Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (165)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)

Общее количество найденных документов : 91
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Govorun, I. V.
    Compact microwave power limiter with htsc element / I. V. Govorun, A. A. Leksikov, A. M. Serzhantov // J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2018. - Vol. 11, Is. 1. - P. 35-39 ; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика", DOI 10.17516/1997-1397-2018-11-1-35-39. - Cited References: 9. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, grant СП-3036.2016.3. of the President of the Russian Federation for State Support of Young Russian Scientists. . - ISSN 1997-1397
   Перевод заглавия: Компактный ограничитель СВЧ-мощности с ВТСП-элементом
Кл.слова (ненормированные):
Power limiter -- Microwave -- Damping pole -- Microstripe structure -- HTSC -- ограничитель мощности -- СВЧ -- полюс затухания -- микрополосковая структура -- ВТСП
Аннотация: A design of microwave power limiter having a structure of three-pole microstrip filter is developed. In the device outer resonators are coupled through an inner resonator containing high-temperature super- conducting film. Prototype of the device with central frequency 7.9 GHz and relative bandwidth 9% has insertion loss 1.5 dB in the open state and suppress a signal not less 30 dB in the limitation state.
Была разработана конструкция ограничителя СВЧ-мощности, имеющая структуру трехзвенного микрополоскового фильтра. В устройстве внешние резонаторы связаны посредством внутреннего, содержащего ВТСП-пленку. Макет устройства с центральной частотой 7.9 ГГц и относительной полосой пропускания 9% имеет потери 1.5 дБ в открытом состоянии и не менее 30 дБ ослабления в режиме ограничения.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics SB RAS, Akademgorodok, 50, Krasnoyarsk, Russian Federation
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Svobodny, 79, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Leksikov, A. A.; Лексиков, Александр Александрович; Serzhantov, A. M.; Сержантов, Алексей Михайлович; Говорун, Илья Валерьевич

}
Найти похожие

    Dual band HTSC power limiter / A. O. Afonin, A. A. Alexandrovsky, I. V. Govorun [et al.] // J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2024. - Vol. 17, Is. 2. - P. 162-168 ; Журн. СФУ. Матем. и физ. - Cited References: 10 . - ISSN 1997-1397
   Перевод заглавия: ВТСП ограничитель мощности с двумя рабочими полосами
Кл.слова (ненормированные):
power limiter -- microwave -- HTSC -- microstrip structure -- ограничитель мощности -- СВЧ -- ВТСП -- микрополосковая структура
Аннотация: A new construction of dual band HTSC power limiter is proposed. The device consists of two microstrip bandpass filters. Each filter consists of two quarter-wave resonators which couple through a composite half-wave resonator with HTSC-element. The prototype of the device in the open mode has operation passband of about 10% and 11% with central frequency being equal to 1.48 GHz and 2.03 GHz, the minimum loss in the passband is equal 1.9 dB and 1.7 dB for LF-channel and HF-channel correspondingly. The transfer characteristics of the device were investigated in the case of microwave power level up to 3.15 W.
Предложена новая конструкция ВТСП ограничителя мощности с двумя рабочими полосами. Ограничитель содержит два микрополосковых полосно-пропускающих фильтра. Каждый фильтр состоит из двух четвертьволновых резонаторов, которые связаны между собой через составной полуволновый резонатор, содержащий пленку из высокотемпературного сверхпроводника. Макет устройства в открытом режиме имеет ширины рабочих полос пропускания 10% и 11% с центральными частотами 1.48 ГГц и 2.03 ГГц. Минимальные вносимые потери составили 1.9 дБ и 1.7 дБ для НЧ- и ВЧ-каналов соответственно. Передаточные характеристики устройства были исследованы до уровня СВЧ-мощности 3.15 Вт.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics SB RAS, Krasnoyarsk, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Afonin, A. O.; Афонин, Алексей Олегович; Alexandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Govorun, I. V.; Говорун, Илья Валерьевич; Leksikov, A. A.; Лексиков, Александр Александрович; Ugryumov, A. V.; Угрюмов, Андрей Витальевич; Ogorodnikov, D. K.

}
Найти похожие

    Govorun, I. V.
    HTS microwave power limiter based on microstrip quarter-wave resonators / I. V. Govorun, A. A. Leksikov // International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM : [29 June 2017 - 03 July 2017, Erlagol, Russia] : IEEE Computer Society, 2017. - P. 80-82, DOI 10.1109/EDM.2017.7981712. - Cited References: 7. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, grant Cn-3036.2016.3.of the President of the Russian Federation for State Support of Young Russian Scientists.
   Перевод заглавия: ВТСП СВЧ ограничитель мощности на основе микрополосковых четвертьволновых резонаторов
Кл.слова (ненормированные):
Microstrip resonator -- HTS -- Power limiter -- Interaction of resonators
Аннотация: A microwave power limiter based on three-pole microstrip filter is designed, fabricated and tested. In the device outer resonators are coupled through an inner resonator containing high-temperature superconducting film. Prototype of the device with central frequency 8.3 GHz and relative bandwidth 7% has insertion loss 3 dB in the open state and signal suppression not less 35 dB in the limitation state.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Leksikov, Al. A.; Лексиков, Александр Александрович; International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices(18 ; 2017 ; Jun.-Jul. ; Erlagol, Russia)
}
Найти похожие

    International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts / Fed. Res. Center KSC SB RAS, Kirensky Inst. of phys., Sib. Fed. Univ. ; предс. прогр. ком. S. G. Ovchinnikov. - Krasnoyarsk : [s. n.], 2017. - 30 p.
    Содержание:
Bondarev, I. A. Magnetic and transport properties of the epitaxial Fe3Si film on a Si substrate / I. A. Bondarev. - P .25
Yakovlev, I. A. The magnetic anisotropy of the Fe and Fe(1-x)Si(x) thin films depend on / I. A. Yakovlev [и др.]. - P .12
Другие авторы: Belyaev B. A., Rautskii M. V., Tarasov, I. A., Varnakov S. N, Ovchinnikov, S. G.
Popkov, S. I. Inverted opals as the Josephson networks of weak links : Invited / S. I. Popkov [и др.]. - P .24
Другие авторы: Gokhfeld D. M., Bykov A., Mistonov A., Shabanov A., Terentiev K.
Nikolaev, S. Electronic structure and Fermi surface within the cluster perturbation theory in X-operators representation : Invited / S. Nikolaev, V. I. Kuz'min, S. G. Ovchinnikov. - P .27
Fedorov, A. S. DFT investigation of electronic and optical magnetic properties of one dimensional transition metal halide structuresTmHaI3 : Invited / A. S. Fedorov [и др.]. - P .20
Другие авторы: Kuzubov A. A., Kovaleva E. A., Popova M. I., Kholtobina A. S., Mikhaleva N. S., Visotin M. A.
Ovchinnikov, S. G. Effect of interatomic exchange interaction on spin crossover and Mott-Hubbard transition under high pressure and the physical properties of the low Earth’s mantle : Invited / S. G. Ovchinnikov [и др.]. - P .26
Другие авторы: Orlov Yu. S., Nikolaev S., Nesterov A., Ovchinnikova T.
Tarasov, I. A. Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure / I. A. Tarasov [и др.]. - P .21
Другие авторы: Smolyakov D. A., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Volkov, N. V. Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures : Invited / N. V. Volkov [et al.]. - P .10
Другие авторы: Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Ovchinnikov S. G.
Lukyanenko, A. V. Fabrication of multi-terminal planar devices based on epitaxial Fe1-xSix films grown on Si(111) / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Tarasov [et al.] ; A. V. Luyanenko [и др.]. - P .28
Другие авторы: Tarasov A. S., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Smolyarova T. E., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Rautskii, M. V. Magnetic field-driven lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hibrid structure with the Scottky barrier / M. V. Rautskii [и др.]. - P .29
Другие авторы: Tarasov A. S., Varnakov S. N., Bondarev I. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Volkov N. V.
Moryachkov, R. Small angle X-ray scattering and atomic structure of aptamer biomolecules / R. Moryachkov [и др.]. - P .14-15
Другие авторы: Tomilin F. N., Shchugoreva I., Spiridonova V., Peters G., Zabluda V.
Tarasov, I. A. Iron silicides and pure iron epitaxial and highly-textured nanostructures on silicon: growth and their physical properties : Invited / I. A. Tarasov [и др.]. - P .23
Другие авторы: Visotin M. A., Solovyov L. A., Rautskii M. V., Zhandun, V. S., Nemtsev I. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N, Ovchinnikov, S. G.
Sokolov, A. E. Magnetic nanoparticles and DNA-aptamers conjugates for diagnostics and therapy of cancer : Invited / A. E. Sokolov [и др.]. - P .13
Другие авторы: Zamay S., Zamay T., Svetlichnyi V., Velikanov D.
Sandalov, I. S. The microscopic origin of ferromagnetism in Fe silicides : Invited / I. S. Sandalov [и др.]. - P .16
Другие авторы: Zamkova N. G., Zhandun V. S., Ovchinnikov, S. G.

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \предс. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Lukyanenko, A. V.; Varnakov, S. N.; Bondarev, I. A.; Ovchinnikov, S. G.; Tarasov, I. A.; Svetlichnyi, V.; Velikanov, D. A.; Spiridonova, V.; Peters, G.; Zabluda, V. N.; Popova, M. I.; Kholtobina, A. S.; Mikhaleva, N. S.; Visotin, M. A.; Yakovlev, I. A.; Volkov, N. V.; Rautskii, M. V.; Zhandun, V. S.; Nemtsev, I. V.; Varnakov, S. N; Mistonov, A.; Shabanov, A. V.; Terentiev, K. Yu.; Nesterov, A.; Ovchinnikova, T.; Smolyarova, T. E.; Volochaev, M. N.; Federal Research Center KSC SB RAS; Kirensky Institute of Physics; Siberian Federal Univercity; International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics (27 Mar. - 1 Apr. 2017 ; Krasnoyarsk / Cheremushki)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Investigation of one-dimensional photonic crystal structures with two sublattices in microwaves / B. A. Belyaev [et al.] // Russ. Phys. J. - 2013. - Vol. 55, Is.8. - P. 861-868, DOI 10.1007/s11182-013-9893-y. - Cited References: 8 . - ISSN 1064-8887
Кл.слова (ненормированные):
dielectric permittivity -- pass band -- photonic crystal -- resonator
Аннотация: The behavior of eigenfrequencies of an irregular microstrip resonator, being an integral part of the one-dimensional photonic crystal (PC) with two sublattices, is investigated as a function of its design parameters. The possibility of a significant increase of the second band gap of the PC with two sublattices is demonstrated that essentially improves the frequency selection properties of the bandpass filters designed on its basis. Good agreement between the calculated results and measurements with the prototype of the original filter built around the microstrip photonic crystal of new design comprising 19 layers is demonstrated. В© 2013 Springer Science+Business Media New York.

Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Исследование одномерных двухподрешеточных фотонно-кристаллических структур в свч-диапазоне // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 5-12

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirenskii Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Voloshin, A. S.; Волошин, Александр Сергеевич; Khodenkov, S. A.; Shabanov, V. F.; Шабанов, Василий Филиппович
}
Найти похожие

Miniature bandpass microwave filter with interference suppression by more than 100 dB in a wide rejection band / B. A. Belyaev [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2013. - Vol. 39, Is. 8. - P. 690-693, DOI 10.1134/S1063785013080026. - Cited References: 17. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.513.11.0010), the federal targeted program "Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (2009-2013)" (state contract no. 16.740.11.0470), agreement nos. 14.V37.21.1103 and 14.V37.21.0070, and Integration Project no. 109 (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences). . - ISSN 1063-7850

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
STEPPED-IMPEDANCE RESONATORS
   MICROSTRIP FILTERS
   STOPBAND
   FEATURES
   DESIGN
Аннотация: A new planar resonator design in which a single conductor is replaced by three parallel stripe conductors located one above the other on a suspended two-layer substrate is proposed. It is shown that the resonator longitudinal sizes can be significantly reduced and, at the same time, the resonator intrinsic Q factor and frequencies of higher oscillation modes can be increased. A fourth-order bandpass filter with a central frequency of the transmission band (relative width 5%) of 1 GHz has been developed and fabricated. This filter has a -100-dB rejection band up to frequencies exceeding 10 GHz. The filter is enclosed in a metallic case with an internal size of 38 x 12 x 7.5 mm. It is shown that a similar filter fabricated in accordance with low-temperature cofired ceramic (LTCC) technology has a -40-dB rejection band up to 30 GHz, with sizes reduced to 5.0 x 4.25 x 1.24 mm.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Миниатюрный полосно-пропускающий СВЧ-фильтр с подавлением уровня помех более 100 dB в широкой полосе заграждения // Письма в Журнал технической физики. - 2013. - Т. 39, Вып. 15. - С. 47-55

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Serzhantov, A. M.; Сержантов, Алексей Михайлович; Tyurnev, V. V.; Тюрнев, Владимир Вениаминович; Leksikov, Al. A.; Лексиков, Александр Александрович; Bal'va, Y. F.; Бальва, Ярослав Федорович; Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0010]; federal targeted program "Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia" [16.740.11.0470, 14.V37.21.1103, 14.V37.21.0070]; Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [109]
}
Найти похожие

    XX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. ВКС-XX : сб. тр. конф. / Мин-во образов. и науки Рос. Федер., Рос. акад. наук, Науч. совет по физ. конденс. сред, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского, Краснояр. науч. центр, Сиб. федер. ун-т. Шк. мол. ученых "Актуальные пробл. физики сегнетоэлектриков" ; чл. орг. ком. В. Ф. Шабанов ; орг. ком. А. С. Сигов [и др.]. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2014. - 399 с. - Загл. обл. : ВКС-XX. Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. - 150 экз. - ISBN 978-5-90460-304-5 : Б. ц.
    Содержание:
Фазовые переходы, критические явления . - С .39-132
Теоретические расчеты свойств сегнетоэлектриков . - С .133-150
Структура и динамика кристаллической решетки . - С .151-174
Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы) . - С .175-240
Сегнетоэлектрики - релаксоры . - С .241-264
Мультиферроики . - С .265-294
Доменная структура и процессы переключения . - С .295-334
Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры. Размерные эффекты в сегнетоэллектриках . - С .335-366
Практическое применение сегнетоэлектриков и родственных материалов (пиро- и пьезоэлектрические, оптические и нелинейно-оптические, СВЧ) . - С .367-392
Аннотация: Сборник предназначен для научных сотрудников, аспирантов, преподавателей и студентов, интересующихся проблемами физики сегнетоэлектриков. Подготовка и проведение конференции осуществлены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности. Печатается по решению Оргкомитета конференции ВКС-XX в авторской редакции.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Шабанов, Василий Филиппович \чл. орг. ком.\; Shabanov, V. F.; Сигов, А. С. \орг. ком.\; Вахрушев, С. Б. \орг. ком.\; Волков, Никита Валентинович \орг. ком.\; Volkov, N. V.; Чугуева, И. Н. \орг. ком.\; Волков, А. А. \орг. ком.\; Втюрин, Александр Николаевич \орг. ком.\; Vtyurin, A. N.; Гриднев, С. А. \орг. ком.\; Зайцев, Александр Иванович \орг. ком.\; Zaitsev, A. I.; Зиненко, Виктор Иванович \орг. ком.\; Zinenko, V. I.; Иванова, Е. С. \орг. ком.\; Лушников, С. Г. \орг. ком.\; Малиновский, В. К. \орг. ком.\; Патрин, Геннадий Семёнович \орг. ком.\; Patrin, G. S.; Печерская, Р. М. \орг. ком.\; Сахненко, В. П. \орг. ком.\; Флёров, Игорь Николаевич \орг. ком.\; Flerov, I. N.; Шур, Владимир Яковлевич \орг. ком.\; Министерство образования и науки Российской Федерации; Российская академия наук; Научный совет по физике конденсированных сред РАН; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет; Школа молодых ученых "Актуальные проблемы физики сегнетоэлектриков" (18-22 августа 2014 г. ; Красноярск); Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (20 ; 2014 ; 18-22 авг. ; Красноярск)
Свободных экз. нет}
Найти похожие

Беляев, Борис Афанасьевич.
Автоматизированный комплекс проектирования и производства микрополосковых частотно-селективных устройств СВЧ [Текст] / Б. А. Беляев // Каталог проектов общегородской ассамблеи "Красноярск, технологии будущего". - Красноярск, 2008. - С. 30

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Belyaev, B. A.
}
Найти похожие

Грушевский, Евгений Олегович.
Анализ комплексных коэффициентов отражения полосно-пропускающих СВЧ-фильтров при их проектировании / Е. О. Грушевский, Я. Ф. Бальва // Соврем. проблемы радиоэлектроники : сб. науч. трудов : электронное издание / ред. А. И. Громыко. - Красноярск : СФУ, 2018. - С. 280-283 . - ISBN 978-5-7638-3902-9
Аннотация: Рассмотрен метод идентификации «слившихся» пиков минимумов коэффициентов отражения, который может быть использован при параметрическом синтезе полосно-пропускающих фильтров.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Громыко, А. И. \ред.\; Бальва, Ярослав Федорович; Bal'va, Y. F.; Grushevskii, Ye. O.; "Современные проблемы радиоэлектроники", всероссийская научно-техническая конференция, посвященная 123-й годовщине Дня радио(21 ; 2018 ; май ; 3-4 ; Красноярск); Сибирский федеральный университет
}
Найти похожие

10.

Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2020667612 Российская Федерация

Анализ коэффициентов отражения симметричных СВЧ фильтров для вычисления отклонения параметров / Е. О. Грушевский, И. В. Подшивалов. - № 2020666983 ; Заявл. 21.12.2020 ; Опубл. 25.12.2020 // Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 1
Аннотация: Программа предназначена для формирования рекомендаций по настройке конструкции фильтра для получения оптимальных характеристик. Входными данными программы являются техническое задание, включающее порядок фильтра и уровень отраженных потерь, максимумы отражения в полосе пропускания и классифицированные пики резонансных частот. В результате работы программы получают: массив данных, включающих информацию о направлениях отклонений параметров фильтра, и строка, интерпретирующая отклонения. Результаты работы выводятся в виде массива или строки. Программа может быть использована в качестве модуля к программам автоматического синтеза или настройки фильтров по их АЧХ. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК. ОС: Windows 7/8/10.

Смотреть свид-во,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Грушевский, Евгений Олегович; Grushevskii, Ye. O.; Подшивалов, Иван Валерьевич; Podshivalov, I. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие