Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Суханова Е. В., Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT моделирование спектров КРС монослойных дихалькогенидов молибдена со структурой типа «Янус»
Коллективы : "Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света, Школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света (с участием иностранных ученых), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Место публикации : Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований: тезисы докл./ сопредс. конф. В. Ф. Шабанов, зам. предс. конф., чл. орг. ком. А. Н. Втюрин, чл. орг. ком. А. С. Крылов, чл. орг. ком. С. Н. Крылова. - Новосибирск, 2023. - С. 58. - DOI 10.34077/SCATTERING95-58
Примечания : Библиогр.: 3. - РНФ №21-73-20183
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT-моделирование спектров КРС монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O)
Коллективы : Сибирский федеральный университет, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Всероссийская научная конференция с международным участием "Енисейская фотоника-2022", "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием
Место публикации : Енисейская фотоника-2022: тезисы докладов : в 2-х т./ Сиб. федер. ун-т [и др.]. - Красноярск, 2022. - Т. 1, Секция 1: Новые оптические материалы. - С. 89. - ISBN 978-5-6045250-1-2
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: В работе выполнено численное моделирование спектров комбинационного рассеяния света монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O). Валидность используемого подхода подтверждена путём сравнения полученных спектров с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы как графеноподобные 1H и 1T фазы, так и монослои со структурами 1Tʹ, 1Hʹ, 1Aʹ и 1S.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Entani, Shiro, Larionov K. V., Popov Z. I., Takizawa, Masaru, Mizuguchi, Masaki, Watanabe, Hideo, Li, Songtian, Naramoto, Hiroshi, Sorokin, Pavel B., Sakai, Seiji
Заглавие : Non-chemical fluorination of hexagonal boron nitride by high-energy ion irradiation
Место публикации : Nanotechnology. - 2020. - Vol. 31, Is. 12. - Ст.125705. - ISSN 0957-4484, DOI 10.1088/1361-6528/ab5bcc. - ISSN 1361-6528 (eISSN)
Примечания : Cited References: 53
Аннотация: Two-dimensional materials such as hexagonal boron nitride (h-BN) and graphene have attracted wide attention in nanoelectronics and spintronics. Since their electronic characteristics are strongly affected by the local atomic structure, the heteroatom doping could allows us to tailor the electronic and physical properties of two-dimensional materials. In this study, a non-chemical method of heteroatom doping into h-BN under high-energy ion irradiation was demonstrated for the LiF/h-BN/Cu heterostructure. Spectroscopic analysis of chemical states on the relevant atoms revealed that 6 ± 2% fluorinated h-BN are obtained by the irradiation of 2.4 MeV Cu2+ ions with the fluence up to 1014 ions/cm2. It was shown that the high-energy ion irradiation leads to a single-sided fluorination of h-BN by the formation of the fluorinated sp 3-hybridized BN.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск монографической серии)
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical investigation of NiI2 based bilayer heterostructures
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
Место публикации : Key Eng. Mater. - 2019. - Vol. 806 KEM. - P.10-16. - , DOI 10.4028/www.scientific.net/KEM.806.10
Примечания : Cited References: 38. - N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR project No. 16-32-60003 mol_a_dk.
Аннотация: The electronic structure of nickel iodide monolayer in NiI2/ScX2 (X = S, Se and Te) and NiI2/NiTe2 heterostructures was investigated by density functional theory (DFT). The spin-asymmetric semiconducting behavior of NiI2 monolayer in these interfaces was observed. The width of the band gap of the NiI2 monolayer practically does not change in heterostructures and remains at the level of 1.7 and 3.0 eV for minor and major spin channels, respectively. The NiI2 layer can be p-doped by stacking with ScX2 dichalcogenides. On the contrary, charge transfer (~0.01 |e| per f.u.) from NiTe2 leads to n-doping of NiI2. As a result, the Fermi level shifts up to the area of NiI2 conduction band with spin down carriers only, which gives prospects of using this material in spin filter applications. The electronic structure of NiI2/ScTe2 under isotropic deformation in the plane remains the same under tension and compression within 5%, except for a small change in the band gap in the composite layers of NiI2 within 25%. This allows one to conclude about the stability of the electronic properties under deformations, which gives possibility to use the heterostructures in flexible electronics devices. © 2019 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Kuzubov A. A., Popov Z. I.
Заглавие : VS2/7graphene heterostructures as promising anode material for Li-ion batteries
Место публикации : J. Phys. Chem. C. - 2017. - Vol. 121, Is. 43. - P.24179-24184. - ISSN 19327447 (ISSN), DOI 10.1021/acs.jpcc.7b07630
Примечания : Cited References: 64. - This work was supported by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1455.2017/PCh). N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16- 32-60003 mol-a-dk. M. A. V. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16-32- 00252 mol-a. Z. I. P. gratefully acknowledges the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST MISiS (No. K2-2017-001) and the support of the RFBR through the research project No. 17-42- 190308 r-a.
Аннотация: Two-layer freestanding heterostructure consisting of VS2 monolayer and graphene was investigated by means of density functional theory computations as a promising anode material for lithium-ion batteries (LIB). We have investigated lithium atoms’ sorption and diffusion on the surface and in the interface layer of VS2/graphene heterostructure with both H and T configurations of VS2 monolayer. The theoretically predicted capacity of VS2/graphene heterostructures is high (569 mAh/g), and the diffusion barriers are considerably lower for the heterostructures than for bulk VS2, so that they are comparable to barriers in graphitic LIB anodes (∼0.2 eV). Our results suggest that VS2/graphene heterostructures can be used as a promising anode material for lithium-ion batteries with high power density and fast charge/discharge rates.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск продолж. издания)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kovaleva E. A., Lubkova T. A., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Visotin M. A., Irle S.
Заглавие : Molecular dynamical modelling of endohedral fullerenes formation in plasma
Коллективы : International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Место публикации : IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2016. - Vol. 110, Is. 1. - , DOI 10.1088/1757-899X/110/1/012078
Аннотация: The initial stages of fullerene and endohedral metallofullerene (EMF) synthesis in carbon-helium plasma at 1500 K and 2500 K have been simulated with quantum chemical molecular dynamics (MD) based on density-functional tight-binding (DFTB). The cases of formation of large (>100 atoms) sp2-carbon clusters with scandium atoms inside were observed. These clusters are considered as precursors of fullerenes or EMFs, and thus it is shown that formation of EMFs can be explained within the framework of »shrinking hot giant« mechanism. Also, the dependence of formation rates on plasma parameters, including temperature, buffer gas and metal atoms concentrations, has been studied.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Maximova O. A., Shevtsov D. V., Zabluda V. N., Popov Z. I., Molokeev M. S., Kuzubov A. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The temperature dependences of optical and magneto-optical properties of iron silicides
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P6.11. - P.319. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0004
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ellipsometry--magneto-optic effects--fe-si system
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Popov Z. I., Varnakov S. N., Popov E. A., Molokeev M. S., Yakovlev I. A., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G., Shamirzaev T. S., Latyshev A. V., Saranin A. A.
Заглавие : Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [16.663.2014K, 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), 02.G25.31.0043], Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 120, Is. 5. - P.886-893. - ISSN 1063, DOI 10.1134/S1063776115050155. - ISSN 10906509(eISSN)
Примечания : Cited References:31. - This study was financially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state assignment no. 16.663.2014K, agreement no. 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), and contract no. 02.G25.31.0043), the Program is Support of Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309).
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
FILMS
ELLIPSOMETRY
Аннотация: The optical, magnetooptical, and magnetic properties of polycrystalline (Fe5Si3/SiO2/Si(100)) and epitaxial Fe3Si/Si(111) films are investigated by spectral magnetoellipsometry. The dispersion of the complex refractive index of Fe5Si3 is measured using multiangle spectral ellipsometry in the range of 250–1000 nm. The dispersion of complex Voigt magnetooptical parameters Q is determined for Fe5Si3 and Fe3Si in the range of 1.6–4.9 eV. The spectral dependence of magnetic circular dichroism for both silicides has revealed a series of resonance peaks. The energies of the detected peaks correspond to interband electron transitions for spin-polarized densities of electron states (DOS) calculated from first principles for bulk Fe5Si3 and Fe3Si crystals.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Fedorov A. S.
Заглавие : Ab initio and empirical modeling of lithium atoms penetration into silicon
Место публикации : Comput. Mater. Sci.: Elsevier, 2015. - Vol. 109. - P.76-83. - ISSN 0927-0256, DOI 10.1016/j.commatsci.2015.06.024
Примечания : Cited References: 69. - The authors would like to thank the Institute of Computational Modeling SB RAS, Krasnoyarsk, Information Technology Centre Novosibirsk State University, for providing access to their computational resources. The reported study was supported by RFBR, research project No. 14-02-31071, 14-02-31309, 12-02-00640, by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project No. NSh-2886.2014.2), Increase Competitiveness Program of NUST "MISiS" (No. K2-2015-033). The authors also would like to thank Prof. Stephan Irle and L.R. Moskvina for fruitful discussions and helpful ideas.
Предметные рубрики: LONG CYCLE LIFE
CORE-LEVEL SPECTROSCOPY
CARBON-COATED SILICON
AUGMENTED-WAVE METHOD
ION BATTERIES
MOLECULAR-DYNAMICS
INTERATOMIC POTENTIALS
ELECTRONIC-STRUCTURE
CRYSTALLINE SILICON
SI(100)2X1 SURFACE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): li-ion batteries--silicon--surface diffusion--li diffusion--density functional theory--molecular dynamics
Аннотация: A process of lithium atoms penetration into silicon (1 0 0) subsurface layers was investigated with the help of DFT method. It was shown that, while the concentration of lithium adatoms on reconstructed (1 0 0) silicon surface is low, the bonding energy of lithium atoms in the subsurface layers is smaller than the bonding energy on the surface, so lithium atoms are unlikely to migrate into the crystal. When the (1 0 0) silicon surface is covered by 2 layers of lithium, migration into the subsurface layer becomes favorable. In addition to this, the reconstruction of the surface changes to the form with symmetric dimers as the concentration increases. Thus, all possible lithium migration paths become energy-wise equal, so the rate of lithium atom transfer into silicon crystal rises. In addition to the ab initio calculations, an ad-hoc empirical interatomic potential was developed and the kinetics of lithium diffusion into silicon were studied. It was shown that lithium penetration proceeds in a layer-by-layer way with a sharp border between undoped and lithiated silicon. This is accounted for the fact that, once a tetrahedral interstice is occupied by a lithium atom, the migration barriers between the adjacent interstices become lower and the rate of diffusion increases. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие