Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (15)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Турпанов, Игорь Александрович$<.>)

Общее количество найденных документов : 81
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Описание изобретения к патенту 2754147 Российская Федерация

Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины, получаемых методом вакуумного напыления / В. И. Юшков, Г. С. Патрин, А. В. Кобяков, И. А. Турпанов. - № 2020124770 ; Заявл. 16.07.2020 ; Опубл. 30.08.2021 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2021. - № 25
Аннотация: Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленности. Подвижная заслонка для формирования тонких пленок переменной толщины в установках вакуумного напыления, снабженных узлом ввода механизма движения подвижной заслонки и контроля скорости её перемещения внутри вакуумной камеры, содержит корпус, направляющие полозья движения корпуса, регулируемый нож 2 и калибровочную вставку. Корпус выполнен с отверстиями, одно из которых предназначено для крепления пружины обратного движения, а второе - для крепления троса прямой тяги. В корпусе также проточены два сквозных соприкасающихся окна. Окно 13 предназначено для постепенного открывания поверхности подложки в процессе движения заслонки. Окно 14 предназначено для поддержания в постоянно открытом положении поверхности «свидетеля». Изобретение позволяет получить образец с переменной толщиной слоёв, что исключает необходимость многократного напыления образцов с одинаковыми составами, но с разной толщиной слоёв. 6 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Сибирский федеральный университет; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Описание полезной модели к патенту 198976 Российская Федерация

Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления / изобр. : В. И. Юшков [и др.]. - № 2020109637 ; Заявл. 04.03.2020 ; Опубл. 05.08.2020 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 22
Аннотация: Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления относится к элементам внутрикамерных устройств и может быть использован при нанесении металлических и полупроводниковых пленок для покрытия деталей, применяемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической промышленностей. Устройство позволяет увеличивать количество образцов без механического вмешательства в «тело» образца. Техническим результатом полезной модели является рост производительности и качества напыляемых образцов, который достигается тем, что в съемном контейнере для подложкодержателя установки вакуумного напыления, состоящем из основания с ячейками для образцов и системы фиксации, новым является то, что содержит кольцо фиксации подложек по внешнему краю и шайбу для крепления по внутреннему, при этом ячейки для расположения образцов выполнены в теле основания в виде двухуровневого углубления, нижний уровень которого по размерам меньше верхнего. Съемный контейнер для подложкодержателя установки вакуумного напыления позволяет максимально быстро производить загрузку-выгрузку образцов, сокращая время их пребывания на воздухе, что значительно повышает качество получаемых материалов, а простота конструкции способствует росту производительности процесса напыления.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of an Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co Thin-Film System / A. V. Kobyakov [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2019. - Vol. 83, Is. 7. - P. 864-865, DOI 10.3103/S1062873819070220. - Cited References: 5. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-02-00161-а. . - ISSN 1062-8738
Кл.слова (ненормированные):
Alumina -- Aluminum oxide -- Deposition -- Magnetic properties -- Thin films
Аннотация: Structural and magnetic measurements are made of an Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co thin-film system. The structure is synthesized via ion-plasma deposition and can be used as a tunnel heterostructure. The dependences of the magnetic properties of cobalt on the rate of its deposition and the rates of deposition of preceding layers are established. © 2019, Allerton Press, Inc.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы AL2O3/GE-P/AL2O3/CO [Текст] / А. В. Кобяков [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2019. - Т. 83 № 7. - С. 947-949

Держатели документа:
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Rudenko, R. Yu.; Руденко, Роман Юрьевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич
}
Найти похожие

Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co / А. В. Кобяков [и др.] // Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89, Вып. 2. - С. 268-273, DOI 10.21883/JTF.2019.02.47082.198-18. - Библиогр.: 18. - Настоящие исследования ведутся при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-02-00161-а). . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты для системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co с буферным слоем из Al2O3, полученные методом ионно-плазменного распыления. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления ионно-плазменным методом распыления и скорости напыления ему предшествующих слоев. Показано, что метод получения буферных слоев позволяет значительно снизить шероховатость поверхности последующих слоев. Полученные буферные слои могут быть использованы в качестве искусственных подложек для выращивания гетероструктур с туннельными переходами.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Tech. Phys. - 2019. - Vol. 64 Is. 2.- P.236-241

Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Ачинский филиал Красноярского государственного аграрного университета, 662150 Ачинск, Красноярский край, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

Structural and Magnetic Properties of the Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co System / A. V. Kobyakov [et al.] // Tech. Phys. - 2019. - Vol. 64, Is. 2. - P. 236-241, DOI 10.1134/S1063784219020087. - Cited References: 18. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 18-02-00161-a. . - ISSN 1063-7842. - ISSN 1090-6525

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
LAYER-DEPOSITED AL2O3
MAGNETORESISTANCE
GAAS
Аннотация: The Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co system with an Al2O3 buffer layer deposited by ion-plasma sputtering has been experimentally investigated. The dependences of the magnetic properties of cobalt on the rate of its deposition by ion-plasma sputtering and rate of deposition of preceding layers have been established. It is shown that the technique used to obtain buffer layers can significantly reduce the surface roughness of the next layers. The obtained buffer layers can be used as artificial substrates for growing heterostructures with tunnel junctions.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Структурные и магнитные свойства систем Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co [Текст] / А. В. Кобяков [и др.] // Журн. техн. физ. - 2019. - Т. 89 Вып. 2. - С. 268-273

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, Krasnoyarsk Sci Ctr,Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Krasnoyarsk State Agrarian Univ, Achinsk Branch, Krasnoyarsk 662150, Krasnoyarsk Kra, Russia.

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Rudenko, R. Yu.; Руденко, Роман Юрьевич; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Russian Foundation for Basic Research [18-02-00161-a]
}
Найти похожие

Получение, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы AL2O3/GE-P/AL2O3/CO / А. В. Кобяков [и др.] // Изв. РАН. Сер. физич. - 2019. - Т. 83, № 7. - С. 947-949, DOI 10.1134/S0367676519070226. - Библиогр.: 5 . - ISSN 0367-6765
Аннотация: В работе представлены экспериментальные результаты структурных и магнитных измерений для пленочной системы Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co. Структура получена методом ионно-плазменного распыления и перспективна в качестве туннельной гетероструктуры. Выявлена зависимость магнитных свойств кобальта от скорости его напыления и скорости напыления предшествующих слоев.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of an Al2O3/Ge-p/Al2O3/Co Thin-Film System [Текст] / A. V. Kobyakov [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2019. - Vol. 83 Is. 7.- P.864-865

Держатели документа:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Сибирский федеральный университет”, Красноярск, Россия
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики имени Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.
}
Найти похожие

    The role of the semiconductor layer in the exchange-bias film structure of CoNi / Si / FeNi / Si with a spin spring effect / A. V. Kobyakov [et al.] // J. Phys. Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1389, Is. 1. - Ст. 012028, DOI 10.1088/1742-6596/1389/1/012028. - Cited References: 13. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant No.18-02-00161-a). . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
   Перевод заглавия: Роль полупроводникового слоя в структуре пленок обменного смещения CoNi / Si / FeNi / Si с эффектом спиновой пружины
Аннотация: CoNi / Si / FeNi / Si structures were synthesized by ion-plasma sputtering. A negative hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was less than 2 nm and the temperature was less than 100 K. A positive hysteresis loop bias was detected at the thickness of the silicon layer was more than 2 nm and the temperature greater than 100K.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia
L.V. Kirensky Institute of Physics of Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russia

Доп.точки доступа:
Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
}
Найти похожие

The influence of the semiconductor layer on the magnetic properties in a three-layer structure CoNi/Si/FeNi / A. V. Kobyakov [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. C.P30. - P. 319. - Cited References: 2. - These studies are conducted with financial support from the Russian Foundation for Basic Research (grant # 18-02-00161-a) . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, prospect Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Kobyakov, A. V.; Кобяков, Александр Васильевич; Turpanov, I. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Yushkov, V. I.; Юшков, Василий Иванович; Yarikov, S. A.; Яриков, Станислав Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zhivaya, Ya. A.; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Описание изобретения к патенту 2691357 Российская Федерация

Устройство для ионно-плазменного напыления / В. И. Юшков [и др.]. - № 2018125087 ; Заявл. 09.07.2018 ; Опубл. 11.06.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 17
Аннотация: Изобретение относится к области нанесения металлических и полупроводниковых пленок в вакууме поочередным или одновременным распылением наносимого материала и может быть использовано для покрытия деталей, используемых в изделиях электронной, приборостроительной и оптической отраслях промышленности. Устройство для ионно-плазменного напыления пленок содержит вакуумную камеру, в которой расположены анод, термокатод, мишень и подложкодержатель, и магнитную систему, расположенную снаружи вакуумной камеры и выполненную в виде колец Гельмгольца. Анод и термокатод размещены в отдельных нишах, при этом в открытом торце ниши термокатода установлен экран, имеющий узкое отверстие размером 80×15 мм, подложка расположена параллельно мишени и снабжена магнитоуправляемой заслонкой. Над мишенью установлен экран, оснащенный передвижной заслонкой. Мишень имеет систему охлаждения. Обеспечивается увеличение функциональных возможностей установки, что приводит к увеличению качества пленок, росту производительности, обеспечивает большую экономичность процесса, в том числе дает возможность в одном технологическом цикле напылять три различных материала как отдельными монослоями, так и их сплавами. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие

10.

Синтез, структура и магнитные свойства тонкопленочной системы Al2O3/Ge-P/Al2O3/CO / А. В. Кобяков [и др.] // Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники : сборник тез. докл. V Всерос. науч. молод. конф. с междунар. участием. - 2018. - С. 185 . - ISBN 978-5-7477-4646-6

РИНЦ,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кобяков, Александр Васильевич; Kobyakov, A. V.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.; Руденко, Роман Юрьевич; Rudenko, R. Yu.; Юшков, Василий Иванович; Yushkov, V. I.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; "Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники", Всероссийская научная молодежная конференция с международным участием(5 ; 2018 ; май ; 28-31 ; Уфа); Башкирский государственный университет
}
Найти похожие