Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Шанидзе, Лев Викторович$<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Волочаев, Михаил Николаевич, Зеленов Ф. В., Яковлев, Иван Александрович, Бондарев, Илья Александрович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Технологический процесс изготовления активных устройств ферромагнетик/кремний и их транспортные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2021. - № 1. - С. 74-79. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096021010106
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выплнены с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, Президиума РАН (Программа № 32 "Наноструктуры: Физика, Химия, Биология, Основы Технологий"), а также РФФИ, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект № 18-42-243022)
Аннотация: Полупроводниковые нанопроволоки представляют собой уникальные материалы для изучения явлений на наноуровне, а возможность формирования кремниевых нанонитей в нисходящем процессе с использованием объемных подложек кремния-на-изоляторе (КНИ) дает этой технологии возможность полного внедрения в интегрированные электронные системы. Помимо всего прочего, использование ферромагнитных контактов в сочетании с хорошим качеством границ ферромагнетик–полупроводник открывают перспективы применения таких структур для использования в устройствах спинтроники, в частности при проектировании спинового транзистора. Продемонстрирован простой подход к созданию активных устройств на основе полупроводниковых нанопроволок, а именно полевых транзисторов Шоттки с нижним затвором и металлическим (Fe) истоком и стоком, синтезированных на подложке КНИ, а также получены их транспортные характеристики.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Шанидзе, Лев Викторович
Заглавие : Низкотемпературный транспорт пленок TiNxOy легированных Cu, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт биофизики Сибирского отделения РАН, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН, Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера, Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН
Место публикации : Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXVI). - Красноярск: ИФ СО РАН, 2023. - Секция "Физика". - С. 30. - ISBN 978-5-6045250-7-4
Примечания : Библиогр.: 4
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Иван Анатольевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Бондарев, Илья Александрович, Шанидзе Лев Викторович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Методы формирования низкоразмерных структур из тонких магнитных плёнок для устройств спинтроники
Коллективы : Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Новосибирский государственный университет, Новосибирский государственный технический университет, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Научный совет РАН по физике низких температур
Место публикации : XIII Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2021): сб. тезисов докладов/ сопредс., чл. прогр. ком. С. Г. Овчинников и др. - 2021. - С. 48. - ISBN 978-5-90168-835-9
Примечания : Библиогр.: 4. - Работа выполнена при финансовой поддержке Правительства Российской Федерации в рамках гранта на создание лабораторий мирового уровня (Соглашение
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Шанидзе, Лев Викторович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Смоляков, Дмитрий Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 1
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Илья Александрович, Шанидзе, Лев Викторович
Заглавие : Исследование магниточувствительного латерального фотовольтоического эффекта в гибридной структурЕ Mn/SiO2/n-Si в широком спектральном диапазоне
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст.11-88-89
Примечания : Библиогр.: 1
Аннотация: Работа посвящена исследованию латерального фотовольтаического эффекта в гибридной структуре Mn/SiO2/n-Si. Подобные структуры находят широкое применение в магнитооптических датчиках и устройствах спинтроники. В ходе работы были проведены измерения латерального и поперечного фотонапряжения индуцированного оптическим излучением широкого спектра, а также изучено влияние магнитного поля на фотовольтаический эффект.The work is devoted to the study of lateral photovoltaic effect in the Mn/SiO2/n-Si hybrid structure. Such structures are widely applied in magneto-optical sensors and spintronic devices. Lateral and transverse photovoltage, induced by optical irradiation in a wide spectrum range had been measured and magnetic field effect on photovoltaic effect had been investigated.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Baron F. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.O8. - P.66-67. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Shanidze L. V., Rautskiy M. V., Mikhlin Yu. L., Lukyanenko A. V., Konovalov S. O., Zelenov F. V., Shvets P. V., Goikhman A. Yu., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P.74-77. - ISSN 10637850 (ISSN), DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - ISSN 10906533 (eISSN)
Примечания : Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Yakovlev I. A., Bondarev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Technique for fabricating ferromagnetic/silicon active devices and their transport properties
Место публикации : J. Surf. Invest. - 2021. - Vol. 15, Is. 1. - P.65-69. - ISSN 10274510 (ISSN), DOI 10.1134/S1027451021010109
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation, the Presidium of the Russian Academy of Sciences (Program no. 32 “Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, and Fundamentals of Technologies”), and the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243 022
Аннотация: Semiconductor nanowires are unique materials for studying nanoscale phenomena; the possibility of forming silicon nanowires on bulk silicon-on-insulator substrates in a top-down process ensures complete incorporation of this technology into integrated electronic systems. In addition, the use of ferromagnetic contacts in combination with the high quality of ferromagnetic–semiconductor interfaces open up prospects for the use of such structures in spintronics devices, in particular, spin transistors. A simple approach is proposed to create semiconductor nanowire-based active devices, specifically, bottom-gate Schottky-barrier field-effect transistors with a metal (Fe) source and drain synthesized on a silicon-on-insulator substrate and the transport characteristics of the designed transistors are investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Shanidze L. V., Volochaev M. N.
Заглавие : Synthesis and transport properties of hybrid structures with quasi-two-dimensional α-FeSi2 nanocrystals
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - P.130. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 3
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие