Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Borisov, A. A.$<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : В37/Б 82 рукописный текст
Автор(ы) : Борисов, Алексей Александрович
Заглавие : Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.12.2002
Выходные данные : Красноярск, 2002
Колич.характеристики :173 с
Коллективы : Российская академия наук, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Примечания : Библиогр.: 114 назв.
ГРНТИ : 29.19.24
ББК : В373.1я031
Экземпляры :Дс(1)
Свободны : Дс(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ovchinnikov S. G., Borisov A. A., Gavrichkov V. A., Korshunov M. M.
Заглавие : Prediction of the in-gap states above the top of the valence band in undoped insulating cuprates due to the spin-polaron effect
Место публикации : J. Phys.: Condens. Matter: IOP PUBLISHING LTD, 2004. - Vol. 16, Is. 8. - PL93-L100. - ISSN 0953-8984, DOI 10.1088/0953-8984/16/8/L04
Примечания : Cited References: 25
Предметные рубрики: ELECTRONIC-STRUCTURE
LA2-XSRXCUO4
MODEL
ANTIFERROMAGNETISM
SPECTRA
OXIDES
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): quasiparticle band structure--spin-polaron effect--antiferromagnetic materials--approximation theory--doping (additives)--electronic structure--hamiltonians--insulation--magnetic fields--strontium compounds--thermal effects--lanthanum compounds
Аннотация: In the framework of the generalized tight binding method we have calculated the quasiparticle band structure and the spectral functions of the undoped cuprates such as La2CuO4, Sr2CUO2Cl2 etc. Due to spin fluctuations the in-gap state appears above the top of the valence band in the undoped antiferromagnetic insulator similar to in-gap states induced by hole doping. In the ARPES experiments the in-gap states can be detected as weak low energy satellites.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Borisov A. A., Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Doping dependence of the band structure and chemical potential in cuprates by the generalized tight-binding method
Коллективы : International Conference on Modern Problems in Superconductivity
Место публикации : Mod. Phys. Lett. B/ International Conference on Modern Problems in Superconductivity (3 ; 2002 ; Sept. ; 9-14 ; Yalta, Ukrain). - 2003. - Vol. 17, Is. 10-12. - P.479-486. - ISSN 0217-9849, DOI 10.1142/S0217984903005500
Примечания : Cited References: 12
Предметные рубрики: CORRELATED ELECTRONS
SUPERCONDUCTIVITY
OXIDES
Аннотация: Quasiparticle band structure in hole doped CuO2 layer is calculated with account for strong electron correlations in the framework of multiband p-d model. For undoped layer we obtain the charge-transfer antiferromagnetic insulator. With doping unusual impurity-like quasiparticle appears at the top of the valence band with spectral weight proportional to doping concentration. In the overdoped regime the band structure in the paramagnetic phase results in the doping dependent Fermi surface in agreement to ARPES data.
WOS
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Borisov A.A., Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Temperature and concentration dependences of the electronic structure of copper oxides in the generalized tight binding method
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: AMER INST PHYSICS, 2003. - Vol. 97, Is. 4. - P773-780. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/1.1625067
Примечания : Cited References: 25
Предметные рубрики: SUPERCONDUCTING-GAP ANISOTROPY
BAND-STRUCTURE
FERMI-SURFACE
NORMAL-STATE
BI2SR2CACU2O8+DELTA
EVOLUTION
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): doping (additives)--electron transitions--electronic structure--fermi level--fermi surface--electron correlations--pseudogap--tight binding method--valence band--copper oxides
Аннотация: The electronic structure of p-type doped HTSC cuprates is calculated by explicitly taking into account strong electron correlations. The smooth evolution of the electronic structure from undoped antiferromagnetic to optimally and heavily doped paramagnetic compositions is traced. For a low doping level, in-gap impurity-type states are obtained, at which the Fermi level is pinned in the low-doping region. These states are separated by a pseudogap from the valence band. The Fermi surfaces calculated for the paramagnetic phase for various concentrations of holes are in good agreement with the results of ARPES experiments and indicate a gradual change in the Fermi surface from the hole type to the electron type. (C) 2003 MAIK "Nauka/Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gavrichkov V. A., Borisov A. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Polarized ARPES spectra of undoped cuprates
Место публикации : Phys. Solid State: AMER INST PHYSICS, 2001. - Vol. 43, Is. 10. - P1876-1884. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/1.1410625
Примечания : Cited References: 15
Предметные рубрики: ELECTRONIC-STRUCTURE
COPPER OXIDES
PHOTOEMISSION
EVOLUTION
MODEL
HOLE
Аннотация: The spectral density (SD) in the ARPES spectra of anti ferromagnetic (AFM) dielectrics Sr2CuO2Cl2 and Ca2CuO2Cl2 along the principal symmetry directions of the Brillouin zone was studied by the generalized tight binding method. At the valence band top of these undoped cuprates in the AFM state, there is a pseudogap of magnetic nature with E-s(k) similar to 0-0.4 eV between a virtual level and the valence band proper. The observed similarity of dispersion along the Gamma -M and X-Y directions can be explained by the proximity of the B-3(1g) triplet and the Zhang-Rice singlet levels. The value of parity of the polarized ARPES spectra at the Gamma, M, and X points calculated for the AFM phase of undoped cuprates with an allowance for the partial contributions is even. The conditions favoring observation of the partial contributions in polarized ARPES spectra are indicated. Due to the spin fluctuations, the virtual level acquires dispersion and possesses a small spectral weight. Probably, this level cannot be resolved on the background of the main quasi-particle peak as a result of the damping effects. (C) 2001 MAIK "Nauka/Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G., Borisov A. A., Goryachev E. G.
Заглавие : Evolution of the band structure of quasiparticles with doping in copper oxides on the basis of a generalized tight-binding method
Место публикации : J. Exp. Theor. Phys.: AMER INST PHYSICS, 2000. - Vol. 91, Is. 2. - P369-383. - ISSN 1063-7761, DOI 10.1134/1.1311997
Примечания : Cited References: 45
Предметные рубрики: T-J MODEL
CUPRATE SUPERCONDUCTORS
ELECTRONIC-STRUCTURE
EXCITATIONS
DEPENDENCE
TEMPERATURE
DERIVATION
SR2CUO2CL2
SPECTRUM
DENSITY
Аннотация: Two methods for stabilizing the two-hole B-3(1g) state as the ground state instead of the Zhang-Rice singlet are determined on the basis of an orthogonal cellular basis for a realistic multiband pd model of a CuO2 layer and the dispersion relations for the valence band top in undoped and doped cases are calculated. In the undoped case, aside from the valence band, qualitatively corresponding to the experimental ARPES data for Sr2CuO2Cl2 and the results obtained on the basis of the t-t'-J model, the calculations give a zero-dispersion virtual level at the valence band top itself. Because of the zero amplitude of transitions forming the virtual level the response corresponding to it is absent in the spectral density function. In consequence, the experimental ARPES data do not reproduce its presence in this antiferromagnetic undoped dielectric. A calculation of the doped case showed that the virtual level transforms into an impurity-type band and acquires dispersion on account of the nonzero occupation number of the two-hole states and therefore should be detected in ARPES experiments as a high-energy peak in the spectral density. The computed dispersion dependence for the valence band top is identical to the dispersion obtained by the Monte Carlo method, and the ARPES data for optimally doped Bi2Sr2CaCu2O8 + delta samples. The data obtained also make it possible to explain the presence of an energy pseudogap at the symmetric X point of the Brillouin band of HTSC compounds. (C) 2000 MAIK "Nauka/Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гавричков, Владимир Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич, Борисов, Алексей Александрович, Горячев, Евгений Геннадьевич
Заглавие : Эволюция зонной структуры квазичастиц с допированием в оксидах меди в рамках обобщенного метода сильной связи
Место публикации : Журн. эксперим. и теор. физ. - 2000. - Т. 118, Вып. 2. - С. 422-437. - ISSN 0044-4510
ГРНТИ : 29.19.29
Аннотация: В настоящей работе на основе ортогонального ячеечного базиса для реалистичной многозонной pd-модели CuO2-слоя определены два способа стабилизации двухдырочного 3B1g-состояния в качестве основного вместо синглета Жанга-Райса; вычислены дисперсионные зависимости потолка валентной зоны как в недопированном, так и в допированном случаях. В недопированном случае, помимо валентной зоны, качественно соответствующей экспериментальным ARPES-данным для Sr2CuO2Cl2 и результатам, полученным в рамках t-t'-J-модели, расчеты дают бездисперсный виртуальный уровень на самом потолке валентной зоны. Из-за нулевой амплитуды переходов, формирующих виртуальный уровень, соответствующий ему отклик отсутствует в функции спектральной плотности. Как следствие, экспериментальные ARPES-данные не воспроизводят его присутствие в этом антиферромагнитном недопированном диэлектрике. Расчет допированного случая показал, что виртуальный уровень трансформируется в зону примесного типа и приобретает дисперсию благодаря отличным от нуля числам заполнения двухдырочных состояний и, как следствие, должен детектироваться в ARPES-эксперименте в качестве высокоэнергетичного пика в спектральной плотности. Расчетная дисперсионная зависимость для потолка валентной зоны воспроизводит дисперсию, полученную с помощью метода Moнте-Карло, и ARPES-данные для оптимально допированных образцов Bi2Sr2CaCu2O8+δ. Полученные данные также позволяют объяснить наличие энергетической псевдощели в симметричной точке X зоны Бриллюэна ВТСП-соединений. [-2mm]
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гавричков, Владимир Александрович, Борисов, Алексей Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Анализ поляризованных ARPES-спектров недопированных купратов
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2001. - Т. 43, Вып. 10. - С. 1799-1807. - ISSN 0367-3294
ГРНТИ : 29.19.29
Аннотация: С помощью обобщенного метода сильной связи исследована спектральная плотность в ARPES-спектрах антиферромагн. диэлектриков Sr[2]CuO[2]Cl[2] и Ca[2]CuO[2]Cl[2] вдоль основных симметричных направлений зоны Бриллюэна. Установлено, что на потолке валентной зоны данных недопированных соединений в АФМ фазе имеется псевдощель магн. природы E[s](k)'ЭКВИВ'0-0.4 eV между виртуальным уровнем и самой валентной зоной, а близость триплета {3}B[1g] и уровня ZR-синглета может являться причиной наблюдаемого подобия дисперсии вдоль направлений 'ГАММА''↔'M и X'↔'Y. Рассчитанная четность поляризованных ARPES-спектров в точках 'ГАММА', M, X для АФМ фазы с учетом парциальных вкладов является положительной. Указаны также условия наблюдения парциальных вкладов в поляризованных ARPES-экспериментах. За счет спиновых флуктуаций виртуальный уровень приобретает дисперсию и малый спектральный вес. Вероятно, эффекты затухания просто не позволяют его разрешить на фоне основного квазичастичного пика.
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)