Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Thin films<.>)

Общее количество найденных документов : 55
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-55

    Назарова, З. И.
    Прогнозирование образования конкурирующих фаз при росте тонких плёнок Cr2GaC на MgO(111) / З. И. Назарова, А. Н. Назаров // Сиб. аэрокосм. журн. - 2021. - Т. 22, № 2. - С. 383-390, DOI 10.31772/2712-8970-2021-22-2-383-390. - Библиогр.: 15. - Исследования выполняются при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта № 20-42-240012, Правительства РФ в рамках гранта по созданию лабораторий мирового уровня (соглашение № 075-15-2019-1886) . - ISSN 2712-8970
   Перевод заглавия: Prediction of formation of competing phases during the growth of Cr2GaC thin films on MgO(111)
Кл.слова (ненормированные):
МАХ материалы -- тонкие пленки -- конкурирующие фазы -- энтальпия образования -- хром -- галий -- углерод -- MAX materials -- thin films -- competing phases -- enthalpy of formation -- chromium -- galium -- carbon
Аннотация: MAX-фазы представляют собой семейство тройных слоистых соединений с формальной стехиометрией Mn+1AXn (n = 1, 2, 3…), где М – переходный d-металл; А – p-элемент (например, Si, Ge, Al, S, Sn и др.); Х – углерод или азот [1]. Слоистые тройные карбиды и нитриды d- и p-элементов (MAX-фазы) проявляют уникальное сочетание свойств, характерных как для металлов, так и для керамики, что делает их применение перспективным в космической отрасли в качестве различных покрытий. Получение требуемых свойств MAX-фаз зависит от технологических условий синтеза материала. Для этого необходимо тщательное теоретическое моделирование взаимодействия элементов на границе раздела. Одновременный рост конкурирующих фаз наряду с MAX-фазой может происходить из-за выгодности образования конкурирующих фаз, а также из-за более низко-энергетического интерфейса с подложкой по сравнению с MAX-фазой. В данной работе мы изучаем термодинамическую выгодность конкурирующих фаз и MAX-фазы Cr2GaC в зависимости от химического состава потока атомов. Для изучения этих соединений было необходимо рассмотреть систему Cr-Ga-C. Согласно модели эффективной теплоты образования каждую реакцию образования некоторой фазы можно охарактеризовать энтальпией [2]. Для выяснения наиболее вы-годных к формированию фаз было необходимо произвести расчёт энтальпии для всех возможных реакций. Таким образом, задача состояла в переборе всех возможных реакций между чистыми элементами, доступными в различных соотношениях, в частности, в соотношении, соответствующем заданной стехиометрии MAX-фазы, т. е. Cr:Ga:C=2:1:1. Кроме того, считается, что плотность совпадающих узлов [3; 4] для границ раздела между MAX-фазой, термодинамически выгодными конкурирующими фазами и поверхностью MgO(111) показывает роль интерфейса при определении структурного качества тонкой плёнки MAX-фазы, выращенной на MgO(111).
MAX-phases are a family of ternary layered compounds with the formal stoichiometry Mn+1AXn (n = 1, 2, 3...), where M is a transition d-metal; A is a p-element (for example, Si, Ge, Al, S, Sn, etc.); X is carbon or nitrogen [1]. Layered triple carbides and nitrides of d-and p-elements (MAX-phases) exhibit a unique combination of properties characteristic of both metals and ceramics, which makes their application as various coatings in space industry very promising. Obtaining the desired properties of the MAX-phases depends on the technological conditions of material synthesis. This requires thorough theoretical modelling of the elements’ interaction at the interface. Concurrent growth of competing phases along with the MAX-phase may occur due to the favorability of the formation of competing phases and also be promoted by lower energy interfaces with the substrate in comparison with a MAX-phase. In this work, we study thermodynamic favorability of competing phases and Cr2GaC MAX-phase depending on the chemical composition of the atomic flow. To study these compounds, it was necessary to consider the Cr-Ga-C system. According to the effective heat of formation model, each reaction of the formation of a certain phase can be characterized by enthalpy [2]. To find out the most favorable phases, it was necessary to calculate the enthalpy of all possible reactions. Thus, the task was to sort through all possible reactions between pure elements available in various ratios, in particular, in the ratio corresponding to the given MAX-phase stoichiometry, i.e. Cr:Ga:C=2:1: 1. Moreover, it is considered that the density of near-coincidence sites [3,4] for interfaces between MAX-phase, thermodynamically favourable competing phases and MgO(111) surface shows a role of the interface in the determination of the structural quality of the MAX-phase thin film grown on MgO(111).

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского СО РАН – обособленное подразделение ФИЦ КНЦ СО РАН; Российская Федерация, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 38.
Сибирский федеральный университет; Российская Федерация, 660041, Красноярский край, г. Красноярск, просп. Свободный, 79.

Доп.точки доступа:
Назаров, А. Н.; Nazarov, A. N.; Nazarova Z.I.
}
Найти похожие

    Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах / И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Кл.слова (ненормированные):
оксид индия -- тонкие пленки -- автоволновое окисление -- indium oxide -- thin films -- autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

    Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN / А. В. Куклин [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K). . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Quantum chemical study of structure and properties of CrN mono- and bilayer
Кл.слова (ненормированные):
CRN -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- МОНОСЛОИ -- DFT -- AB INITIO -- СПИНТРОНИКА -- THIN FILMS -- MONOLAYERS -- SPINTRONICS
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.
Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Денисов, Виктор Михайлович; Denisov V. M.; Ковалева, Евгения Андреевна; Шостак, С. А.; Shostak, S. A.
}
Найти похожие

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

    Аверьянов, Евгений Михайлович.
    Молекулярно-оптическая анизотропия тонких пленок полифенил- хиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул / Е. М. Аверьянов // Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2018. - Т. 18, № 4. - С. 48–56 ; Liq. Cryst. Appl., DOI 10.18083/LCAppl.2018.4.48. - Библиогр.: 11 . - ISSN 1991-3966. - ISSN 2499-9644
   Перевод заглавия: Molecular-optical anisotropy of poly(phenylquinoxaline) thin films with in-plane orientation of macromolecules
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- тонкие пленки -- производные полифенилхиноксалинов -- молекулярная поляризуемость -- optical properties -- thin films -- poly(phenylquinoxaline) derivatives -- molecular polarizability
Аннотация: Для одноосных тонких пленок двух производных полифенилхиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул исследована связь показателей преломления nj с параметрами поляризуемости Г {компонентами γj, средним значением γ‾= (γ || + 2γ⊥)/3, анизотропией δγ = γ|| – γ⊥} двуосного мономерного звена полимерной цепи при поляризациях световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j =⊥) оптической оси, которая перпендикулярна плоскости пленки. В компонентах fj =1+Lj(nj2–1) тензора локального поля значения компонент Lj тензора Лоренца получены с использованием экспериментальных зависимостей nj(λ) от длины световой волны λ. Показано, что для исследованных пленок с малым двулучепреломлением Δn = n||–n⊥ модельные тензоры fj, широко используемые для полимерных пленок, приводят к существенно заниженным значениям δγ и искажению дисперсии Г(λ). Впервые отмечено, что для двуосных мономерных звеньев с двумя параметрами одноосного ориентационного порядка (S, G) и двумя типами анизотропии поляризуемости (Δγ, Δγ') связь Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 может приводить к равенству Δn = 0 при S≠ 0, G≠ 0. Выяснены молекулярные и структурные особенности реализации состояния пленки с Δn = 0.
For the uniaxial thin films of two poly(phenylquinoxaline) derivatives with in-plane orientation of macromolecules, the relationship between refractive indices nj and polarizability parameters Г {components γj, mean value γ‾ = (γ || + 2γ⊥)/3, anisotropy δγ = γ|| – γ⊥} of the biaxial monomer unit of the polymer chain for the light-wave polarization along (j = ||) and across (j =⊥) the optical axis which is perpendicular to the film plane, was investigated. In the local-field tensor components fj =1+Lj(nj2–1), the Lorentz-tensor components values (Lj) were obtained using the experimental dependences of nj(λ) on the light wavelength λ . The model tensors fj, which are widely used for polymer films, lead to essentially understated values of δγ and distortion of the dispersion Г(λ)for the investigated films with low birefringence Δn = n||–n⊥. It was observed for the first time, that for biaxial monomer units with two parameters of uniaxial orientational order (S, G) and two types of the polarizability anisotropy (Δγ, Δγ') the relation Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 can lead to the equality Δn = 0 at S≠ 0, G≠ 0.Molecular and structural peculiarities required for realization of the film state with Δn = 0were established.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН, Академгородок, 50, 660036 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Aver'yanov, E. M.

}
Найти похожие

"γ-Fe problem" and epitaxial growth of fe on cu(001) / V. G. Myagkov [et al.] // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena. - 2012. - Vol. 190. - P. 502-505, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.502 . - ISBN 1012-0394. - ISBN 9783037854365
Кл.слова (ненормированные):
?-Fe -- Cu-Fe system -- Magneto-volume effect -- Solid-state synthesis -- Thin films -- Cu-Fe system -- Interlayer formation -- Magnetic studies -- Magneto-volume effects -- Orientation relationship -- Pseudomorphic growth -- Residual gas -- Solid-state synthesis -- Ultra-thin -- Buffer layers -- Magnetic materials -- Mossbauer spectroscopy -- Thin films -- Epitaxial growth
Аннотация: We have observed the formation of a thin buffer layer on the Fe/Cu interface at a temperature of 520 K. Mossbauer spectroscopy and magnetic studies reveal that the residual gases in the chamber (especially oxygen) play an important role in the ultra-thin interlayer formation. It was shown that the Cu2O buffer layer does not change the Pitsh orientation relationships during epitaxial growth of ?-Fe(110) on Cu(001). Our analysis of the experimental results contradicts pseudomorphic growth and formation of ?-Fe on Cu(001). В© (2012) Trans Tech Publications.

Scopus

Доп.точки доступа:
Myagkov, V. G.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Drozdova, N. A.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Moscow International Symposium on Magnetism(5 ; 2011 ; Aug. ; 21-25 ; Moscow)
}
Найти похожие

Zhandun, V. S.
The spin-state transition in ACo2O4 spinels (A = Be, Mg, Ca, Cd, Zn) / V. S. Zhandun, O. N. Draganyuk // J. Magn. Magn. Mater. - 2022. - Vol. 552. - Ст. 169206, DOI 10.1016/j.jmmm.2022.169206. - Cited References: 51. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research projects № 19-42-240016: «Control of structural, magnetic, electronic, and optical properties by pressure and intercalation into functional compounds with a spinel structure containing 3d and 4f ions» and № 20-42-240004: “The effect of the composition, pressure, and dimension on the magnetic, electronic, optical, and elastic properties of the magnetic Mn+1AXn (M = Cr, Mn; Fe, A = Al, Ga, Si, Ge, P, In; X = C, N; n = 1-3) MAX-phases”. The calculations were performed with the computer resources of “Complex modeling and data processing research installations of mega-class” SRC “Kurchatovsky Institute” (http://ckp.urcki.ru) . - ISSN 0304-8853
Кл.слова (ненормированные):
Ab initio calculations -- Spinels -- Cobalt ion -- Oxides -- Spin-state transition -- Thin films -- Pressure
Аннотация: The magnetic and electronic properties of the Co-based spinel oxides ACo2O4 (A = Be, Mg, Ca, Zn, Cd) were studied within GGA + U approach. It was found that the Co3+ ion is in a low-spin state due to the effect of the crystal field of octahedral symmetry. It is shown that Co3+ ion undergoes a spin-state transition into the high-spin state under the critical pressure of P = −10 GPa – −20 GPa. This pressure-induced spin-state transition is caused by the redistribution of electrons between the t2g- and eg-orbitals arising with increasing interatomic distances. The role of interatomic distances between Co3+ ion and its ligands is discussed. Thin-film form also favors the appearance of a high-spin state of Co3+ ion. At the same critical pressure, there is a sharp increase in the majority spin bandgap and a sharp decrease in the minority spin bandgap. These findings allow manipulating the spin state of Co3+ ions and bandgap width through the pressure or strain arising in thin films.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics - Federal Research Center “Krasnoyarsk Science Centre, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences”, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Draganyuk, O. N.; Драганюк, Оксана Николаевна; Жандун, Вячеслав Сергеевич
}
Найти похожие

Vyzulin, S. A.
Ferromagnetic resonance in thin films of FexNi100−x / S. A. Vyzulin, N. E. Syr'ev, G. V. Skomorokhov // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2021. - Vol. 85, Is. 9. - P. 1012-1015, DOI 10.3103/S106287382109032X. - Cited References: 9 . - ISSN 1062-8738
Кл.слова (ненормированные):
Ferromagnetic resonance -- Ferromagnetism -- Thin films -- Film structure -- Nanometer films -- Resonance characteristic -- S-theory -- Single layer -- Ferromagnetic materials
Аннотация: Magnetic resonance characteristics of FexNi100–x nanometer film systems are investigated. It is shown experimentally that Kittel’s theory of uniform ferromagnetic resonance in thin single-layer FexNi100−x film structures might be invalid.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Вызулин С. А. Ферромагнитный резонанс в тонких пленках FexNi100–x [Текст] / С. А. Вызулин, Н. Е. Сырьев, Г. В. Скоморохов // Изв. РАН. Сер. физич. - 2021. - Т. 85 № 9. - С. 1314-1317

Держатели документа:
Krasnodar Higher Military School, Krasnodar, 350035, Russian Federation
Moscow State University, Moscow, 119991, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Science Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Syr'ev, N. E.; Skomorokhov, G. V.; Скоморохов, Георгий Витальевич
}
Найти похожие

Vazhenina, I. G.
Spin−wave resonance as a way of studying the constant of surface anisotropy, using films of Fe–Ni alloy as an example / I. G. Vazhenina, L. A. Chekanova, R. S. Iskhakov // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. - 2017. - Vol. 81, Is. 3. - P. 308-310, DOI 10.3103/S1062873817030388. - Cited References: 13 . - ISSN 1062-8738
Кл.слова (ненормированные):
Anisotropy -- Deposition -- Ferromagnetic materials -- Film thickness -- Nickel -- Chemical deposition -- Ferromagnetic thin films -- Ni alloys -- Ni thin films -- Surface anisotropy -- Wave resonances -- Thin films
Аннотация: The effect the thickness and concentration composition of a ferromagnetic thin film have on surface anisotropy constant KS is investigated. Spin–wave resonance is chosen as a way of detecting and measuring the KS value. Fe–Ni thin films are synthesized via chemical deposition. Dependences of KS on the content of Ni in the alloy and a film’s thickness are established. © 2017, Allerton Press, Inc.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Важенина, Ирина Георгиевна. Спин-волновой резонанс как метод исследования константы поверхностной анизотропии на примере пленок Fe–Ni-сплава [Текст] / И. Г. Важенина, Л. А. Чеканова, Р. С. Исхаков // Изв. РАН. Сер. физич. - 2017. - Т. 81 № 3. - С. 337-339

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Chekanova, L. A.; Чеканова, Лидия Александровна; Iskhakov, R. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; Важенина, Ирина Георгиевна
}
Найти похожие

10.

Transparent conductive ITO coatings obtained by pyrolysis of metal extracts / T. N. Patrusheva [et al.] // J. Appl. Chem. Sci. Int. - 2015. - Vol. 3, Is. 1. - P. 21-28 . - ISSN 2395-3705
Кл.слова (ненормированные):
Indium-tin oxide -- thin films -- extraction-pyrolysis technique -- liquid precursors -- nanocrystalline structure
Аннотация: Thin films of indium-tin oxide (ITO) have been prepared by pyrolysis of liquid organic-extracts of indium and tin. The films were deposited on glass substrate in the atmospheric condition. Extraction-pyrolytic method adopted here uses cheap starting materials and provides the required stoichiometric ratio by mixing the stable liquid precursors in appropriate concentration. Thermal decomposition processes are induced in the narrow temperature range of 350–400°C. The zirconium-yttrium oxide (ZYO) sublayer was deposited on glass substrate in advance to provide homo epitaxial growth. This would induce reduction in intrinsic stress of the films due to matching in thermal expansion coefficient with ITO film. XPS studies showed the absence of impurity elements in these extraction-pyrolytic technique derived ITO films and the spectra is quite similar to that for ITO films deposited in vacuum environment. ITO film has a nanocrystalline structure with grain size of about 6 nm.

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Patrusheva, T. N.; Патрушева, Тамара Николаевна; Snezhko, N. Yu.; Belousov, A. L.; Rizhenkov, A. V.; Mikhlin, Y. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Kirik, S. D.; Bondarenko, G. N.; Бондаренко, Галина Николаевна; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Romanov, A. A.
}
Найти похожие