Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Рауцкий, Михаил Владимирович$<.>)

Общее количество найденных документов : 143
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Chichkov V. I., Mukovskii Y. M.
Заглавие : Magnetization dynamics electron transport in hybrid structures La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]]/Y[[d]]3[[/d]]Fe[[d]]5[[/d]]O[[d]]12[[/d]]
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism: abstracts. - Vladivostok: FEFU, 2013. - С. 96. - ISBN 978-5-7444-3124-2
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гребенькова, Юлия Эрнестовна, Эдельман, Ирина Самсоновна, Соколов, Алексей Эдуардович, Еремин, Евгений Владимирович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Андреев Н. В., Чичков В. И., Муковский Я. М.
Заглавие : Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3
Место публикации : Изв. РАН. Сер. физич. - 2013. - Т. 77, № 10. - С. 1383–1386. - DOI 10.7868/S0367676513100153
Примечания : Работа поддержана грантами РФФИ № 11-02-00972 и 12-02-92607.
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Терещенко О. Е., Паулиш А. Г., Неклюдова М. А., Шамирзаев T. C., Ярошевич А. С., Просвирин И. П., Жаксылыкова И. Э., Дмитриев Д. В., Торопов А. И., Варнаков, Сергей Николаевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Волков, Никита Валентинович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Латышев А. В.
Заглавие : Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ.: Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2012. - Т. 38, Вып. 1. - С. 27-36. - ISSN 0320-0116
Примечания : Библиогр.: 13 назв. - Авторы выражают благодарность А.Г. Черкову за изготовление образцов для просвечивающей электронной микроскопии.Работа частично поддержана Российской академией наук (программа "спинтроника"), грантом РФФИ (10-02-91067-НЦНИ) и междисциплинарным интеграционным проектом СО РАН.
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs(001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Воротынов, Александр Михайлович, Абрамова, Галина Михайловна, Панкрац, Анатолий Иванович, Петраковский, Герман Антонович, Жарков, Сергей Михайлович, Зеер Г. М., Тугаринов, Василий Иванович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Соколов В. В.
Заглавие : Магнитный резонанс в структуре Cu-Cr-S
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 144, Вып. 5. - С. 1009-1015. - DOI 10.7868/S0044451013110126
Аннотация: Методами магнитного резонанса и растровой электронной микроскопии исследована слоистая структура состава Cu-Cr-S, состоящая из монокристаллических слоев CuCrS2 и внедренных в них тонких пластин фазы CuCr2S4. Определены температура Кюри и намагниченность насыщения шпинельной фазы исследуемых образцов. Сделана оценка толщины слоев фазы CuCr2S4. Установлена зависимость топологии выращиваемых кристаллов от условий синтеза. Предложена интерпретация аномального поведения интенсивности магнитостатических колебаний.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Гребенькова, Юлия Эрнестовна, Эдельман, Ирина Самсоновна, Соколов, Алексей Эдуардович, Еремин, Евгений Владимирович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Андреев Н. В., Чичков В. И., Муковский Я. М.
Заглавие : Магнитные и магнитооптические свойства поликристаллических пленок La[[d]]0.7[[/d]]Sr[[d]]0.3[[/d]]MnO[[d]]3[[/d]]
Коллективы : Российская академия наук, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, Институт физики твердого тела РАН, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Астраханский государственный университет , "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция (22; 2012 ; сент. ; 17-23; Астрахань)
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXII международной конференции. - Астрахань, 2012. - С. 516-518
Аннотация: Исследован магнитный круговой дихроизм (МКД) в сравнении с магнитным поведением поликристаллических пленок La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), осажденных на монокристаллический оксид циркония, стабилизированный иттрием (YSZ). Обнаружено, что полосы, наблюдаемые в спектрах МКД, характеризуются различными температурными зависимостями.
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Greben'kova Yu.E., Edelman I. S., Sokolov A. E., Eremin E. V., Rauckii M. V., Andreev N. V., Chichkov V. I., Mukovskii Ya.M.
Заглавие : Magnetic and magnetooptical properties of polycrystalline films of La 0.7Sr0.3MnO3
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2013. - Vol. 77, Is. 10. - P.1195-1197. - ISSN 1062-8738, DOI 10.3103/S1062873813100109
Аннотация: Magnetic circular dichroism (MCD) is studied in comparison with the magnetic behavior of polycrystalline films of La0.7Sr 0.3MnO3 (LSMO) deposited on a single crystal of zirconium oxide stabilized by yttrium (YSZ). It is found that the bands observed in MCD spectra are characterized by different temperature dependences. В© 2013 Allerton Press, Inc.
Scopus,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Eremin E. V., Patrin G. S., Kim P. D., Lee C. G.
Заглавие : Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P.125-128. - ISBN 978, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.125. - ISBN 9783037854365
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic tunnel structure--microwave detection effect--spintronics--current flowing--current-in-plane geometry--magnetic tunnels--magnetization dynamics--microwave detection--non-linearity--rectification effects--spin-polarized currents--voltage signals--magnetic materials--magnetoelectronics--manganese oxide--microwaves--magnetism
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a significant voltage signal due to the rectification effect. The measurements were carried out using current-in-plane geometry with a current flowing parallel to the interfaces in the structure. A value of the microwave-induced voltage strongly depends on a bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in "Classical" terms of nonlinearity of the current-voltage characteristic and using a mechanism that involves the interplay between the spinpolarized current and magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure. В© (2012) Trans Tech Publications.
Scopus
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vorotynov A. M., Abramova G. M., Pankrats A. I., Petrakovskii G. A., Zharkov S. M., Zeer G. M., Tugarinov V. I., Rautskii M. V., Sokolov V. V.
Заглавие : Magnetic resonance in a Cu-Cr-S structure
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 117, Is. 5. - P.879-884. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/S1063776113130189
Аннотация: A layered Cu-Cr-S structure composed of single-crystal CuCrS2 layers and thin CuCr2S4 plates embedded in them has been investigated by the magnetic resonance and scanning electron microscopy methods. The Curie temperature and saturation magnetization of the spinel phase of the investigated samples have been determined. The thickness of the CuCr 2S4 layers has been estimated. The dependence of the growncrystal topology on synthesis conditions has been established. An interpretation of the anomalous behavior of the magnetostatic oscillation intensity is offered.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S.
Заглавие : Magnetic tunnel structures: Transport properties controlled by bias, magnetic field, and microwave and optical radiation
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science BV, 2012. - Vol. 324, Is. 21. - P.3579-3583. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2012.02.095
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the RFBR, project no. 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, project no. 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, project no. 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos. 5, 22 and 134, and the Federal Program (State contract no. NK-556P_15).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): spintronics--magnetic tunnel junction--high-frequency rectification--photoelectric effect
Аннотация: Different phenomena that give rise to a spin-polarized current in some systems with magnetic tunnel junctions are considered. In a manganite-based magnetic tunnel structure in CIP geometry, the effect of current-channel switching was observed, which causes bias-driven magnetoresistance, rf rectification, and the photoelectric effect. The second system under study, ferromagnetic/insulator/semiconductor, exhibits the features of the transport properties in CIP geometry that are also related to the current-channel switching effect. The described properties can be controlled by a bias, a magnetic field, and optical radiation. At last, the third system under consideration is a cooperative assembly of magnetic tunnel junctions. This system exhibits tunnel magnetoresistance and the magnetic-field-driven microwave detection effect. (C) 2012 Elsevier BY. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskiy M. V., Eremin E. V., Patrin G. S., Kim P. D., Lee C. G.
Заглавие : Response of a manganite-based magnetic tunnel structure to microwave radiation
Место публикации : J. Phys. D. - 2012. - Vol. 45, Is. 25. - Ст.255301. - ISSN 0022-3727, DOI 10.1088/0022-3727/45/25/255301
Примечания : Cited References: 20. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no 11-02-00367-a; the Presidium of the Russian Academy of Sciences, program Fundamentals for Basic Research of Nanotechnology and Nanomaterials, project no 21.1; the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, program Spin-Dependent Effects in Solids and Spintronics, project no 2.4.4.1; the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, integration projects nos 5 and 134; and the Federal target program Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (State contract no NK-556P_15).
Предметные рубрики: IDENTICAL METALS
JUNCTIONS
RECTIFICATION
SPINTRONICS
MECHANISM
Аннотация: We demonstrate that a magnetic tunnel structure irradiated by microwaves can generate a typical voltage signal due to the rectification effect. We performed measurements in current-in-plane geometry when a current flows parallel to the interfaces in the structure. The value of the microwave-induced voltage strongly depends on the bias current and can be driven by a magnetic field. The rectification effect is discussed both in classical terms of nonlinearity of the current-voltage characteristics and within the mechanism involving the interplay between the spin-polarized current and the magnetization dynamics in the magnetic tunnel structure.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tereshchenko O. E., Paulish A. G., Neklyudova M. A., Shamirzaev T. S., Yaroshevich A. S., Prosvirin I. P., Zhaksylykova I. E., Dmitriev D. V., Toropov A. I., Varnakov S. N., Rautskii M. V., Volkov N. V., Ovchinnikov S. G., Latyshev A. V.
Заглавие : Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 38, Is. 1. - P.12-16. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785012010154
Примечания : Cited References: 13. - This study was supported in part by the Russian Academy of Sciences (Program "Spintronics"), Russian Foundation for Basic Research (project no. 10-02-91067-NTsNI), and Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Interdisciplinary Integration Project).
Предметные рубрики: Pd
Аннотация: Conditions necessary for the formation of a Fe/GaAs interface have been established and the electrical, magnetic, and optical properties of Pd/Fe/GaAs heterostructures with InGaAs quantum wells have been studied. The possibility of obtaining an epitaxial layer of Fe on GaAs(001) surface at room temperature is demonstrated. The magnetization curve of Fe layer exhibits hysteresis with an easy axis in plane of the sample. Iron exhibits surface segregation by diffusion through a 4-nm-thick Pd layer. The properties of obtained Pd/Fe/GaAs/InGaAs structures show evidence for their possible use in optical detectors of free-electron spin.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Chichkov V. I., Mukovskii Y. M.
Заглавие : Magnetization dynamics and electron transport in the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism
Место публикации : Solid State Phenom.: Selected, peer reviewed papers/ ed.: S. G. Ovchinnikov, A. Samardak: Trans Tech Publications, 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P.368-371. - ISSN 978-303835054-5, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.368. - ISSN 1662-9779
Примечания : Cited References: 6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structure--manganite--spin pumping
Аннотация: We present the results of investigations of the spin-polarized current and spin dynamics in the hybrid structures ferrimagnetic insulator/ferromagnetic metal subjected to microwave radiation. We studied the La0.7Sr0.3MnO3/Y3Fe5O12 bilayer films on the Gd3Ga5O12 substrate. It was experimentally established that under the action of spin pumping the resistance of the La0.7Sr0.3MnO3 film changes. The value of ?R is maximum in the sample with a La0.7Sr0.3MnO3 layer thickness of 10 nm and sharply drops as the manganite film thickness is increased. The resistance decreases in the paramagnetic region and grows in the ferromagnetic region at temperatures below the metal-insulator transition point. The variation in the resistance of the manganite film can be attributed to the correlation of the spin dynamics and transport properties of conduction electrons in the structure. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Dorofeev N. V., Rautckii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetoresistance of the Mn/SiO2/p-Si Hybrid Structure
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.IX.24.02p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Материалы конференции
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Giant magnetotransport effects driven by bias and optical irradiation in silicon-based hybrid structures
Коллективы : "Spin physics, spin chemistry, and spin technology", Internnational conference, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского Казанского научного центра РАН, "Инно-мир, центр межрегионального инновационного развития
Место публикации : Int. conf. "Spin physics, spin chem., and spin technol.". - 2015. - P.36
Примечания : Библиогр.: 4 назв.
Материалы конференции
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : The optically induced and bias-voltage-driven magnetoresistive effect in a silicon-based device
Место публикации : J. Surf. Invest.: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2015. - Vol. 9, Is. 5. - P.984-994. - ISSN 1027-4510, DOI 10.1134/S1027451015050432
Примечания : Cited References: 32. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project nos. 14-02-00234-a and 14-02-31156; the Russian Ministry of Education and Science, state task no. 16.663.2014K; and the Russian Ministry of Education and Science, project no. 02.G25.31.0043.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetoresistance--magnetotransport properties--photoconductivity--bias voltage
Аннотация: The giant change in photoconductivity of a device based on the Fe/SiO2/p-Si structure in magnetic field is reported. As the magnetic field increases to 1 T, the conductivity changes by a factor of more than 25. The optically induced magnetoresistance effect is strongly dependent of the applied magnetic field polarity, as well as of sign and value of a bias voltage across the device. The main mechanism of the magnetic field effect is related to the Lorentz force, which deflects the trajectories of photogenerated carriers, thereby changing their recombination rate. The structural asymmetry of the device leads to the asymmetry of the dependence of recombination on the magnetic field polarity: recombination of carriers deflected in the bulk of semiconductor is relatively slow, while recombination of carriers at the SiO2/p-Si interface is faster. In the latter case, the interface states serve as effective recombination centers. The bias voltage sign specifies the type of carriers, whose trajectories pass near the interface, providing the main contribution to the magnetoresistance effect. The bias voltage controls the electric field accelerating carriers and, thus, affects the hole and electron trajectories. Moreover, when the bias voltage exceeds a certain threshold value, the electron impact ionization regime is implemented. The magnetic field suppresses impact ionization by enhancing recombination, which makes the largest contribution to the magnetoresistance of the device. The investigated device can be used as a prototype of silicon chips controlled simultaneously by optical radiation, magnetic field, and bias voltage. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасова Е. Г.
Заглавие : Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - ISBN 1990-7702
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К.").
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид индия--тонкие пленки--автоволновое окисление--indium oxide--thin films--autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.
Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Nemtsev I. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Growth of α-FeSi2 nanocrystals on si(100) with Au catalyst
Место публикации : Mater. Lett.: Elsevier, 2016. - Vol. 168. - P.90-94. - ISSN 0167577X (ISSN), DOI 10.1016/j.matlet.2016.01.033
Примечания : Cited References: 25. - The work was supported by the Program of the President of the Russian Federation for the support of leading scientific schools (Scientific School 2886.2014.2), The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) (Grants no. 13-02-01265), State Contract no. 02.G25.31.0043 and State Task no. 16.663.2014К).
Предметные рубрики: EPITAXIAL-GROWTH
LOW-TEMPERATURE
FeSi2
NANOWIRES
Si(111)
FILMS
Si
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): nanomaterials--molecular beam epitaxy--α-fesi2--electrode
Аннотация: Self-organized α-FeSi2 nanocrystals on (100) silicon substrate were synthesized by molecular beam epitaxy with Au catalyst. The microstructure and basic orientation relationship between the silicide nanocrystals and silicon substrate were analyzed in detail. α-FeSi2 nanocrystals appeared to be inclined trapezoid and rectangular nanoplates, polyhedral nanobars and pyramid-like ones, aligned along 011 directions on (100) silicon substrate with the length up to 1.5 μm, width ranging between 80 and 500 nm and thickness from 30 to 170 nm. As has been proposed metallic iron silicide may be used for manufacturing electric contacts on silicon. A current-voltage characteristic of the structure was measured at room temperature and showed good linearity.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic resonance characterization of the single-crystal epitaxial Fe3Si film on the Si(111) substrate
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : Third Asian school-conf. on physics and technol. of nanostructured mater. (ASCO-NANOMAT 2015): proceedings. - Vladivostok: Dalnauka, 2015. - Ст.III.24.04p. - ISBN 978-5-8044-1556-4
Примечания : Библиогр.: 3. - The work was supported in part by the Grant of the President of the Pussian Federation and the Pussian Foundation for Basic Research, projects nos. 14-02-31156 and 14-02-00234
Материалы конференции
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Kobyakov A. V., Turpanov I. A., Patrin K. G., Rautskii M. V.
Заглавие : Magnetoresonance properties of three-layer Co/Ge/Co films
Коллективы : Russian Federation for Basic Research [14-02-00238-a]
Место публикации : Phys. Solid State: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2016. - Vol. 58, Is. 5. - P.1034-1040. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/S1063783416050206. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Cited References:20. - This study was performed in the framework of the State Task of the Ministry of Education and Science of the Russian Federation to the Siberian Federal University (task no. 3.2534.2014/K) and was supported by the Russian Federation for Basic Research (project no. 14-02-00238-a).
Предметные рубрики: Magnetic-properties
Multilayers
Spacer
Layers
Аннотация: Three-layer Co/Ge/Co films have been studied using electron magnetic resonance. It has been established that the resonance spectrum of the film is a superposition of two Lorentzian lines. It has been found that the anisotropy induced at the cobaltaEuro'germanium interface makes the main contribution to the resonance spectrum and determines its features. The temperature dependences of the anisotropy field and the parameters of the interlayer exchange have been measured. The interlayer interactions exhibit an antiferromagnetic character and have been explained in terms of a model similar to the description of superexchange in magnetic dielectrics.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие