Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=FeSi<.>)

Общее количество найденных документов : 45
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-45

Драганюк, Оксана Николаевна.
Теоретическое исследование магнитных и электронных свойств Гейслеровский сплавов Mn2FeSi и Fe2MnSi / О. Н. Драганюк, В. С. Жандун // Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXIII) : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2020. - Секция "Физика". - С. 11. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 19-42-240016: «Управление структурными, магнитными, электронными и оптическими свойствами при помощи давления и интеркалирования в функциональных соединениях со структурой шпинели, содержащих 3d ионы» . - ISBN 978-5-6042995-9-3

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Жандун, Вячеслав Сергеевич; Zhandun, V. S.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (23 ; 2020 ; июнь ; 17 ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие

Tailoring the preferable orientation relationship and shape of α-FeSi2nanocrystals on Si(001): The impact of gold and the Si/Fe flux ratio, and the origin of α/Si boundaries / I. A. Tarasov, T. E. Smolyarova, I. V. Nemtsev [et al.] // CrystEngComm. - 2020. - Vol. 22, Is. 23. - P. 3943-3955, DOI 10.1039/d0ce00399a. - Cited References: 52. - The experimental part of the reported study was funded by the Russian Science Foundation, project no. 16-13-00060-Π. Theoretical analysis of the ORs of the α-FeSi2 nanocrystals grown was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science via research project No. 18-42-243013. We also acknowledge the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Center SB RAS” for support with carrying out the microscopic investigations. I. A. Tarasov personally thanks M. A. Visotin for continuous fruitful discussion about the energetics of the formation of the α-FeSi2 nanocrystals . - ISSN 1466-8033
Кл.слова (ненормированные):
Gold -- Morphology -- Nanocrystals -- Silicides
Аннотация: The growth of α-FeSi2 nanocrystal ensembles on gold-activated and gold-free Si(001) surfaces at different Si/Fe flux ratios via molecular beam epitaxy is reported. The study reveals that the utilisation of gold as a catalyst regulates the preferable orientation relationship (OR) of the nanocrystals to silicon and their morphology at a given Si/Fe flux ratio. α-FeSi2 free-standing crystals with continuously tuned sizes from 30 nm up to several micrometres can be grown with an α(001)//Si(001) basic OR under gold-assisted conditions and an α(111)//Si(001) OR under gold-free growth conditions on a Si(001) surface. The preferred morphology of nanocrystals with a particular OR can be altered through changes to the Si/Fe flux ratio. Herein, the microstructure and basic OR between the silicide nanocrystals and the silicon substrate, and the formation of nanocrystal facets were analysed in detail with the help of microscopic techniques and simulation methods based on the analysis of near coincidence site (NCS) distributions at silicide/silicon interfaces. On the basis of the simulations used, we managed to reveal the nature of the interfaces observed for the main types of α-FeSi2 nanocrystals grown. Three types of interfaces typical for nanoplates with an α(001)//Si(001) basic OR, which are (i) stepped, (ii) stressed, and (iii) flat, are explained based on the tendency for the NCS density to increase at the interface. The results presented reveal the potential for the bottom-up fabrication of α-FeSi2 nanocrystals with tuned physical properties as potentially important contact materials and as building blocks for future nanoelectronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center, KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660037, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич
}
Найти похожие

Tarasov, I. A.
α-FeSi2 as a buffer layer for β-FeSi2 growth: analysis of orientation relationships in silicide/Silicon, silicide/silicide heterointerfaces / I. A. Tarasov, I. A. Bondarev, A. I. Romanenko // J. Surf. Ingestig. - 2020. - Vol. 14, Is. 4. - P. 851-861, DOI 10.1134/S1027451020040357. - Cited References: 74. - The work was supported by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project no. 18-42-243013. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) . - ISSN 1027-4510. - ISSN 1819-7094

РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
β-FeSi2 thin-films
Thermal-expansion
Phase-transformation
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- interface structure -- orientation relationship -- near coincidence site lattice -- edge-to-edge matching -- plane-to-plane matching
Аннотация: In this manuscript, we attempt to clarify the capability of utilisation of α-FeSi2 nanocrystals as a buffer layer for growth of monocrystalline/high-quality β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Iron silicides-based nanostructures have a wide spectrum of possible industrial applications in different fields. Mainly, interest in these functional materials is caused by their ecological safety and Earth’s core abundance that give us the opportunity for greener future with highly effective electronic devices. β-FeSi2 phase due to its allowed direct transition with energy close to 0.87 eV can be used as active material in light emission diodes (LED). Utilisation of buffer layers between silicon substrate and give one more tool to engineer the band structure of semiconducting β‑FeSi2 phase. We attempt to clarify the capability of the utilisation of the α-FeSi2 phase as a buffer layer for the growth of β-FeSi2 direct-gap semiconductor from the point of view of the crystal lattice misfits and near coincidence site (NCS) lattices. Possible β-FeSi2/α-,γ-,s-FeSi2/Si orientation relationships (ORs) and habit planes were examined with crystallogeometrical approaches and compared with β-FeSi2/Si ones. The lowest interplanar and interatomic spacing misfits between silicon lattice and a silicide one are observed for the pair of s-FeSi2{011}[200]/Si{022}[100] at room temperature and equal to –0.57%. The least interplanar and interatomic spacing misfit of 1.7 and 1.88%, respectively, for β-FeSi2/Si, can be decreased as low as –0.67 (interplanar) and 0.87 (interatomic) % by placing an α-FeSi2 layer between silicon and β-FeSi2 phase. It is stated that the growth of metastable γ-FeSi2 is also favourable on silicon due to low interplanar and interatomic spacing misfit (–0.77%) and a higher density of NCS in comparison with s-FeSi2. Design and technological procedure for the synthesis of possible β-FeSi2/α-FeSi2/Si heterostructure have been proposed based on the results obtained.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Kirensky Inst Phys, Fed Res Ctr, KSC,SB, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Nikolaev Inst Inorgan Chem, SB, Novosibirsk 630090, Russia.

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Romanenko, A. I.; Тарасов, Иван Анатольевич; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science [18-42-243013]; Ministry of Education and Science of the Russian FederationMinistry of Education and Science, Russian Federation; Siberian Branch of the Russian Academy of SciencesRussian Academy of Sciences [II.8.70]
}
Найти похожие

Visotin, M. A.
Approach for prediction of orientation relationships and interface structures and its application to α-, β-, γ-FeSi2 and Si / M. A. Visotin, I. A. Tarasov // Nanostructures: physics and technology : proc. 28th Int. symp. - 2020. - Ст. NC.13. - P. 152-153. - Cited References: 13 . - ISBN 978-5-93634-066-6

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Высотин, Максим Александрович; Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium(28 ; 2020 ; 28 Sept.-2 Oct. ; Minsk, Belarus); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

Growth of α-FeSi2 nanocrystals on silicon surface: the impact of gold and the Si/Fe flux ratio, the origin and the prediction of α/Si orientation relationships and interface structures / Ivan Tarasov, Maxim Visotin, Sergey Varnakov and Sergey Ovchinnikov // 1st FunMAX Workshop 2020 : Book of Abstracts. - 2020. - P. 11. - Cited References: 2. - The study was carried out with the financial support of the Government of the Russian Federation within the framework of a grant for the creation of world-class laboratories (Agreement No. 075-15-2019-1886).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug ; 10-12 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие

Prediction of orientation relationships and interface structures between α-, β-, γ-FeSi2 and Si phases / M. A. Visotin, I. A. Tarasov, A. S. Fedorov [et al.] // Acta Crystallogr. B. - 2020. - Vol. 76. - P. 469-482, DOI 10.1107/S2052520620005727. - Cited References: 85. - The following funding is acknowledged: Russian Science Foundation (grant No. 16-13-00060-Pi). . - ISSN 2052-5206

РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Crystallography
Рубрики:
THERMAL-EXPANSION
   BETA-FESI2 FILMS
   GROWTH
   SILICON
   DIFFRACTION
Кл.слова (ненормированные):
interface structure -- structure prediction -- orientation relationship -- near-coincidence site -- edge-to-edge matching -- iron silicide -- DFT calculations -- thermal expansion
Аннотация: A pure crystallogeometrical approach is proposed for predicting orientation relationships, habit planes and atomic structures of the interfaces between phases, which is applicable to systems of low-symmetry phases and epitaxial thin film growth. The suggested models are verified with the example of epitaxial growth of α-, γ- and β-FeSi2 silicide thin films on silicon substrates. The density of near-coincidence sites is shown to have a decisive role in the determination of epitaxial thin film orientation and explains the superior quality of β-FeSi2 thin grown on Si(111) over Si(001) substrates despite larger lattice misfits. Ideal conjunctions for interfaces between the silicide phases are predicted and this allows for utilization of a thin buffer α-FeSi2 layer for oriented growth of β-FeSi2 nanostructures on Si(001). The thermal expansion coefficients are obtained within quasi-harmonic approximation from the DFT calculations to study the influence of temperature on the lattice strains in the derived interfaces. Faster decrease of misfits at the α-FeSi2(001)||Si(001) interface compared to γ-FeSi2(001)||Si(001) elucidates the origins of temperature-driven change of the phase growing on silicon substrates. The proposed approach guides from bulk phase unit cells to the construction of the interface atomic structures and appears to be a powerful tool for the prediction of interfaces between arbitrary phases for subsequent theoretical investigation and epitaxial film synthesis.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Fed Res Ctr KSC SB RAS, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia.

Доп.точки доступа:
Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Russian Science FoundationRussian Science Foundation (RSF) [16-13-00060-Pi]
}
Найти похожие

Inducing magnetism in non-magnetic α-FeSi2 by distortions and/or intercalations / V. Zhandun [et al.] // Phys. Chem. Chem. Phys. - 2019. - Vol. 21, Is. 25. - P. 13835-13846, DOI 10.1039/c9cp02361e. - Cited References: 27. - The reported study was funded by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research projects No 17-42-240212: "Quantum-mechanical simulation of the physical properties of correlated electron materials to improve their functional characteristics" and No 18-42-243019: "First-principles studies of the polarization, magnetic, electronic, and magnetoelectric properties of functional compounds with a spinel structure containing 3d and 4f ions". . - ISSN 1463-9076. - ISSN 1463-9084

РУБ Chemistry, Physical + Physics, Atomic, Molecular & Chemical
Рубрики:
TOTAL-ENERGY CALCULATIONS
WAVE
FeSi2
Аннотация: By means of hybrid ab initio + model approach we show that the lattice distortions in non-magnetic α-FeSi2 can induce a magnetic state. However, we find that the distortions required for the appearance of magnetism in non-magnetic α-FeSi2 are too large to be achieved by experimental fabrication of thin films. For this reason we suggest a novel way to introduce magnetism in α-FeSi2 using “chemical pressure” that is, intercalating the α-FeSi2 films by light elements. Theoretical study of the distortions resulting from intercalation reveals that the most efficient intercalants for formation of magnetism and a high spin polarization are lithium, phosphorus and oxygen. Investigation of the dependency of the magnetic moments and spin polarisation on the intercalation atoms concentration shows that the spin polarization remains high even at small concentrations of intercalated atoms, which is extremely important for modern silicate technology.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Fed Res Ctr, Kirensky Inst Phys,Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Kungliga Tekn Hogskolan, SE-10044 Stockholm, Sweden.

Доп.точки доступа:
Zhandun, V. S.; Жандун, Вячеслав Сергеевич; Zamkova, N. G.; Замкова, Наталья Геннадьевна; Korzhavyi, Pavel; Sandalov, I. S.; Сандалов, Игорь Семёнович; Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science [17-42-240212, 18-42-243019]
}
Найти похожие

    Tuning the magnetic, transport and optical properties of FeSi2 nanocrystals / A. S. Tarasov [et al.] // Fourth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials (ASCO-NANOMAT 2018) : proceedings. - Vladivostok : Dalnauka, 2018. - P. 143
   Перевод заглавия: Регулирование магнитных, транспортных и оптических свойств нанокристаллов FeSi2

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Solovyov, L. A.; Соловьев, Леонид Александрович; Aleksandrovsky, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Zhandun, V. S.; Жандун, Вячеслав Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(4 ; 2018 ; Sept. ; 23-28 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(4 ; 2018 ; сент. ; 23-28 ; Владивосток); Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН; Дальневосточный федеральный университет
}
Найти похожие

    Factor analysis of inelastic electron scattering cross section spectra of FeSi2 / A. Y. Igumenov [et al.] // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. - 2019. - Vol. 467: 21st International Scientific Conference Reshetnev Readings-2017. - Ст. 012010, DOI 10.1088/1757-899X/467/1/012010. - Cited References: 21
Рубрики:
ENERGY-LOSS SPECTROSCOPY
   IRON
Аннотация: Iron disilicide is widely used in creation of such nanotechnology devices as photoelectric converters. The investigation of iron silicide FeSi2 with the method of inelastic electron scattering cross-section spectroscopy was carried out. The decomposition of inelastic electron scattering cross-section spectra of FeSi2 to bulk and surface energy loss components using factor analysis was carried out. The amplitude of energy loss components can be used for identification of their origin.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Reshetnev Siberian State Univ Sci & Technol, Krasnoyarsk 660037, Russia.
Emperor Alexander I St Petersburg State Transport, St Petersburg 190031, Russia.
Russian Acad Sci, Inst Chem & Chem Technol, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Russian Acad Sci, Rzhanov Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk 630090, Russia.
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Igumenov, A. Yu; Parshin, A. S.; Kanzychakova, V. O.; Demin, A. M.; Andryushchenko, T. A.; Mikhlin, Yu L.; Pehelyakov, O. P.; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; International Scientific Conference Reshetnev Readings(21st ; Nov 08-11, 2017 ; Krasnoyarsk, Russia)
}
Найти похожие

10.

Описание изобретения к патенту 2681635 Российская Федерация

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi 2 с изменяемой преимущественной ориентацией / И. А. Тарасов [и др.]. - № 2018104934 ; Заявл. 08.02.2018 ; Опубл. 11.03.2019 // Изобретения. Полезные модели : офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2019. - № 8
Аннотация: Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в спинтронике и нанотехнологии. Способ получения нанокристаллов силицида железа α-FeSi2 с изменяемой преимущественной ориентацией включает предварительную химическую подготовку поверхности подложки кремния в водном растворе плавиковой кислоты и ее очистку путем отжига при 840-900°С, осаждение слоя золота на подложку кремния ориентацией Si(001) при комнатной температуре методом термического испарения в сверхвысоком вакууме, повышение температуры подложки до 840°С и соосаждение железа и кремния при атомном соотношении от 1:2 до 3:1. Техническим результатом изобретения является контролируемое получение нанокристаллов α-FeSi2 на поверхности кремния с различными преимущественными кристаллографическими ориентационными соотношениями, изменяемой огранкой и формой нанокристалла α-FeSi2 для одного и того же ориентационного соотношения. 3 ил., 1 табл., 4 пр.

Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Высотин, Максим Александрович; Visotin, M. A.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Smolyarova, T. E.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент); Федеральный институт промышленной собственности
}
Найти похожие