Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ТОНКИЕ ПЛЕНКИ<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Максимова, Ольга Александровна, Косырев, Николай Николаевич, Варнаков, Сергей Николаевич, Лященко, Сергей Александрович, Овчинников, Сергей Геннадьевич
Заглавие : Особенности анализа эллипсометрических данных для магнитных наноструктур
Коллективы : "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция
Место публикации : Журн. структ. химии. - Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2014. - Т. 55, № 6. - С. 1190-1197. - ISSN 0136-7463
Примечания : Библиогр.: 8. - Работа выполнена при финансовой поддержке Программы Президента России по поддержке ведущих научных школ НШ 2886.2014.2, Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265, № 14-02-01211), Министерства образования и науки Российской Федерации (Соглашение 14.604.21.0002, Государственный контракт № 02.G25.31.0043), а также Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (программа "У.М.Н.И.К.", договор № 0003831).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): магнитоэллипсометрия--эллипсометрические измерения--магнитооптический эффект керра--тонкие пленки--модель полубесконечной среды--коэффициент преломления--коэффициент поглощения--магнитооптический параметр
Аннотация: Предложена методика интерпретации магнитоэллипсометрических измерений. Рассмотрена модель однородной полубесконечной среды для отражающих слоистых магнитных структур при наличии магнитного поля в конфигурации магнитооптического экваториального эффекта Керра. На основании анализа коэффициентов Френеля с учетом магнитооптического параметра Q, входящего в недиагональные члены тензора диэлектрической проницаемости, получены выражения, с помощью которых из данных эллипсометрических (ψ 0 и Δ 0) и магнитоэллипсометрических (ψ 0 + δψ и Δ 0 + δΔ) измерений можно получить значения величин коэффициентов преломления ( n), поглощения ( k), действительной ( Q 1) и мнимой ( Q 2) частей магнитооптического параметра. Полученные результаты позволят с помощью традиционной эллипсометрической аппаратуры измерять и анализировать такие магнитные характеристики, как петли гистерезиса, коэрцитивную силу слоистых наноструктур.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Тарасов, Антон Сергеевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Мягков, Виктор Григорьевич, Тамбасова Е. Г.
Заглавие : Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция
Место публикации : Решетневские чтения: материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - ISBN 1990-7702
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К.").
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксид индия--тонкие пленки--автоволновое окисление--indium oxide--thin films--autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.
Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Куклин, Артем Валентинович, Кузубов, Александр Александрович, Денисов, Виктор Михайлович, Ковалева, Евгения Андреевна, Шостак С. А.
Заглавие : Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K).
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): crn--тонкие пленки--монослои--dft--ab initio--спинтроника--thin films--monolayers--spintronics
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аверьянов, Евгений Михайлович
Заглавие : Молекулярно-оптическая анизотропия тонких пленок полифенил- хиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул
Место публикации : Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2018. - Т. 18, № 4. - С. 48–56. - ISSN 1991-3966, DOI 10.18083/LCAppl.2018.4.48; Liq. Cryst. Appl. - ISSN 2499-9644
Примечания : Библиогр.: 11
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические свойства--тонкие пленки--производные полифенилхиноксалинов--молекулярная поляризуемость--optical properties--thin films--poly(phenylquinoxaline) derivatives--molecular polarizability
Аннотация: Для одноосных тонких пленок двух производных полифенилхиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул исследована связь показателей преломления nj с параметрами поляризуемости Г {компонентами γj, средним значением γ‾= (γ || + 2γ⊥)/3, анизотропией δγ = γ|| – γ⊥} двуосного мономерного звена полимерной цепи при поляризациях световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j =⊥) оптической оси, которая перпендикулярна плоскости пленки. В компонентах fj =1+Lj(nj2–1) тензора локального поля значения компонент Lj тензора Лоренца получены с использованием экспериментальных зависимостей nj(λ) от длины световой волны λ. Показано, что для исследованных пленок с малым двулучепреломлением Δn = n||–n⊥ модельные тензоры fj, широко используемые для полимерных пленок, приводят к существенно заниженным значениям δγ и искажению дисперсии Г(λ). Впервые отмечено, что для двуосных мономерных звеньев с двумя параметрами одноосного ориентационного порядка (S, G) и двумя типами анизотропии поляризуемости (Δγ, Δγ') связь Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 может приводить к равенству Δn = 0 при S≠ 0, G≠ 0. Выяснены молекулярные и структурные особенности реализации состояния пленки с Δn = 0.For the uniaxial thin films of two poly(phenylquinoxaline) derivatives with in-plane orientation of macromolecules, the relationship between refractive indices nj and polarizability parameters Г {components γj, mean value γ‾ = (γ || + 2γ⊥)/3, anisotropy δγ = γ|| – γ⊥} of the biaxial monomer unit of the polymer chain for the light-wave polarization along (j = ||) and across (j =⊥) the optical axis which is perpendicular to the film plane, was investigated. In the local-field tensor components fj =1+Lj(nj2–1), the Lorentz-tensor components values (Lj) were obtained using the experimental dependences of nj(λ) on the light wavelength λ . The model tensors fj, which are widely used for polymer films, lead to essentially understated values of δγ and distortion of the dispersion Г(λ)for the investigated films with low birefringence Δn = n||–n⊥. It was observed for the first time, that for biaxial monomer units with two parameters of uniaxial orientational order (S, G) and two types of the polarizability anisotropy (Δγ, Δγ') the relation Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 can lead to the equality Δn = 0 at S≠ 0, G≠ 0.Molecular and structural peculiarities required for realization of the film state with Δn = 0were established.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Белоусов А.Л., Патрушева Т.Н., Карачаров А.А., Иваненко, Александр Анатольевич, Кирик С.Д., Холькин А.И.
Заглавие : Пленки аморфного и кристаллического оксида никеля, полученные экстракционно-пиролитическим методом для электрохромных ячеек
Место публикации : Хим. технол. - 2019. - Т. 20, № 5. - С. 215-221. - ISSN 1684-5811, DOI 10.31044/1684-5811-2019-20-5-215-221
Примечания : Библиогр.: 8
Аннотация: Представлены исследования тонких пленок оксида никеля, полученных экстракционно-пиролитическим методом на стеклянных и кварцевых подложках при температурах 380-600 °С. Пленки охарактеризованы методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что на стекле формируются аморфные, а на кварце - кристаллические пленки оксида никеля. Размер зерна в пленках зависит от температуры отжига, при этом повышенные температуры отжига приводят к рекристаллизации и снижению размера зерна в пленках NiO от 130 до 35 нм.Study results of thin films of nickel oxide, produced by the extraction-pyrolitic method on glass and quartz substrates at temperatures 380-600 °С are presented. The film characteristics were obtained by the methods of atomic-force microscopy and X-ray diffraction. It has been found out that amorphous films are formed on glass and crystalline ones of nickel oxide are formed on quartz. Grain dimensions in the films depend on annealing temperature.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Волочаев, Михаил Николаевич, Калинин Ю. Е., Каширин М. А., Макагонов В. А., Панков С. Ю., Бассараб В. В.
Заглавие : Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25
Место публикации : Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511. - ISSN 0015-3222, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185
Примечания : Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6).
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Волочаев, Михаил Николаевич, Воронин А. С., Евсевская Н. П., Масюгин, Альберт Николаевич, Александровский, Александр Сергеевич, Смолярова T. E., Немцев, Иван Васильевич, Лященко, Сергей Александрович, Бондаренко Г. Н., Тамбасова Е. В.
Заглавие : Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455
Примечания : Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079).
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Воронин А. С., Евсевская Н. П., Кузнецов Ю. М., Лукьяненко, Анна Витальевна, Тамбасова Е. В., Горнаков М. О., Дорохин М. В., Логинов Ю. Ю.
Заглавие : Экспериментальное исследование коэффициента теплопроводности в тонких пленках на основе одностенных углеродных нанотрубок
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 6. - С. 960-964. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2020.06.49358.625
Примечания : Библиогр.: 21. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта: ”Исследование коэффициента теплопроводности и структурных особенностей в тонких наноструктурированных оксидных пленках, перспективных для термоэлектрического применения“ (проект No 18-42-243010) и стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1)
Аннотация: Тонкие пленки на основе одностенных углеродных нанотрубок с толщиной от 11±3 до 157± 18 nm были сформированы с помощью вакуумной фильтрации. Коэффициент теплопроводности в тонких пленках был исследован в зависимости от толщины и температуры до 450 K с помощью 3omega-метода. Обнаружено, что в области 49 nm подведенное тепло от золотой полоски начинало эффективно распространяться в плоскость тонкой пленки. Коэффициент теплопроводности для тонких пленок с толщиной от 49± 8 nm был измерен согласно 3omega-метода для объемных образцов. Было обнаружено, что коэффициент теплопроводности в тонких пленках на основе одностенных углеродных нанотрубок сильно зависит от толщины и температуры. Коэффициент теплопроводности резко повышался (~ 60 раз) при увеличении толщины с 11± 3 до 65± 4 nm. Kроме этого, было выявлено, что коэффициент теплопроводности для 157± 18 nm тонкой пленки стремительно уменьшался с 211± 11 до 27.5± 1.4 W·m-1·K-1 для 300 и 450 K соответственно.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
РИНЦ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bykova L. E., Myagkov V. G., Zhigalov V. S., Matsynin A. A., Velikanov D. A., Bondarenko G. N., Patrin G. S.
Заглавие : Magnetic and structure properties of CoPt-In2O3 nanocomposite films
Коллективы : Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory [19-43-240003]
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2020. - Vol. 13, Is. 4. - P.431-438. - ISSN 1997-1397, DOI 10.17516/1997-1397-2020-13-4-431-438; Журн. СФУ. Матем. и физика. - ISSN 2313-6022(eISSN)
Примечания : Cited References: 29. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research projects no. 19-43-240003
Предметные рубрики: THIN-FILMS
TEMPERATURE
PHASE
Аннотация: The structural and magnetic properties of CoPt-In2O3 nanocomposite films formed by vacuum annealing of the In/(Co3O4 + Pt)/MgO film system in the temperature range of 100–800 °C have been investigated. The synthesized nanocomposite films contain ferromagnetic CoPt grains with an average size of 5nm enclosed in an In2O3 matrix, and have a magnetization of 600 emu/cm3, and a coercivity of 150 Oe at room temperature. The initiation 200 °C and finishing 800 °C temperatures of synthesis were determined, as well as the change in the phase composition of the In/(Co3O4 + Pt)/MgO film during vacuum annealing.Исследованы структурные и магнитные свойства нанокомпозитных пленок CoPt- In2O3, полученных вакуумным отжигом пленочной системы In/(Co3O4 + Pt)/MgO в интервале температур 100 – 800 °C. Синтезированные нанокомпозитные пленки содержали ферромагнитные CoPt-кластеры со средним размером 5 nm, заключенные в матрицу In2O3, и имели намагниченность 600 emu/cm3, коэрцитивную силу 150 Oe при комнатной температуре. Определены температуры начала 200 °C и окончания 800 °C синтеза, а также изменение фазового состава пленки In/(Co3O4 + Pt)/MgO при вакуумном отжиге.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алтунин Р. Р., Моисеенко Е. Т., Жарков, Сергей Михайлович
Заглавие : Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 4. - С. 621-626. - ISSN 1063-7834, DOI 10.21883/FTT.2020.04.49130.652. - ISSN 1090-6460(eISSN)
Примечания : Библиогр.: 43. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант No 18-13-00080)
Аннотация: На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70oC с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag2Al → μ-Ag3Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag3Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag3Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Алтунин Р. Р., Моисеенко Е. Т., Жарков, Сергей Михайлович
Заглавие : Структурные фазовые превращения при твердофазной реакции в двухслойной тонкопленочной наносистеме Al/Fe
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 1. - С. 158-163. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2020.01.48754.543
Примечания : Библиогр.: 36. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-03-01173а)
Аннотация: Методом in situ дифракции электронов исследованы процессы формирования фаз при твердофазной реакции между нанослоями Fe и Al. Установлено, что процесс твердофазной реакции на границе нанослоев железа и алюминия начинается при ≈100°C с формирования неупорядоченного твердого раствора Al в α-Fe. Показано, что в ходе дальнейшего нагрева последовательно формируются интерметаллические фазы FeAl6 и/или Fe2Al5, FeAl, Fe3Al.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
РИНЦ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Жигалов, Виктор Степанович, Быкова, Людмила Евгеньевна, Мягков, Виктор Григорьевич, Павлова А. Н., Волочаев, Михаил Николаевич, Мацынин, Алексей Александрович, Патрин, Геннадий Семёнович
Заглавие : Нанокомпозитные пленки CoPt–Al2O3: синтез, структурные и магнитные свойства
Место публикации : Поверхность. - 2020. - № 1. - С. 60-67. - ISSN 1028-0960, DOI 10.31857/S1028096020010227
Примечания : Библиогр.: 29. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ совместно с Правительством Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект №. 18-42-243009р_мол_а и № 19-43-240003р_а), Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (договор № 11843ГУ/2017, код 0033636, конкурс "Умник")
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитных пленок CoPt–Al2O3, полученных путем отжига двухслойных пленок Al/(Co3O4 + Pt) на подложке MgO(001) при температуре 650°С в вакууме. Синтезированные композитные пленки содержали ферромагнитные наногранулы CoPt со средним размером 25–45 нм, вложенные в непроводящую матрицу Al2O3. Намагниченность насыщения Ms ~ 330 Гс и коэрцитивная сила Hc ≈ 6 кЭ измерены в плоскости пленки и перпендикулярно ей. Полученные пленки обладали пространственной магнитной вращающейся анизотропией, позволяющей произвольно устанавливать легкую ось намагничивания, как в плоскости пленки, так и перпендикулярно ей, в магнитном поле напряженностью, превышающей коэрцитивную силу (H ˃ Hc).
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Криницын Д. О., Романченко А. С., Воробьев С. А., Лихацкий М. Н., Карачаров А. А., Крылов, Александр Сергеевич, Волочаев, Михаил Николаевич, Михлин Ю. Л.
Заглавие : Получение пленок сульфида цинка на поверхности золота как сенсора электрохимического кварцевого микробаланса
Место публикации : Электрохим. - 2021. - Т. 57, № 12. - С. 762-768. - ISSN 0424-8570, DOI 10.31857/S0424857021120045
Примечания : Библиогр.: 23. - Работа выполнена при поддержке гранта РНФ 18-17-00135
Аннотация: Изучено осаждение пленки сульфида цинка из водного раствора сульфата цинка с использованием тиомочевины в качестве сульфидизатора на поверхность золота для получения датчика электрохимического кварцевого микробаланса (EQCM). Кинетика процесса, образующиеся в растворе частицы и пленка исследованы методами кварцевого микровзвешивания, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии, оптической и рамановской спектроскопии, динамического рассеяния света. Изучено влияние подготовки поверхности золота, концентрации реагентов и температуры на адгезию, длительность индукционного периода, кинетику роста, структуру и толщину пленки. Установлено, что формирование пленки происходит за счет осаждения достаточно крупных, 200–700 нм коллоидных частиц сфалерита. Показана возможность исследований с применением полученного сенсора электрохимических реакций ZnS и межфазных явлений методами EQCM и циклической вольтамперометрии.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Назарова З. И., Назаров А. Н.
Заглавие : Прогнозирование образования конкурирующих фаз при росте тонких плёнок Cr2GaC на MgO(111)
Место публикации : Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 383-390. - ISSN 2712-8970, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-383-390
Примечания : Библиогр.: 15. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886)
Аннотация: MAX-фазы представляют собой семейство тройных слоистых соединений с формальной стехиометрией Mn+1AXn (n = 1, 2, 3…), где М – переходный d-металл; А – p-элемент (например, Si, Ge, Al, S, Sn и др.); Х – углерод или азот [1]. Слоистые тройные карбиды и нитриды d- и p-элементов (MAX-фазы) проявляют уникальное сочетание свойств, характерных как для металлов, так и для керамики, что делает их применение перспективным в космической отрасли в качестве различных покрытий. Получение требуемых свойств MAX-фаз зависит от технологических условий синтеза материала. Для этого необходимо тщательное теоретическое моделирование взаимодействия элементов на границе раздела. Одновременный рост конкурирующих фаз наряду с MAX-фазой может происходить из-за выгодности образования конкурирующих фаз, а также из-за более низко-энергетического интерфейса с подложкой по сравнению с MAX-фазой. В данной работе мы изучаем термодинамическую выгодность конкурирующих фаз и MAX-фазы Cr2GaC в зависимости от химического состава потока атомов. Для изучения этих соединений было необходимо рассмотреть систему Cr-Ga-C. Согласно модели эффективной теплоты образования каждую реакцию образования некоторой фазы можно охарактеризовать энтальпией [2]. Для выяснения наиболее вы-годных к формированию фаз было необходимо произвести расчёт энтальпии для всех возможных реакций. Таким образом, задача состояла в переборе всех возможных реакций между чистыми элементами, доступными в различных соотношениях, в частности, в соотношении, соответствующем заданной стехиометрии MAX-фазы, т. е. Cr:Ga:C=2:1:1. Кроме того, считается, что плотность совпадающих узлов [3; 4] для границ раздела между MAX-фазой, термодинамически выгодными конкурирующими фазами и поверхностью MgO(111) показывает роль интерфейса при определении структурного качества тонкой плёнки MAX-фазы, выращенной на MgO(111).MAX-phases are a family of ternary layered compounds with the formal stoichiometry Mn+1AXn (n = 1, 2, 3...), where M is a transition d-metal; A is a p-element (for example, Si, Ge, Al, S, Sn, etc.); X is carbon or nitrogen [1]. Layered triple carbides and nitrides of d-and p-elements (MAX-phases) exhibit a unique combination of properties characteristic of both metals and ceramics, which makes their application as various coatings in space industry very promising. Obtaining the desired properties of the MAX-phases depends on the technological conditions of material synthesis. This requires thorough theoretical modelling of the elements’ interaction at the interface. Concurrent growth of competing phases along with the MAX-phase may occur due to the favorability of the formation of competing phases and also be promoted by lower energy interfaces with the substrate in comparison with a MAX-phase. In this work, we study thermodynamic favorability of competing phases and Cr2GaC MAX-phase depending on the chemical composition of the atomic flow. To study these compounds, it was necessary to consider the Cr-Ga-C system. According to the effective heat of formation model, each reaction of the formation of a certain phase can be characterized by enthalpy [2]. To find out the most favorable phases, it was necessary to calculate the enthalpy of all possible reactions. Thus, the task was to sort through all possible reactions between pure elements available in various ratios, in particular, in the ratio corresponding to the given MAX-phase stoichiometry, i.e. Cr:Ga:C=2:1: 1. Moreover, it is considered that the density of near-coincidence sites [3,4] for interfaces between MAX-phase, thermodynamically favourable competing phases and MgO(111) surface shows a role of the interface in the determination of the structural quality of the MAX-phase thin film grown on MgO(111).
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Аплеснин, Сергей Степанович, Масюгин, Альберт Николаевич, Кретинин В. В., Коновалов С. О., Шестаков, Николай Петрович
Заглавие : Магнетосопротивление и ИК-спектр примесных состояний в пленке Ce3Fe5O12
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 2. - С. 218-223. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2021.02.50466.222
Примечания : Библиогр.: 28. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-240001 ”Инверсия знака компонент магнитоэлектрического тензора по температуре в пленках висмутового феррита граната замещенного неодимом“
Аннотация: В поликристаллических пленках цериевого феррита граната найдена величина щели в спектре электронных возбуждений, электронные переходы между примесными двухвалентными и четырехвалентными ионами железа и церия из ИК-спектров поглощения. Найдены температуры делокализации двухвалентных состояний железа из импедансной спектроскопии, электросопротивления и ИК-спектров. Найдено отличие магнитосопротивления на переменном и постоянном токе, которое объясняется в модели диэлектрически неоднородной среды.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Быкова, Людмила Евгеньевна, Жарков, Сергей Михайлович, Мягков, Виктор Григорьевич, Балашов, Юрий Юрьевич, Патрин, Геннадий Семёнович
Заглавие : Формирование интерметаллида Cu6Sn5 в тонких пленках Cu/Sn
Место публикации : Физ. тверд. тела. - 2021. - Т. 63, Вып. 12. - С. 2205-2209. - ISSN 0367-3294, DOI 10.21883/FTT.2021.12.51685.139
Примечания : Библиогр.: 16. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 19-43-240003). Электронно-микроскопические исследования проведены в Красноярском региональном центре коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН и лаборатории электронной микроскопии ЦКП СФУ, поддержанной в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (код научной темы FSRZ-2020-0011)
Аннотация: Исследовано формирование интерметаллида Cu6Sn5 в двухслойных тонких пленках Sn(55 nm)/Cu(30 nm) при нагреве непосредственно в колонне просвечивающего электронного микроскопа (режим дифракции электронов) от комнатной температуры до 300°C с фиксацией электронограмм. Полученные в результате твердофазной реакции пленки были монофазными и состояли из гексагональной η-Cu6Sn5 фазы. Установлен температурный интервал образования η-Cu6Sn5 фазы (95-260°C). На основании проведенной оценки эффективного коэффициента взаимной диффузии при реакции (5·10-16 m2/s) предположено, что основным механизмом образования тонких пленок Cu6Sn5 является диффузия по границам зерен и дислокациям. Ключевые слова: тонкие пленки, интерметаллид Cu6Sn5, просвечивающая электронная микроскопия, дифракция электронов.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Балашов, Юрий Юрьевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Волочаев, Михаил Николаевич, Жигалов, Виктор Степанович, Мацынин, Алексей Александрович, Галушка К. А., Бондаренко, Галина Николаевна, Комогорцев, Сергей Викторович
Заглавие : Особенности протекания твердофазных реакций в трехслойной пленочной системе Sn/Fe/Cu
Колич.характеристики :5 с
Коллективы : "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум
Место публикации : Журн. техн. физ. - 2023. - Т. 93, Вып. 7. - С. 1009-1013. - ISSN 00444642 (ISSN), DOI 10.21883/JTF.2023.07.55761.73-23. - ISSN 1726748X (eISSN)
Примечания : Библиогр.: 18
Аннотация: Выяснение механизмов твердофазных реакций в тонких пленках Sn/Fe/Cu интересно как с фундаментальной точки зрения, так и в виду важности формирующихся интерметаллидов в технологии контактных соединений и тонкопленочных литий-ионных аккумуляторов. С помощью комплексного подхода, включающего рентгенофазовый анализ и локальный элементный анализ поперечного среза пленки, изучены фазовый состав и взаимное расположение фаз на различных стадиях твердофазной реакции, протекающей при различных температурах. Наблюдаемая последовательность формирующихся фаз существенно отличается от ожидаемой, если бы массоперенос осуществлялся посредством объемной диффузии через формирующиеся слои.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие