормированные):
silicon on insulator -- transistor -- Schottky barrier -- electron lithography -- nanowire -- reactive ion etching -- electron transport
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства [Текст] / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Tarasov, I. A.
α-FeSi2 as a buffer layer for β-FeSi2 growth: analysis of orientation relationships in silicide/Silicon, silicide/silicide heterointerfaces / I. A. Tarasov, I. A. Bondarev, A. I. Romanenko // J. Surf. Ingestig. - 2020. - Vol. 14, Is. 4. - P. 851-861, DOI 10.1134/S1027451020040357. - Cited References: 74. - The work was supported by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project no. 18-42-243013. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) . - ISSN 1027-4510. - ISSN 1819-7094

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
β-FeSi2 thin-films
Thermal-expansion
Phase-transformation
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- interface structure -- orientation relationship -- near coincidence site lattice -- edge-to-edge matching -- plane-to-plane matching
Аннотация: In this manuscript, we attempt to clarify the capability of utilisation of α-FeSi2 nanocrystals as a buffer layer for growth of monocrystalline/high-quality β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Iron silicides-based nanostructures have a wide spectrum of possible industrial applications in different fields. Mainly, interest in these functional materials is caused by their ecological safety and Earth’s core abundance that give us the opportunity for greener future with highly effective electronic devices. β-FeSi2 phase due to its allowed direct transition with energy close to 0.87 eV can be used as active material in light emission diodes (LED). Utilisation of buffer layers between silicon substrate and give one more tool to engineer the band structure of semiconducting β‑FeSi2 phase. We attempt to clarify the capability of the utilisation of the α-FeSi2 phase as a buffer layer for the growth of β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Possible β-FeSi2/α-,γ-,s-FeSi2/Si orientation relationships (ORs) and habit planes were examined with crystallogeometrical approaches and compared with β-FeSi2/Si ones. The lowest interplanar and interatomic spacing misfits between silicon lattice and a silicide one are observed for the pair of s-FeSi2{011}[200]/Si{022}[100] at room temperature and equal to –0.57%. The least interplanar and interatomic spacing misfit of 1.7 and 1.88%, respectively, for β-FeSi2/Si, can be decreased as low as –0.67 (interplanar) and 0.87 (interatomic) % by placing an α-FeSi2 layer between silicon and β-FeSi2 phase. It is stated that the growth of metastable γ-FeSi2 is also favourable on silicon due to low interplanar and interatomic spacing misfit (–0.77%) and a higher density of NCS in comparison with s-FeSi2. Design and technological procedure for the synthesis of possible β-FeSi2/α-FeSi2/Si heterostructure have been proposed based on the results obtained.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, KSC,SB, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Nikolaev Inst Inorgan Chem, SB, Novosibirsk 630090, Russia.

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Romanenko, A. I.; Тарасов, Иван Анатольевич; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science [18-42-243013]; Ministry of Education and Science of the Russian FederationMinistry of Education and Science, Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of SciencesRussian Academy of Sciences [II.8.70]
}
Найти похожие

Magnetic and transport properties of trilayered Fe3Si/Ge/Fe3Si hybrid structures synthesized on Si(111) / A. S. Tarasov, I. A. Bondarev, M. V. Rautskii [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. IV.03.07o. - P. 107 . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие

10.

    Silicon nanowire field-effect transistors. Technology and characterization / A. V. Lukyanenko [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - P. 111
   Перевод заглавия: Полевые транзисторы на базе кремниевых нанопроволок. Технология и характеризация

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие

11.

Influence of metal magnetic state and metal-insulator-semiconductor structure composition on magnetoimpedance effect caused by interface states / D. A. Smolyakov [et al.] // Thin Solid Films. - 2019. - Vol. 671. - P. 18-21, DOI 10.1016/j.tsf.2018.12.026. - Cited References: 15. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research , project no. 18-32-00035 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research , Government of the Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243022, and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences , project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences , Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies». . - ISSN 0040-6090
Кл.слова (ненормированные):
Magnetoimpedance -- Spintronics -- Metal/insulator/semiconductor structures -- Nanosized semiconductors
Аннотация: This article presents the results of a study of the transport properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) hybrid structures in alternating current (ac) mode. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator, and semiconductor. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator and semiconductor. Ferromagnetic Fe and non-magnetic Cu and Mn were chosen as metals, the insulators were SiO2 and Al2O3, and n- and p-type Si substrates were used as semiconductors. Temperature dependence of the real part of the impedance showed peculiar peaks below 40К for different combinations of metals, insulators and semiconductors. For all samples the effect of the magnetic field on the transport properties was studied. At low temperatures, the magnetic field shifts peaks toward higher temperatures. Metal magnetic state does not significantly affect this phenomenon. Changing the type of the insulator and its thickness also did not cause any significant effect. However, the effect was observed for samples with different composition. Moreover, the type of conductivity of the substrate, as well as the type of metal, determines the value of magnetoimpedance. The main role in the magnetoimpedance effect is played by recharge of the energy states localized at the insulator/semiconductor interface. This mechanism allows obtaining a MI effect even in “nonmagnetic” MIS structures; magnetoimpedance can be either positive or negative, depending on temperature and frequency. We suggest that the observed ac magnetotransport phenomena could be used for creating magnetic field sensors, working on new principles.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660014, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Masyugin, A. N.; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

12.

Synthesis of 3-terminal ferromagnet/silicon spintronics devices and their transport properties / A. S. Tarasov [et al.] // Nanostructures: physics and technology : proc. 26th Int. symp. - 2018. - P. 245-246. - Cited References: 9 . - ISBN 978-985-7202-35-5

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium(26 ; 2018 ; June ; 18-22 ; Minsk, Belarus); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

13.

    Fabrication and DC/AC characterization of 3-terminal ferromagnet/silicon spintronics devices / A. S. Tarasov [et al.] // Semiconductors. - 2018. - Vol. 52, Is. 14. - P. 1875–1878, DOI 10.1134/S1063782618140312. - Cited References: 10. - The work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund project no. 18-42-243022. This work is partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 “Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies”. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479
   Перевод заглавия: Изготовление и транспортные свойства 3-х терминальных спинтронных устройств ферромагнетик/полупроводник
Аннотация: CMOS and SOI technology compatible structures and devices are currently intensively investigated by many research groups, since various effects observed in such structures can be relatively easy implemented in electronic devices thereby expanding their functionality. The most promising is the research and development of spintronic devices, which will allow using both electron charge and spin degrees of freedom for transmission, storage and processing of information. In this work we report the fabrication process of 3-terminal (3-T) ferromagnet/silicon devices of two types. First is the planar Fe3Si/Si 3-T structure with 5 μm gap between closest ferromagnetic electrodes. Second is silicon nanowire back-gate transistor with Fe film source and drain synthesized on SOI substrate. Transport and magnetotransport properties of both devices are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

14.

    Spin-dependent electrical hole extraction from low doped p-Si via the interface states in a Fe3Si/p-Si structure / A. S. Tarasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2019. - Vol. 34, Is. 3. - Ст. 035024, DOI 10.1088/1361-6641/ab0327. - Cited References: 56. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project. 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 "Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies" . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641
   Перевод заглавия: Спин-зависимая электрическая экстракция дырок из низколегированного p-Si через интерфейсные состояния в структуре Fe3Si/p-Si

РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
ALLOYS
Кл.слова (ненормированные):
spin accumulation -- interface states -- hybrid structures -- Hanle effect -- iron silicide
Аннотация: Spin accumulation effect in Fe3Si/p-Si structure with low boron doped silicon substrate was found. Calculated spin lifetimes are comparable with results reported earlier but for structures with highly doped semiconductors (SC) with or without a tunnel barrier introduced between the SC and ferromagnet (FM). Electrical characterization of a prepared Fe3Si/p-Si diode allowed the determination of possible reasons for the pronounced spin signal. Analysis of the forward bias I-V curve revealed a Schottky barrier at the Fe3Si/p-Si interface with a height of φBp = 0.57 eV. Then, using impedance spectroscopy, we observed interface states localized in the band gap of silicon with energy of E LS = 40 meV. Such states most probably cause the observed spin signal. We believe that in our experiment, spin-dependent hole extraction was performed via the interface states resulting in the minority spin accumulation in the silicon valence band. The observed effect paves the way to the development of different spintronic devices based on FM/SC structures without dielectric tunneling barriers.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [18-42-243022]; Russian Foundation for Basic Research [18-32-00035]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences [II.8.70]; Fundamental research program of the Presidium of the RAS [32]
}
Найти похожие

15.

    Study of the Photovoltage in Mn/SiO2/n-Si MOS Structure at Cryogenic Temperatures / I. A. Bondarev [et al.] // Semiconductors. - 2019. - Vol. 53, Is. 14. - P. 88-92, DOI 10.1134/S1063782619140045. - Cited References: 27. - The work was supported by the Russian Foundation for Basic Research project no. 17-02-00302. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479
   Перевод заглавия: Исследование фотонапряжения в МДП структуре Mn/SiO2/n-Si при криогенных температурах
Рубрики:
NANOSTRUCTURE DEVICES
Кл.слова (ненормированные):
lateral photovoltage -- transverse photovoltage -- MOS structures -- low temperature -- space-charge region
Аннотация: Lateral photovoltaic effect in metal/insulator/semiconductor hybrid structures is a significant phenomenon for spintronics, as it establishes the interplay between the optical irradiation, electronic transport and spin-dependent properties of carriers. In present work we investigated photovoltaic phenomena in Mn/SiO2/n-Si MOS structure. The sample was prepared on a single-crystal n-Si (phosphorus-doped) substrate. The SiO2 layer with thickness of 1.5 nm was formed on the substrate surface by a chemical method. Manganese film with thickness of 15nm was deposited by thermal evaporation in ultrahigh vacuum in the “Angara” chamber. It was observed that at T < 45 K the values of lateral and transversal photovoltage nonmonotonically depend on the temperature and such dependences show complex behavior. Features of the photovoltage dependence on temperature, in the region above 20 K are explained by the change of carriers’ mobility and the competition between carriers’ drift velocity in the electric field of the space-charge region and their diffusion rate in the transverse and lateral directions. Below 20 K, the main contribution into the photovoltage is given by hot electrons injected from surface states levels to the conduction band. A strong magnetic field influence on the photovoltage below 20 K was observed. We associate it with the Lorenz force effect on the hot electrons, although we also don’t exclude the presence of mechanisms caused by spindependent scattering and recombination of hot electrons at occupied donor states.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036 Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041 Russia

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

16.

Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

17.

Синтез и спин-зависимый транспорт в гибридных структурах на основе силицида железа / А. С. Тарасов [и др.] // XIII Междунар. Урал. сем. "Радиационная физ. мет. и сплавов" : тезисы докладов. - 2019. - С. 68 . - ISBN 978-5-9500855-6-7

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; "Радиационная физика металлов и сплавов", международный Уральский семинар(13 ; 2019 ; 24 февр.-2 марта ; Кыштым, Россия); Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Российский федеральный ядерный центр - ВНИИТФ им. Е.И. Забабахина
}
Найти похожие

18.

X-Ray, Dielectric, and Thermophysical Studies of Rubidium Tetrachlorozincate inside Porous Glasses / L. N. Korotkov [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2019. - Vol. 83, Is. 9. - P. 1072-1076, DOI 10.3103/S1062873819090132. - Cited References: 17 . - ISSN 1062-8738
Кл.слова (ненормированные):
Borosilicate glass -- Chlorine compounds -- Ferroelectric materials -- Glass ceramics -- Rubidium -- Thermal expansion -- Zinc compounds
Аннотация: Results are presented from studying the X-ray diffraction, heat capacities, dielectric permittivities, and coefficients of the volumetric thermal expansion of composite materials obtained by embedding of Rb2ZnCl4 salt into the porous matrices of borosilicate glass with average pore diameters of 46 and 320 nm in the temperature range of 120–350 K. The temperatures of transitions to the incommensurate and ferroelectric phases are determined, along with the freezing temperature of the mobility of domain boundaries in Rb2ZnCl4 particles. A substantial increase in their Curie temperature is observed.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке

Держатели документа:
Voronezh State Technical University, Voronezh, 394000, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Wroclaw University of Science and Technology, Wroclaw, 50-370, Poland
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Military Training and Scientific Center, Zhukovsky and Gagarin Air Force Academy, Voronezh, 394064, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Korotkov, L. N.; Stekleneva, L. S.; Flerov, I. N.; Флёров, Игорь Николаевич; Mikhaleva, E. A.; Михалева, Екатерина Андреевна; Rysiakiewicz-Pasek, E.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Sysoev, O. I.
}
Найти похожие

19.

Синтез и характеризация эпитаксиальных тонких пленок Mn5Ge3 на подложке кремния / И.А. Бондарев, М.В. Рауцкий [и др.] // Тезисы Конкурса-конференции молодых учёных, аспирантов и студентов : Красноярск, 31 марта 2022 г. - 2022. - С. 9. - Библиогр.: 3. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-243007

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Конкурс-конференция молодых учёных, аспирантов и студентов(2022 ; март ; Красноярск)
}
Найти похожие

20.

Sublayer-enhanced growth of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111) / I. Yakovlev, I. Tarasov, A. Lukyanenko [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 24. - Ст. 4365, DOI 10.3390/nano12244365. - Cited References: 23. - The research was funded by Russian Science Foundation, project No. 21-12-00226. The RBS experiment was conducted in REC «Functional Nanomaterials», Immanuel Kant Baltic Federal University under the financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991
Кл.слова (ненормированные):
manganese germanide -- thin film -- MBE -- ferromagnetism -- sublayer
Аннотация: Mn5Ge3 epitaxial thin films previously grown mainly on Ge substrate have been synthesized on Si(111) using the co-deposition of Mn and Ge at a temperature of 390 °C. RMS roughness decreases by almost a factor of two in the transition from a completely polycrystalline to a highly ordered growth mode. This mode has been stabilized by changing the ratio of the Mn and Ge evaporation rate from the stoichiometric in the buffer layer. Highly ordered Mn5Ge3 film has two azimuthal crystallite orientations, namely Mn5Ge3 (001) [1-10] and Mn5Ge3 (001) [010] matching Si(111)[-110]. Lattice parameters derived a (7.112(1) Å) and c (5.027(1) Å) are close to the bulk values. Considering all structural data, we proposed a double buffer layer model suggesting that all layers have identical crystal structure with P6₃/mcm symmetry similar to Mn5Ge3, but orientation and level of Si concentration are different, which eliminates 8% lattice mismatch between Si and Mn5Ge3 film. Mn5Ge3 film on Si(111) demonstrates no difference in magnetic properties compared to other reported films. TC is about 300 K, which implies no significant excess of Mn or Si doping. It means that the buffer layer not only serves as a platform for the growth of the relaxed Mn5Ge3 film, but is also a good diffusion barrier.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 660041 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia
REC «Functional Nanomaterials», Immanuel Kant Baltic Federal University, 236016 Kaliningrad, Russia

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Solovyov, L.; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, D.; Goikhman, A.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие