Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Oxidation<.>)

Общее количество найденных документов : 41
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-41 41-41

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : MYAGKOV V. G., FROLOV G. I.
Заглавие : AUTO-WAVE PROCESS OF OXIDATION OF IRON FILMS
Место публикации : Pisma Zhurnal Tek. Fiz.: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1990. - Vol. 16, Is. 23. - P1-4. - ISSN 0320-0116
Примечания : Cited References: 5
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fransson J., Eriksson O., Sandalov I. S.
Заглавие : Effects of nonorthogonality in the time-dependent current through tunnel junctions
Место публикации : Phys. Rev. B: AMERICAN PHYSICAL SOC, 2001. - Vol. 64, Is. 15. - Ст.153403. - ISSN 0163-1829, DOI 10.1103/PhysRevB.64.153403
Примечания : Cited References: 20
Предметные рубрики: LOCAL OXIDATION
TRANSPORT
DEVICES
Аннотация: A theoretical technique which allows one to include contributions from nonorthogonality of the electron states in the leads connected to a tunneling junction is derived. The theory is applied to a single-barrier, tunneling structure and a simple expression for the time-dependent tunneling current is derived showing explicit dependence of the overlap. The overlap proves to be necessary for a better quantitative description of the tunneling current, and our theory reproduces experimental results substantially better compared to standard approaches.
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fransson J., Eriksson O., Sandalov I.
Заглавие : Effects of non-orthogonality and electron correlations on the time-dependent current through quantum dots
Место публикации : Phys. Rev. B: AMERICAN PHYSICAL SOC, 2002. - Vol. 66, Is. 19. - Ст.195319. - ISSN 1098-0121, DOI 10.1103/PhysRevB.66.195319
Примечания : Cited References: 46
Предметные рубрики: GREENS-FUNCTION APPROACH
TUNNEL-JUNCTIONS
LOCAL OXIDATION
ANDERSON MODEL
TRANSPORT
NONORTHOGONALITY
CONDUCTANCE
EQUILIBRIUM
TRANSISTOR
IMPURITY
Аннотация: Three issues are analyzed in the physics of time-dependent tunneling current through a quantum dot with strongly correlated electrons coupled to two external contact leads: (i) nonorthogonality of the states of electrons in the leads and in the quantum dot, (ii) non-Fermi statistics of the excitations in the quantum dot, and iii) kinematic shift of the quantum dot levels. The contributions from nonorthogonality effectively decrease the mixing interaction between the leads and the quantum dot and the width of the quantum dot level whereas the Gibbs statistics slightly changes the spectral weights of quantum dot levels, and decreases the widths, but does not introduce drastical changes to the current. The kinematic interactions are taken into account within the loop correction. For the case of block signal, the time-dependent current shows oscillations starting at the onset and termination of the bias voltage pulse.
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Chiganov A. S.
Заглавие : Selective inhibition of the oxidation of nanodiamonds for their cleaning
Место публикации : Phys. Solid State: AMER INST PHYSICS, 2004. - Vol. 46, Is. 4. - P620-621. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/1.1711436
Примечания : Cited References: 6
Аннотация: The effect of selective inhibition of nanodiamond oxidation upon heating of detonation carbon in air is used to extract nanodiamonds from the detonation products. The methods for cleaning nanodiamonds from nondiamond carbon modifications are described depending on the synthesis conditions. (C) 2004 MAIK "Nauka / Interperiodica".
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Knyazev Yu.V., Ivanova N. B., Kazak N. V., Platunov M. S., Bezmaternykh L. N., Velikanov D. A., Vasiliev A. D., Ovchinnikov S. G., Yurkin G. Yu.
Заглавие : Crystal structure and magnetic properties of Mn substituted ludwigite Co3O2BO3
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science BV, 2012. - Vol. 324, Is. 6. - P.923-927. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2011.07.044
Примечания : Cited References: 15. - The study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Project no. 09-02-00171-a), the Federal Agency for Science and Innovation (Rosnauka) (Project no. MK-5632.2010.2), the Physical Division of the Russian Academy of Science, the program "Strongly Correlated Electrons", Project 2.3.1.
Предметные рубрики: BOND VALENT SUMS
COORDINATION CHEMISTRY
OXIDATION -STATE
O BONDS
COMPLEXES
MANGANESE
COBALT
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): transition metal oxyborate--distinct crystallographic position--spin glass magnetic ordering
Аннотация: The needle shape single crystals Co3−x MnxO2BO3 with ludwigite structure have been prepared. According to the X-ray diffraction data the preferable character of distinct crystallographic positions occupation by Mn ions is established. Magnetization field and temperature dependencies are measured. Paramagnetic Curie temperature value Θ=−100 K points out the predominance of antiferromagnetic interactions. Spin-glass magnetic ordering takes the onset at TN=41 K. The crystallographic and magnetic properties of Co3O2BO3:Mn are compared with the same for the isostructural analogs Co3O2BO3 and CoO2BO3:Fe.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Ivanenko A. A., Nemtsev I. V., Bykova L. E., Bondarenko G. N., Mihlin J. L., Maksimov I. A., Ivanov V. V., Balashov S. V., Karpenko D. S.
Заглавие : Structural and optical properties of thin In2O3 films produced by autowave oxidation
Место публикации : Semiconductors. - 2013. - Vol. 47, Is. 4. - P.569-573. - DOI 10.1134/S1063782613040210
Аннотация: Cubic-phase In2O3 films are produced by the autowave oxidation reaction. Electron microscopy and photoelectron spectroscopy of the atomic profiles show that the samples are homogeneous over the entire area and throughout the thickness, with the typical grain size being 20–40 nm. The optical and electrical properties are studied for In2O3 films fabricated at different pressures in the vacuum chamber. In the wave-length range from 400 to 1100 nm, the transparency of the films was higher than 85%; the resistivity of the films was 1.8 × 10–2Ω cm.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Мягков, Виктор Григорьевич, Иваненко, Александр Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Быкова, Людмила Евгеньевна, Бондаренко, Галина Николаевна, Mikhlin Y. L., Максимов И. А., Иванов В. В., Балашов С. В., Карпенко Д. С.
Заглавие : Структурные и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Физ. и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, Вып. 4. - С. 546-550
Аннотация: Пленки кубической фазы In2O3 получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20--40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In2O3, полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400--1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8· 10-2 Ом·см.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Немцев, Иван Васильевич, Савранский Д. С., Мацынин, Алексей Александрович, Ежикова Е. В.
Заглавие : Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением
Место публикации : Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - ISSN 1816-9724
Примечания : Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043)
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--оксид индия--автоволновое окисление--ультрафиолетовое облучение--thin films--indium oxide--auto-wave oxidation--ultraviolet irradiation
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.
Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kirillov V. L., Balaev D. A., Semenov S. V., Shaikhutdinov K. A., Martyanov O. N.
Заглавие : Size control in the formation of magnetite nanoparticles in the presence of citrate ions
Коллективы : Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences
Место публикации : Mater. Chem. Phys.: Elsevier Science, 2014. - Vol. 145, Is. 1-2. - P.75-81. - ISSN 0254-0584, DOI 10.1016/j.matchemphys.2014.01.036. - ISSN 1879-3312
Примечания : Cited References: 46. - This work was supported by the Interdisciplinary Integration Project no. 45 of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences for 2012-2014.
Предметные рубрики: OLEIC-ACID
CATALYST
HYPERTHERMIA
PARTICLES
OXIDATION
REMOVAL
CO
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic materials--magnetic properties--precipitation--electron paramagnetic resonance
Аннотация: A one-pot synthesis method for the controllable growth of magnetite nanoparticles directly during the process of co-precipitation using citrate ions was developed. The effects of the concentration of citrate ions and the solution pH on the characteristics of magnetite particles with sizes in the range of 4-10 nm synthesized by the method of co-precipitation were studied. The results showed that the specified concentration of citrate ions allowed the preparation of magnetite particles with a definite size that exhibited superparamagnetic behaviour in a particular temperature range. As the concentration ratio of citrate to iron ions was increased from 0 to 0.11, the average size of the prepared magnetite particles decreased from 10.5 to 4.4 nm. As a result, the superparamagnetic blocking temperature decreased from 300 to 20 K, the saturation magnetisation decreased from 50 to 20 emu g(-1), and the average magnetic moment decreased from 8000 mu(B) to 340 mu(B) (at T = 300 K). The obtained experimental data proved that the size effects of the magnetite nanoparticles can be attributed to the capping of the magnetite surface by adsorbed citrate ions. Thus, the suggested approach allows magnetite nanoparticles to be prepared with an optimum particle size around superparamagnetic threshold that prevents their irreversible agglomeration and simultaneously allows them to be removed from a solution at an acceptable rate. (C) 2014 Elsevier B.V. All rights reserved.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tambasov I. A., Myagkov V. G., Ivanenko A. A., Bykova L. E., Yozhikova E. V., Maksimov I. A., Ivanov V. V.
Заглавие : Effect of exposure to optical radiation and temperature on the electrical and optical properties of In2O3 films produced by autowave oxidation
Коллективы : Ministry of Education and Science of the Russian Federation [14.513.11.0023]
Место публикации : Semiconductors: MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 48, Is. 2. - P.207-211. - ISSN 1063-7826, DOI 10.1134/S1063782614020286. - ISSN 1090-6479
Примечания : Cited References: 42. - This study was supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Federal Targeted Program "Research and Development in Priority Fields of Development of the Science and Technology Complex of Russia for 2007-2013", state contract no. 14.513.11.0023.
Предметные рубрики: GAS SENSOR RESPONSE
INDIUM OXIDE-FILMS
THIN-FILMS
HIGH-PERFORMANCE
TIN OXIDE
TRANSPARENT CONDUCTORS
SUBSTRATE-TEMPERATURE
ROOM-TEMPERATURE
TRANSISTORS
PHOTOREDUCTION
Аннотация: Indium-oxide films are synthesized by the autowave-oxidation reaction. It is shown that, upon exposure to optical radiation, the resistance of the films sharply decreases and the maximal relative change in the resistance is 52% at room temperature. Two resistance relaxation rates after termination of the irradiation, 15 Omega s(-1) during the first 30 s and 7 Omega s(-1) over the remaining time, are determined. The data of infrared spectroscopy of the films show that exposure to optical radiation induces a 2.4% decrease in the transmittance at a wavelength of 6.3 mu m. It is found that, after termination of the irradiation, the transmittance gradually increases with a rate of 0.006% s(-1). It is suggested that photoreduction is the dominant mechanism responsible for changes in the electrical and optical properties of the In2O3 films.
Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие