Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (165)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=СВЧ<.>)

Общее количество найденных документов : 91
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Govorun I. V., Leksikov A. A., Serzhantov A. M.
Заглавие : Compact microwave power limiter with htsc element
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2018. - Vol. 11, Is. 1. - P.35-39. - ISSN 19971397 (ISSN), DOI 10.17516/1997-1397-2018-11-1-35-39; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика"
Примечания : Cited References: 9. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, grant СП-3036.2016.3. of the President of the Russian Federation for State Support of Young Russian Scientists.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): power limiter--microwave--damping pole--microstripe structure--htsc--ограничитель мощности--свч--полюс затухания--микрополосковая структура--втсп
Аннотация: A design of microwave power limiter having a structure of three-pole microstrip filter is developed. In the device outer resonators are coupled through an inner resonator containing high-temperature super- conducting film. Prototype of the device with central frequency 7.9 GHz and relative bandwidth 9% has insertion loss 1.5 dB in the open state and suppress a signal not less 30 dB in the limitation state.Была разработана конструкция ограничителя СВЧ-мощности, имеющая структуру трехзвенного микрополоскового фильтра. В устройстве внешние резонаторы связаны посредством внутреннего, содержащего ВТСП-пленку. Макет устройства с центральной частотой 7.9 ГГц и относительной полосой пропускания 9% имеет потери 1.5 дБ в открытом состоянии и не менее 30 дБ ослабления в режиме ограничения.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Afonin A. O., Alexandrovsky A. S., Govorun I. V., Leksikov A. A., Ugryumov A. V., Ogorodnikov D. K.
Заглавие : Dual band HTSC power limiter
Колич.характеристики :7 с
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2024. - Vol. 17, Is. 2. - P.162-168. - ISSN 19971397 (ISSN); Журн. СФУ. Матем. и физ.
Примечания : Cited References: 10
Аннотация: A new construction of dual band HTSC power limiter is proposed. The device consists of two microstrip bandpass filters. Each filter consists of two quarter-wave resonators which couple through a composite half-wave resonator with HTSC-element. The prototype of the device in the open mode has operation passband of about 10% and 11% with central frequency being equal to 1.48 GHz and 2.03 GHz, the minimum loss in the passband is equal 1.9 dB and 1.7 dB for LF-channel and HF-channel correspondingly. The transfer characteristics of the device were investigated in the case of microwave power level up to 3.15 W.Предложена новая конструкция ВТСП ограничителя мощности с двумя рабочими полосами. Ограничитель содержит два микрополосковых полосно-пропускающих фильтра. Каждый фильтр состоит из двух четвертьволновых резонаторов, которые связаны между собой через составной полуволновый резонатор, содержащий пленку из высокотемпературного сверхпроводника. Макет устройства в открытом режиме имеет ширины рабочих полос пропускания 10% и 11% с центральными частотами 1.48 ГГц и 2.03 ГГц. Минимальные вносимые потери составили 1.9 дБ и 1.7 дБ для НЧ- и ВЧ-каналов соответственно. Передаточные характеристики устройства были исследованы до уровня СВЧ-мощности 3.15 Вт.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск продолж. издания)
Шифр издания :
Автор(ы) : Govorun I. V., Leksikov Al. A.
Заглавие : HTS microwave power limiter based on microstrip quarter-wave resonators
Коллективы : International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices
Место публикации : International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM: [29 June 2017 - 03 July 2017, Erlagol, Russia]: IEEE Computer Society, 2017. - P.80-82. - , DOI 10.1109/EDM.2017.7981712
Примечания : Cited References: 7. - The work was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, grant Cn-3036.2016.3.of the President of the Russian Federation for State Support of Young Russian Scientists.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): microstrip resonator--hts--power limiter--interaction of resonators
Аннотация: A microwave power limiter based on three-pole microstrip filter is designed, fabricated and tested. In the device outer resonators are coupled through an inner resonator containing high-temperature superconducting film. Prototype of the device with central frequency 8.3 GHz and relative bandwidth 7% has insertion loss 3 dB in the open state and signal suppression not less 35 dB in the limitation state.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Заглавие : International workshop on actual problems of condensed matter physics : Program. Book of abstracts
Выходные данные : Krasnoyarsk, 2017
Колич.характеристики :30 с
Коллективы : Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Siberian Federal Univercity, International Workshop on Actual Problems of Condensed Matter Physics (27 Mar. - 1 Apr. 2017; Krasnoyarsk/ Cheremushki) :
Содержание : Magnetic and transport properties of the epitaxial Fe3Si film on a Si substrate/ I. A. Bondarev. The magnetic anisotropy of the Fe and Fe(1-x)Si(x) thin films depend on/ I. A. Yakovlev [и др.]. Inverted opals as the Josephson networks of weak links/ S. I. Popkov [и др.]. Electronic structure and Fermi surface within the cluster perturbation theory in X-operators representation/ S. Nikolaev, V. I. Kuz'min, S. G. Ovchinnikov. DFT investigation of electronic and optical magnetic properties of one dimensional transition metal halide structuresTmHaI3/ A. S. Fedorov [и др.]. Effect of interatomic exchange interaction on spin crossover and Mott-Hubbard transition under high pressure and the physical properties of the low Earth’s mantle/ S. G. Ovchinnikov [и др.]. Extremely high magnetic-field sensitivity of charge transport in the Mn/SiO2/p-Si hybrid structure/ I. A. Tarasov [и др.]. Marnetic-field sensitivity of charge transport in silicon-based hybrid structures/ N. V. Volkov [et al.]. Fabrication of multi-terminal planar devices based on epitaxial Fe1-xSix films grown on Si(111)/ A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Tarasov [et al.] ; A. V. Luyanenko [и др.]. Magnetic field-driven lateral photovoltaic effect in the Fe/SiO2/p-Si hibrid structure with the Scottky barrier/ M. V. Rautskii [и др.]. Small angle X-ray scattering and atomic structure of aptamer biomolecules/ R. Moryachkov [и др.]. Iron silicides and pure iron epitaxial and highly-textured nanostructures on silicon: growth and their physical properties/ I. A. Tarasov [и др.]. Magnetic nanoparticles and DNA-aptamers conjugates for diagnostics and therapy of cancer/ A. E. Sokolov [и др.]. The microscopic origin of ferromagnetism in Fe silicides/ I. S. Sandalov [и др.].
Материалы конференции
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Belyaev B. A., Voloshin A. S., Khodenkov S. A., Shabanov V. F.
Заглавие : Investigation of one-dimensional photonic crystal structures with two sublattices in microwaves
Место публикации : Russ. Phys. J.: SPRINGER, 2013. - Vol. 55, Is.8. - P.861-868. - ISSN 1064-8887, DOI 10.1007/s11182-013-9893-y
Примечания : Cited References: 8
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): dielectric permittivity--pass band--photonic crystal--resonator
Аннотация: The behavior of eigenfrequencies of an irregular microstrip resonator, being an integral part of the one-dimensional photonic crystal (PC) with two sublattices, is investigated as a function of its design parameters. The possibility of a significant increase of the second band gap of the PC with two sublattices is demonstrated that essentially improves the frequency selection properties of the bandpass filters designed on its basis. Good agreement between the calculated results and measurements with the prototype of the original filter built around the microstrip photonic crystal of new design comprising 19 layers is demonstrated. В© 2013 Springer Science+Business Media New York.
Scopus,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Belyaev B. A., Serzhantov A. M., Tyurnev V. V., Leksikov Al. A., Bal'va Y. F.
Заглавие : Miniature bandpass microwave filter with interference suppression by more than 100 dB in a wide rejection band
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0010]; federal targeted program "Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia" [16.740.11.0470, 14.V37.21.1103, 14.V37.21.0070]; Siberian Branch, Russian Academy of Sciences [109]
Место публикации : Tech. Phys. Lett.: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 2013. - Vol. 39, Is. 8. - P.690-693. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785013080026
Примечания : Cited References: 17. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 14.513.11.0010), the federal targeted program "Scientific and Pedagogical Personnel of Innovative Russia (2009-2013)" (state contract no. 16.740.11.0470), agreement nos. 14.V37.21.1103 and 14.V37.21.0070, and Integration Project no. 109 (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences).
Предметные рубрики: STEPPED-IMPEDANCE RESONATORS
MICROSTRIP FILTERS
STOPBAND
FEATURES
DESIGN
Аннотация: A new planar resonator design in which a single conductor is replaced by three parallel stripe conductors located one above the other on a suspended two-layer substrate is proposed. It is shown that the resonator longitudinal sizes can be significantly reduced and, at the same time, the resonator intrinsic Q factor and frequencies of higher oscillation modes can be increased. A fourth-order bandpass filter with a central frequency of the transmission band (relative width 5%) of 1 GHz has been developed and fabricated. This filter has a -100-dB rejection band up to frequencies exceeding 10 GHz. The filter is enclosed in a metallic case with an internal size of 38 x 12 x 7.5 mm. It is shown that a similar filter fabricated in accordance with low-temperature cofired ceramic (LTCC) technology has a -40-dB rejection band up to 30 GHz, with sizes reduced to 5.0 x 4.25 x 1.24 mm.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Заглавие : XX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. ВКС-XX : сб. тр. конф.
Выходные данные : Красноярск: ИФ СО РАН, 2014
Колич.характеристики :399 с
Коллективы : Министерство образования и науки Российской Федерации, Российская академия наук, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, Сибирское отделение РАН, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, Сибирский федеральный университет, Школа молодых ученых "Актуальные проблемы физики сегнетоэлектриков" (18-22 августа 2014 г.; Красноярск), Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (20; 2014 ; 18-22 авг.; Красноярск)
Разночтения заглавия :Загл. обл.: ВКС-XX. Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков
ISBN, Цена 978-5-90460-304-5:
Содержание : Фазовые переходы, критические явления ; Теоретические расчеты свойств сегнетоэлектриков ; Структура и динамика кристаллической решетки ; Физические свойства сегнетоэлектриков (монокристаллы, керамика, композиты, жидкие кристаллы, новые материалы) ; Сегнетоэлектрики - релаксоры ; Мультиферроики ; Доменная структура и процессы переключения ; Сегнетоэлектрические пленки, сверхрешетки и наноструктуры. Размерные эффекты в сегнетоэллектриках ; Практическое применение сегнетоэлектриков и родственных материалов (пиро- и пьезоэлектрические, оптические и нелинейно-оптические, СВЧ)
Аннотация: Сборник предназначен для научных сотрудников, аспирантов, преподавателей и студентов, интересующихся проблемами физики сегнетоэлектриков. Подготовка и проведение конференции осуществлены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности. Печатается по решению Оргкомитета конференции ВКС-XX в авторской редакции.
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич
Заглавие : Автоматизированный комплекс проектирования и производства микрополосковых частотно-селективных устройств СВЧ
Место публикации : Каталог проектов общегородской ассамблеи "Красноярск, технологии будущего". - Красноярск, 2008. - С. 30
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Грушевский, Евгений Олегович, Бальва, Ярослав Федорович
Заглавие : Анализ комплексных коэффициентов отражения полосно-пропускающих СВЧ-фильтров при их проектировании
Коллективы : "Современные проблемы радиоэлектроники", всероссийская научно-техническая конференция, посвященная 123-й годовщине Дня радио, Сибирский федеральный университет
Место публикации : Соврем. проблемы радиоэлектроники: сб. науч. трудов : электронное издание/ ред. А. И. Громыко. - Красноярск: СФУ, 2018. - С. 280-283. - ISBN 978-5-7638-3902-9
Аннотация: Рассмотрен метод идентификации «слившихся» пиков минимумов коэффициентов отражения, который может быть использован при параметрическом синтезе полосно-пропускающих фильтров.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Гос. рег. прогр. для ЭВМ 2020667612!-783006374
Автор(ы) : Грушевский, Евгений Олегович, Подшивалов, Иван Валерьевич
Заглавие : Анализ коэффициентов отражения симметричных СВЧ фильтров для вычисления отклонения параметров .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Прогр. для ЭВМ. Базы данных. Топологии интегр. микросхем: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2020. - № 1
Аннотация: Программа предназначена для формирования рекомендаций по настройке конструкции фильтра для получения оптимальных характеристик. Входными данными программы являются техническое задание, включающее порядок фильтра и уровень отраженных потерь, максимумы отражения в полосе пропускания и классифицированные пики резонансных частот. В результате работы программы получают: массив данных, включающих информацию о направлениях отклонений параметров фильтра, и строка, интерпретирующая отклонения. Результаты работы выводятся в виде массива или строки. Программа может быть использована в качестве модуля к программам автоматического синтеза или настройки фильтров по их АЧХ. Тип ЭВМ: IBM PC-совмест. ПК. ОС: Windows 7/8/10.
Смотреть свид-во,
Читать в сети ИФ
Найти похожие