Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Тамбасов, Игорь Анатольевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 99
Показаны документы с 1 по 20

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Магнитные и структурные свойства композитных In[[d]]2[[/d]]O3 – Fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]] пленок / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - С. 14 . - ISBN 978-5-85827-756-9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V.G.; Tambasov I.A.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(5 ; 2012 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(5 ; 2012 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2012 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk)Восточно-сибирская государственная академия образования; Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Магнитные и структурные свойства композитных In2O3 – Fe3O4 / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков // Магнитные материалы. Новые технологии" : тезисы докладов : тез. докл. V Байкал. междунар. конф. BICMM-2012 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov. - Иркутск, 2012. - Ст. O-8. - С. 13 . - ISBN 978-5-85827-756-9

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(5 ; 2012 ; 21-25 сент. ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(5 ; 2012 ; сент. ; 21-25 ; п. Листвянка, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(5 ; 2012 ; Sept. 21-25 ; Listvyanka, Irkutsk)Восточно-сибирская государственная академия образования; Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov I.A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V.G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev I.V.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova L.E.; Бондаренко, Галина Николаевна; Bondarenko, G. N.; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.; Балашов, С. В.; Карпенко, Д. С.
}
Найти похожие

Проводимость тонких In2O3 пленок при воздействии ультрафиолетового излучения и низких температурах / И. А. Тамбасов, Д. С. Саврвнский // Школа-конференция молодых ученых "Неорганические соединения и функциональные материалы" (ICFM-2013) : [программа и сборник тезисов докладов]. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2013. - С. 85

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Савранский, Д. С.; Неорганические соединения и функциональные материалы, школа-конференция молодых ученых, посвященная памяти профессора С. В. Земскова(2013)
}
Найти похожие

Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors. - 2013. - Vol. 47, Is. 4. - P. 569-573DOI 10.1134/S1063782613040210
Аннотация: Cubic-phase In2O3 films are produced by the autowave oxidation reaction. Electron microscopy and photoelectron spectroscopy of the atomic profiles show that the samples are homogeneous over the entire area and throughout the thickness, with the typical grain size being 20–40 nm. The optical and electrical properties are studied for In2O3 films fabricated at different pressures in the vacuum chamber. In the wave-length range from 400 to 1100 nm, the transparency of the films was higher than 85%; the resistivity of the films was 1.8 × 10–2Ω cm.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirenskii Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660049, Russia
Joint Stock Co Academician MF Reshetnev Informat, Zheleznogorsk 662972, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Mihlin, J. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Maksimov, I. A.; Максимов И. А.; Ivanov, V. V.; Иванов В. В.; Balashov, S. V.; Балашов С. В.; Karpenko, D. S.; Карпенко Д. С.
}
Найти похожие

    Magnetic and structural properties of nanocomposite fe[[d]]3[[/d]]O[[d]]4[[/d]]-ZnO films prepared by solid-state synhesis [Текст] / V. G. Myagkov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism. [[b]]EASTMAG – 2013[[/b]] : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P134 . - ISBN 978-5-7444-3124-2
   Перевод заглавия: Магнитные и структурные свойства пленочных Fe3O4-ZnO нанокомпозитов полученных твердофазным синтезом

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко Геннадий Васильевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Тамбасов, Игорь Анатольевич.
Влияние ультрафиолетового облучения и температуры на проводимость тонких I2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко // XI Рос. конф. по физ. полупроводников : Тезисы докладов. - СПб. : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2013. - Ст. Вт-2.8с (Rep_0061). - С. 161 . - ISBN 978-5-93634-033-3
Кл.слова (ненормированные):
Поверхность -- Пленки -- Слои

Смотреть тезисы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Tambasov, I. A.; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

Synthesis of ferromagnetic germanides in 40Ge/60Mn films: Magnetic and structural properties / V. G. Myagkov [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 167-172, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.167. - Cited References: 28 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Diluted semiconductors -- Manganese germanides -- Solid-state reactions -- Spinodal decomposition
Аннотация: Solid-state reactions between Ge and Mn films are systematically examined using X-ray diffraction, photoelectron spectroscopy and magnetic measurements. The films have a nominal atomic ratio Ge:Mn = 40:60 and are investigated at temperatures from 50 to 500 °C. It is established that after annealing at ~120 °C, the ferromagnetic Mn5Ge phase is the first phase to form at the 40Ge/60Mn interface. Increasing the annealing temperature to 500 °C leads to the formation of the ferromagnetic phase with a Curie temperature TC ~ 360 K and magnetization MS ~ 140-200 emu/cc at room temperature. Analysis of X-ray diffraction patterns and the photoelectron spectra suggests that the increased Curie temperature and magnetization are related to the migration of C and O atoms into the Mn5Ge3 lattice and the formation of the Nowotny phase Mn5GeXCxOy. The initiation temperature (~120 °C) of the Mn5Ge3 phase is the same both for solid-state reactions in Ge/Mn films, as well as for phase separation in GexMn1-x diluted semiconductors. We conclude that the synthesis of the Mn5Ge3 phase is the moving force for the spinodal decomposition of the GexMn1-x diluted semiconductors. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Matsunin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

10.

   В37

    Тамбасов, Игорь Анатольевич.
    Тонкие In2O3,Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства : автореф. дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Тамбасов ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 22 с. - Библиогр. -

29.19.16

Смотреть автореферат
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАНИнститут химии и химической технологии Сибирского отделения РАН
Свободных экз. нет}
Найти похожие

11.

Описание изобретения к патенту 2535648 Российская Федерация

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца / А. А. Иваненко, Н. П. Шестаков, И. А. Тамбасов ; патентообладатель ФГБУН Институт физики им. Л.В. Киренского. - № 2013136480 ; Заявл. 02.08.2013 ; Опубл. 20.12.2014 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2014. - № 35

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Шестаков, Николай Петрович; Shestakov, N. P.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

12.

Magnetic and structural properties of nanocomposite ZnO-Fe3O4 films prepared by solid-state synthesis / L. E. Bykova [et al.] // Solid State Phenom. : Selected, peer reviewed papers. - 2014. - Vol. 215: Trends in Magnetism: Nanomagnetism (EASTMAG-2013). - P. 158-162, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.215.158. - Cited References: 18 . - ISSN 978-30383. - ISSN 1662-9779
Кл.слова (ненормированные):
Ferromagnetic nanocomposite films -- Magnetite -- Solid-state synthesis -- Zinc oxide
Аннотация: A simple method for obtaining ZnO-FeO3O4 nanocomposites using solid-state reaction Zn + 3Fe2O3 > ZnO + 2FeO3O4 is suggested. An analysis of the characteristics and properties of ZnOFeO3O4 nanocomposites was carried out by a combination of structural and physical methods (X-ray diffraction, scanning electron microscopy, photoelectron spectroscopy, Mossbauer measurements, X-ray fluorescent analysis, and magnetic measurements). The magnetization of the hybrid ZnOFeO3O4 films is equal to 440 emu/cm3. The resulting FeO3O4 nanoparticles are surrounded by a ZnO shell and have sizes ranging between 20 and 40 nm. © (2014) Trans Tech Publications, Switzerland.

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \ed.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Samardak, A. \ed.\; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

13.

Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors. - 2014. - Vol. 48, Is. 2. - P. 207-211, DOI 10.1134/S1063782614020286. - Cited References: 42. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Federal Targeted Program "Research and Development in Priority Fields of Development of the Science and Technology Complex of Russia for 2007-2013", state contract no. 14.513.11.0023. . - ISSN 1063-7826. - ISSN 1090-6479

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
GAS SENSOR RESPONSE
   INDIUM OXIDE-FILMS
   THIN-FILMS
   HIGH-PERFORMANCE
   TIN OXIDE
   TRANSPARENT CONDUCTORS
   SUBSTRATE-TEMPERATURE
   ROOM-TEMPERATURE
   TRANSISTORS
   PHOTOREDUCTION
Аннотация: Indium-oxide films are synthesized by the autowave-oxidation reaction. It is shown that, upon exposure to optical radiation, the resistance of the films sharply decreases and the maximal relative change in the resistance is 52% at room temperature. Two resistance relaxation rates after termination of the irradiation, 15 Omega s(-1) during the first 30 s and 7 Omega s(-1) over the remaining time, are determined. The data of infrared spectroscopy of the films show that exposure to optical radiation induces a 2.4% decrease in the transmittance at a wavelength of 6.3 mu m. It is found that, after termination of the irradiation, the transmittance gradually increases with a rate of 0.006% s(-1). It is suggested that photoreduction is the dominant mechanism responsible for changes in the electrical and optical properties of the In2O3 films.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением [Текст] / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 48 Вып. 2. - С. 220-224

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660037, Russia
Joint Stock Co Academician MF Reshetnev Informat, Zheleznogorsk 662972, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Yozhikova, E. V.; Maksimov, I. A.; Ivanov, V. V.; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0023]
}
Найти похожие

14.

Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, Вып. 2. - С. 220-224. - Библиогр.: 42 назв. - Работа выполнена при поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технического комплекса России на 2007-2013 годы" (госконтракт № 14.513.11.0023). . - ISSN 0015-3222
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15Ом/с первые 30 с и 7Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In2O3-пленок.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation [Текст] / I. A. Tambasov [et al.] // Semiconductors : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 48 Is. 2.- P.207-211

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov I. A.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov V. G.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko A. A.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Ежикова, Е. В.; Максимов, И. А.; Иванов, В. В.
}
Найти похожие

15.

Solid state synthesis and characterization of ferromagnetic nanocomposite Fe-In2O3 thin films / V. G. Myagkov [et al.] // J. Alloys Compd. - 2014. - Vol. 612. - P. 189-194, DOI 10.1016/j.jallcom.2014.05.176. - Cited References: 56 . - ISSN 0925-8388. - ISSN 1873-4669

РУБ Chemistry, Physical + Materials Science, Multidisciplinary + Metallurgy & Metallurgical Engineering
Рубрики:
HIGH-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
   PHASE-FORMATION
   In2O
   OXIDE
   NANOPARTICLES
   CO
   SEMICONDUCTORS
   NANOCRYSTALS
   COMBUSTION
   SYSTEMS
Кл.слова (ненормированные):
Thermite reactions -- Reactive films -- Ferromagnetic nanocomposite films -- Transparent conducting oxides
Аннотация: We have successfully synthesized ferromagnetic Fe-In2O 3 nanocomposite thin films for the first time using the thermite reaction Fe2O3 + In = In2O3 + Fe. The initial In/Fe2O3 bilayers were obtained by the deposition of In layers on α-Fe2O3 films. The reaction occurs in a self-propagating mode in a homogeneous thermal film plane field at heating rates above 20 K/s and at temperatures above initiation temperature T[[d]]in[[/d]] ~ 180 °C. At heating rates lower than 20 K/s the mixing of the In and Fe2O3 layers occurs across the whole In/Fe2O3 interface and the synthesis of the ferromagnetic α-Fe phase starts above the initiation temperature T[[d]]in[[/d]] = 180 °C. X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, Mossbauer spectroscopy, transmission electron microscopy and magnetic measurements were used for phase identification and microstructure observation of the synthesized Fe-In2O3 samples. The reaction products contain (1 1 0) textured α-Fe nanocrystals with a diameter around 100 nm and surrounded by an In2O3 matrix. These results enable new efficient low-temperature methods for synthesizing ferromagnetic nanocomposite films containing ferromagnetic nanoclusters embedded in transparent conducting oxides. © 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Chem & Chem Technol, Krasnoyarsk 660049, Russia

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Mikhlin, Yu. L.; Volochaev, M. N.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна
}
Найти похожие

16.

Reversible UV induced metal-semiconductor transition in In2O3 thin films prepared by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Semicond. Sci. Technol. - 2014. - Vol. 29, Is. 8. - Ст. 82001, DOI 10.1088/0268-1242/29/8/082001. - Cited References: 56. - This work was supported by the Federal Target Program through Contract No 14.513.11.0023; the Russian Foundation for Basic Research, Project No. 14-02-31156. . - ISSN 0268-1242. - ISSN 1361-6641

РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
TRANSPARENT CONDUCTING OXIDES
   Ga-DOPED ZnO
   LOW-TEMPERATURE
   HIGH-PERFORMANCE
   SUBSTRATE-TEMPERATURE
   INSULATOR-TRANSITION
   ROOM-TEMPERATURE
   TRANSISTORS
   COMBUSTION
   PHOTOREDUCTION
Кл.слова (ненормированные):
indium oxide thin films -- autowave oxidation -- metal-semiconductor transition -- UV irradiation -- photoreduction
Аннотация: We have prepared thin indium oxide films by the autowave oxidation reaction. Measurements of temperature dependence of resistivity, Hall carrier concentration and Hall mobility have been conducted in the temperature range 5-272 K. Before ultraviolet (UV) irradiation, the indium oxide film had a semiconductor-like temperature dependence of resistivity. and the ratio of rho (5 K)/rho(272 K) was very limited (similar to 1.2). It was found that after UV irradiation of the In2O3 film, the metal-semiconductor transition (MST) was observed at similar to 100 K. To show that this MST is reversible and repeatable, two full cycles of 'absence of MST-presence of MST' have been done using UV irradiation (photoreduction) as the induced mechanism and exposure to an oxygen environment as the reversible mechanism, respectively. MST in transparent conducting oxide (TCO) is possibly associated with the undoped structure of metal oxide, which has some disorder of oxygen vacancies. It was suggested that reversible UV induced metal-semiconductor transition would occur in other TCOs.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Ivanenko, A. A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Yozhikova, E. V.; Federal Target Program [14.513.11.0023]; Russian Foundation for Basic Research [14-02-31156]
}
Найти похожие

17.

   В37
   Г 62

    Тамбасов, Игорь Анатольевич.
    Тонкие In2O3,Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. А. Тамбасов ; науч. рук. В. Г. Мягков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, вед. орг.: Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2014. - 116 с. - Библиогр. -

ГРНТИ

29.19.16

ББК В371.26я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Мягков, Виктор Григорьевич \науч. рук.\; Myagkov, V. G.; Tambasov, I. A.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

18.

High rotatable magnetic anisotropy in epitaxial L10CoPt(111) thin films / V. G. Myagkov [et al.] // JETP Letters. - 2015. - Vol. 102, Is. 6. - P. 355-360, DOI 10.1134/S0021364015180101. - Cited References: 51. - A We are grateful to L.A. Solov'ev for the help in X-ray studies of the epitaxial orientation of phases in L10CoPt(111) samples. This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 15-02-00948), in part by the Council the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. SP-317.2015.1), and by the Foundation for the Assistance of the Development of Small Innovative Scientific and Engineering Enterprises (UMNIK). . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
Co-Pt ALLOYS
   ROOM-TEMPERATURE
   COERCIVITY
   ORIGIN
   ORDER
   STATE
Аннотация: The evolution of the structural and magnetic properties in epitaxial film systems Co/Pt(111) of equiatomic composition during vacuum annealing has been presented. Annealing to the temperature of 400°C does not lead to the variation of the structural and magnetic properties of the films, which indicates the absence of considerable mixing of the Co/Pt interface. With the increase in the annealing temperature from 400 to 750°C, nanoclusters containing the main magnetically hard L10CoPt(111) phase epitaxially intergrown with the CoPt3 phase are formed. High rotatable magnetic anisotropy has been found in the prepared films. In magnetic fields above the coercive force (H > HC = 8 kOe), the easy anisotropy axis with the angle of lag taken into account can be oriented in any spatial direction. Possible mechanisms of the formation of the rotatable magnetic anisotropy have been discussed. It has been assumed that the high rotatable magnetic anisotropy makes the main contribution to the magnetic perpendicular anisotropy in CoxPt1–x films. © 2015, Pleiades Publishing, Inc.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Большая магнитная вращающаяся анизотропия в эпитаксиальных L10CoPt(111) тонких пленках [Текст] / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в ЖЭТФ : Наука, 2015. - Т. 102 Вып. 5-6. - С. 393-398

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russian Federation
Reshetnev Siberian State Aerospace Krasnoyarsk, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Rybakova, A. N.; Рыбакова, Александра Николаевна; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич
}
Найти похожие

19.

    Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах / И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Кл.слова (ненормированные):
оксид индия -- тонкие пленки -- автоволновое окисление -- indium oxide -- thin films -- autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

20.

Низкотемпературные магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Шк.-конф. молод. учён. "Неорган. соединения и функционал. материалы" (ICFM-2015) : программа и сб. тезисов докл. : 5—9 октября 2015 г., Бердск. - Новосибирск : ИНХ СО РАН, 2015. - С. 83 . - ISBN 978-5-90168-836-6

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Ежикова, Е. В.; "Неорганические соединения и функциональные материалы", школа-конференция молодых ученых(2015 ; окт. ; Бердск)
}
Найти похожие