Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (11)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=nanostructures<.>)

Общее количество найденных документов : 176
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

    Эллипсометрический контроль параметров многослойных наноструктур Fe/Si в процессе роста / И. А. Тарасов [и др.] // Космич. аппараты и технол. - 2018. - Т. 2, № 4. - С. 220-224, DOI 10.26732/2618-7957-2018-4-220-224. - Библиогр.: 10. - Работа выполнена при финансовой поддержке программ Президиума РАН № 32, проект 0356-2018-0061, Министерства образования и науки Российской Федерации и Сибирского отделения Российской академии наук, проект II.8.70. . - ISSN 2618-7957
   Перевод заглавия: Ellipsometric control of parameters of multilayer Fe/Si nanostructures during growth
Кл.слова (ненормированные):
эллипсометрия -- силициды железа -- многослойные Fe/Si наноструктуры -- ellipsometry -- iron silicides -- multilayer Fe/Si nanostructures
Аннотация: С использованием метода одноволновой лазерной эллипсометрии in situ проведено исследование процесса формирования многослойной структуры [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100). Были получены сведения об оптических и структурных свойствах данной структуры. Изменение морфологии поверхности растущих слоев и их оптических характеристик оказываются неидентичными для случаев осаждения железа на поверхность слоя кремния и осаждения кремния на поверхность слоя железа. Полученные профили оптических постоянных свидетельствуют об увеличении толщины переходных слоев, содержащих твердые растворы «железо-кремний» и силициды. Характер изменения оптических постоянных усложняется с каждым последующим слоем железа, осаждаемым на поверхность кремния. Поведение профилей n и k, соответствующих формированию кремниевых слоев, имеет более простой характер по сравнению с поведением подобных профилей железа. Эти профили имеют лишь некоторые особенности на начальных этапах роста и соответствуют формированию аморфных слоев кремния. Полученные данные согласуются с данными просвечивающей электронной микроскопии.
Using in situ single-wave laser ellipsometry method, the formation of the [Si/Fe57/Fe56]3/SiO2/Si(100) multilayer structure was studied. Information about the optical and structural properties of this structure was obtained. The change in the morphology of the surface of the growing layers and their optical characteristics are not identical for the cases of iron deposition on the surface of the silicon layer and deposition of silicon on the surface of the iron layer. The refractive index and coefficient of absorption indicate an increase of the thickness of transition layers containing iron-silicon solid solutions and silicides. The nature of the change in the optical constants become more complicated with each subsequent iron layer deposited on the silicon surface. The behavior of n and k profiles corresponding to the formation of silicon layers is simpler than the behavior of similar iron profiles. These profiles have only some features at the initial stages of growth and correspond to the formation of amorphous silicon layers. The obtained data are consistent with the data of transmission electron microscopy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.
}
Найти похожие

    Порялизационно-чувствительные моды в анизотропных фотонно-кристаллических наноструктурах / В. С. Герасимов, А. Е. Ершов [и др.] // Решетневские чтения : [Электронный ресурс] : материалы XXIV Междунар. науч.-практич. конф., посвящ. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч. : электронное издание. - Красноярск : СибГУим. М. Ф. Решетнева, 2020. - Ч. 1. - С. 435-436. - Библиогр.: 4. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярскогокрая, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 18-42-240013. А. Ершов благодарит грант президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых (соглашение 075-15-2019-676).
   Перевод заглавия: Polarization-sensetive modes in anisotropic fotonic crystal nanostructures
Аннотация: Исследованы спектральные свойства дефектных мод в одномерных фотокристаллических структурах с внедренной в дефектный слой анизотропной периодической решеткой золотых нанодисков

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov, V. S.; Ершов, Александр Евгеньевич; Бикбаев, Рашид Гельмединович; Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S.V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(24 ; 2020 ; нояб. ; 10-13 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АО; Красноярский машиностроительный завод, ОАО
}
Найти похожие

    Получение и активация TiO2 фотонно- кристаллических структур для повышения эффективности реакции фотоэлектрохимического разложения воды / Т. А. Кенова, Н. А. Зосько, М. В. Пятнов [и др.] // Журн. СФУ. Химия. - 2024. - Т. 17, № 1. - С. 27-38 ; J. Sib. Fed. Univ. Chem. - Библиогр.: 25. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности № 22-22-20078, https://rscf.ru/project/22-22-20078/ с использованием оборудования Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН . - ISSN 1998-2836. - ISSN 2313-6049
   Перевод заглавия: Synthesis and activation of TiO2 photonic crystal structures for enhanced photoelectrochemical water splitting
Кл.слова (ненормированные):
фотонно-кристаллические TiO2 наноструктуры -- активация TiO2 фотонных кристаллов -- фотоэлектрохимическая активность -- разложение воды -- photonic-crystal TiO2 nanostructures -- TiO2 photonic crystals activation -- photoelectrochemical activity -- water splitting
Аннотация: Наноструктурированные фотонно-кристаллические пленки TiO2 анодно синтезированы при импульсном и ступенчатом изменениях напряжения. Полученные фотонные структуры активированы методом циклической вольтамперометрии в 0,5M Na2SO4. Фотоэлектрохимическая активность электродов исследована в реакции разложения воды в области длин волн 360–700 нм. Активация приводит к изменению энергии запрещенной зоны, красному сдвигу спектра IPCE и увеличению его значений в исследованном диапазоне длин волн.
TiO2 photonic crystal nanostructure films are anodic synthesized with pulsed and stepwise voltage changes. The obtained photonic structures were activated by cyclic voltammetry in 0.5M Na2SO4. The photoelectrochemical activity of the electrodes was studied in the water splitting reaction in the wavelength range 360–700 nm. Activation leads to a change in the band gap energy, a red shift in the IPCE spectrum and an increase in its values in the studied wavelength range.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт химии и химической технологии СО РАН ФИЦ "Красноярский научный центр СО РАН", Российская Федерация, Красноярск
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН ФИЦ "Красноярский научный центр СО РАН", Российская Федерация, Красноярск
Сибирский федеральный университет, Российская Федерация, Красноярск

Доп.точки доступа:
Кенова, Т. А.; Зосько, Н. А.; Пятнов, Максим Владимирович; Pyatnov, M. V.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Максимов, Н. Г.; Жижаев, А. М.; Таран, О. П.

}
Найти похожие

Наноструктуры Ni-Ge: роль интерфейса и магнитные свойства / Ю. Э. Гребенькова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2012. - Т. 54, Вып. 7. - P. 1405-1411. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Исследованы морфология поверхности и локальная структура слоев пленок Ni-Ge и Ge-Ni-Ge-Ni-Ge. Показано, что поверхность пленок повторяет шероховатости поверхности подложки, имеющие характерные размеры по высоте 2-4 nm и в плоскости ~100 nm. На границах между слоями Ni и Ge образуется интерфейс, глубина которого составляет от 9 до 18 nm. Полученные данные использованы для объяснения особенностей магнитных свойств исследованных пленок: асимметрии петли гистерезиса при низких температурах и различия температурных зависимостей намагниченности при охлаждении образцов в поле и в нулевом поле. Работа поддержана грантами РФФИ N 11-02-00972 и 11-02-00675; синхротронные исследования выполнены на оборудовании Центра коллективного пользования "Курчатовский центр синхротронного излучения и нанотехнологий" в рамках государственного контракта N 16.552.11.7003.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Ni-Ge nanostructures: Role of the interface and the magnetic properties // Physics of the Solid State : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2012. - Vol. 54, Is. 7. - P.1494-1500. - ISSN 1063-7834

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Гребенькова, Юлия Эрнестовна; Greben'kova, Yu.E.; Черниченко, Ангелина Виталиевна; Chernichenko, A.V.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Velikanov, D. A.; Турпанов, Игорь Александрович; Turpanov, I.A.; Мухамеджанов, Э. Х.; Зубавичус, Я. В.; Черков, А. К.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G.S.
}
Найти похожие

    Коллективные решеточные резонансы в диэлектрических наноструктурах при наклонных падениях оптического излучения / А. Д. Утюшев, А. Е. Ершов [и др.] // Решетневские чтения : [Электронный ресурс] : материалы XXIV Междунар. науч.-практич. конф., посвящ. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч. : электронное издание. - Красноярск : СибГУим. М. Ф. Решетнева, 2020. - Ч. 1. - С. 458-460. - Библиогр.: 2. - Работа поддержана Министерством науки и высшего образования Российской Федерации, проект номер ФСРЗ-2020-008.
   Перевод заглавия: Collective lattice resonances dielectric nanostructures at different angles of incidence radiation
Аннотация: Тонкие нанокомпозитные ZnO/SWCNTs пленки были синтезированы с помощью вакуумной фильтрации и атомно-слоевого осаждения. Были измерены вольт-амперные характеристики образцов пленок. Наосновевольт-амперных характеристик было рассчитано электрическое сопротивление для нанокомпозитных ZnO/ОУНТ пленок.

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Утюшев, А. Д.; Ершов, Александр Евгеньевич; Ershov, A. E.; Герасимов, Валерий Сергеевич; Gerasimov, V. S.; Закомирный, Вадим Игоревич; Карпов, Сергей Васильевич; Karpov, S.V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(24 ; 2020 ; нояб. ; 10-13 ; Красноярск); Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева; Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АО; Красноярский машиностроительный завод, ОАО
}
Найти похожие

    Влияние многоуровнего характера спектра полупроводниковых наночастиц на энергию их взаимодействия в квазирезонансном электромагнитном поле / А. А. Глушков [и др.] // В мире науч. открытий. - 2015. - № 12.1 (72). - С. 356-368. - Библиогр.: 20 . - ISSN 2072-0831. - ISSN 2307-9428
   Перевод заглавия: Effect of multilevel nature of the spectrum of quantum dots in the energy of their interaction in quasi-resonant electromagnetic field
Кл.слова (ненормированные):
диполь-дипольное взаимодействие -- наночастицы и наноструктуры -- взаимодействие лазерного излучения с веществом -- дисперсионные соотношения -- dipole-dipole interaction -- nanoparticles and nanostructures -- interaction of laser radiation with matter -- dispersion relations
Аннотация: Произведен расчет энергетических спектров взаимодействия пары наночастиц CdSe в квазирезонансном электромагнитном поле, для случаев одинаковых частиц и частиц с отличающимися длинами волн переходов, использовано диполь-дипольное приближение. Показано, что учет дополнительных переходов значительно увеличивает величину энергии взаимодействия для потенциальной ямы, лежащей в длинноволновой области спектра. На примере двух частиц с ограниченным числом резонансов исследовано влияние разности резонансных длин волн на глубину и положение потенциальной ямы.
Spectral dependences of interaction energy of multilevel semiconductor quantum dots are calculated in dipole-dipole approximation for a pair of CdSe quantum dots in a quasi-resonant laser field, for cases of two identical quantum dots and those with differing transition wavelengths. Interaction energy of pair of multilevel quantum dots in the long-wavelength potential well is much higher than that of pair of two-level quantum dots.

Смотреть статью,
РИНЦ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Глушков, А. А.; Glushkov, А. А.; Слюсарева, Евгения Алексеевна; Slyusareva, E. A.; Ципотан, Алексей Сергеевич; Tsipotan, A. S.; Слабко, Виталий Васильевич; Slabko, V. V.; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.
}
Найти похожие

    Weak localization and size effects in thin In2O3 films prepared by autowave oxidation / I. A. Tambasov [et al.] // Physica E. - 2016. - Vol. 84. - P. 162-167, DOI 10.1016/j.physe.2016.06.005. - Cited References:70. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grants # 16-32-00302 MOJI_a, # 15-02-00948-A, # 16-03-00069-A), by the Council for Grants of the President of the Russian Federation (SP-317.2015.1), and by the Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology (No. 6662 Gamma Y2015, 9607 Gamma Y/2015) ("UMNIK" Program). Electron microscopic studies were performed on the equipment of CCU KSC SB RAS. . - ISSN 1386-9477. - ISSN 1873-1759
   Перевод заглавия: Слабая локализация и размерные эффекты в тонких пленках In2O3 приготовленные автоволновым окислением

РУБ Nanoscience & Nanotechnology + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
SOLID-STATE SYNTHESIS
   INDIUM TIN OXIDE
   DOPED ZNO FILMS
   OPTICAL-PROPERTIES
   MAGNETIC-FIELD
   NEGATIVE MAGNETORESISTANCE
   CARBON NANOTUBES
   TEMPERATURE
   SEMICONDUCTOR
   TRANSPORT
Кл.слова (ненормированные):
Thin indium oxide films -- Weak localization -- Electron-electron -- interaction -- Disordered semiconductors -- Nanostructured films -- Phase-coherent length
Аннотация: The negative magnetoresistance of thin In2O3 films, obtained by an autowave oxidation reaction, was detected within a temperature range of 4.2-80 K. The magnetoresistance was -1.35% at a temperature of 4.2 K and an external magnetic field of 1 T. A weak localization theory was used to explain the negative magnetoresistance and to determine the phase-coherence length in a temperature range of 4.2-80 K. The phase-coherence length was found to oscillate as the temperatures increased to around 30 K. From the maximum and minimum values of the oscillation of the phase-coherence length, it was suggested that the In2O3 film has two structure characteristic parameters. Transmission electron microscopy showed the structure of the thin In2O3 film to have structural features of a crystal phase- amorphous phase. It was found that the crystalline phase characteristic size was consistent with the maximum phase-coherence length and the amorphous phase characteristic size was consistent with the minimum phase-coherence length. It has been suggested that the temperature measurements of the magnetoresistance and the theory of weak localization can be used to evaluate the structural features of nanocomposite or nanostructured thin films. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Svobodny Prospect 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Reshetnev Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk Worker 31, Krasnoyarsk 660014, Russia.

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Myagkov, V. G.; Мягков, Виктор Григорьевич; Bykova, L. E.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Zhigalov, V. S.; Жигалов, Виктор Степанович; Matsynin, A. A.; Мацынин, Алексей Александрович; Tambasova, E. V.; Russian Foundation for Basic Research [16-32-00302 MOJI_a, 15-02-00948-A, 16-03-00069-A]; Council for Grants of the President of the Russian Federation [SP-317.2015.1]; Program of Foundation for Promotion of Small Enterprises in Science and Technology ("UMNIK" Program) [6662GammaY2015, 9607GammaY/2015]
}
Найти похожие

Visotin, M. A.
Approach for prediction of orientation relationships and interface structures and its application to α-, β-, γ-FeSi2 and Si / M. A. Visotin, I. A. Tarasov // Nanostructures: physics and technology : proc. 28th Int. symp. - 2020. - Ст. NC.13. - P. 152-153. - Cited References: 13 . - ISBN 978-5-93634-066-6

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Высотин, Максим Александрович; Nanostructures: Physics and Technology, International Symposium(28 ; 2020 ; 28 Sept.-2 Oct. ; Minsk, Belarus); Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси; Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наукФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук
}
Найти похожие

Val'kov, V. V.
Effects of inelastic spin-dependent electron transport through a spin nanostructure in a magnetic field / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov // J. Exp. Theor. Phys. - 2011. - Vol. 113, Is. 2. - P. 266-275, DOI 10.1134/S1063776111060070. - Cited References: 30. - This study was carried out under the program of the Physical Science Department of the Russian Academy of Sciences, Federal Target Program "Scientific and Scientific-Pedagogical Personnel of Innovative Russia in 2009-2013," Interdisciplinary Integration project no. 53 of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, and under partial support from the Russian Foundation for Basic Research (project no. 09-02-00127). The research work of one of the authors (S.V.A) was supported by grant no. MK-1300.2011.2 from the President of the Russian Federation. . - ISSN 1063-7761

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
CONDUCTION
ANISOTROPY
JUNCTIONS
Кл.слова (ненормированные):
Antiferromagnetic coupling -- Colossal magnetoresistance effect -- IV characteristics -- Metallic contacts -- Potential profiles -- Spectral characteristics -- Spin dependent transport -- Spin dimer -- Spin moments -- Spin-dependent electron transport -- Spin-flip process -- Tight-binding approximations -- Transmission coefficients -- Antiferromagnetism -- Colossal magnetoresistance -- Current voltage characteristics -- Electric resistance -- Nanostructures -- Transport properties -- Magnetic field effects
Аннотация: The transport properties and current-voltage (I-V) characteristics of a system of spin dimers with antiferromagnetic coupling arranged between metallic contacts are investigated in the tight binding approximation using the Landauer-Buttiker formalism. It is shown that the s-d(f) exchange interaction between the spin moments of the electrons being transported and the spins of the nanostructure leads to the formation of a potential profile as well as its variation due to spin-flip processes. As a result, the spin-dependent transport becomes inelastic, and the transmission coefficient and the I-V characteristic are strongly modified. It is found that the application of a magnetic field induces additional transparency peaks in the spectral characteristic of the system and causes the colossal magnetoresistance effect.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Val'kov, V. V.
Aksenov, S. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
[Val'kov, V. V.] Reshetnikov Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation
Reshetnikov Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk 660014, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

10.

Vacancies influence on elastic properties of graphene and their migration rate under deformation / A. S. Fedorov, D. A. Fedorov, N. S. Eliseeva, A. A. Kuzubov // Joint International Conference "Advanced Carbon Nanostructures" (ACN 2011) : Abstracts. - 2011. - Ст. P1.09. - P78. - Библиогр.: 4

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Fedorov, A. S.; Федоров, Александр Семенович; Fedorov, D. A.; Федоров, Дмитрий Александрович; Eliseeva, N. S.; Kuzubov, A. A.; "Advanced Carbon Nanostructures", Joint International Conference(2011 ; July ; 4-8 ; St Petersburg)
}
Найти похожие