Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попов, Захар Иванович$<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 20

Орешонков, Александр Сергеевич.
DFT моделирование спектров КРС монослойных дихалькогенидов молибдена со структурой типа «Янус» / А. С. Орешонков, Е. В. Суханова, З. И. Попов // Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований : тезисы докл. / сопредс. конф. В. Ф. Шабанов, зам. предс. конф., чл. орг. ком. А. Н. Втюрин, чл. орг. ком. А. С. Крылов, чл. орг. ком. С. Н. Крылова. - Новосибирск, 2023. - С. 58DOI 10.34077/SCATTERING95-58. - Библиогр.: 3. - РНФ №21-73-20183

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \сопредс. конф.\; Shabanov, V. F.; Втюрин, Александр Николаевич \зам. предс. конф., чл. орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Крылов, Александр Сергеевич \чл. орг. ком.\; Krylov, A. S.; Крылова, Светлана Николаевна \чл. орг. ком.\; Krylova, S. N.; Суханова, Е. В.; Попов, Захар Иванович; Popov Z.I.; Oreshonkov, A. S.; "Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований", Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света(2023 ; 5-9 июня ; Новосибирск); Школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света (с участием иностранных ученых)(2023 ; 5-9 июня ; Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Орешонков, Александр Сергеевич.
DFT-моделирование спектров КРС монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O) / А. С. Орешонков, З. И. Попов // Енисейская фотоника-2022 : тезисы докладов : в 2-х т. / Сиб. федер. ун-т [и др.]. - Красноярск, 2022. - Т. 1, Секция 1 : Новые оптические материалы. - С. 89. - Библиогр.: 2 . - ISBN 978-5-6045250-1-2
Аннотация: В работе выполнено численное моделирование спектров комбинационного рассеяния света монослоёв XMoY (X=S, Se; Y=Se, Te, O). Валидность используемого подхода подтверждена путём сравнения полученных спектров с имеющимися экспериментальными данными. Проанализированы как графеноподобные 1H и 1T фазы, так и монослои со структурами 1Tʹ, 1Hʹ, 1Aʹ и 1S.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Архипкин, Василий Григорьевич \чл. прогр. ком.\; Arkhipkin, V. G.; Втюрин, Александр Николаевич \чл. прогр. ком., зам. предс. орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Вьюнышев, Андрей Михайлович \чл. прогр. ком., чл. орг. ком.\; Vyunishev, A. M.; Зырянов, Виктор Яковлевич \чл. прогр. ком.\; Zyryanov, V. Ya.; Карпов, Сергей Васильевич \чл. прогр. ком.\; Karpov, S. V.; Садреев, Алмаз Фаттахович \чл. прогр. ком.\; Sadreev, A. F.; Тимофеев, Иван Владимирович \чл. орг. ком., чл. прогр. ком.\; Timofeev, I. V.; Панкин, Павел Сергеевич \чл. орг. ком.\; Pankin, P. S.; Пятнов, Максим Владимирович \чл. орг. ком.\; Pyatnov, M. V.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Oreshonkov, A. S.; Сибирский федеральный университет; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Всероссийская научная конференция с международным участием "Енисейская фотоника-2022"(2 ; 2022 ; 19-24 сент. ; Красноярск); "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием(2 ; 2022 ; 19-24 сент. ; Красноярск)
}
Найти похожие

Non-chemical fluorination of hexagonal boron nitride by high-energy ion irradiation / S. Entani [et al.] // Nanotechnology. - 2020. - Vol. 31, Is. 12. - Ст. 125705, DOI 10.1088/1361-6528/ab5bcc. - Cited References: 53 . - ISSN 0957-4484. - ISSN 1361-6528
Кл.слова (ненормированные):
Hexagonal boron nitride -- heteroatom doping -- high-energy ion irradiation -- near edge X-ray absorption fine structure -- ab initio calculation
Аннотация: Two-dimensional materials such as hexagonal boron nitride (h-BN) and graphene have attracted wide attention in nanoelectronics and spintronics. Since their electronic characteristics are strongly affected by the local atomic structure, the heteroatom doping could allows us to tailor the electronic and physical properties of two-dimensional materials. In this study, a non-chemical method of heteroatom doping into h-BN under high-energy ion irradiation was demonstrated for the LiF/h-BN/Cu heterostructure. Spectroscopic analysis of chemical states on the relevant atoms revealed that 6 ± 2% fluorinated h-BN are obtained by the irradiation of 2.4 MeV Cu2+ ions with the fluence up to 1014 ions/cm2. It was shown that the high-energy ion irradiation leads to a single-sided fluorination of h-BN by the formation of the fluorinated sp 3-hybridized BN.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology Takasaki Advanced Radiation Research Institute, Takasaki, 370-1292, JAPAN
National University of Science and Technology MISiS, Moscow, RUSSIAN FEDERATION
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, RUSSIAN FEDERATION
Ritsumeikan University College of Science and Engineering Graduate School of Science and Engineering, Kusatsu, Shiga, JAPAN
Institute for Materials Research, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Sendai, JAPAN
Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, Kasuga, JAPAN
National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology Takasaki Advanced Radiation Research Institute, Takasaki, JAPAN
Inorganic Nanomaterials lab, Nacional'nyj issledovatel'skij tehnologiceskij universitet MISiS, Moscow, Moscow, RUSSIAN FEDERATION

Доп.точки доступа:
Entani, Shiro; Larionov, K. V.; Ларионов, Константин В.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Takizawa, Masaru; Mizuguchi, Masaki; Watanabe, Hideo; Li, Songtian; Naramoto, Hiroshi; Sorokin, Pavel B.; Sakai, Seiji
}
Найти похожие

Mikhaleva, N. S.
Theoretical investigation of NiI2 based bilayer heterostructures / N. S. Mikhaleva, M. A. Visotin, Z. I. Popov // Key Eng. Mater. - 2019. - Vol. 806 KEM. - P. 10-16, DOI 10.4028/www.scientific.net/KEM.806.10. - Cited References: 38. - N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR project No. 16-32-60003 mol_a_dk.
Кл.слова (ненормированные):
2D semiconductors -- Ab initio calculations -- Heterostructures -- NiI2 -- Transition metal dichalcogenides
Аннотация: The electronic structure of nickel iodide monolayer in NiI2/ScX2 (X = S, Se and Te) and NiI2/NiTe2 heterostructures was investigated by density functional theory (DFT). The spin-asymmetric semiconducting behavior of NiI2 monolayer in these interfaces was observed. The width of the band gap of the NiI2 monolayer practically does not change in heterostructures and remains at the level of 1.7 and 3.0 eV for minor and major spin channels, respectively. The NiI2 layer can be p-doped by stacking with ScX2 dichalcogenides. On the contrary, charge transfer (~0.01 |e| per f.u.) from NiTe2 leads to n-doping of NiI2. As a result, the Fermi level shifts up to the area of NiI2 conduction band with spin down carriers only, which gives prospects of using this material in spin filter applications. The electronic structure of NiI2/ScTe2 under isotropic deformation in the plane remains the same under tension and compression within 5%, except for a small change in the band gap in the composite layers of NiI2 within 25%. This allows one to conclude about the stability of the electronic properties under deformations, which gives possibility to use the heterostructures in flexible electronics devices. © 2019 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland

Смотреть статью,
Scopus
Держатели документа:
Siberian Federal University, av. Svobodny 79, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
L.V. Kirensky Institute of Physics, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
National University of Science and Technology “MISiS”, Leninsky pr. 4, Moscow, 119049, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

VS2/7graphene heterostructures as promising anode material for Li-ion batteries / N. S. Mikhaleva [et al.] // J. Phys. Chem. C. - 2017. - Vol. 121, Is. 43. - P. 24179-24184, DOI 10.1021/acs.jpcc.7b07630. - Cited References: 64. - This work was supported by the government contract of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to Siberian Federal University (Grant No. 16.1455.2017/PCh). N. S. M. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16- 32-60003 mol-a-dk. M. A. V. acknowledges the financial support of the RFBR, through the research project No. 16-32- 00252 mol-a. Z. I. P. gratefully acknowledges the financial support of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Increase Competitiveness Program of NUST MISiS (No. K2-2017-001) and the support of the RFBR through the research project No. 17-42- 190308 r-a. . - ISSN 1932-7447
Аннотация: Two-layer freestanding heterostructure consisting of VS2 monolayer and graphene was investigated by means of density functional theory computations as a promising anode material for lithium-ion batteries (LIB). We have investigated lithium atoms’ sorption and diffusion on the surface and in the interface layer of VS2/graphene heterostructure with both H and T configurations of VS2 monolayer. The theoretically predicted capacity of VS2/graphene heterostructures is high (569 mAh/g), and the diffusion barriers are considerably lower for the heterostructures than for bulk VS2, so that they are comparable to barriers in graphitic LIB anodes (∼0.2 eV). Our results suggest that VS2/graphene heterostructures can be used as a promising anode material for lithium-ion batteries with high power density and fast charge/discharge rates.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Siberian Federal University, 79 Svobodny av., Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy prospekt, Moscow, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, 50/38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, N. S.; Visotin, M. A.; Высотин Максим Александрович; Kuzubov, A. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович
}
Найти похожие

Molecular dynamical modelling of endohedral fullerenes formation in plasma / A. S. Fedorov [et al.] // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2016. - Vol. 110, Is. 1, DOI 10.1088/1757-899X/110/1/012078
Аннотация: The initial stages of fullerene and endohedral metallofullerene (EMF) synthesis in carbon-helium plasma at 1500 K and 2500 K have been simulated with quantum chemical molecular dynamics (MD) based on density-functional tight-binding (DFTB). The cases of formation of large (>100 atoms) sp2-carbon clusters with scandium atoms inside were observed. These clusters are considered as precursors of fullerenes or EMFs, and thus it is shown that formation of EMFs can be explained within the framework of »shrinking hot giant« mechanism. Also, the dependence of formation rates on plasma parameters, including temperature, buffer gas and metal atoms concentrations, has been studied.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Kovaleva, E. A.; Lubkova, T. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Visotin, M. A.; Irle, S.; International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials(11 ; 31 Aug. - 10 Sept. 2015)
}
Найти похожие

The temperature dependences of optical and magneto-optical properties of iron silicides / S. A. Lyashchenko [et al.] // VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016) : abstracts / ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk : KIP RAS SB, 2016. - Ст. P6.11. - P. 319. - References: 3. - The work was supported by The Complex program of SB RAS № II.2P, project 0358-2015-0004 . - ISBN 978-5-904603-06-9
Кл.слова (ненормированные):
ellipsometry -- magneto-optic effects -- Fe-Si system

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(6 ; 2016 ; Aug. ; 15-19 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry / S. A. Lyashchenko [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2015. - Vol. 120, Is. 5. - P. 886-893, DOI 10.1134/S1063776115050155. - Cited References:31. - This study was financially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state assignment no. 16.663.2014K, agreement no. 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), and contract no. 02.G25.31.0043), the Program is Support of Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309). . - ISSN 1063. - ISSN 1090-6509. -

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   FILMS
   ELLIPSOMETRY
Аннотация: The optical, magnetooptical, and magnetic properties of polycrystalline (Fe5Si3/SiO2/Si(100)) and epitaxial Fe3Si/Si(111) films are investigated by spectral magnetoellipsometry. The dispersion of the complex refractive index of Fe5Si3 is measured using multiangle spectral ellipsometry in the range of 250–1000 nm. The dispersion of complex Voigt magnetooptical parameters Q is determined for Fe5Si3 and Fe3Si in the range of 1.6–4.9 eV. The spectral dependence of magnetic circular dichroism for both silicides has revealed a series of resonance peaks. The energies of the detected peaks correspond to interband electron transitions for spin-polarized densities of electron states (DOS) calculated from first principles for bulk Fe5Si3 and Fe3Si crystals.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии [Текст] / С. А. Лященко [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2015. - Т. 147 Вып. 5. - С. 1023–1031

Держатели документа:
Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Rzhanov Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Automat & Control Proc, Far East Branch, Vladivostok 690041, Russia.
Far Eastern State Transport Univ, Khabarovsk 680021, Russia.

Доп.точки доступа:
Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Popov, E. A.; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Shamirzaev, T. S.; Latyshev, A. V.; Saranin, A. A.; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [16.663.2014K, 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002), 02.G25.31.0043]; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]
}
Найти похожие

Ab initio and empirical modeling of lithium atoms penetration into silicon / N. S. Mikhaleva [et al.] // Comput. Mater. Sci. - 2015. - Vol. 109. - P. 76-83, DOI 10.1016/j.commatsci.2015.06.024. - Cited References: 69. - The authors would like to thank the Institute of Computational Modeling SB RAS, Krasnoyarsk, Information Technology Centre Novosibirsk State University, for providing access to their computational resources. The reported study was supported by RFBR, research project No. 14-02-31071, 14-02-31309, 12-02-00640, by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project No. NSh-2886.2014.2), Increase Competitiveness Program of NUST "MISiS" (No. K2-2015-033). The authors also would like to thank Prof. Stephan Irle and L.R. Moskvina for fruitful discussions and helpful ideas. . - ISSN 0927-0256

РУБ Materials Science, Multidisciplinary
Рубрики:
LONG CYCLE LIFE
   CORE-LEVEL SPECTROSCOPY
   CARBON-COATED SILICON
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   ION BATTERIES
   MOLECULAR-DYNAMICS
   INTERATOMIC POTENTIALS
   ELECTRONIC-STRUCTURE
   CRYSTALLINE SILICON
   SI(100)2X1 SURFACE
Кл.слова (ненормированные):
Li-ion batteries -- Silicon -- Surface diffusion -- Li diffusion -- Density functional theory -- Molecular dynamics
Аннотация: A process of lithium atoms penetration into silicon (1 0 0) subsurface layers was investigated with the help of DFT method. It was shown that, while the concentration of lithium adatoms on reconstructed (1 0 0) silicon surface is low, the bonding energy of lithium atoms in the subsurface layers is smaller than the bonding energy on the surface, so lithium atoms are unlikely to migrate into the crystal. When the (1 0 0) silicon surface is covered by 2 layers of lithium, migration into the subsurface layer becomes favorable. In addition to this, the reconstruction of the surface changes to the form with symmetric dimers as the concentration increases. Thus, all possible lithium migration paths become energy-wise equal, so the rate of lithium atom transfer into silicon crystal rises. In addition to the ab initio calculations, an ad-hoc empirical interatomic potential was developed and the kinetics of lithium diffusion into silicon were studied. It was shown that lithium penetration proceeds in a layer-by-layer way with a sharp border between undoped and lithiated silicon. This is accounted for the fact that, once a tetrahedral interstice is occupied by a lithium atom, the migration barriers between the adjacent interstices become lower and the rate of diffusion increases. © 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics SB RAS, 50 bld. 38 Akademgorodok, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, 79 Svobodny pr., Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, 4 Leninskiy pr., Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Mikhaleva, N. S.; Михалева, Наталья Сергеевна; Visotin, M. A.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович
}
Найти похожие

10.

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

11.

Enhanced electron coherence in atomically thin Nb3SiTe6 / J. Hu [et al.] // Nat. Phys. - 2015. - Vol. 11, Is. 6. - P. 471-476, DOI 10.1038/NPHYS3321. - Cited References:38. - The authors are grateful to J. DiTusa for informative discussions. The work at Tulane is supported by the US National Science Foundation under grant DMR-1205469 and the NSF EPSCoR Cooperative Agreement No. EPS-1003897, with additional support from the Louisiana Board of Regents. P.W.A. and T.J.L. acknowledge the support of the US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences, under Award No. DE-FG02-07ER46420. L.Y.A. and P.B.S. acknowledge the support of the Russian Science Foundation (project #14-12-01217) and are grateful to the Joint Supercomputer Center of the Russian Academy of Sciences and 'Lomonosov' Research Computing Center for the opportunity of using a cluster computer for the quantum-chemical calculations. P.B.S. acknowledges a Grant of the President of the Russian Federation for government support of young PhD scientists MK-6218.2015.2 (project ID 14.Z56.15.6218-MK). Z.I.P. acknowledges the support of the Leading Science School program (No NSh-2886.2014.2). D.N. and H.J. acknowledge support through the US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences award DE-FG02-06ER46337. The work at UNO is supported by the US National Science Foundation under the NSF EPSCoR Cooperative Agreement No. EPS-1003897, with additional support from the Louisiana Board of Regents. . - ISSN 1745. - ISSN 1745-2481. -

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
PHONON SCATTERING RATES
WEAK-LOCALIZATION
METAL-FILMS
Аннотация: It is now well established that many of the technologically important properties of two-dimensional (2D) materials, such as the extremely high carrier mobility in graphene(1) and the large direct band gaps in MoS2 monolayers(2), arise from quantum confinement. However, the influence of reduced dimensions on electron-phonon (e-ph) coupling and its attendant dephasing effects in such systems has remained unclear. Although phonon confinement(3-7) is expected to produce a suppression of e-ph interactions in 2D systems with rigid boundary conditions(6,7), experimental verification of this has remained elusive(8). Here, we show that the e-ph interaction is, indeed, modified by a phonon dimensionality crossover in layered Nb3SiTe6 atomic crystals. When the thickness of the Nb3SiTe6 crystals is reduced below a few unit cells, we observe an unexpected enhancement of the weak-antilocalization signature in magnetotransport. This finding strongly supports the theoretically predicted suppression of e-ph interactions caused by quantum confinement of phonons.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Tulane Univ, Dept Phys & Engn Phys, New Orleans, LA 70118 USA
Tulane Univ, Coordinated Instrument Facil, New Orleans, LA 70118 USA
Technol Inst Superhard & Novel Carbon Mat, Moscow 142190, Russia
Moscow Inst Phys & Technol, Moscow 141700, Russia
Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 119334, Russia
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Natl Univ Sci & Technol MISiS, Moscow 119049, Russia
Louisiana State Univ, Dept Phys & Astron, Baton Rouge, LA 70803 USA
Univ New Orleans, Adv Mat Res Inst, New Orleans, LA 70148 USA
Univ New Orleans, Dept Phys, New Orleans, LA 70148 USA
Rice Univ, Dept Phys & Astron, Houston, TX 77005 USA

Доп.точки доступа:
Hu, J.; Liu, X.; Yue, C. L.; Liu, J. Y.; Zhu, H. W.; He, J. B.; Wei, J.; Mao, Z. Q.; Antipina, L. Yu.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Sorokin, P.B.; Liu, T.J.; Adams, P.W.; Radmanesh, S. M. A.; Spinu, L.; Ji, H.; Natelson, D.; US National Science Foundation [DMR-1205469]; NSF EPSCoR Cooperative Agreement [EPS-1003897]; Louisiana Board of Regents; US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences [DE-FG02-07ER46420]; Russian Science Foundation [14-12-01217]; Russian Federation [MK-6218.2015.2, 14.Z56.15.6218-MK]; Leading Science School program [NSh-2886.2014.2]; US Department of Energy, Office of Science, Basic Energy Sciences award [DE-FG02-06ER46337]; US National Science Foundation under the NSF EPSCoR Cooperative Agreement [EPS-1003897]
}
Найти похожие

12.

    Chepkasov, I. V.
    Analysis of thermal effects on copper nanoparticles synthesized from the gas phase / I. V. Chepkasov, Z. I. Popov // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2015. - Vol. 81. - Ст. 012033, DOI 10.1088/1757-899X/81/1/012033. - Cited References:14
Рубрики:
DEVICES
   FILMS
Аннотация: Molecular dynamics method using the tight-binding potential to carry out simulation of ultrafast heating of the synthesized particles from the gas phase to a temperature T= 600K and T= 900K, at which the particles were kept about 10 ns. As a result of the simulation revealed that the method of ultrafast heating the particles to high temperatures virtually eliminates the possibility of a clusters of defective education, but as a result of the heat treatment, the some of investigated particles can disconnect (burst) into smaller clusters.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; International Scientific Conference on Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (Nov 03-08, 2014 ; Tomsk, Russia); International scientific conference on radiation-thermal effects and processes in inorganic materials(2015)
}
Найти похожие

13.

Теоретическое исследование нитридов железа γ'-Fe4N и ε-FexN при давлениях до 500 ГПа / З. И. Попов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2015. - Т. 101, Вып. 5-6. - С. 405-409, DOI 10.7868/S0370274X15060028. - Библиогр.: 27. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект #14-17-00601), грантов Президента РФ для молодых ученых MD- 500.2013.5, НШ-2886.2014.2, в рамках программы Министерства образования и науки Российской Федерации (ф 14.В25.31.0032), проекта 2.16 президиума РАН . - ISSN 0370-274X
Аннотация: При помощи ab initio расчетов определены параметры уравнений состояний стехиометрических и нестехиометрических фаз нитридов железа γ'-Fe4N, ε-Fe3N0.75, ε-Fe3N, ε-Fe3N1.25, ε-Fe3N1.5 в интервале давлений до 500 ГПа. Найдены точки резкого падения и исчезновения магнитного момента на атомах железа. Показано, что некоторые изменения магнитного момента сопровождаются изменением объема элементарной ячейки исследованных нитридов. Рассчитанные параметры уравнений состояния демонстрируют, что с увеличением содержания азота сжимаемость как магнитных, так и немагнитных нитридов железа закономерно уменьшается.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of γ′-Fe4N and ɛ-FexN iron nitrides at pressures up to 500 GPa [Текст] / Z. I. Popov [et al.] // JETP Letters. - 2015. - Vol. 101 Is. 6.- P.371-375

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Литасов, Константин Дмитриевич; Гаврюшкин, Павел Николаевич; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.
}
Найти похожие

14.

    Квантово-химическое исследование атомной и электронной структуры интерфейсов LSMO с углеродными нанотрубками различной хиральности / Е. А. Ковалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 729-734. - Библиогр.: 31. - Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант No 16.1500.2014/K). Авторы выражают благодарность Институту вычислительного моделирования СО РАН, г. Красноярск; Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН, г. Москва; Центру коллективного пользования СФУ, г. Красноярск; а также Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН, г. Новосибирск, за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Atomic and electronic structure of CNT/LSMO-based nanocomposites: a DFT study
Кл.слова (ненормированные):
углеродные нанотрубки -- спиновая поляризация -- спинтроника -- LSMO -- GGA+U -- carbon nanotubes -- spin polarization -- spintronics
Аннотация: Замещенные манганиты лантана с общей формулой La1-xSrxMnO3 (LSMO) являются перспективными материалами спинтроники и спинкалоритроники, что обусловлено практически стопроцентной спиновой поляризацией данных материалов. На основе интерфейсов LSMO-графен были созданы высокоэффективные органические светодиоды (ОLED) и спиновые клапаны. Многостенные углеродные нанотрубки, соединяющие электроды на основе La0,7Sr0,3MnO3, являющегося полуметаллом, демонстрируют высокое магнитное сопротивление, большое время жизни ориентированного спина, высокую скорость Ферми. Полученные экспериментальные результаты подтверждаются также данными квантово-химических расчетов. Тем не менее интерфейсы замещенных манганитов лантана с углеродными нанотрубками в настоящее время изучены недостаточно. В ходе квантово-химического исследования взаимодействия углеродных нанотрубок различной хиральности с поверхностью замещенного манганита лантана La0,67Sr0,33MnO3 при помощи теории функционала плотности в обобщенно-градиентном приближении с использованием поправки Хаббарда и коррекции вандерваальсова взаимодействия рассмотрены различные варианты расположения нанотрубок относительно атомов пластины. Рассмотрены нанотрубки как конфигурации «зигзаг» (хиральности (9,0)), так и конфигурации «кресло» (хиральности (5,5)). Построены парциальные плотности состояний атомов нанотрубок, исследовано влияние подложки на электронную структуру нанотрубок, а также возможность применения исследуемых нанокомпозитов в устройствах спинтроники. Показано, что при взаимодействии углеродных нанотрубок с поверхностью LSMO (001) вследствие несовпадения структурных параметров наблюдается деформация нанотрубок по сравнению с исходной структурой. Нанотрубка хиральности (9,0) после взаимодействия с пластиной оказывается сжатой примерно на 9 %, в то время как нанотрубка хиральности (5,5) растягивается примерно на 5 %. Установлено, что указанная деформация приводит к значительному изменению электронной структуры нанотрубок и смещению уровня Ферми. Однако несмотря на то, что композиты в целом оказываются практически полностью спин-поляризованными, данный эффект обусловлен присутствием LSMO в составе системы, в то время как различия в заселенности разных спиновых подсистем для нанотрубок практически отсутствуют.
Complex half-metallic manganites La1-xSrxMnO3 (LSMO) are promising materials for spintronic and spicaloritronic applications due to 100 % of spin polarization. Using spin-polarized currents through LSMO-graphene interfaces a number of LSMO-based high-efficiency organic LED and spin-valve nanodevices have been developed. Large magnetoresistance effects bonded with large output signals were detected in a nanodevice. The device of multiwall carbon nanotube that spans a gap between spin-polarized half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 electrodes demonstrated long spin lifetime and high Fermi velocity in the nanotube, the high spin polarization of the manganite electrodes and the resistance of the interfacial barrier for spin injection. The experimental results were supported by density functional theory calculations. Interfaces of La0,67Sr0,33MnO3 with armchair and zigzag carbon nanotubes (CNT) were studied by means of quantum chemistry within density functional theory. All calculations were performed using generalized gradient approximation with Hubbard correction (GGA+U) and Grimme correction of dispersion interaction. Different configurations of composite compartments mutual arrangement were considered. The analysis of partial densities of states (PDOS) reveals the influence of substrate on nanotube’s electronic structure. The possibility of nanotubes’ spin polarization and utilization of such nanocomposites in spintronics is also discussed. It was found that interaction between carbon nanotubes and LSMO slab lead to major deformation of the tube due to the difference in structural parameters of composite compartments. Zigzag (9,0) nanotube is contracted by 9% while armchair (5,5) nanotube is stretched by 5 %. Although this deformation results in significant change in nanotube’s electronic structure, there is no visible difference between spin-up and spin-down PDOSes of the tubes. Composites are then almost totally spin-polarized due to the presence of LSMO.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ковалева, Евгения Андреевна; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Михалев, Юрий Глебович; Mikhalev, Yu. G.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович
}
Найти похожие

15.

    Теоретическое исследование влияния допирования поверхности Si (100) на сорбцию и диффузию лития / А. А. Кузубов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 3. - С. 743-749. - Библиогр.: 56. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научных проектов No 14-02-31071, 14-02-31309. Авторы выражают благодарность информационно-вычислительному центру (ИВЦ) Новосибирского государственного университета (Новосибирск), Институту компьютерного моделирования СО РАН (Красноярск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), компьютерному центру СФУ, а также НИВЦ МГУ «Лаборатории параллельных информационных технологий» (система СКИФ МГУ «Ломоносов») за предоставление возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены все расчеты. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of Si (100) doping influence on lithium sorption and diffusion
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- литий -- кремний -- кремний -- допирование -- метод функционала плотности (DFT) -- diffusion -- lithium -- silicon -- doping -- DFT
Аннотация: В настоящее время перспективным анодным материалом нового поколения считается кремний, поскольку он имеет самую высокую теоретическую удельную емкость (4200 мАч/г). Однако одной из проблем, препятствующих широкому использованию данного материала, является медленная диффузия лития с поверхности кремния в объем, которая может быть решена с помощью модификации поверхности кремния. Проведено моделирование поверхностных процессов сорбции и диффузии лития в допированной поверхности Si (100) с помощью метода функционала плотности. В ходе исследования допирования Si (100) одиночными атомами B, Ga, Ge выявлено, что для всех выбранных нами допантов наиболее выгодны положения замещения кремния, а не адсорбции. Энергия связи допанта с пластиной кремния ослабевает в ряду от германия к галлию. Найдено, что атом бора замещает атом третьего слоя кремния, а германий и галлий занимают положение в первом слое. Тенденция первоначальной сорбции атомов лития в канале между димерами по сравнению с чистым материалом сохраняется и при допировании одиночными атомами B, Ga, Ge. Наблюдается значительное снижение (в случае бора) и увеличение (для галия и германия) энергетических барьеров перехода атома лития по поверхности кремниевой пластины. Величины энергетических барьеров перехода L-U с поверхности в приповерхностные слои при допировании возрастают на 0,05 эВ, что свидетельствует о замедлении данной стадии. В результате работы было обнаружено, что допирование бором, галлием и германием (концентрация составляет 0,3 атомных %) поверхности Si (100) не оказывает значительного влияния на сорбционные и диффузионные параметры.
Currently, silicon is the most promising anode material for a new generation of lithium-ion batteries due to its very high theoretical specific capacity (4200 mAh/g). However, one of the problems hindering the wider use of this material is the slow diffusion of lithium from silicon surface into volume that can be solved by modifying silicon surface. The simulation of surface processes of sorption and diffusion of lithium in doped Si (100) was carried out by using the density functional method. In the study Si (100) doped with single atoms B, Ga, Ge, found that the silicon replacement compared to adsorption are more profitable for all dopants. The binding energy of dopant to silicon decreases from germanium to gallium. It was found that boron atom substitutes for the third layer of silicon, germanium and gallium occupy positions in the first layer. In comparison with the pure material the trend of initial lithium sorption in the channel between silicon dimmers retain for Si (100) doped with single atoms of B, Ga, Ge. Energy barriers of lithium transition on silicon surface substantially reduce (in the case of boron) and increase (in the case of gallium and germanium). The energy barrier of transition from surface to surface layers L-U during the doping increases by 0.05 eV, this shows a moderation of the stage. According to the study, Si (100) doping with boron, gallium and germanium (concentration of 0.3 atomic %) has not significant influence on sorption and diffusion parameters.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Краснов, Павел Олегович; Krasnov, P. O.; Николаева, К. М.; Nikolaeva, K. M.
}
Найти похожие

16.

Исследование структурных, оптических и магнитооптических свойств магнитных силицидов Fe3Si и Fe5Si3 / С. С. Аплеснин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XIX междунар. симп. - 2015. - Т. 1. - С. 142-143. - Библиогр.: 13 назв.
Аннотация: Методом многоугловой спектральной эллипсометрии экспериментально измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления плёнок Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 250–1000 нм. Показано, что энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) для объёмных Fe5Si3 и Fe3Si.

Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(19 ; 2015 ; март. ; 10-14 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

17.

Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe5Si3 и Fe3Si методом спектральной магнитоэллипсометрии / С. А. Лященко [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2015. - Т. 147, Вып. 5. - С. 1023–1031, DOI 10.7868/S004445101505016X. - Библиогр.: 31. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (Государственное задание № 16.663.2014К, Соглашение № 14.604.21.0002 (RFMEFI60414X0002) и Договор 02.G25.31.0043), в рамках программы поддержки ведущих научных школ (проект НШ-2886.2014.2) и РФФИ (гранты №№ 13-02-01265, 14-02-31309). . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Исследованы оптические, магнитооптические и магнитные свойства поликристаллической Fe5Si3/SiO2/Si(100) и эпитаксиальной Fe3Si/Si(111) пленок методом спектральной магнитоэллипсометрии. Методом многоугловой спектральной эллипсометрии измерена дисперсия комплексного коэффициента преломления пленки Fe5Si3 в диапазоне 250-1000 нм. Определены дисперсии комплексных магнитооптических параметров Фохта Q для Fe5Si3 и Fe3Si в диапазоне 1.6-4.9 эВ. Спектральная зависимость магнитного кругового дихроизма для обоих силицидов выявила наличие серий резонансных пиков. Энергии обнаруженных пиков соответствуют межзонным переходам электронов для рассчитанных из первых принципов спин-поляризованных плотностей электронных состояний (DOS) объемных кристаллов Fe5Si3 и Fe3Si.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Analysis of optical and magnetooptical spectra of Fe5Si3 and Fe3Si magnetic silicides using spectral magnetoellipsometry [Текст] / S. A. Lyashchenko [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 120 Is. 5.- P.886-893

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Попов, Евгений Александрович; Popov E. A.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Шамирзаев, T. C.; Латышев, А. В.; Саранин, А. А.
}
Найти похожие

18.

Prediction and theoretical investigation of new 2D and 3D periodical structures, having graphene-like bandstructures / A. S. Fedorov [et al.] // Phys. Status Solidi B. - 2015. - Vol. 252, Is. 11. - P. 2407-2411, DOI 10.1002/pssb.201552226. - Cited References: 27. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of Russia (Russian-Japanese joined project, Agreement No. 14.613.21.0010, ID RFMEFI61314 x 0010). The authors are grateful to the Joint Supercomputer Center of Russian Academy of Sciences, Moscow and Siberian Supercomputer Center (SSCC) of SB RAS, Novosibirsk for the opportunity of using their computer clusters to perform the calculations . - ISSN 0370-1972

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
BRILLOUIN-ZONE INTEGRATIONS
   INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   DIRAC FERMIONS
   ELECTRON-GAS
   TRANSITION
   POINTS
Кл.слова (ненормированные):
DFT calculations -- Dirac cones -- Graphene -- Nanoparticles
Аннотация: A new family of planar nanostructures having graphene-like electronic band structure is theoretically investigated by density functional theory (DFT). Based on general perturbation theory and a tight-binding model, it was shown that graphene-like planar structures, consisting of identical nanoparticles with relatively weak contacts between them, should have an electronic band structure with Dirac cones. Two such structures, consisting of 71- or 114-silicon atom nanoparticles, were investigated by DFT using VASP software package. The band-structure calculations show the presence of Dirac cones with electron group velocity equal to 1.05 × 105 and 0.53 × 105 m/s, respectively. By generalizing the theory, a new family of 3D structures having intersecting areas with linear dispersion in the band structures was derived. As an example, the band structure of identical 25-atom silicon nanoclusters arranged in a simple cubic lattice was calculated. It was shown that the band structure has features similar to the Dirac cones.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, av. Svobodny 79, Krasnoyarsk, Russian Federation
National University of Science and Technology MISiS, av. Leninskiy 4, Moscow, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

19.

Structure, optical, and magnetooptical properties of magnetic silicide Fe3Si and Fe5Si3 / S. N. Varnakov, I. A. Yakovlev [и др.] // Int. Conf. on Adv. in Funct. Mater. . - 2015

Доп.точки доступа:
Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Conference on Advances in Functional Materials(1 ; 2015 ; June 29 - 3 July ; Stony Brook, USA)
}
Найти похожие

20.

Unbiased crystal structure prediction of NiSi under high pressure / P. N. Gavryushkin [et al.] // J. Appl. Crystallogr. - 2015. - Vol. 48, No. 3. - P. 906-908, DOI 10.1107/S1600576715005488. - Cited References:29. - We thank the Information Technology Centre of Novosibirsk State University for providing access to the cluster computational resources. The research was financially supported by the Russian Science Foundation (grant No. 14-17-00601) and performed under the program of the Ministry of Education and Science of Russia (project No. 14.B25.31.0032). The work of ZIP is supported by the Leading Science School program (No. NS-2886.2014.2). . - ISSN 0021. - ISSN 1600-5767. -

РУБ Crystallography
Рубрики:
AUGMENTED-WAVE METHOD
   PHASE-TRANSITIONS
   STABILITY
   EQUATIONS
   STATE
Кл.слова (ненормированные):
Earth's core -- pressure -- ab initio calculations -- FeSi -- NiSi -- CoSi -- MnSi -- isomorphism
Аннотация: On the basis of an unbiased structure prediction, it is shown that the stable form of NiSi under pressures of 100 and 200 GPa is the Pmmn structure. Furthermore, a new stable phase has been discovered: the deformed tetragonal CsCl-type structure with a = 2.174 Å and c = 2.69 Å at 400 GPa. Specifically, the sequence of high-pressure phase transitions is the following: the Pmmn structure below 213 GPa, the tetragonal CsCl type in the range 213–522 GPa, and cubic CsCl higher than 522 GPa. As the CsCl-type structure is considered as the model structure of the FeSi compound at the conditions of the Earth's core, this result implies restrictions on the Fe–Ni isomorphic miscibility in FeSi.

Смотреть статью,
Смотреть статью (Wiley Online Library),
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Russian Acad Sci, VS Sobolev Inst Geol & Mineral, Siberian Branch, Moscow 117901, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Univ Auckland, Dept Comp Sci, Auckland 1, New Zealand

Доп.точки доступа:
Gavryushkin, P. N.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Litasov, K. D.; Gavryushkin, A.
}
Найти похожие