Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Орешонков, Александр Сергеевич.
DFT моделирование спектров КРС монослойных дихалькогенидов молибдена со структурой типа «Янус» / А. С. Орешонков, Е. В. Суханова, З. И. Попов // Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований : тезисы докл. / сопредс. конф. В. Ф. Шабанов, зам. предс. конф., чл. орг. ком. А. Н. Втюрин, чл. орг. ком. А. С. Крылов, чл. орг. ком. С. Н. Крылова. - Новосибирск, 2023. - С. 58DOI 10.34077/SCATTERING95-58. - Библиогр.: 3. - РНФ №21-73-20183

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \сопредс. конф.\; Shabanov, V. F.; Втюрин, Александр Николаевич \зам. предс. конф., чл. орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Крылов, Александр Сергеевич \чл. орг. ком.\; Krylov, A. S.; Крылова, Светлана Николаевна \чл. орг. ком.\; Krylova, S. N.; Суханова, Е. В.; Попов, Захар Иванович; Popov Z.I.; Oreshonkov, A. S.; "Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света(2023 ; 5-9 июня ; Новосибирск); Школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света (с участием иностранных ученых)(2023 ; 5-9 июня ; Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Орешонков, Александр Сергеевич.
DFT-моделирование спектров КРС монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O) / А. С. Орешонков, З. И. Попов // Енисейская фотоника-2022 : тезисы докладов : в 2-х т. / Сиб. федер. ун-т [и др.]. - Красноярск, 2022. - Т. 1, Секция 1 : Новые оптические материалы. - С. 89. - Библиогр.: 2 . - ISBN 978-5-6045250-1-2
Аннотация: В работе выполнено численное моделирование спектров комбинационного рассеяния света монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O). Валидность используемого подхода подтверждена путём сравнения полученных спектров с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы как графеноподобные 1H и 1T фазы, так и монослои со структурами 1Tʹ, 1Hʹ, 1Aʹ и 1S.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Архипкин, Василий Григорьевич \чл. прогр. ком.\; Arkhipkin, V. G.; Втюрин, Александр Николаевич \чл. прогр. ком., зам. предс. орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Вьюнышев, Андрей Михайлович \чл. прогр. ком., чл. орг. ком.\; Vyunishev, A. M.; Зырянов, Виктор Яковлевич \чл. прогр. ком.\; Zyryanov, V. Ya.; Карпов, Сергей Васильевич \чл. прогр. ком.\; Karpov, S. V.; Садреев, Алмаз Фаттахович \чл. прогр. ком.\; Sadreev, A. F.; Тимофеев, Иван Владимирович \чл. орг. ком., чл. прогр. ком.\; Timofeev, I. V.; Панкин, Павел Сергеевич \чл. орг. ком.\; Pankin, P. S.; Пятнов, Максим Владимирович \чл. орг. ком.\; Pyatnov, M. V.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Oreshonkov, A. S.; Сибирский федеральный университет; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Всероссийская научная конференция с международным участием "Енисейская фотоника-2022"(2 ; 2022 ; 19-24 сент. ; Красноярск); "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием(2 ; 2022 ; 19-24 сент. ; Красноярск)
}
Найти похожие

Non-chemical fluorination of hexagonal boron nitride by high-energy ion irradiation / S. Entani [et al.] // Nanotechnology. - 2020. - Vol. 31, Is. 12. - Ст. 125705, DOI 10.1088/1361-6528/ab5bcc. - Cited References: 53 . - ISSN 0957-4484. - ISSN 1361-6528
Кл.слова (ненормированные):
Hexagonal boron nitride -- heteroatom doping -- high-energy ion irradiation -- near edge X-ray absorption fine structure -- ab initio calculation
Аннотация: Two-dimensional materials such as hexagonal boron nitride (h-BN) and graphene have attracted wide attention in nanoelectronics and spintronics. Since their electronic characteristics are strongly affected by the local atomic structure, the heteroatom doping could allows us to tailor the electronic and physical properties of two-dimensional materials. In this study, a non-chemical method of heteroatom doping into h-BN under high-energy ion irradiation was demonstrated for the LiF/h-BN/Cu heterostructure. Spectroscopic analysis of chemical states on the relevant atoms revealed that 6 ± 2% fluorinated h-BN are obtained by the irradiation of 2.4 MeV Cu2+ ions with the fluence up to 1014 ions/cm2. It was shown that the high-energy ion irradiation leads to a single-sided fluorination of h-BN by the formation of the fluorinated sp 3-hybridized BN.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology Takasaki Advanced Radiation Research Institute, Takasaki, 370-1292, JAPAN
National University of Science and Technology MISiS, Moscow, RUSSIAN FEDERATION
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, RUSSIAN FEDERATION
Ritsumeikan University College of Science and Engineering Graduate School of Science and Engineering, Kusatsu, Shiga, JAPAN
Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Sendai, JAPAN
Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, Kasuga, JAPAN
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology Takasaki Advanced Radiation Research Institute, Takasaki, JAPAN
Inorganic Nanomaterials lab, Nacional'nyj issledovatel'skij tehnologiceskij universitet MISiS, Moscow, Moscow, RUSSIAN FEDERATION

