Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=добротность<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Волошин, Александр Сергеевич, Селютин, Геннадий Егорович, Говорун, Илья Валерьевич, Галеев, Ринат Гайсеевич
Заглавие : Распространение электромагнитной волны при наклонном падении на плоскопараллельную диэлектрическую пластину
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2023. - Т. 66, № 1. - С. 36-44. - ISSN 00213411 (ISSN), DOI 10.17223/00213411/66/1/36
Примечания : Библиогр.: 24. - Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание FEFE-2020-0013
Аннотация: С помощью электродинамического анализа 3D-модели плоскопараллельной идеальной диэлектрической пластины исследовано распространение плоских линейно-поляризованных электромагнитных волн при отклонении их угла падения j от перпендикуляра к плоскости пластины. Обнаружено, что при параллельной поляризации, когда вектор электрического поля волны располагается в плоскости падения, а вектор магнитного поля параллелен плоскости пластины, добротность наблюдаемого полуволнового резонанса с ростом φ сначала падает до минимума при приближении к углу Брюстера, а затем растет, стремясь к бесконечности при φ ➝ 90°. В случае перпендикулярной поляризации, когда в плоскости падения располагается вектор магнитного поля, а вектор электрического поля параллелен плоскости пластины, добротность полуволнового резонанса с ростом j постоянно увеличивается, также стремясь к бесконечности при φ ➝ 90°. Однако зависимости наблюдаемого монотонного увеличения резонансных частот с ростом угла падения идентичны для обеих поляризаций. Результаты эксперимента на плоскопараллельной пластине из сверхвысокомолекулярного полиэтилена, имеющего относительную диэлектрическую проницаемость 2.5, проведенного с использованием широкополосных рупорных антенн, хорошо согласуются с электродинамическим расчетом 3D-модели.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Тюрнев, Владимир Вениаминович
Заглавие : Формулы электродинамики для сред с отрицательной диэлектрической проницаемостью
Колич.характеристики :13 с
Место публикации : Ural Radio Eng. J. - 2023. - Vol. 7, Is. 4. - P.457-469. - ISSN 25880454 (ISSN), DOI 10.15826/urej.2023.7.4.006. - ISSN 25880462 (eISSN)
Примечания : Cited References: 15
Аннотация: Формулы электродинамики, широко используемые при описании объектов, содержащих диэлектрические среды, дают противоречащие физике результаты в случае, когда диэлектрическая проницаемость среды принимает отрицательное значение. Проблему снимают уточненные формулы, позволяющие рассчитывать электрические потенциалы точечного заряда и точечного дипольного момента, емкость конденсатора, а также плотность энергии электромагнитного поля и добротность материала. Формулы справедливы для любых сред, как с положительной, так и с отрицательной действительной частью комплексной диэлектрической проницаемости.Electrodynamic formulas widely used in the description of objects containing dielectric media give results contrary to physics in the case when the permittivity of the medium takes a negative value. The problem is solved by refined formulas that allow calculating the electric potentials of the point charge and the point dipole moment, the capacitance of the capacitor, as well as the energy density of the electromagnetic field and the quality factor of the material. The formulas are valid for any media, both with positive and negative real part of the complex permittivity.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Волошин, Александр Сергеевич, Ходенков С. А., Галеев Р. Г.
Заглавие : Наклонное падение электромагнитной волны на плоский резонатор из двух диэлектрических слоев с субволновыми решетками полосковых проводников на границах
Колич.характеристики :11 с
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2024. - Т. 67, № 2. - С. 25-35. - ISSN 00213411 (ISSN), DOI 10.17223/00213411/67/2/3
Примечания : Библиогр.: 36. - Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание FEFE-2023-0004
Аннотация: Определены параметры резонатора, состоящего из двух диэлектрических пластин с решетками полосковых проводников между слоями в виде квадратов, а на наружных поверхностях в виде квадратных сеток, имеющих одинаковый субволновой период. Добротность резонатора, измеренная при нормальном падении волны, определяется соотношением ширин внутренних и наружных проводников. С помощью электродинамического анализа 3D-модели резонатора исследовано распространение плоских линейно-поляризованных электромагнитных волн при отклонении их угла падения φ от нормали к плоскости слоистой структуры. Обнаружено, что при параллельной поляризации волны добротность наблюдаемого полуволнового резонанса с ростом φ сначала падает до минимума при приближении к углу Брюстера, а затем растет при φ → 90°. В случае перпендикулярной поляризации волны добротность полуволнового резонанса с ростом φ постоянно увеличивается, приближаясь к максимальной величине при φ → 90°.
Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Боев, Никита Михайлович, Изотов, Андрей Викторович, Соловьев, Платон Николаевич, Тюрнев, Владимир Вениаминович
Заглавие : Исследование датчика слабых магнитных полей на резонансной микрополосковой структуре с тонкой ферромагнитной пленкой
Место публикации : Изв. вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 3-10. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 19. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, проект № RFMEFI60417X0179.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микрополосковый резонатор--тонкая магнитная пленка--амплитудно-частотная характеристика--датчик слабых магнитных полей--добротность--матрица рассеяния--магнитометр
Аннотация: Исследованы характеристики миниатюрного датчика слабых магнитных полей на резонансной микрополосковой структуре с тонкой ферромагнитной пленкой. В квазистатическом приближении рассчитана амплитудно-частотная характеристика нерегулярного микрополоскового резонатора, содержащего анизотропную магнитную пленку. Резонатор подключен к линиям передачи через емкости связи. Определены оптимальные углы направления постоянного магнитного поля смещения, обеспечивающего максимальную чувствительность датчика. Исследовано влияние угловой и амплитудной дисперсии одноосной магнитной анизотропии тонкой пленки на характеристики датчика. Закономерности, полученные в результате исследований, качественно согласуются с экспериментальными результатами.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Тюрнев, Владимир Вениаминович, Шабанов, Василий Филиппович
Заглавие : Исследование добротности оптических резонаторов в фотонных кристаллах и принципы построения высокоселективных фильтров на их основе
Место публикации : Изв. вузов. Физика: Томский государственный университет, 2013. - T. 56, № 12. - С. 55-61. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 16 назв. - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, госконтракт № 14.513.11.0010, и ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России 2009–2013 гг.»
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотонный кристалл--добротность резонатора--полосно-пропускающий фильтр
Аннотация: Исследованы конструкции оптических резонаторов, представляющих собой диэлектрический слой толщиной полдлины волны, с обеих сторон закрытый четвертьволновыми слоями с большей или меньшей диэлектрической проницаемостью относительно проницаемости полуволнового слоя. Электродинамический анализ показал значительное увеличение добротности многослойного резонатора по сравнению с обычным однослойным полуволновым резонатором. Рассмотрены принципы построения высокоселективных полосно-пропускающих фильтров на фотонно-кристаллических структурах.
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Бальва, Ярослав Федорович, Сержантов, Алексей Михайлович, Лексиков, Андрей Александрович, Галеев, Ринат Гайсеевич
Заглавие : Исследование миниатюрного микрополоскового резонатора со встречно-штыревой структурой полосковых проводников
Место публикации : Изв. вузов. Физика: Томский государственный университет, 2015. - Т. 58, № 10/3. - С. 156-158. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 1. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение № 14.607.21.0039
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микрополосковый резонатор--встречно-штыревая структура--собственная добротность резонатора--свч--microstrip resonator--interdigital structure--unloaded q-factor of resonator--microwave
Аннотация: Исследована миниатюрная конструкция микрополоскового резонатора, имеющего встречно-штыревую структуру проводника. На основе электродинамического моделирования получены зависимости добротности первой моды колебаний резонатора от числа его проводников при фиксированной ширине структуры. Показано, что существует оптимальное количество проводников, обеспечивающее максимальную собственную добротность резонатора. Изготовлены макеты исследуемого микрополоскового резонатора с различным числом проводников, измеренные характеристики которых подтверждают теоретические результаты.A miniature design of microstrip resonator having interdigital structure of strip conductor is investigated. The unloaded Q-factor dependence on a number of pins in the structure for the first mode oscillation is investigated by means of electrodynamics simulation when a structure width is fixed. It is shown, that there is an optimum number of pins, which provides maximum of resonator unloaded Q-factor. The results obtained by the theoretical investigation are confirmed by the measurements of the fabricated resonators with a different number of pins.
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Беляев, Борис Афанасьевич, Бальва, Ярослав Федорович, Сержантов, Алексей Михайлович, Лексиков, Андрей Александрович, Галеев, Ринат Гайсеевич
Заглавие : Миниатюрный многопроводниковый полосковый резонатор на многослойной подвешенной подложке
Место публикации : Изв. вузов. Физика: Томский государственный университет, 2015. - Т. 58, № 10/3. - С. 159-161. - ISSN 0021-3411
Примечания : Библиогр.: 2. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, соглашение № 14.607.21.0039
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полосковый резонатор--многопроводниковый резонатор--собственная добротность резонатора--мода колебаний--свч--stripline resonator--multiconductor resonator--unloaded q-factor of resonator--oscillation mode--microwave
Аннотация: Исследована миниатюрная конструкция многопроводникового полоскового резонатора на основе многослойной металлодиэлектрической структуры. Рассмотрено влияние количества проводников и толщины диэлектрических слоев на собственные добротности и резонансные частоты первых двух мод колебаний. Показано, что предложенный резонатор характеризуется значительной миниатюрностью и более высокой собственной добротностью первого резонанса по сравнению с известными аналогами.A miniature design of a multiconductor stripline resonator based on a multilayer metal-dielectric structure is investigated. An influence of the effect of strips number and a thickness of dielectric layers on unloaded Q-factor and resonance frequencies of the first and the second oscillation modes is described. It is shown, that the proposed resonator is very miniature and has higher unloaded Q-factor among known analogs.
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)