Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Yakovlev, I. A.$<.>)

Общее количество найденных документов : 173
Показаны документы с 1 по 20

Исследование начальных стадий эпитаксии на Si (100) методом дифракции отраженных быстрых электронов / И. А. Яковлев, С. Н. Варнаков // Решетневские чтения : [Электронный ресурс] : материалы XII Междунар. науч. конф., посвящ. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева (10-12 ноября 2008, г. Красноярск). - Красноярск, 2008. - С. 245

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; "Решетневские чтения", международная научная конференция(12 ; 2008 ; нояб. ; 10-12 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АО; Красноярский машиностроительный завод, ОАО
}
Найти похожие

Investigation of Fe structure formation on Si (100) molecular-beam epitaxy and solid-phase epitaxy / I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinyikov // Proceedings Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2011) / Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia), Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток). - 2011

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I.A.; Varnakov, S.N.; Ovchinyikov, S.G.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Characterization and magnetic properties of the iron silicides / S. G. Ovchinnikov, S. N. Varnakov, A. S. Fedorov [et al.] // Proceedings Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2011) / Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia), Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов (1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток). - 2011

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S.G.; Varnakov, S.N.; Fedorov, A.S.; Lyaschenko, S.A.; Yakovlev, I.A.; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2011 ; Aug. ; 22-29 ; Vladivostok, Russia); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(1 ; 2011 ; авг. ; 21-28 ; Владивосток)
}
Найти похожие

Characterization and physical properties of the iron silicide nanostructures [Text] / S. G. Ovchinnikov, S. N. Varnakov, A. S. Fedorov [et al.] // 19th International symposium "Nanostructures: physics and technology" : proceeding. - 2011. - Ст. SRPN.17p. - P55-56. - This work was supported by project 4.1 of the OFN RAS, project 27.10 of the Presidium RAS, integration project 22 of SBRAS and DVO RAS, the FCP NK-179P/GK P1464. . - ISBN 978-5-93634-042-0

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S.G.; Varnakov, S.N.; Fedorov, A.S.; Lyaschenko, S.A.; Yakovlev, I.A.; "Nanostructures: physics and technology", International symposium(19 ; 2011 ; June ; 20-25 ; Ekaterinburg, Russia, June); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

Time-resolved ellipsometric characterization of (Fe/Si)n multilayer film synthesis / I. A. Tarasov [и др.] // Donostia Int. Conf. on Nanoscaled Magnetism and Applications : Abstracts book. - 2013. - Ст. P1-27. - P. 260

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications (9 -13 Sept. 2013 ; San Sebastian, Spain)
}
Найти похожие

In situ spectral magnetoellipsometry for structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanolayers / V. N. Zabluda [et al.] // Proc. int. conf. nanomaterials: application and properties. - 2013. - Vol. 2, No. 3. - P. 03AET11

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Shvetsov, D. V.; Maksimova, O. A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Rykhlitsky, S. V.; Рыхлицкий С.В.; International conference nanomaterials: applications and properties(2013 ; Sept. 16-21 ; Crimea, Ukraine)
}
Найти похожие

Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates / S. V. Komogortsev [et al.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P310 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarenko, G. V.; Бондаренко, Геннадий Васильевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

XMCD study of (Fe/Si)[[]d]N[[/d]] nanostructured films [Текст] / M. S. Platunov [и др.] // V Euro-Asian simposium "Trend in MAGnetism": Nanomagnetism : abstracts. - Vladivostok : FEFU, 2013. - P183 . - ISBN 978-5-7444-3124-2

Доп.точки доступа:
Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Weschke, E.; Весчке И.; Schierle, E.; Счайле И.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism(5 ; 2013 ; Sept. ; 15-21 ; Vladivostok)
}
Найти похожие

Structural, magnetic and optical properties of Me/Si (Me=Mn,Fe) nanostructures perfomed by in situ magnetoellipsometry / N. N. Kosyrev [et al.] // 6th Int. Conf. on Spectr. Ellipsometry (ICSE-VI 2013) : Conf. programm and abstr. - 2013. - P. 205

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Shvetsov, D. V.; Maksimova, O. A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zabluda, V. N.; Заблуда, Владимир Николаевич; Shvets, V. A.; Швец, Василий Александрович; Rykhkitsky, S. V.; Рыхлицкий С.В.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (6 ; 2013 ; May ; 26-31 ; Kyoto, Japan)
}
Найти похожие

10.

Magnetic anisotropy of Fe films on Si(001) with and without SiO2 buffer layer / S. V. Komogortsev, S. N. Varnakov, S. A. Satsuk // Asian School-Conf. on Phys. and Technol.of Nanostruct. Mater. - 2013. - P. 75-76

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(2 ; 2013 ; Aug. ; 20-27 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(2 ; 2013 ; авг. ; 20-27 ; Владивосток)
}
Найти похожие

11.

    Optical characteristics of an epitaxial Fe3Si/Si(111) iron silicide film / I. A. Tarasov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99, Is. 10. - P. 565-569, DOI 10.1134/S0021364014100105. - Cited References: 24. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-01265 and 14-02-31309), by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), by the Russian Ministry of Education and Science (state contract no. 02.G25.31.0043), and by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (program no. 24.34). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487
Рубрики:
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
   AUGMENTED-WAVE METHOD
   N-K PLANE
   GROWTH
   FE3-XMNXSI
Аннотация: The dispersion of the relative permittivity E of a 27-nm-thick epitaxial Fe3Si iron silicide film has been measured within the E = 1.16-4.96 eV energy range using the spectroscopic ellipsometry technique. The experimental data are compared to the relative permittivity calculated in the framework of the density functional theory using the GGA-PBE approximation. For Fe3Si, the electronic structure and the electronic density of states (DOS) are calculated. The analysis of the frequencies corresponding to the transitions between the DOS peaks demonstrates qualitative agreement with the measured absorption peaks. The analysis of the single wavelength laser ellipsometry data obtained in the course of the film growth demonstrates that a continuous layer of Fe3Si iron silicide film is formed if the film thickness achieves 5 nm.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111) [Текст] / И. А. Тарасов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99 Вып. 10. - С. 651-655

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Fedorov, D. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265, 14-02-31309]; Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools [NSh-2886.2014.2]; Russian Ministry of Education and Science [02.G25.31.0043]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [24.34]
}
Найти похожие

12.

Time-resolved ellipsometric characterization of (Fe/Si)n multilayer film synthesis / I. A. Tarasov [et al.] // 8th Workshop Ellipsometry : Book of abstracts. - 2014. - P. 81

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Leibniz-Institut für Polymerforschung Dresden e. V.; Workshop Ellipsometry (8 ; 2014 ; March 10-12 ; Dresden, Germany)
}
Найти похожие

13.

Магнитооптические свойства плёнок Fe3Si/Si(111) и Fe5Si3/SiO2/Si(001) / С. А. Лященко [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VI Байкал. междунар. конф. BICMM-2014. - Иркутск, 2014. - С. 141 . - ISBN 978-5-9624-1024-1

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Байкальская Международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(6 ; 2014 ; авг. ; 19-23 ; пос. Большое Голоустное, Иркутская обл.); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская Международная конференция(6 ; 2014 ; авг. ; 19-23 ; пос. Большое Голоустное, Иркутская обл.); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(6 ; 2014 ; Aug. 19-23 ; Bol’shoe Goloustnoe, Irkutsk region); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие

14.

Оптические и структурные свойства плёнок β-FeSi2/Si(001), полученных соосаждением в сверхвысоком вакууме при различных соотношениях потоков Fe и Si / И. А. Тарасов [и др.] // Сборник трудов IX международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". - СПб., 2014. - С. 351-352

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Крылов, Александр Сергеевич; Krylov, A. S.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", международная конференция (9 ; 2014 ; июль; 7-10 ; Санкт-Петребург)
}
Найти похожие

15.

Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe3Si/Si(111) / И. А. Яковлев [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 9-10. - С. 610 – 613, DOI 10.7868/S0370274X14090082. - Библиогр.: 19. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант #13-02-01265), гранта поддержки ведущей научной школы (Проект НШ-2886.2014.2) и Министерства образования и науки РФ (гос. контракт #02.G25.31.0043; госзадание СФУ в части проведения НИР на 2014г) . - ISSN 0370-274X
Аннотация: Представлены результаты структурных и магнитных исследований эпитаксиальной структуры, полученной при одновременном напылении из двух источников железа и кремния на атомарно чистую поверхность Si(111)7×7 при температуре подложки 150 °С. Методами рентгеноструктурного анализа, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции отраженных быстрых электронов эпитаксиальная структура идентифицирована как монокристаллическая пленка силицида Fe3Si с ориентацией Si[111]Fe3Si[111]. Установлено, что эпитаксиальная пленка Fe3Si при комнатной температуре обладает магнитной одноосной анизотропией (Ha=26 Э) и имеет сравнительно узкую линию однородного ферромагнитного резонанса (Δ H=11.57 Э), измеренную на частоте накачки 2.274 ГГц.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Study of the structural and magnetic characteristics of epitaxial Fe3Si/Si(111) films [Текст] / I. A. Yakovlev [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99 Is. 9.- P.527-530

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Беляев, Борис Афанасьевич; Belyaev, B. A.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

16.

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. - 2014. - Т. 84, Вып. 5. - С. 109-112. - Библиогр.: 17 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, государственный контракт 14.513.11.0016, соглашения 14.132.21.1709 и 14.В37.21.1276, гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-1044.2012.2), Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265), программы ОФН РАН № 2.4.1, программы Президиума РАН № 23.34, интеграционного проекта СО РАН № 38 . - ISSN 0044-4642
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Ψ и Δ непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO2/Si(100) и Hg1−xCdxTe.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers [Текст] / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 59 Is. 5.- P.736-739

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev N. N.; Швец, Василий Александрович; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov S. G.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.
}
Найти похожие

17.

Magnetic anisotropy in Fe films deposited on SiO2/Si(001) and Si(001) substrates / S. V. Komogortsev [et al.] // J. Magn. Magn. Mater. - 2014. - Vol. 351. - P. 104-108, DOI 10.1016/j.jmmm.2013.09.058. - Cited References: 40. - The work has been supported by RFBR Grant 11-03-00168-a, 12-02-00943-a, 13-02-01265-a, Interdisciplinary integration of fundamental research of SB RAS (2012-2014) project No. 64. Also the study was supported by The Ministry of Education and Science of Russian Federation, project 14.513.11.0016. . - ISSN 0304-8853. - ISSN 873-4766

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
UNIAXIAL ANISOTROPY
   SURFACE
   SILICON
   ROUGHNESS
Кл.слова (ненормированные):
Epitaxial growth -- Iron -- Magnetic anisotropy -- Thin film
Аннотация: The magnetic anisotropy of 10 nm iron films deposited in an ultra high vacuum on the Si(001) surface and on the Si(001) over caped by 1.5 nm layer of SiO2 was investigated. There is in-plane uniaxial magnetic anisotropy caused by oblique sputtering in the Fe films on a SiO2 buffer layer. The easy magnetization axis is always normal to the atomic flux direction but the value of the anisotropy field is different depending on the axial angle among sputtering direction and the substrate crystallographic axes. It is argued that the uniaxial magnetic anisotropy results from elongated surface roughness formation during film deposition. Several easy magnetization axes are found in Fe/Si(001) film without the SiO2 buffer layer. The mutual orientation of the main easy axes and Si crystallographic axes indicates that there is epitaxial growth of Fe/Si(001) film with the following orientation relative to the substrate: Fe[100] ?Si[110]. The anisotropy energy of Fe/Si(001) film is estimated by simulation of angle dependence of remnant magnetization m r as the sum of the mr angle plot from uniaxial anisotropy (induced by oblique deposition) and the polar plot from biaxial magnetocrystalline anisotropy. В© 2013 Elsevier B.V.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Inst Phys SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Technol Univ, Krasnoyarsk 660000, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Satsuk, S. A.; Сацук, Светлана Александровна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

18.

Оптические свойства эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si/Si(111) / И. А. Тарасов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 99, Вып. 10. - С. 651-655DOI 10.7868/S0370274X14100026. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты # 13-02-01265, 14-02-31309), гранта поддержки ведущей научной школы (проект НШ-2886.2014.2), Министерства образования и науки Российской Федерации (госконтракт # 02.G25.31.0043) и программы президиума РАН # 24.34
Аннотация: Методом спектральной эллипсометрии измерена дисперсия диэлектрической проницаемости \varepsilon эпитаксиальной пленки силицида железа Fe3Si толщиной 27 нм в области энергий E=(1.16-4.96) эВ. Результаты сравниваются с дисперсией диэлектрической проницаемости, вычисленной в рамках метода функционала плотности с аппроксимацией GGA-PBE. Рассчитаны электронная структура Fe3Si и плотность электронных состояний (DOS). Анализ частот теоретически рассчитанных оптических переходов между пиками DOS дает качественное согласие с экспериментально измеренными пиками поглощения. Анализ данных одноволновой лазерной эллипсометрии, полученных в процессе синтеза пленки, показывает, что формирование сплошного слоя пленки силицида железа Fe3Si происходит при достижении ее толщиной в 5 нм.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Optical characteristics of an epitaxial Fe3Si/Si(111) iron silicide film [Текст] / I. A. Tarasov [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99 Is. 10.- P.565-569

Держатели документа:
Институт физики им. Киренского СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, 660014 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Молокеев, Максим Сергеевич; Molokeev, M. S.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Fedorov, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

19.

Study of the structural and magnetic characteristics of epitaxial Fe3Si/Si(111) films / I. A. Yakovlev [et al.] // JETP Letters. - 2014. - Vol. 99, Is. 9. - P. 527-530, DOI 10.1134/S0021364014090124. - Cited References: 19. - This work was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 13-02-01265), the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. NSh-2886.2014.2), and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 02G25.31.0043; state task of the Siberian Federal University for research in 2014). . - ISSN 0021-3640. - ISSN 1090-6487

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ULTRAHIGH-VACUUM
SILICON
Аннотация: The results of the structural and magnetic studies of the epitaxial structure prepared during the simultaneous evaporation from two iron and silicon sources on an atomically pure Si(111)7 × 7 surface at a substrate temperature of 150°C have been presented. The epitaxial structure has been identified as a single-crystal Fe3Si silicide film with the orientation Si[111]‖Fe3Si[111] using methods of the X-ray structural analysis, transmission electron microscopy, and reflection high-energy electron diffraction. It has been established that the epitaxial Fe3Si film at room temperature has magnetic uniaxial anisotropy (H a = 26 Oe) and a relatively narrow uniform ferromagnetic resonance line (ΔH = 11.57 Oe) measured at a pump frequency of 2.274 GHz.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Исследование структурных и магнитных характеристик эпитаксиальных пленок Fe3Si/Si(111) [Текст] / И. А. Яковлев [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2014. - Т. 99 Вып. 9-10. - С. 610 – 613

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265]; Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools [NSh-2886.2014.2]; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [02G25.31.0043]
}
Найти похожие

20.

Ellipsometric technique for determining in situ the absorption coefficient of semiconducting nanolayers / N. N. Kosyrev [et al.] // Tech. Phys. - 2014. - Vol. 59, Is. 5. - P. 736-739, DOI 10.1134/S1063784214050144. - Cited References: 17. - This work was supported financially by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.513.11.0016, agreement nos. 14.132.21.1709 and 14.V37.21.1276), the Program Supporting Leading Scientific Schools (project no. NSh-1044.2012.2), Russian Foundation for Basic Research (project no. 13-02-01265), Physics Division, Russian Academy of Sciences (program no. 2.4.1), Presidium of the Russian Academy of Sciences (program no. 23.34), Siberian-Far East Branches, Russian Academy of Sciences (project no. 85), and integration project no. 38 of the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences. . - ISSN 1063-7842. - ISSN 1090-6525

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
LAYERS
Аннотация: An algorithm that makes it possible to solve the inverse problem of ellipsometry aimed at determining the absorption coefficient on the basis of a single-zone ellipsometric experiment during the growth of thin semiconducting films is developed and implemented. The technique is based on analysis of the variation of ellipsometric parameters I and Delta directly during the growth. The algorithm is tested in synthesis of Si/SiO2/Si(100) and Hg1 - x Cd (x) Te structures.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ [Текст] / Н. Н. Косырев [и др.] // Журн. техн. физ. : Санкт-Петербургская издательская фирма "Наука" РАН, 2014. - Т. 84 Вып. 5. - С. 109-112

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Novosibirsk State Univ, Novosibirsk 630090, Russia
Russian Acad Sci, Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia
Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Shvets, V. A.; Mikhailov, N. N.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Rykhlitskii, S. V.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0016, 14.132.21.1709, 14.V37.21.1276]; Program Supporting Leading Scientific Schools [NSh-1044.2012.2]; Russian Foundation for Basic Research [13-02-01265]; Physics Division, Russian Academy of Sciences [2.4.1]; Presidium of the Russian Academy of Sciences [23.34]; Siberian-Far East Branches, Russian Academy of Sciences [85]; Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [38]
}
Найти похожие