Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Шанидзе, Лев Викторович$<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
оксинитрид титана -- температурные сенсоры -- тонкие пленки -- атомно-слоевое осаждение -- элементы интегральных схем
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors [Текст] / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 10.- P.74-77

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79, DOI 10.31857/S1028096021010106. - Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022) . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
кремний-на-изоляторе -- транзистор -- барьер Шоттки -- электронная литография -- нанопроволока -- реактивно-ионное травление -- электронный транспорт
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties [Текст] / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15 Is. 1.- P.65-69

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского, Федеральный исследовательский центр КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Шанидзе, Лев Викторович; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Зеленов, Ф. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.
}
Найти похожие

Шанидзе, Лев Викторович.
Низкотемпературный транспорт пленок TiNxOy легированных Cu, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / Л. В. Шанидзе // Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXVI). - Красноярск : ИФ СО РАН, 2023. - Секция "Физика". - С. 30. - Библиогр.: 4 . - ISBN 978-5-6045250-7-4

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН; Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН(26 ; 2023 ; 16 мая ; Красноярск)
}
Найти похожие

Методы формирования низкоразмерных структур из тонких магнитных плёнок для устройств спинтроники / А. В. Лукьяненко, И. А. Тарасов, М. В. Рауцкий [и др.] // XIII Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2021) : сб. тезисов докладов / сопредс., чл. прогр. ком. С. Г. Овчинников и др. - 2021. - С. 48. - Библиогр.: 4. - Работа выполнена при финансовой поддержке Правительства Российской Федерации в рамках гранта на создание лабораторий мирового уровня (Соглашение . - ISBN 978-5-90168-835-9

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Овчинников, Сергей Геннадьевич \сопредс., прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур(13 ; 2021 ; 24-25 мая ; Новосибирск); Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный технический университет; Сибирский федеральный университет; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского; Научный совет РАН по физике низких температур
}
Найти похожие

    Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si / М. В. Рауцкий [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - Библиогр.: 1 . - ISBN 978-5-00133-051-6
   Перевод заглавия: magnetic field dependent photovoltaic effect in Mn/SiO2/N-Si hybrid structure

РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R. S. \чл. прогр. ком.\; Исхаков, Рауф Садыкович; Ovchinnikov, S. G. \чл. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Aplesnin, S. S. \чл. прогр. ком.\; Аплеснин, Сергей Степанович; Balaev, D. A. \чл. прогр. ком.\; Балаев, Дмитрий Александрович; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(8 ; 2018 ; Aug. 24-28 ; Irkutsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

    Бондарев, Илья Александрович.
    Исследование магниточувствительного латерального фотовольтоического эффекта в гибридной структурЕ Mn/SiO2/n-Si в широком спектральном диапазоне / И. А. Бондарев, Л. В. Шанидзе // Новое в магнетизме и магнитных материалах : сборник трудов XXIV международной конференции / прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11 : Магнитные наноструктуры. - Ст. 11-88-89. - Библиогр.: 1
   Перевод заглавия: Study of the magnetosesitive lateral photovoltaic effect in Mn/SiO2/n-Si hybrid structure in wide spectrum range
Кл.слова (ненормированные):
латеральный фотовольтаический эффект -- гибридные структуры -- магнитотранспорт
Аннотация: Работа посвящена исследованию латерального фотовольтаического эффекта в гибридной структуре Mn/SiO2/n-Si. Подобные структуры находят широкое применение в магнитооптических датчиках и устройствах спинтроники. В ходе работы были проведены измерения латерального и поперечного фотонапряжения индуцированного оптическим излучением широкого спектра, а также изучено влияние магнитного поля на фотовольтаический эффект.
The work is devoted to the study of lateral photovoltaic effect in the Mn/SiO2/n-Si hybrid structure. Such structures are widely applied in magneto-optical sensors and spintronic devices. Lateral and transverse photovoltage, induced by optical irradiation in a wide spectrum range had been measured and magnetic field effect on photovoltaic effect had been investigated.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Исхаков, Рауф Садыкович \прогр. ком.\; Iskhakov, R. S.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Шанидзе, Лев Викторович; Bondarev, I. A.; "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция(24 ; 2021 ; 1-8 июля ; Москва); Научный совет по физике конденсированных сред РАН; МИРЭА - Российский технологический университет; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Магнитное общество России
}
Найти похожие

Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P. 74-77, DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 1063-7850. - ISSN 1090-6533
Кл.слова (ненормированные):
titanium oxide-nitride -- temperature sensors -- thin films -- atomic layer deposition -- integrated circuit components
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.

Смотреть статью

Публикация на русском языке Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур [Текст] / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48 Вып. 20. - С. 39-42

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia
Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia
Research and Education Center “Functional Nanomaterials”, Immanuel Kant Baltic Federal University, Kaliningrad, Russia

Доп.точки доступа:
Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Rautskiy, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Mikhlin, Yu. L.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Konovalov, S. O.; Zelenov, F. V.; Shvets, P. V.; Goikhman, A. Yu.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, L. V. Shanidze [et al.] // J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P. 65-69, DOI 10.1134/S1027451021010109. - Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022 . - ISSN 1027-4510
Кл.слова (ненормированные):
silicon on insulator -- transistor -- Schottky barrier -- electron lithography -- nanowire -- reactive ion etching -- electron transport
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства [Текст] / А. В. Лукьяненко, А. С. Тарасов, Л. В. Шанидзе [и др.] // Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

10.

    Synthesis and transport properties of hybrid structures with quasi-two-dimensional α-FeSi2 nanocrystals / M. V. Rautskii [et al.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - P. 130. - Библиогр.: 3 . - ISBN 978-5-00133-051-6
   Перевод заглавия: Синтез и транспорные свойства гибридных структур с квазидвумерными нанокристаллами α-FeSi2

РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R. S. \чл. прогр. ком.\; Исхаков, Рауф Садыкович; Ovchinnikov, S. G. \чл. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Aplesnin, S. S. \чл. прогр. ком.\; Аплеснин, Сергей Степанович; Balaev, D. A. \чл. прогр. ком.\; Балаев, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(8 ; 2018 ; Aug. 24-28 ; Irkutsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие