Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Суханова Е. В., Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT моделирование спектров КРС монослойных дихалькогенидов молибдена со структурой типа «Янус»
Коллективы : "Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света, Школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света (с участием иностранных ученых), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Место публикации : Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований: тезисы докл./ сопредс. конф. В. Ф. Шабанов, зам. предс. конф., чл. орг. ком. А. Н. Втюрин, чл. орг. ком. А. С. Крылов, чл. орг. ком. С. Н. Крылова. - Новосибирск, 2023. - С. 58. - DOI 10.34077/SCATTERING95-58
Примечания : Библиогр.: 3. - РНФ №21-73-20183
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания :
Автор(ы) : Орешонков, Александр Сергеевич, Попов, Захар Иванович
Заглавие : DFT-моделирование спектров КРС монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O)
Коллективы : Сибирский федеральный университет, Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Всероссийская научная конференция с международным участием "Енисейская фотоника-2022", "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием
Место публикации : Енисейская фотоника-2022: тезисы докладов : в 2-х т./ Сиб. федер. ун-т [и др.]. - Красноярск, 2022. - Т. 1, Секция 1: Новые оптические материалы. - С. 89. - ISBN 978-5-6045250-1-2
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: В работе выполнено численное моделирование спектров комбинационного рассеяния света монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O). Валидность используемого подхода подтверждена путём сравнения полученных спектров с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы как графеноподобные 1H и 1T фазы, так и монослои со структурами 1Tʹ, 1Hʹ, 1Aʹ и 1S.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Entani, Shiro, Larionov K. V., Popov Z. I., Takizawa, Masaru, Mizuguchi, Masaki, Watanabe, Hideo, Li, Songtian, Naramoto, Hiroshi, Sorokin, Pavel B., Sakai, Seiji
Заглавие : Non-chemical fluorination of hexagonal boron nitride by high-energy ion irradiation
Место публикации : Nanotechnology. - 2020. - Vol. 31, Is. 12. - Ст.125705. - ISSN 0957-4484, DOI 10.1088/1361-6528/ab5bcc. - ISSN 1361-6528 (eISSN)
Примечания : Cited References: 53
Аннотация: Two-dimensional materials such as hexagonal boron nitride (h-BN) and graphene have attracted wide attention in nanoelectronics and spintronics. Since their electronic characteristics are strongly affected by the local atomic structure, the heteroatom doping could allows us to tailor the electronic and physical properties of two-dimensional materials. In this study, a non-chemical method of heteroatom doping into h-BN under high-energy ion irradiation was demonstrated for the LiF/h-BN/Cu heterostructure. Spectroscopic analysis of chemical states on the relevant atoms revealed that 6 ± 2% fluorinated h-BN are obtained by the irradiation of 2.4 MeV Cu2+ ions with the fluence up to 1014 ions/cm2. It was shown that the high-energy ion irradiation leads to a single-sided fluorination of h-BN by the formation of the fluorinated sp 3-hybridized BN.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск монографической серии)
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Popov Z. I.
Заглавие : Theoretical investigation of NiI2 based bilayer heterostructures
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
Место публикации : Key Eng. Mater. - 2019. - Vol. 806 KEM. - P.10-16. - , DOI 10.4028/www.scientific.net/KEM.806.10
Примечания : Cited References: 38. - N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR project No. 16-32-60003 mol_a_dk.
Аннотация: The electronic structure of nickel iodide monolayer in NiI2/ScX2 (X = S, Se and Te) and NiI2/NiTe2 heterostructures was investigated by density functional theory (DFT). The spin-asymmetric semiconducting behavior of NiI2 monolayer in these interfaces was observed. The width of the band gap of the NiI2 monolayer practically does not change in heterostructures and remains at the level of 1.7 and 3.0 eV for minor and major spin channels, respectively. The NiI2 layer can be p-doped by stacking with ScX2 dichalcogenides. On the contrary, charge transfer (~0.01 |e| per f.u.) from NiTe2 leads to n-doping of NiI2. As a result, the Fermi level shifts up to the area of NiI2 conduction band with spin down carriers only, which gives prospects of using this material in spin filter applications. The electronic structure of NiI2/ScTe2 under isotropic deformation in the plane remains the same under tension and compression within 5%, except for a small change in the band gap in the composite layers of NiI2 within 25%. This allows one to conclude about the stability of the electronic properties under deformations, which gives possibility to use the heterostructures in flexible electronics devices. © 2019 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland
Смотреть статью,
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Kuzubov A. A., Popov Z. I.
Заглавие : VS2/7graphene heterostructures as promising anode material for Li-ion batteries
Место публикации : J. Phys. Chem. C. - 2017. - Vol. 121, Is. 43. - P.24179-24184. - ISSN 19327447 (ISSN), DOI 10.1021/acs.jpcc.7b07630
Примечания : Cited References: 64. - This work was supported by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1455.2017/PCh). N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16- 32-60003 mol-a-dk. M. A. V. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16-32- 00252 mol-a. Z. I. P. gratefully acknowledges the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST MISiS (No. K2-2017-001) and the support of the RFBR through the research project No. 17-42- 190308 r-a.
Аннотация: Two-layer freestanding heterostructure consisting of VS2 monolayer and graphene was investigated by means of density functional theory computations as a promising anode material for lithium-ion batteries (LIB). We have investigated lithium atoms’ sorption and diffusion on the surface and in the interface layer of VS2/graphene heterostructure with both H and T configurations of VS2 monolayer. The theoretically predicted capacity of VS2/graphene heterostructures is high (569 mAh/g), and the diffusion barriers are considerably lower for the heterostructures than for bulk VS2, so that they are comparable to barriers in graphitic LIB anodes (∼0.2 eV). Our results suggest that VS2/graphene heterostructures can be used as a promising anode material for lithium-ion batteries with high power density and fast charge/discharge rates.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск продолж. издания)
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Kovaleva E. A., Lubkova T. A., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Visotin M. A., Irle S.
Заглавие : Molecular dynamical modelling of endohedral fullerenes formation in plasma
Коллективы : International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Место публикации : IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2016. - Vol. 110, Is. 1. - , DOI 10.1088/1757-899X/110/1/012078
Аннотация: The initial stages of fullerene and endohedral metallofullerene (EMF) synthesis in carbon-helium plasma at 1500 K and 2500 K have been simulated with quantum chemical molecular dynamics (MD) based on density-functional tight-binding (DFTB). The cases of formation of large (>100 atoms) sp2-carbon clusters with scandium atoms inside were observed. These clusters are considered as precursors of fullerenes or EMFs, and thus it is shown that formation of EMFs can be explained within the framework of »shrinking hot giant« mechanism. Also, the dependence of formation rates on plasma parameters, including temperature, buffer gas and metal atoms concentrations, has been studied.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Yakovlev I. A., Maximova O. A., Shevtsov D. V., Zabluda V. N., Popov Z. I., Molokeev M. S., Kuzubov A. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The temperature dependences of optical and magneto-optical properties of iron silicides
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P6.11. - P.319. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0004
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ellipsometry--magneto-optic effects--fe-si system
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lyashchenko S. A., Popov Z. I., Varnakov S. N., Popov E. A., Molokeev M. S., Yakovlev I. A., Kuzubov A. A., Ovchinnikov S. G., Shamirzaev T. S., Latyshev A. V., Saranin A. A.
Заглавие : Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [16.663.2014K, 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), 02.G25.31.0043], Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 120, Is. 5. - P.886-893. - ISSN 1063, DOI 10.1134/S1063776115050155. - ISSN 10906509(eISSN)
Примечания : Cited References:31. - This study was financially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state assignment no. 16.663.2014K, agreement no. 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), and contract no. 02.G25.31.0043), the Program is Support of Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309).
Предметные рубрики: INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
FILMS
ELLIPSOMETRY
Аннотация: The optical, magnetooptical, and magnetic properties of polycrystalline (Fe5Si3/SiO2/Si(100)) and epitaxial Fe3Si/Si(111) films are investigated by spectral magnetoellipsometry. The dispersion of the complex refractive index of Fe5Si3 is measured using multiangle spectral ellipsometry in the range of 250–1000 nm. The dispersion of complex Voigt magnetooptical parameters Q is determined for Fe5Si3 and Fe3Si in the range of 1.6–4.9 eV. The spectral dependence of magnetic circular dichroism for both silicides has revealed a series of resonance peaks. The energies of the detected peaks correspond to interband electron transitions for spin-polarized densities of electron states (DOS) calculated from first principles for bulk Fe5Si3 and Fe3Si crystals.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Mikhaleva N. S., Visotin M. A., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Fedorov A. S.
Заглавие : Ab initio and empirical modeling of lithium atoms penetration into silicon
Место публикации : Comput. Mater. Sci.: Elsevier, 2015. - Vol. 109. - P.76-83. - ISSN 0927-0256, DOI 10.1016/j.commatsci.2015.06.024
Примечания : Cited References: 69. - The authors would like to thank the Institute of Computational Modeling SB RAS, Krasnoyarsk, Information Technology Centre Novosibirsk State University, for providing access to their computational resources. The reported study was supported by RFBR, research project No. 14-02-31071, 14-02-31309, 12-02-00640, by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project No. NSh-2886.2014.2), Increase Competitiveness Program of NUST "MISiS" (No. K2-2015-033). The authors also would like to thank Prof. Stephan Irle and L.R. Moskvina for fruitful discussions and helpful ideas.
Предметные рубрики: LONG CYCLE LIFE
CORE-LEVEL SPECTROSCOPY
CARBON-COATED SILICON
AUGMENTED-WAVE METHOD
ION BATTERIES
MOLECULAR-DYNAMICS
INTERATOMIC POTENTIALS
ELECTRONIC-STRUCTURE
CRYSTALLINE SILICON
SI(100)2X1 SURFACE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): li-ion batteries--silicon--surface diffusion--li diffusion--density functional theory--molecular dynamics
Аннотация: A process of lithium atoms penetration into silicon (1 0 0) subsurface layers was investigated with the help of DFT method. It was shown that, while the concentration of lithium adatoms on reconstructed (1 0 0) silicon surface is low, the bonding energy of lithium atoms in the subsurface layers is smaller than the bonding energy on the surface, so lithium atoms are unlikely to migrate into the crystal. When the (1 0 0) silicon surface is covered by 2 layers of lithium, migration into the subsurface layer becomes favorable. In addition to this, the reconstruction of the surface changes to the form with symmetric dimers as the concentration increases. Thus, all possible lithium migration paths become energy-wise equal, so the rate of lithium atom transfer into silicon crystal rises. In addition to the ab initio calculations, an ad-hoc empirical interatomic potential was developed and the kinetics of lithium diffusion into silicon were studied. It was shown that lithium penetration proceeds in a layer-by-layer way with a sharp border between undoped and lithiated silicon. This is accounted for the fact that, once a tetrahedral interstice is occupied by a lithium atom, the migration barriers between the adjacent interstices become lower and the rate of diffusion increases. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Михалева Н. С., Кузубов, Александр Александрович, Попов, Захар Иванович, Еремина А. Д., Высотин, Максим Александрович
Заглавие : Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 55
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--dft--diffusion--lithium--silicon
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Hu J., Liu X., Yue C. L., Liu J. Y., Zhu H. W., He J. B., Wei J., Mao Z. Q., Antipina, L. Yu., Popov Z. I., Sorokin P.B., Liu T.J., Adams P.W., Radmanesh S. M. A., Spinu L., Ji H., Natelson D.
Заглавие : Enhanced electron coherence in atomically thin Nb3SiTe6
Коллективы : US National Science Foundation [DMR-1205469], NSF EPSCoR Cooperative Agreement [EPS-1003897], Louisiana Board of Regents; US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences [DE-FG02-07ER46420], Russian Science Foundation [14-12-01217], Russian Federation [MK-6218.2015.2, 14.Z56.15.6218-MK], Leading Science School program [NSh-2886.2014.2], US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences award [DE-FG02-06ER46337], US National Science Foundation under the NSF EPSCoR Cooperative Agreement [EPS-1003897]
Место публикации : Nat. Phys. - 2015. - Vol. 11, Is. 6. - P.471-476. - ISSN 1745, DOI 10.1038/NPHYS3321. - ISSN 17452481(eISSN)
Примечания : Cited References:38. - The authors are grateful to J. DiTusa for informative discussions. The work at Tulane is supported by the US National Science Foundation under grant DMR-1205469 and the NSF EPSCoR Cooperative Agreement No. EPS-1003897, with additional support from the Louisiana Board of Regents. P.W.A. and T.J.L. acknowledge the support of the US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences, under Award No. DE-FG02-07ER46420. L.Y.A. and P.B.S. acknowledge the support of the Russian Science Foundation (project #14-12-01217) and are grateful to the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences and 'Lomonosov' Research Computing Center for the opportunity of using a cluster computer for the quantum-chemical calculations. P.B.S. acknowledges a Grant of the President of the Russian Federation for government support of young PhD scientists MK-6218.2015.2 (project ID 14.Z56.15.6218-MK). Z.I.P. acknowledges the support of the Leading Science School program (No NSh-2886.2014.2). D.N. and H.J. acknowledge support through the US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences award DE-FG02-06ER46337. The work at UNO is supported by the US National Science Foundation under the NSF EPSCoR Cooperative Agreement No. EPS-1003897, with additional support from the Louisiana Board of Regents.
Предметные рубрики: PHONON SCATTERING RATES
WEAK-LOCALIZATION
METAL-FILMS
Аннотация: It is now well established that many of the technologically important properties of two-dimensional (2D) materials, such as the extremely high carrier mobility in graphene(1) and the large direct band gaps in MoS2 monolayers(2), arise from quantum confinement. However, the influence of reduced dimensions on electron-phonon (e-ph) coupling and its attendant dephasing effects in such systems has remained unclear. Although phonon confinement(3-7) is expected to produce a suppression of e-ph interactions in 2D systems with rigid boundary conditions(6,7), experimental verification of this has remained elusive(8). Here, we show that the e-ph interaction is, indeed, modified by a phonon dimensionality crossover in layered Nb3SiTe6 atomic crystals. When the thickness of the Nb3SiTe6 crystals is reduced below a few unit cells, we observe an unexpected enhancement of the weak-antilocalization signature in magnetotransport. This finding strongly supports the theoretically predicted suppression of e-ph interactions caused by quantum confinement of phonons.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (выпуск продолж. издания)
Шифр издания :
Автор(ы) : Chepkasov I. V., Popov Z. I.
Заглавие : Analysis of thermal effects on copper nanoparticles synthesized from the gas phase
Коллективы : International scientific conference on radiation-thermal effects and processes in inorganic materials , International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (Nov 03-08, 2014; Tomsk, Russia)
Место публикации : IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2015. - Vol. 81. - Ст.012033. - , DOI 10.1088/1757-899X/81/1/012033
Примечания : Cited References:14
Предметные рубрики: DEVICES
FILMS
Аннотация: Molecular dynamics method using the tight-binding potential to carry out simulation of ultrafast heating of the synthesized particles from the gas phase to a temperature T= 600K and T= 900K, at which the particles were kept about 10 ns. As a result of the simulation revealed that the method of ultrafast heating the particles to high temperatures virtually eliminates the possibility of a clusters of defective education, but as a result of the heat treatment, the some of investigated particles can disconnect (burst) into smaller clusters.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов, Захар Иванович, Литасов, Константин Дмитриевич, Гаврюшкин, Павел Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Федоров, Александр Семенович
Заглавие : Теоретическое исследование нитридов железа γ'-Fe4N и ε-FexN при давлениях до 500 ГПа
Место публикации : Письма в Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2015. - Т. 101, Вып. 5-6. - С. 405-409. - ISSN 0370-274X, DOI 10.7868/S0370274X15060028
Примечания : Библиогр.: 27. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект #14-17-00601), грантов Президента РФ для молодых ученых MD- 500.2013.5, НШ-2886.2014.2, в рамках программы Министерства образования и науки Российской Федерации (ф 14.В25.31.0032), проекта 2.16 президиума РАН
Аннотация: При помощи ab initio расчетов определены параметры уравнений состояний стехиометрических и нестехиометрических фаз нитридов железа γ'-Fe4N, ε-Fe3N0.75, ε-Fe3N, ε-Fe3N1.25, ε-Fe3N1.5 в интервале давлений до 500 ГПа. Найдены точки резкого падения и исчезновения магнитного момента на атомах железа. Показано, что некоторые изменения магнитного момента сопровождаются изменением объема элементарной ячейки исследованных нитридов. Рассчитанные параметры уравнений состояния демонстрируют, что с увеличением содержания азота сжимаемость как магнитных, так и немагнитных нитридов железа закономерно уменьшается.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ковалева, Евгения Андреевна, Кузубов, Александр Александрович, Куклин, Артем Валентинович, Михалев, Юрий Глебович, Popov Z. I.
Заглавие : Квантово-химическое исследование атомной и электронной структуры интерфейсов LSMO с углеродными нанотрубками различной хиральности
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 729-734. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 31. - Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант No 16.1500.2014/K). Авторы выражают благодарность Институту вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск; Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, г. Москва; Центру коллективного пользования СФУ, г. Красноярск; а также Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН, г. Новосибирск, за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углеродные нанотрубки--спиновая поляризация--спинтроника--lsmo--gga+u--carbon nanotubes--spin polarization--spintronics
Аннотация: Замещенные манганиты лантана с общей формулой La1-xSrxMnO3 (LSMO) являются перспективными материалами спинтроники и спинкалоритроники, что обусловлено практически стопроцентной спиновой поляризацией данных материалов. На основе интерфейсов LSMO-графен были созданы высокоэффективные органические светодиоды (ОLED) и спиновые клапаны. Многостенные углеродные нанотрубки, соединяющие электроды на основе La0,7Sr0,3MnO3, являющегося полуметаллом, демонстрируют высокое магнитное сопротивление, большое время жизни ориентированного спина, высокую скорость Ферми. Полученные экспериментальные результаты подтверждаются также данными квантово-химических расчетов. Тем не менее интерфейсы замещенных манганитов лантана с углеродными нанотрубками в настоящее время изучены недостаточно. В ходе квантово-химического исследования взаимодействия углеродных нанотрубок различной хиральности с поверхностью замещенного манганита лантана La0,67Sr0,33MnO3 при помощи теории функционала плотности в обобщенно-градиентном приближении с использованием поправки Хаббарда и коррекции вандерваальсова взаимодействия рассмотрены различные варианты расположения нанотрубок относительно атомов пластины. Рассмотрены нанотрубки как конфигурации «зигзаг» (хиральности (9,0)), так и конфигурации «кресло» (хиральности (5,5)). Построены парциальные плотности состояний атомов нанотрубок, исследовано влияние подложки на электронную структуру нанотрубок, а также возможность применения исследуемых нанокомпозитов в устройствах спинтроники. Показано, что при взаимодействии углеродных нанотрубок с поверхностью LSMO (001) вследствие несовпадения структурных параметров наблюдается деформация нанотрубок по сравнению с исходной структурой. Нанотрубка хиральности (9,0) после взаимодействия с пластиной оказывается сжатой примерно на 9 %, в то время как нанотрубка хиральности (5,5) растягивается примерно на 5 %. Установлено, что указанная деформация приводит к значительному изменению электронной структуры нанотрубок и смещению уровня Ферми. Однако несмотря на то, что композиты в целом оказываются практически полностью спин-поляризованными, данный эффект обусловлен присутствием LSMO в составе системы, в то время как различия в заселенности разных спиновых подсистем для нанотрубок практически отсутствуют.Complex half-metallic manganites La1-xSrxMnO3 (LSMO) are promising materials for spintronic and spicaloritronic applications due to 100 % of spin polarization. Using spin-polarized currents through LSMO-graphene interfaces a number of LSMO-based high-efficiency organic LED and spin-valve nanodevices have been developed. Large magnetoresistance effects bonded with large output signals were detected in a nanodevice. The device of multiwall carbon nanotube that spans a gap between spin-polarized half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 electrodes demonstrated long spin lifetime and high Fermi velocity in the nanotube, the high spin polarization of the manganite electrodes and the resistance of the interfacial barrier for spin injection. The experimental results were supported by density functional theory calculations. Interfaces of La0,67Sr0,33MnO3 with armchair and zigzag carbon nanotubes (CNT) were studied by means of quantum chemistry within density functional theory. All calculations were performed using generalized gradient approximation with Hubbard correction (GGA+U) and Grimme correction of dispersion interaction. Different configurations of composite compartments mutual arrangement were considered. The analysis of partial densities of states (PDOS) reveals the influence of substrate on nanotube’s electronic structure. The possibility of nanotubes’ spin polarization and utilization of such nanocomposites in spintronics is also discussed. It was found that interaction between carbon nanotubes and LSMO slab lead to major deformation of the tube due to the difference in structural parameters of composite compartments. Zigzag (9,0) nanotube is contracted by 9% while armchair (5,5) nanotube is stretched by 5 %. Although this deformation results in significant change in nanotube’s electronic structure, there is no visible difference between spin-up and spin-down PDOSes of the tubes. Composites are then almost totally spin-polarized due to the presence of LSMO.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Кузубов, Александр Александрович, Михалева Н. С., Попов, Захар Иванович, Краснов, Павел Олегович, Николаева К. М.
Заглавие : Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск, 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия--литий--кремний--кремний--допирование--метод функционала плотности (dft)--diffusion--lithium--silicon--doping--dft
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Варнаков, Сергей Николаевич, Яковлев, Иван Александрович, Лященко, Сергей Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Попов, Захар Иванович, Молокеев, Максим Сергеевич, Беляев, Борис Афанасьевич, Жарков, Сергей Михайлович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Исследование структурных, оптических и магнитооптических свойств магнитных силицидов Fe3Si и Fe5Si3
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум
Место публикации : Нанофизика и наноэлектроника: Труды XIX междунар. симп. - 2015. - Т. 1. - С. 142-143
Примечания : Библиогр.: 13 назв.
Аннотация: Методом многоугловой спектральной эллипсометрии экспериментально измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления плёнок Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 250–1000 нм. Показано, что энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) для объёмных Fe5Si3 и Fe3Si.
Материалы симпозиума
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лященко, Сергей Александрович, Попов, Захар Иванович, Варнаков, Сергей Николаевич, Попов, Евгений Александрович, Молокеев, Максим Сергеевич, Яковлев, Иван Александрович, Кузубов, Александр Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Шамирзаев T. C., Латышев А. В., Саранин А. А.
Заглавие : Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ.: Наука, 2015. - Т. 147, Вып. 5. - С. 1023–1031. - ISSN 0044-4510, DOI 10.7868/S004445101505016X
Примечания : Библиогр.: 31. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Государственное задание № 16.663.2014К, Соглашение № 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002) и Договор 02.G25.31.0043), в рамках программы поддержки ведущих научных школ (проект НШ-2886.2014.2) и РФФИ (гранты №№ 13-02-01265, 14-02-31309).
Аннотация: Исследованы оптические, магнитооптические и магнитные свойства поликристаллической Fe5Si3/SiO2/Si(100) и эпитаксиальной Fe3Si/Si(111) пленок методом спектральной магнитоэллипсометрии. Методом многоугловой спектральной эллипсометрии измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления пленки Fe5Si3 в диапазоне 250-1000 нм. Определены дисперсии комплексных магнитооптических параметров Фохта Q для Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 1.6-4.9 эВ. Спектральная зависимость магнитного кругового дихроизма для обоих силицидов выявила наличие серий резонансных пиков. Энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) объемных кристаллов Fe5Si3 и Fe3Si.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fedorov A. S., Popov Z. I., Kuzubov A. A., Visotin M. A.
Заглавие : Prediction and theoretical investigation of new 2D and 3D periodical structures, having graphene-like bandstructures
Место публикации : Phys. Status Solidi B. - 2015. - Vol. 252, Is. 11. - P.2407-2411. - ISSN 0370-1972, DOI 10.1002/pssb.201552226
Примечания : Cited References: 27. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of Russia (Russian-Japanese joined project, Agreement No. 14.613.21.0010, ID RFMEFI61314 x 0010). The authors are grateful to the Joint Supercomputer Center of Russian Academy of Sciences, Moscow and Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk for the opportunity of using their computer clusters to perform the calculations
Предметные рубрики: BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
DIRAC FERMIONS
ELECTRON-GAS
TRANSITION
POINTS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): dft calculations--dirac cones--graphene--nanoparticles
Аннотация: A new family of planar nanostructures having graphene-like electronic band structure is theoretically investigated by density functional theory (DFT). Based on general perturbation theory and a tight-binding model, it was shown that graphene-like planar structures, consisting of identical nanoparticles with relatively weak contacts between them, should have an electronic band structure with Dirac cones. Two such structures, consisting of 71- or 114-silicon atom nanoparticles, were investigated by DFT using VASP software package. The band-structure calculations show the presence of Dirac cones with electron group velocity equal to 1.05 × 105 and 0.53 × 105 m/s, respectively. By generalizing the theory, a new family of 3D structures having intersecting areas with linear dispersion in the band structures was derived. As an example, the band structure of identical 25-atom silicon nanoclusters arranged in a simple cubic lattice was calculated. It was shown that the band structure has features similar to the Dirac cones.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Varnakov S. N., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Popov Z. I., Molokeev M. S., Zharkov S. M., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Structure, optical, and magnetooptical properties of magnetic silicide Fe3Si and Fe5Si3
Коллективы : International Conference on Advances in Functional Materials
Место публикации : Int. Conf. on Adv. in Funct. Mater. . - 2015
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gavryushkin P. N., Popov Z. I., Litasov K. D., Gavryushkin A.
Заглавие : Unbiased crystal structure prediction of NiSi under high pressure
Место публикации : J. Appl. Crystallogr.: Wiley-Blackwell, 2015. - Vol. 48, No. 3. - P.906-908. - ISSN 0021, DOI 10.1107/S1600576715005488. - ISSN 16005767(eISSN)
Примечания : Cited References:29. - We thank the Information Technology Centre of Novosibirsk State University for providing access to the cluster computational resources. The research was financially supported by the Russian Science Foundation (grant No. 14-17-00601) and performed under the program of the Ministry of Education and Science of Russia (project No. 14.B25.31.0032). The work of ZIP is supported by the Leading Science School program (No. NS-2886.2014.2).
Предметные рубрики: AUGMENTED-WAVE METHOD
PHASE-TRANSITIONS
STABILITY
EQUATIONS
STATE
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): earth's core--pressure--ab initio calculations--fesi--nisi--cosi--mnsi--isomorphism
Аннотация: On the basis of an unbiased structure prediction, it is shown that the stable form of NiSi under pressures of 100 and 200 GPa is the Pmmn structure. Furthermore, a new stable phase has been discovered: the deformed tetragonal CsCl-type structure with a = 2.174 Å and c = 2.69 Å at 400 GPa. Specifically, the sequence of high-pressure phase transitions is the following: the Pmmn structure below 213 GPa, the tetragonal CsCl type in the range 213–522 GPa, and cubic CsCl higher than 522 GPa. As the CsCl-type structure is considered as the model structure of the FeSi compound at the conditions of the Earth's core, this result implies restrictions on the Fe–Ni isomorphic miscibility in FeSi.
Смотреть статью,
Смотреть статью (Wiley Online Library),
Scopus,
WOS
Найти похожие