Доп.точки доступа:
Entani, Shiro; Larionov, K. V.; Ларионов, Константин В.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Takizawa, Masaru; Mizuguchi, Masaki; Watanabe, Hideo; Li, Songtian; Naramoto, Hiroshi; Sorokin, Pavel B.; Sakai, Seiji
}
Найти похожие

Mikhaleva, N. S.
Theoretical investigation of NiI2 based bilayer heterostructures / N. S. Mikhaleva, M. A. Visotin, Z. I. Popov // Key Eng. Mater. - 2019. - Vol. 806 KEM. - P. 10-16, DOI 10.4028/www.scientific.net/KEM.806.10. - Cited References: 38. - N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR project No. 16-32-60003 mol_a_dk.
Кл.слова (ненормированные):
2D semiconductors -- Ab initio calculations -- Heterostructures -- NiI2 -- Transition metal dichalcogenides
Аннотация: The electronic structure of nickel iodide monolayer in NiI2/ScX2 (X = S, Se and Te) and NiI2/NiTe2 heterostructures was investigated by density functional theory (DFT). The spin-asymmetric semiconducting behavior of NiI2 monolayer in these interfaces was observed. The width of the band gap of the NiI2 monolayer practically does not change in heterostructures and remains at the level of 1.7 and 3.0 eV for minor and major spin channels, respectively. The NiI2 layer can be p-doped by stacking with ScX2 dichalcogenides. On the contrary, charge transfer (~0.01 |e| per f.u.) from NiTe2 leads to n-doping of NiI2. As a result, the Fermi level shifts up to the area of NiI2 conduction band with spin down carriers only, which gives prospects of using this material in spin filter applications. The electronic structure of NiI2/ScTe2 under isotropic deformation in the plane remains the same under tension and compression within 5%, except for a small change in the band gap in the composite layers of NiI2 within 25%. This allows one to conclude about the stability of the electronic properties under deformations, which gives possibility to use the heterostructures in flexible electronics devices. © 2019 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Siberian Federal University, av. Svobodny 79, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
L.V. Kirensky Institute of Physics, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
National University of Science and Technology “MISiS”, Leninsky pr. 4, Moscow, 119049, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

VS2/7graphene heterostructures as promising anode material for Li-ion batteries / N. S. Mikhaleva [et al.] // J. Phys. Chem. C. - 2017. - Vol. 121, Is. 43. - P. 24179-24184, DOI 10.1021/acs.jpcc.7b07630. - Cited References: 64. - This work was supported by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1455.2017/PCh). N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16- 32-60003 mol-a-dk. M. A. V. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16-32- 00252 mol-a. Z. I. P. gratefully acknowledges the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST MISiS (No. K2-2017-001) and the support of the RFBR through the research project No. 17-42- 190308 r-a. . - ISSN 1932-7447
Аннотация: Two-layer freestanding heterostructure consisting of VS2 monolayer and graphene was investigated by means of density functional theory computations as a promising anode material for lithium-ion batteries (LIB). We have investigated lithium atoms’ sorption and diffusion on the surface and in the interface layer of VS2/graphene heterostructure with both H and T configurations of VS2 monolayer. The theoretically predicted capacity of VS2/graphene heterostructures is high (569 mAh/g), and the diffusion barriers are considerably lower for the heterostructures than for bulk VS2, so that they are comparable to barriers in graphitic LIB anodes (∼0.2 eV). Our results suggest that VS2/graphene heterostructures can be used as a promising anode material for lithium-ion batteries with high power density and fast charge/discharge rates.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian Federal University, 79 Svobodny av., Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy prospekt, Moscow, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, 50/38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, N. S.; Visotin, M. A.; Высотин Максим Александрович; Kuzubov, A. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович
}
Найти похожие

Molecular dynamical modelling of endohedral fullerenes formation in plasma / A. S. Fedorov [et al.] // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2016. - Vol. 110, Is. 1, DOI 10.1088/1757-899X/110/1/012078
Аннотация: The initial stages of fullerene and endohedral metallofullerene (EMF) synthesis in carbon-helium plasma at 1500 K and 2500 K have been simulated with quantum chemical molecular dynamics (MD) based on density-functional tight-binding (DFTB). The cases of formation of large (>100 atoms) sp2-carbon clusters with scandium atoms inside were observed. These clusters are considered as precursors of fullerenes or EMFs, and thus it is shown that formation of EMFs can be explained within the framework of »shrinking hot giant« mechanism. Also, the dependence of formation rates on plasma parameters, including temperature, buffer gas and metal atoms concentrations, has been studied.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kovaleva, E. A.; Lubkova, T. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Visotin, M. A.; Irle, S.; International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials(11 ; 31 Aug. - 10 Sept. 2015)
}
Найти похожие

The temperature dependences of optical and magneto-optical properties of iron silicides / S. A. Lyashchenko [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P6.11. - P. 319. - References: 3. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0004 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
ellipsometry -- magneto-optic effects -- Fe-Si system

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry / S. A. Lyashchenko [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2015. - Vol. 120, Is. 5. - P. 886-893, DOI 10.1134/S1063776115050155. - Cited References:31. - This study was financially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state assignment no. 16.663.2014K, agreement no. 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), and contract no. 02.G25.31.0043), the Program is Support of Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309). . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6509. -

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   FILMS
   ELLIPSOMETRY
Аннотация: The optical, magnetooptical, and magnetic properties of polycrystalline (Fe5Si3/SiO2/Si(100)) and epitaxial Fe3Si/Si(111) films are investigated by spectral magnetoellipsometry. The dispersion of the complex refractive index of Fe5Si3 is measured using multiangle spectral ellipsometry in the range of 250–1000 nm. The dispersion of complex Voigt magnetooptical parameters Q is determined for Fe5Si3 and Fe3Si in the range of 1.6–4.9 eV. The spectral dependence of magnetic circular dichroism for both silicides has revealed a series of resonance peaks. The energies of the detected peaks correspond to interband electron transitions for spin-polarized densities of electron states (DOS) calculated from first principles for bulk Fe5Si3 and Fe3Si crystals.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии [Текст] / С. А. Лященко [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2015. - Т. 147 Вып. 5. - С. 1023–1031

Держатели документа:
Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Rzhanov Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia.
Far Eastern State Transport Univ, Khabarovsk 680021, Russia.

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Popov, E. A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Shamirzaev, T. S.; Latyshev, A. V.; Saranin, A. A.; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [16.663.2014K, 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), 02.G25.31.0043]; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]
}
Найти похожие

Ab initio and empirical modeling of lithium atoms penetration into silicon / N. S. Mikhaleva [et al.] // Comput. Mater. Sci. - 2015. - Vol. 109. - P. 76-83, DOI 10.1016/j.commatsci.2015.06.024. - Cited References: 69. - The authors would like to thank the Institute of Computational Modeling SB RAS, Krasnoyarsk, Information Technology Centre Novosibirsk State University, for providing access to their computational resources. The reported study was supported by RFBR, research project No. 14-02-31071, 14-02-31309, 12-02-00640, by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project No. NSh-2886.2014.2), Increase Competitiveness Program of NUST "MISiS" (No. K2-2015-033). The authors also would like to thank Prof. Stephan Irle and L.R. Moskvina for fruitful discussions and helpful ideas. . - ISSN 0927-0256

РУБ Materials Science, Multidisciplinary
Рубрики:
LONG CYCLE LIFE
   CORE-LEVEL SPECTROSCOPY
   CARBON-COATED SILICON
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   ION BATTERIES
   MOLECULAR-DYNAMICS
   INTERATOMIC POTENTIALS
   ELECTRONIC-STRUCTURE
   CRYSTALLINE SILICON
   SI(100)2X1 SURFACE
Кл.слова (ненормированные):
Li-ion batteries -- Silicon -- Surface diffusion -- Li diffusion -- Density functional theory -- Molecular dynamics
Аннотация: A process of lithium atoms penetration into silicon (1 0 0) subsurface layers was investigated with the help of DFT method. It was shown that, while the concentration of lithium adatoms on reconstructed (1 0 0) silicon surface is low, the bonding energy of lithium atoms in the subsurface layers is smaller than the bonding energy on the surface, so lithium atoms are unlikely to migrate into the crystal. When the (1 0 0) silicon surface is covered by 2 layers of lithium, migration into the subsurface layer becomes favorable. In addition to this, the reconstruction of the surface changes to the form with symmetric dimers as the concentration increases. Thus, all possible lithium migration paths become energy-wise equal, so the rate of lithium atom transfer into silicon crystal rises. In addition to the ab initio calculations, an ad-hoc empirical interatomic potential was developed and the kinetics of lithium diffusion into silicon were studied. It was shown that lithium penetration proceeds in a layer-by-layer way with a sharp border between undoped and lithiated silicon. This is accounted for the fact that, once a tetrahedral interstice is occupied by a lithium atom, the migration barriers between the adjacent interstices become lower and the rate of diffusion increases. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics SB RAS, 50 bld. 38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy pr., Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, N. S.; Михалева, Наталья Сергеевна; Visotin, M. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович
}
Найти похожие

10.

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие