Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (27)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Волков, Никита Валентинович$<.>)

Общее количество найденных документов : 425
Показаны документы с 1 по 20

Эффекты переключения токовых каналов и новый механизм магнитосопротивления в туннельной структуре / Н. В. Волков [и др.] // Письма в Журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, № 21. - С. 33-41 . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Исследованы транспортные свойства туннельной структуры La0.7Sr0.3MnO3/обедненный слой манганита/MnSi. Роль потенциального барьера между проводящими слоями La0.7Sr0.3MnO3 и MnSi играет обедненный марганцем слой манганита. Исследования проводились в геометрии, при которой ток параллелен плоскости интерфейсов структуры. Обнаружены нелинейность ВАХ структуры и положительное магнитосопротивление, величина которого зависит от тока через структуру. Предполагается, что особенности транспортных свойств связаны с эффектом переключения токового канала между проводящими слоями структуры. В основе механизма переключения --- зависимость сопротивления туннельного перехода между проводящими слоями от смещения на нем и величины магнитного поля. PACS: 72.25.-b, 73.40.-c, 75.47.-m

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия Сибирский государственный аэрокосмический университет, Красноярск, Россия Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763, Korea Center for Materials Science, National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam
Сибирский федеральный университет
Сибирский государственный аэрокосмический университет
Department of Physics, Chungbuk National University, Cheongju 361-763
Korea Center for Materials Science
National University of Hanoi, 334 Nguyen Trai, Hanoi, Vietnam

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Цикалов, Виталий Сергеевич; Tsikalov V.S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Ким, Петр Дементьевич; Kim, P. D.; Yu Seong-Cho; Kim Dong-Nyun; Chau Nguyen
}
Найти похожие

Эффекты переключения токовых каналов в магнитной туннельной структуре / Н. В. Волков, Е. В. Еремин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : XIII Международный Симпозиум 16-20 марта 2009 г. Нижний Новгород: [программа и тезисы докл.]. - 2009. - T. 2. - С. 478-479

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Цикалов, Виталий Сергеевич; Tsikalov V.S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Ким, Петр Дементьевич; Kim, P. D.; Seong-Cho, Yu; Dong-Hyun, Kim; Nguyen, Chau; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(13 ; 2009 ; март ; Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН
}
Найти похожие

Эффект спиновой аккумуляции в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si и влияние на него электрического смещения / А. С. Тарасов, А. В. Лукьяненко, И. А. Бондарев [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2020. - Т. 46, № 13. - С. 43-46, DOI 10.21883/PJTF.2020.13.49591.18106. - Библиогр.: 17. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-243022, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение No 075-15-2019-1886) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
силицид железа -- структуры ферромагнетик/полупроводник -- эффект Ханле -- спиновая аккумуляция -- электрическая спиновая инжекция
Аннотация: Продемонстрирована электрическая инжекция спин-поляризованного тока в кремний в эпитаксиальной структуре Fe3Si/n-Si. Эффект спиновой аккумуляции исследовался при помощи измерения локального и нелокального напряжения в специально подготовленном четырехтерминальном устройстве. Обнаруженный эффект влияния электрического смещения на спиновый сигнал обсуждается и сравнивается с другими результатами, полученными для структур ферромагнетик/полупроводник.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin accumulation in the Fe3Si/n-Si epitaxial structure and related electric bias effect [Текст] / A. S. Tarasov, A. V. Luk'yanenko, I. A. Bondarev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46 Is. 7.- P.665-668

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Luk'yanenko, A. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Электрические свойства твердых растворов на основе MnS и CuCrS2. / Абрамова Г.М.Волков Н.В. [и др.] // XII Международная Конференция "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты". МКЭЭЭ-2008 = XIIth Intrenational Conference on Electromechanics, Electrotechnology and Electromaterial Science : труды : 18-23 сентября 2008 г., Крым, г. Алушта . - С. 88

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Мазалов, Л. В.; Крючкова, Н. А.; Соколов, Валерий Владимирович; Sokolov V. V.; "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты", Международная конференция(12 ; 2008 ; сент ; Алушта, Крым)
}
Найти похожие

Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода [Текст] / Н. И. Киселев [и др.] // Рос. химич. журн. - 2012. - Т. 56, № 1-2. - С. 50-57 . - ISSN 0373-0247

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киселев, Николай Иванович; Kiselev N.I.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Корчагина, С. Б.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Petrakovskaya, E. A.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Соловьев, Леонид Александрович; Балаев, Дмитрий Александрович; Balaev, D. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Денисов, И. А.; Denisov, I. A.; Цегельник, С. С.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Знак, Д. А.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov, K. A.; Шубин, А. А.; Шестаков, Николай Петрович; Shestakov, N.P.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Гордеев, С. К.; Белобров, Петр Иванович; Belobrov, P. I.
}
Найти похожие

Электрические и магнитные свойства композитов из наноалмаза и пироуглерода / Н. И. Киселёв, Д. А. Великанов, С. Б. Корчагина [и др.] // XVII Междунар. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России" : Материалы. конф. : ЦНИТИ "Техномаш", 2011. - С. 503-512

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Киселев, Николай Иванович; Kiselev N.I.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Корчагина, С. Б.; Петраковская, Элеонора Анатольевна; Petrakovskaya, E. A.; Васильев, Александр Дмитриевич; Vasiliev, A. D.; Соловьев, Леонид Александрович; Solov'ev, L. A.; Балаев, Александр Дмитриевич; Balaev, A.D.; Баюков, Олег Артемьевич; Bayukov, O. A.; Денисов, И. А.; Denisov, I. A.; Цегельник, С. С.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Знак, Д. А.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov, K. A.; Шубин, А. А.; Шестаков, Николай Петрович; Shestakov, N. P.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Гордеев, С. К.; Белобров, Петр Иванович; Belobrov, P. I.; "Высокие технологии в промышленности России", Международная научно-техническая конференция(2011 ; сент. ; 8-10 ; Москва)
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2561232 Российская Федерация

Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса / Д. А. Смоляков [и др.] ; патентообладатель Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - № 2014124563/28 ; Заявл. 17.06.2014 ; Опубл. 27.08.2015. - по 20140617 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2015. - № 24
Аннотация: Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет срр геометрию, где в качестве подложки используют п-Si, в качестве диэлектрика используют Si02 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на Si02 и нижнюю часть полупроводника п-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Густайцев, Артур Олегович; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии. - Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН. . - ISSN 0320-0116
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin [Текст] / O. E. Tereshchenko [et al.] // Tech. Phys. Lett. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38 Is. 1.- P.12-16

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, T. C.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S.N.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M.V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Латышев, А. В.
}
Найти похожие

Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
оксинитрид титана -- температурные сенсоры -- тонкие пленки -- атомно-слоевое осаждение -- элементы интегральных схем
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors [Текст] / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 10.- P.74-77

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

10.

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний-на-изоляторе -- транзистор -- барьер Шоттки -- электронная литография -- нанопроволока -- реактивно-ионное травление -- электронный транспорт
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

11.

Теплоемкость и термодинамические свойства GaFeO3 в области 330–900 К / В. М. Денисов [и др.] // Неорг. материалы. - 2013. - Т. 49, № 12. - С. 1333-1335DOI 10.7868/S0002337X1312004X
Аннотация: Измерена теплоемкость мультиферроика GaFeO3 в широком интервале температур. По этим данным рассчитаны термодинамические функции (изменения энтальпии и энтропии).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Heat capacity and thermodynamic properties of GaFeO3 in the range 330-900 K. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисов, Виктор Михайлович; Иртюго, Лилия Александровна; Денисова, Л. Т.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G.S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

12.

Теплоемкость и теплопроводность монокристаллов FexMn1-xS / Г. М. Абрамова [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, № 1. - С. 75-78 . - ISSN 0367-3294

ГРНТИ

29.19

Аннотация: Представлены результаты исследования тепловых свойств и теплопроводности монокристаллов однородных твердых растворов FexMn1-xS с кубической NaCl структурой, полученных при катионном замещении двухвалентных ионов марганца в моносульфиде марганца. Установлены аномалии теплоемкости и теплопроводности в области магнитного перехода. Катионное замещение сопровождается ростом температуры фазового перехода.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Карташев, Андрей Васильевич; Kartashev, A. V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Соколов, В. В.; Пичугин, А. Ю.
}
Найти похожие

13.

Теплоемкость Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 в интервале температур 344–1021 K [Текст] / Л. Т. Денисова [и др.] // Журн. физ. химии. - 2014. - Т. 88, № 10. - С. 1464-1466, DOI 10.7868/S0044453714100100. - Библиогр.: 13 назв. - Работа выполнена при частичной финансовой поддержке работ выполняемых в Сибирском федеральном университете в рамках Государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации. . - ISSN 0044-4537
Кл.слова (ненормированные):
редкоземельные ферробораты -- высокотемпературная теплоемкость
Аннотация: Методом дифференциальной сканирующей калориметрии измерена молярная теплоемкость Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 в интервале температур 344-1041 K. По экспериментальным данным определены термодинамические свойства оксидного соединения.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Heat capacity of Gd0.5Nd0.5Fe3(BO3)4 in the temperature interval of 344–1021 K [Текст] / L. T. Denisova [et al.] // Russ. J. Phys. Chem. A : Pleiades Publishing, 2014. - Vol. 88 Is. 10.- P.1626-1628

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисова, Л. Т.; Denisova L.T.; Денисов, Виктор Михайлович; Denisov V.M.; Гудим, Ирина Анатольевна; Gudim, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Чумилина, Любовь Геннадьевна; Chumilina L.G.; Темеров, Владислав Леонидович; Temerov, V. L.
}
Найти похожие

14.

Температурная теплоемкость Y2.93Ho0.07Fe5O12 / Б. А. Беляев, А. В. Изотов // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 11. - С. 2073-2075 . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Получены данные по теплоемкости Y2.93Ho0.07Fe5O12 в интервале 343−1000 K. Отмечено наличие корреляции между составом квазибинарной системы Fe2O3–Y2O3 и удельной теплоемкостью оксидных соединений. достигающие значений varepsilon~ 10˄7-10˄8, и вычислены времена релаксации структуры.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия High-temperature heat capacity of Y2.93Ho0.07Fe5O12 [Текст] / V. M. Denisov [et al.] // Phys. Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 54 Is. 11.- P.2205-2207

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Денисов, Виктор Михайлович; Денисова, Елена Александровна; Denisova, E. A.; Иртюго, Лилия Александровна; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Чумилина, Любовь Геннадьевна
}
Найти похожие

15.

    Мягков, Виктор Григорьевич.
    Твердофазные реакции и фазовые превращения в слоистых наноструктурах / В. Г. Мягков, В. С. Жигалов ; ред. В. Ф. Шабанов ; рец.: Г. С. Патрин, Н. В. Волков, Г. Н. Чурилов ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Мин-во образ. и науки РФ, Сиб. гос. аэрокосмич. ун-т им. М.Ф. Решетнева. - Новосибирск : Изд-во СО РАН, 2011. - 155 с. - Библиогр.: 105 назв. - 330 экз. - ISBN 978-5-7692-1193-5 : Б. ц.
    Содержание:
Твердофазные реакции в объемных материалах
Твердофазные реакции и тонкие пленки
Твердофазные реакции в пленках с неравновесной структурой
Твердофазные превращения в пленках с равновесной структурой
Аннотация: Твердофазные реакции в пленочных наноструктурах могут быть основным фактором, нарушающим работу электронных устройств – с одной стороны. С другой, существуют предложения использовать их для синтеза пленочных материалов с новыми свойствами. Эти положения предполагают интерес к изучению химических взаимодействий в пленочных структурах и к их связи с фазовыми превращениями как в объеме структур, так и на интерфейсах слоев. В работе представлены особенности твердофазных реакций в пленочных слоистых материалах в сравнении с объемными, определяются температуры инициирования реакций, установлены правила синтеза новых фаз и последовательности фазовых превращений, изучены физические свойства синтезированных фаз. Изучены особенности реакций для пленок, находящихся в равновесном или неравновесном исходном состоянии. Для специалистов в области физики конденсированного состояния, физической химии и материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Шабанов, Василий Филиппович \ред.\; Shabanov, V. F.; Патрин, Геннадий Семёнович \рец.\; Patrin, G. S.; Волков, Никита Валентинович \рец.\; Volkov, N. V.; Чурилов, Григорий Николаевич \рец.\; Churilov, G. N.; Myagkov, V. G.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Министерство образования и науки Российской Федерации; Сибирский государственный аэрокосмический университет им. М.Ф. Решетнева
Свободных экз. нет}
Найти похожие

16.

Структурные и магнитотранспортные свойства текстурированных пленок Fe3O4, синтезированных на подложке Si (001) методом реактивного осаждения / М. В. Рауцкий [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VII Байкал. Междунар. конф. / Иркутский гос. ун-т. - Иркутск, 2016. - С. 184-185. - Библиогр.: 3 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, проект № 14-02-00234 . - ISBN 978-591-345-152-1. - ISBN 978-591-345-152-1

Материалы конференции,
Чиать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \чл. прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Коробцов, Владимир Викторович; Викулов, В. А.; Соловьев, Леонид Александрович; Solov'ev, L. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; Листвянка, пос. (Иркутская обл.)); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(7 ; 2016 ; Aug. ; 22-26 ; Listvyanka, Irkutsk region); Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(7 ; 2016 ; авг. ; 22-26 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

17.

Описание изобретения к патенту 2743516 Российская Федерация

Способ получения ферромагнитных наночастиц-дисков с помощью зондовой литографии и жидкого химического травления / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Н. В. Волков. - № 2020125606 ; Заявл. 27.07.2020 ; Опубл. 19.02.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 5
Аннотация: Использование: для получения ферромагнитных наночастиц-дисков. Сущность изобретения заключается в том, что выполняют поочередное осаждение на подложку пленок металлов с помощью вакуумных методов напыления, при этом получение частиц происходит по нисходящей технологии, формирование маски для получения необходимой топологии осуществляется с помощью иглы зондового микроскопа путем прямого осаждения слоя молекул, содержащих тиоловую группу, при температуре 22-25°С и относительной влажности 33-36%, удаление незакрытых слоев золота осуществляется в растворе водной смеси 0,1 М Na2S2O3, 1,0 М КОН, 0,01 М K3Fe(CN)6 и 0,001 М K4Fe(CN)6 в соотношении 1:1:1:1 (V/V/V/V) при постоянном перемешивании и температуре раствора 22°С, отделение наночастиц от подложки путем удаления растворимого подслоя ZnO в 10% водном растворе лимонной кислоты при постоянном перемешивании и температуре раствора 22°С. Технический результат: получение ферромагнитных частиц в виде многослойного диска с ядром из ферромагнитного металла и защитным биосовместимым покрытием из золота при использовании малотоксичных реактивов и исходных материалов, которые позволяют получать частицы с заданными параметрами (размер, форма) и высокой степенью однородности без ограничений на максимальные размеры и геометрию получаемых частиц. 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

18.

Описание изобретения к патенту 2347850


    Способ нанесения медного покрытия / К. А. Саблина [и др.] ; патентообладатель Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН. - № 2007108263/02 ; Заявл. 05.03.2007 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2009. - № 6
   Перевод заглавия: Method of application of copper coating
Аннотация: Изобретение относится к способам нанесения медного покрытия и может быть использовано в электронной технике. Способ включает очищение и обезжиривание поверхности материала, нанесение на нее механическим способом медьсодержащего материала и термическую обработку материала путем его нагревания в атмосфере продуктов сгорания углеводородов. При этом на поверхность наносят медьсодержащий материал в виде мелкодисперсного порошка боратов меди CuB2О4 или Cu3В2О6. Термическую обработку осуществляют при температуре 500-600°С. Технический результат - получение прочного медного покрытия на поверхности широкого круга материалов.
Invention refers to methods of application of copper coating and can be implemented in electronic engineering. The method consists in cleaning and degreasing of material surface, in application of copper containing material on it by a mechanical method and in thermal treatment of the material by means of its heating in atmosphere of hydrocarbon combustion products. Also the copper containing material is applied on the surface; the said material is applied in form of a fine dispersed powder of copper borates CuB2O4 or Cu3B2O6.Thermal treatment is carried out at the temperature of 500-600°C./p p num="17"EFFECT: fabrication of hard copper coating on surface of wide range of materials./p p num="18"1 ex/p

eLibrary,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Доп.точки доступа:
Саблина, Клара Александровна; Волков, Никита Валентинович; Еремин, Евгений Владимирович; Бухтияров, Валерий Иванович; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

19.

Волков, Никита Валентинович.
Спинтроника: магнитные туннельные структуры на основе манганитов / Н. В. Волков // Успехи физ. наук. - 2012. - Т. 182, № 3. - С. 263-285 . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ

29.19.36

Рубрики:
TULD
TUJP
TUFG
Аннотация: Обзор посвящен одной из актуальных и многообещающих областей спинтроники - изучению физич. явлений, имеющих место при протекании спин-поляризованного тока через магнитные туннельные структуры. При этом мы остановили свой выбор только на структурах, построенных на основе манганитов. Привлекательность манганито обусловлена высокой температурой Кюри, высокой степенью спиновой поляризации электронов проводимости, высокой химич. стабильностью и, наконец, хорошо отработанной технологией получения. Особое внимание уделено некоторым нетрадиционным подходам к исследованию туннельных структур: использованию планарной геометрии, изучению спин-поляризованного транспорта в условиях внешних комбинированных воздействий (сверхвысокочастотное и оптич. излучение)

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.
}
Найти похожие

20.

Спин-решеточные взаимодействия и магнитные фазовые переходы в ферримагнитных людвигитах Mn3-xMxBO5 (M=Cu, Ni) / Е. М. Колесникова [и др.] // XX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. ВКС-XX. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2014. - С. 285-286

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Колесникова, Евгения Михайловна; Kolesnikova, E. M.; Еремин, Евгений Владимирович; Eremin, E. V.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Безматерных, Леонард Николаевич; Bezmaternykh, L. N.; Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (20 ; 2014 ; 18-22 авг. ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие