Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (38)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=semiconductors<.>)

Общее количество найденных документов : 80
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Erukhinov M. S.
Заглавие : The S-D(f)-hybridization effect on light-absorption in impurity magnetic semiconductors
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela. - 1980. - Vol. 22, Is. 6. - P.1660-1665. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 12
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Berzhanskii V. N., Chernov V. K.
Заглавие : Photo-excited charge carrier mobility in magnetic p-type semiconductors on CDCR2SE4 bases
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela. - 1980. - Vol. 22, Is. 10. - P.3179-3181. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 8
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : IGNATCHENKO V. A., MANKOV Y. I., RAKHMANOV F. V.
Заглавие : PLASMA-WAVES IN NONUNIFORM SEMICONDUCTORS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1982. - Vol. 24, Is. 8. - P2292-2295. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 3
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : ERUKHIMOV M. S., Ovchinnikov S. G., Gavrichkov V. A., PONOMAREV V. I.
Заглавие : Spin fluctuation effect on the absorption-spectrum of magnetic semiconductors
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1985. - Vol. 27, Is. 12. - P3628-3634. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 16
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : ERUKHIMOV M. S., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : CARRIER ENERGY FLUCTUATION SHIFT IN WIDE-GAP ANTIFERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1986. - Vol. 28, Is. 8. - P2306-2309. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 9
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : ERUKHIMOV M. S., OVCHINNIKOV S. G.
Заглавие : ELEMENTARY EXCITATIONS IN ANISOTROPIC NARROW-BAND MAGNETIC SEMICONDUCTORS
Место публикации : Theor. Math. Phys.: PLENUM PUBL CORP, 1986. - Vol. 67, Is. 2. - P473-482. - ISSN 0040-5779, DOI 10.1007/BF01118154
Примечания : Cited References: 19
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : BATIYEV E. G., BORISYOUK V. A.
Заглавие : SUPERCONDUCTIVITY IN MULTI-VALLEY SEMICONDUCTORS
Место публикации : Zhurnal Eksperimentalnoi Teor. Fiz.: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1986. - Vol. 90, Is. 2. - P558-568. - ISSN 0044-4510
Примечания : Cited References: 13
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : LOSEVA G. V., Ovchinnikov S. G., RYABINKINA L. I.
Заглавие : SPECIFIC FEATURES OF ELECTRIC CONDUCTION IN ALPHA-MNXS ANTIFERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1986. - Vol. 28, Is. 7. - P2048-2052. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 12
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : KARYAGIN V. V., LYAPILIN I. I., DYAKIN V. V.
Заглавие : DRAG THERMOELECTRIC-POWER OF A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN A GAAS-GAAIAS HETEROSTRUCTURE
Место публикации : SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR: AMER INST PHYSICS, 1988. - Vol. 22, Is. 8. - P954-955. - ISSN 0038-5700
Примечания : Cited References: 3
WOS
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : PETRAKOVSKII G. A., APLESNIN S. S., LOSEVA G. V., RYABINKINA L. L.
Заглавие : MAGNETIC PHASE-DIAGRAM OF CRXMN1-XS ANTIFERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1989. - Vol. 31, Is. 4. - P172-176. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 7
WOS
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : DROKIN N. A., GANIEV S. M., POPEL V. M.
Заглавие : NONLINEAR PHOTOELECTRICAL EFFECTS IN MAGNETIC CDCR2SE4 SEMICONDUCTORS
Место публикации : Zhurnal Tek. Fiz.: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1989. - Vol. 59, Is. 4. - P167-169. - ISSN 0044-4642
Примечания : Cited References: 6
WOS
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : ERUKHIMOV M. S., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : IMPURITY STATES AND RESONANCE PROPERTIES OF FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1989. - Vol. 31, Is. 1. - P33-39. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 17
WOS
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : BORISYOUK V. A.
Заглавие : SUPERRADIATIVE PHASE-TRANSITIONS IN SEMICONDUCTORS AND SEMIMETALS
Место публикации : Zhurnal Eksperimentalnoi Teor. Fiz.: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1990. - Vol. 97, Is. 6. - P1882-1891. - ISSN 0044-4510
Примечания : Cited References: 37
WOS
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : OVCHINNIKOV S. G.
Заглавие : NOVEL MECHANISM FOR THE FORMATION OF IMPURITY LEVELS IN SEMICONDUCTORS WITH THE STRONG ELECTRON CORRELATIONS
Место публикации : Zhurnal Eksperimentalnoi Teor. Fiz.: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1992. - Vol. 102, Is. 2. - P534-540. - ISSN 0044-4510
Примечания : Cited References: 8
Аннотация: In the framework of the generalized tight binding method involving the strong electron correlations it is shown that in spite of the lattice regularity the impurity-like localized levels may arise within the semiconducting gap with the deviation of the electron concentration from the integer value. The appearance of these levels is due to the contribution of multi-electron excited terms into the single-particle density of states.
WOS
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : GAVRICHKOV V. A.
Заглавие : DISTORTION OF A COMPLEX DEFECT WITH A WEAK BINDING
Место публикации : Semiconductors: AMER INST PHYSICS, 1993. - Vol. 27, Is. 10. - P921-924. - ISSN 1063-7826
Примечания : Cited References: 6
Аннотация: A simple non-self-consistent approach is used in an analysis of the distortion of a complex defect characterized by a weak binding. The dependences of the magnitude of the distortion of a two-component defect on the position of its local population levels and on the number of carriers in a band are given.
WOS
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Petrakovskii G. A., Loseva G. V., Ryabinkina L. I., Kiselev N. I., Yanushkevich K. I.
Заглавие : Metal-dielectric transition in the system of antiferromagnetic VxMn1-xS semiconductors
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1996. - Vol. 38, Is. 7. - P2131-2134. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 5
WOS
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Petrakovskii G. A., Ryabinkina L. I., Kiselev N. I., Velikanov D. A., Bovina A. F., Abramova G. M.
Заглавие : Colossal magnetoresistance of FexMn1-xS magnetic semiconductors
Место публикации : JETP Letters. - 1999. - Vol. 69, Is. 12. - P.949-953. - ISSN 0021-3640, DOI 10.1134/1.568118
Примечания : Cited References: 8
Предметные рубрики: MANGANITES
Аннотация: The magnetic, electric, magnetoresistive, and structural properties are investigated in the sulfide solid solutions FexMn1-xS, which are based on the antiferromagnetic semiconductor alpha-MnS (the fcc NaCl lattice). Colossal negative magnetoresistance (delta(H)similar to-83% at 160 K for x similar to 0.29), comparable to that observed in La-Ca-Mn-O polycrystals and films (delta(H)similar to-90% at 100 K and 40 kOe), is observed in compounds with intermediate concentrations 0.26 x 0.4, corresponding to the region of incipient ferromagnetism. (C) 1999 American Institute of Physics. [S0021-3640(99)01212-8].
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Alekseev K. N., Erementchouk M. V., Kusmartsev F. V.
Заглавие : Direct-current generation due to wave mixing in semiconductors
Место публикации : Europhys. Lett. - 1999. - Vol. 47, Is. 5. - P.595-600. - ISSN 0295-5075, DOI 10.1209/epl/i1999-00430-0
Примечания : Cited References: 34
Предметные рубрики: BLOCH OSCILLATOR
SUPERLATTICES
PHOTOCURRENT
TRANSPORT
FREQUENCY
FIELD
RECTIFIERS
EMISSION
CHAOS
GAAS
Аннотация: We describe an effect of the generation of direct current which may arise in semiconductors or semiconductor microstructures due to a mixing of coherent electromagnetic radiations of commensurate frequencies. The effect is, in essence, due to a nonparabolicity of the electron energy bands and is stronger in systems where this nonparabolicity is greater. We have made exact calculations in the framework of the Kane model, applicable to narrow-gap semiconductors and the tight-binding model which we employ for a description of a semiconductor superlattice.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Characteristic features of the extrinsic electric resistance in ferromagnets with low carrier density
Место публикации : Phys. Solid State: AMER INST PHYSICS, 1999. - Vol. 41, Is. 1. - P59-66. - ISSN 1063-7834, DOI 10.1134/1.1130731
Примечания : Cited References: 26
Предметные рубрики: QUANTUM TEMPERATURE OSCILLATIONS
MAGNETIC SEMICONDUCTORS
HGCR2SE4
RESISTIVITY
FILMS
Аннотация: Switching from simple semiconductors to more complicated chemical compositions, we encounter mainly nonstoichiometric or undoped compounds. Combined with other characteristic features of d(f) compounds, this can lead, together with the ordinary scattering by spin disorder in magnetic semiconductors, to an unusual impurity contribution to the total scattering of carriers even in intrinsic semiconductors. A unique scheme for calculating the energy structure of the conduction-band bottom of a ferromagnetic semiconductor and the temperature and field dependences of the impurity contribution to the resistivity is proposed on the basis of a model Hamiltonian. The computed magnetoresistance ratio is negative and has a maximum near T-c. A qualitative comparison is made between the results and the experimental temperature dependences of the Hall mobility and magnetoresistance ratio in the ternary semiconductor n-HgCr2Se4, which is nonstoichiometric with respect to the chalcogen. To identify previously unobserved temperature oscillations of the resistance, a careful analysis is made of the low-temperature part of the resistance using the relations obtained. (C) 1999 American Institute of Physics. [S1063-7834(99)01701-3].
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Fransson J., Eriksson O., Johansson B., Sandalov I. S.
Заглавие : On the non-orthogonality problem in the description of quantum devices
Коллективы : International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors
Место публикации : Physica B/ International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (11 ; 1999 ; July ; 19-23 ; Kyoto, Japan). - 1999. - Vol. 272, Is. 1-4. - P.28-30. - ISSN 0921-4526, DOI 10.1016/S0921-4526(99)00343-9
Примечания : Cited References: 8
Предметные рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): non-orthogonality--current--tunneling--correlation methods--electric contacts--electric currents--electron energy levels--electron tunneling--equations of motion--green's function--mathematical operators--matrix algebra--hubbard operators--potential barriers--tunneling currents--semiconductor quantum dots
Аннотация: An approach which allows to include the corrections from non-orthogonality of electron states in contacts and quantum dots is developed. Comparison of the energy levels and charge distributions of electrons in 1D quantum dot (QD) in equilibrium, obtained within orthogonal (OR) and non-orthogonal representations (NOR), with the exact ones shows that the NOR provides a considerable improvement, for levels below the top of barrier. The approach is extended to non-equilibrium states. A derivation of the tunneling current through a single potential barrier is performed using equations of motion for correlation functions. A formula for transient current derived by means of the diagram technique for Hubbard operators is given for the problem of QD with strongly correlated electrons interacting with electrons in contacts. The non-orthogonality renormalizes the tunneling matrix elements and spectral weights of Green functions. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие