Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (20)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Atoms<.>)

Общее количество найденных документов : 81
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 97, Вып. 11. - С. 732-736DOI 10.7868/S0370274X13110064
Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4× 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1.22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li0.5Si существенно снижает энергию перехода (с 0.90 до 0.36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Елисеева, Наталья Сергеевна; Попов, Захар Иванович; Popov, Z.I.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, A. S.; Сержантова, Мария Викторовна; Денисов, Виктор Михайлович; Томилин, Феликс Николаевич; Tomilin, F. N.
}
Найти похожие

    Теоретическое исследование внедрения атомов лития в кремний / Н. С. Михалева [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 456-463. - Библиогр.: 55 . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Theoretical study of lithium atoms penetration into silicon
Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИЯ -- ЛИТИЙ -- КРЕМНИЙ -- DFT -- DIFFUSION -- LITHIUM -- SILICON
Аннотация: Рассматривается процесс диффузии атомов лития в приповерхностные слои кремния (001). Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности. Показано, что при малой концентрации лития на реконструированной поверхности кремния (001) энергия связи в подповерхностном слое ниже, чем на поверхности, что препятствует диффузии лития внутрь кристалла. Подобная ситуация существенно не меняется при увеличении температуры. Анализ частот перескока одиночных атомов лития с поверхности в приповерхностные слои показал, что в случае малых концентраций миграция атомарного Li будет осуществляться практически по одному пути реакции (из положения L-состояния, в котором литий находится в канале между димерами). При концентрации лития в два монослоя, наоборот, диффузия в подповерхностные слои становится более предпочтительна. Поскольку при достижении концентрации в один монослой происходит изменение симметрии димеров, диффузия лития внутрь кристалла также облегчается вследствие увеличения плотности положений в каналах между димерами. Таким образом, результат моделирования позволил объяснить причину экспериментального факта затруднения диффузии лития при прохождении через данную поверхность и определить пути возможной модификации поверхности, которая должна увеличить энергию связи атомов лития в приповерхностных состояниях при низких степенях заполнения им поверхности.
The article deals with a theoretical investigation of lithium diffusion through silicon (001) surface within density functional theory formalism. It was shown that it is more energetically favorable for dilute lithium atoms to stay atop fully-relaxed silicon (001) surface than beneath it. This fact hampers the diffusion into the silicon crystal and the situation doesn't change significantly with increase in temperature. The frequencies of lithium atom hopping from the surface to the subsurface layers of silicon crystal were estimated. The analysis of frequencies for different transition paths indicates that in the case of dilute concentration Li atoms are likely to migrate through the surface from one type of sites (site L-located in channels between silicon dimers). With increasing of lithium concentration up to 1 monolayer and further, the silicon (001) surface swaps the asymmetric dimers reconstruction model for symmetric, leading to doubling of number of the sites in between silicon dimers. After the concentration reaches 2 monolayers, the binding energy of Li atoms on the surface becomes less than binding energy beneath the surface, so the diffusion turns to be thermodynamically allowed. As a result of the investigation, the ab-initio modeling puts light on the cause of experimentally observed decelerated lithium diffusion through silicon (001) surface and delivers an opportunity to determine possible techniques for surface modification, which will increase lithium atom binding energies in sites beneath silicon surface at low lithium concentrations.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Институт цветных металлов и материаловедения
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Михалева, Н. С.; Mikhaleva, N. S.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Попов, Захар Иванович; Popov, Z. I.; Еремина, А. Д.; Eremina, A. D.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.
}
Найти похожие

Kolovsky, A. R.
Wave-packet dynamics of cold atoms in 2D lattices subject to synthetic magnetic and electric fields / A. Kolovsky // Modern problems of laser physics : матер. симп. - Новосибирск : ЗАО ИПП "Офсет", 2016. - P. 258

РИНЦ,
Материалы чсимпозиума,
Материалы симпозиума

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич; International symposium and school for young scientist "Modern problems of laser physics"(7 ; )(2016 ; 22.08 - 28.08 ; Novosibirsk)Международный симпозиум и школа для молодых ученых "Современные проблемы лазерной физики"(7 ; )(2016 ; 22.08 - 28.08 ; Новосибирск); Институт лазерной физики Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет; Институт спектроскопии РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова; Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Kolovsky, A. R.
Wannier-Stark states and topological phase transitions in tilted two-dimensional bipartite lattices / A. R. Kolovsky // Humboldt Kolleg. Controlling quantum matter: From ultracold atoms to solids : conference materials. - 2018

Материалы конференции,
Смотреть тезисы

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич; Controlling quantum matter: From ultracold atoms to solids, Humboldt Kolleg(2018 ; July 29 - August 2 ; Vilnius, Lithuania)Vilnius University; Lithuanian Physical Society
}
Найти похожие

Kolovsky, A. R.
Wannier-Stark states and Bloch oscillations in non-trivial 2D lattices & Quantum phase transition from the Mott-insulator state of cold atoms to the density-wave state in tilted 2D optical lattices / A. R. Kolovsky // Программа Всероссийской конференции "Физика ультрахолодных атомов". - Новосибирск, 2015

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич; "Физика ультрахолодных атомов", Всероссийская конференция(2015 ; дек. ; 21-22 ; Новосибирск)"Physics of ultra-cold atoms", Conference(2015 ; Dec. ; 21-22 ; Novosibirsk); Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН; Институт лазерной физики Сибирского отделения РАН; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет
}
Найти похожие

Bulgakov, E. N.
Vortex phase diagram of F=1 spinor Bose-Einstein condensates / E. N. Bulgakov, A. F. Sadreev // Phys. Rev. Lett. - 2003. - Vol. 90, Is. 20. - Ст. 200401, DOI 10.1103/PhysRevLett.90.200401. - Cited References: 15 . - ISSN 0031-9007

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ATOMS
CREATION
GASES
Аннотация: We have calculated the F=1 ground state of a spinor Bose-Einstein condensate trapped harmonic potential with an applied Ioffe-Pitchard magnetic field. The vortex phase diagram is found in the plane spanned by perpendicular and longitudinal magnetic fields. The ferromagnetic condensate has two vortex phases which differ by winding number in the spinor components. The two vortices for the F-z=-1 antiferromagnetic condensate are separated in space. Moreover, we considered an average local spin \[(S) over right arrow]\ to testify to what extent it is parallel to magnetic field (the nonadiabatic effects). We have shown that the effects are important at vortex cores.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, S-58183 Linkoping, Sweden
ИФ СО РАН

Доп.точки доступа:
Sadreev, A. F.; Садреев, Алмаз Фаттахович; Булгаков, Евгений Николаевич
}
Найти похожие

Chernozatonskii, L. A.
Two-dimensional semiconducting nanostructures based on single graphene sheets with lines of adsorbed hydrogen atoms / L. A. Chernozatonskii, P. B. Sorokin, J. W. Bruning // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 91, Is. 18. - Ст. 183103, DOI 10.1063/1.2800889. - Cited References: 24 . - ISSN 0003-6951

РУБ Physics, Applied
Рубрики:
CARBON
GAS
Кл.слова (ненормированные):
Electronic properties -- Energy gap -- Graphite -- Hydrogen -- Semiconductor materials -- Superlattices -- Electronic spectra -- Graphene sheets -- Quasi-two-dimensional heterostructures -- Semiconducting nanostructures -- Nanostructured materials
Аннотация: It is shown that lines of adsorbed hydrogen pair atoms divide the graphene sheet into strips and form hydrogen-based superlattice structures (2HG-SL). We show that the formation of 2HG-SL changes the electronic properties of graphene from semimetal to semiconductor. The electronic spectra of "zigzag" (n,0) 2HG-SL is similar to that of (n,0) carbon nanotubes and have a similar oscillation of band gap with n, but with nonzero minimal values. The composite dual-periodic (n,0)+(m,0) 2HG-SLs of zigzag strips are analyzed, with the conclusion that they may be treated as quasi-two-dimensional heterostructures. (C) 2007 American Institute of Physics.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Emanuel Inst Biochem Phys, Moscow 119334, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Humboldt Univ, Math Inst, D-12489 Berlin, Germany
ИФ СО РАН
Emanuel Institute of Biochemical Physics, Russian Academy of Sciences, 4 Kosigina St., Moscow 119334, Russian Federation
Siberian Federal University, 79 Svobodny Ave., Krasnoyarsk 660041, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Academgorodok, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Institute of Mathematics, Humboldt University of Berlin, Berlin 12489, Germany

Доп.точки доступа:
Sorokin, P. B.; Bruning, J. W.
}
Найти похожие

Kolovsky, A. R.
Transport of cold atoms in optical lattices / A. R. Kolovsky // Eur. Phys. J. - Spec. Top. - 2007. - Vol. 151. - P. 103-112, DOI 10.1140/epjst/e2007-00366-5. - Cited References: 24 . - ISSN 1951-6355

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ULTRACOLD ATOMS
   DISRUPTION
   SUPERFLUID
   GAS
Аннотация: The work discusses transport of cold atoms in optical lattices. Two related but different problems are considered: interacting Bose atoms subject to a static field (i.e., the atoms in a tilted lattice); and non-interacting atoms in a tilted lattice in the presence of a buffer gas. For these two systems we found, respectively: periodic, quasiperiodic, or decaying Bloch oscillations, as it depends on the strength of atom-atom interactions and the magnitude of the static field; diffusive directed current of atoms, similar to the electron current in ordinary conductors.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, 660036 Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Коловский, Андрей Радиевич
}
Найти похожие

Arkhipkin, V. G.
Transmission and reflection spectra of a photonic crystal with a Raman defects / V. G. Arkhipkin, S. A. Myslivets // J. Exp. Theor. Phys. - 2011. - Vol. 111, Is. 6. - P. 898-906, DOI 10.1134/S1063776110120022. - Cited References: 37. - This work was supported by the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools (project no. NSh-7810.2010.3), the Presidium of the Russian Academy of Sciences (project no. 27.1), the Ministry of Education and Science of the Russian Federation (state contract no. 02.740.11.0220), and the Siberian Branch, Russian Academy of Sciences (integration project no. 5). . - ISSN 1063-7761

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
ELECTROMAGNETICALLY INDUCED TRANSPARENCY
   SLOW-LIGHT
   NONLINEAR OPTICS
   MICROCAVITIES
   LASERS
   AMPLIFIER
   MODES
Кл.слова (ненормированные):
Group velocities -- High frequency HF -- Microwatts -- Nonlinear refractive index -- One dimensional photonic crystal -- Probe field -- Pump intensities -- Raman gain -- Raman resonances -- Reflection spectra -- Spectral position -- Three level atoms -- Transmission spectrums -- Defects -- Dispersion (waves) -- Probes -- Pumping (laser) -- Pumps -- Refractive index -- Resonance -- Photonic crystals
Аннотация: Features of Raman gain of probe radiation in three-level atoms placed in a defect of a one-dimensional photonic crystal in the presence of laser radiation (pump) at an adjacent high-frequency transition have been theoretically investigated. It has been shown that there is a pump intensity range where narrow peaks (resonances) simultaneously appear in the transmission and reflection spectra of the probe field. Beyond this region, the peak in the transmission spectrum is transformed to a narrow dip. The spectral position of these peaks is determined by the Raman resonance and the transmittance and reflectance can be larger than unity at pump intensities from several microwatts per square centimeter to several tens of milliwatts per square centimeter. The nature of narrow peaks is due to a sharp dispersion of a nonlinear refractive index near the Raman resonance; this dispersion is responsible for a strong decrease in the group velocity of probe radiation. The proposed scheme makes it possible to obtain controlled ultranarrow resonances in the transmission and reflection spectra of the photonic crystal.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Оригинал на русском языке Спектры пропускания и отражения фотонного кристалла с рамановским дефектом [Текст] / В. Г. Архипкин, С. А. Мысливец // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - Москва : Федеральное государственное унитарное предприятие "Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука", 2010. - Т. 138 № 6. - С. 1018-1027

Держатели документа:
[Arkhipkin, V. G.] Russian Acad Sci, Kirenskii Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Kirenskii Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Myslivets, S. A.; Мысливец, Сергей Александрович; Архипкин, Василий Григорьевич
}
Найти похожие

10.

Theoretical study of sorption and diffusion of lithium atoms on the surface of crystalline silicon and inside it / A. A. Kuzubov [et al.] // JETP Letters. - 2013. - Vol. 97, Is. 11. - P. 634-638, DOI 10.1134/S0021364013110088 . - ISSN 0021-3640
Аннотация: The energy of the sorption and diffusion of lithium atoms on the reconstructed (4 ? 2) (100) silicon surface in the process of their transport into near-surface layers, as well as inside crystalline silicon, at various lithium concentrations have been investigated within the density functional theory. It has been shown that single lithium atoms easily migrate on the (100) surface and gradually fill the surface states (T3 and L) located in channels between silicon dimers. The diffusion of lithium into near-surface silicon layers is hampered because of high potential barriers of the transition (1.22 eV). The dependences of the binding energy, potential barriers, and diffusion coefficient inside silicon on distances to the nearest lithium atoms have also been examined. It has been shown that an increase in the concentration of lithium to the Li0.5Si composition significantly reduces the transition energy (from 0.90 to 0.36 eV) and strongly increases (by one to three orders of magnitude) the lithium diffusion rate. В© 2013 Pleiades Publishing, Ltd.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660028, Russia
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Kuzubov, A. A.; Кузубов, Александр Александрович; Eliseeva, N. S.; Popov, Z. I.; Попов, Захар Иванович; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Serzhantova, M. V.; Denisov, V. M.; Tomilin, F. N.; Томилин, Феликс Николаевич
}
Найти похожие