Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Шанидзе, Лев Викторович$<.>)
Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-26 
1.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Шанидзе, Лев Викторович, Лукьяненко, Анна Витальевна, Смоляков, Дмитрий Александрович, Тарасов, Иван Анатольевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 1
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Shanidze L. V., Volochaev M. N.
Заглавие : Synthesis and transport properties of hybrid structures with quasi-two-dimensional α-FeSi2 nanocrystals
Коллективы : Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии", "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция, "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference, Иркутский государственный университет
Место публикации : Магнитные материалы. Новые технологии: тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018/ чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - P.130. - ISBN 978-5-00133-051-6
Примечания : Библиогр.: 3
РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Volochaev M. N., Zelenov F. V., Baron F. A., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.A.O8. - P.66-67. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Rautskii M. V., Yakovlev I. A., Zelenov F. N., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device
Коллективы : International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст.012204. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012204. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 8. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies».
Аннотация: In this work, we studied the electronic transport properties of silicon nanowire field-effect transistors with a back gate. A nontrivial magnetic field influence on the drain current at low temperature (10 K) was found. The strongest effect was observed in the majority carrier accumulation mode. In this mode magnetic field of 0.5 T increases current through the device by more than an order of magnitude. The paper describes the possible mechanisms of the magnetic field influence on the electronic transport characteristics of the structures.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Zelenov F. V., Masugin A. N., Ivanov A. B., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Synthesis and transport properties of FET based on Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing
Коллективы : International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures
Место публикации : J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст.012017. - ISSN 1742-6588, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012017. - ISSN 1742-6596 (eISSN)
Примечания : Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 17-02-00302 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies».
Аннотация: In this work we show a preparation technique of Co2FeSi full-Heusler alloy thin films on silicon-on-insulator (SOI) substrates, employing rapid thermal annealing (RTA). The films of the Co2FeSi alloy were formed by a silicidation reaction, caused by RTA, between the ultrathin SOI (001) layer and the Fe/Co layers deposited on it. It is assumed that this technology is compatible with the process of formation of a half-metal source-drain in an advanced CMOS and SOI technology and will be applicable for the manufacture of a source-drain of a field-effect transistor. Schottky barrier field-effect transistors (FET) with a back-gate, based on silicon nanowires with source and drain of a Co2FeSi film, synthesized on an SOI substrate, were manufactured. The transport properties of the device were investigated.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Krasitskaya V. V., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on nanowire field effect transistor
Коллективы : Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов
Место публикации : The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials: Proceedings. - VLadivostok: Dalnauka Publishing, 2020. - Ст.VII.31.03p. - P.195. - ISBN 978-5-8044-1698-1
Примечания : The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P15
Примечания : Cited References: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics
Место публикации : International workshop on functional MAX-materials (1st FunMax). - 2020. - P.15
Примечания : Cited references: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Silicon nanowire based biosensor for detection of organic molecules
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.4-5
Материалы конференции
Найти похожие
10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Shanidze L. V., Yakovlev I. A., Volkov N. V.
Заглавие : Biocompatible nanostructures fabricated by Dip-Pen nanolithography
Коллективы : Aptamers in Russia, international conference
Место публикации : Aptamers in Russia, international conference (1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk). Molecular Therapy - Nucleic Acids: book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P.8-9
Материалы конференции
Найти похожие
 1-10    11-20   21-26 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)