Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=тонкие пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-19

    Влияние фотонной обработки и температуры на проводимость In2O3 пленок, полученных автоволновым окислением / И. А. Тамбасов [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2013. - № 3. - С. 103-106. - Работа выполнена частично при финансовой поддержке ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологичного комплекса России на 2007-2013 годы» (госконтракт № 14.513.11.0023), а также Министерства образования и науки Российской Федерации (договор № 02.G25.31.0043) . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: The impact of the photon processing and temperature on the conductivity of In2O3 films produed with autowave oxidation
Кл.слова (ненормированные):
ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИД ИНДИЯ -- АВТОВОЛНОВОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- THIN FILMS -- INDIUM OXIDE -- AUTO-WAVE OXIDATION -- ULTRAVIOLET IRRADIATION
Аннотация: Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления на покровном стекле, кварце и монокристалле MgO. Толщина пленки измерялась с помощью режима «cross-section» сканирующего электронного микроскопа и составляла ~300 нм. Оптическая ширина запрещенной зоны оксида индия была ~3.5 эВ. Исследования сопротивления In2O3 пленки от температуры в теневых условиях показали, что при нагревании до 100 0С сопротивление увеличивается на ~10 %. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52 % при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения 15 Ом/сек первые 30 сек и 7 Ом/сек в остальное время. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости пленок.
Indium oxide films were synthesized by auto-wave oxidation reaction on the cover glass, quartz and single crystal MgO. The film thickness was measured with a mode «cross-section» scanning electron microscope and was ~ 300 nm. Optical band gap of indium oxide was ~3.5 eV. The study of In2O3 film resistance versus temperature in the dark conditions showed that when heated to 100 °C the resistance increases by about 10 %. It is shown that the_ films electric resistance decreases sharply under photo radiation and the maximum change was 52 % at room temperature. The two film resistance relaxation rates after irradiation have been determined to be 15 Ohm/s the first 30 seconds and 7 Оhm/s f for the rest, respectively. On the basis of the above stated the authors suggest that the photo reduction is the dominant mechanism responsible for the changes in conductivity of In 2O 3 films.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I.A.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I.V.; Савранский, Д. С.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A.A.; Ежикова, Е. В.
}
Найти похожие

Особенности анализа эллипсометрических данных для магнитных наноструктур / О. А. Максимова [и др.] // Журн. структ. химии. - 2014. - Т. 55, № 6. - С. 1190-1197. - Библиогр.: 8. - Работа выполнена при финансовой поддержке Программы Президента России по поддержке ведущих научных школ НШ 2886.2014.2, Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 13-02-01265, № 14-02-01211), Министерства образования и науки Российской Федерации (Соглашение 14.604.21.0002, Государственный контракт № 02.G25.31.0043), а также Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (программа "У.М.Н.И.К.", договор № 0003831). . - ISSN 0136-7463
Кл.слова (ненормированные):
магнитоэллипсометрия -- эллипсометрические измерения -- магнитооптический эффект Керра -- тонкие пленки -- модель полубесконечной среды -- коэффициент преломления -- коэффициент поглощения -- магнитооптический параметр
Аннотация: Предложена методика интерпретации магнитоэллипсометрических измерений. Рассмотрена модель однородной полубесконечной среды для отражающих слоистых магнитных структур при наличии магнитного поля в конфигурации магнитооптического экваториального эффекта Керра. На основании анализа коэффициентов Френеля с учетом магнитооптического параметра Q, входящего в недиагональные члены тензора диэлектрической проницаемости, получены выражения, с помощью которых из данных эллипсометрических (ψ 0 и Δ 0) и магнитоэллипсометрических (ψ 0 + δψ и Δ 0 + δΔ) измерений можно получить значения величин коэффициентов преломления ( n), поглощения ( k), действительной ( Q 1) и мнимой ( Q 2) частей магнитооптического параметра. Полученные результаты позволят с помощью традиционной эллипсометрической аппаратуры измерять и анализировать такие магнитные характеристики, как петли гистерезиса, коэрцитивную силу слоистых наноструктур.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Features of the ellipsometric investigation of magnetic nanostructures [Текст] / O. A. Maksimova [et al.] // J. Struct. Chem. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 55 Is. 6.- P.1134-1141

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Максимова, Ольга Александровна; Maximova, O. A.; Косырев, Николай Николаевич; Kosyrev, N. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", Всероссийская научная конференция(2 ; 2013 ; окт. ; Новосибирск)
}
Найти похожие

    Квантово-химическое исследование структуры и свойств моно- и бислоев CrN / А. В. Куклин [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 450-455. - Библиогр.: 32. - Авторы выражают благодарность Сибирскому суперкомпьютерному центру СО РАН (Новосибирск), Межведомственному суперкомпьютерному центру РАН (Москва), а также НИВЦ МГУ «Лаборатория параллельных информационных технологий» [25] (система СКИФ МГУ «Чебышев») за предоставленные возможности использования вычислительных кластеров, на которых были проведены расчеты. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования Сибирскому федеральному университету (грант № 16.1500.2014/K). . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Quantum chemical study of structure and properties of CrN mono- and bilayer
Кл.слова (ненормированные):
CRN -- ТОНКИЕ ПЛЕНКИ -- МОНОСЛОИ -- DFT -- AB INITIO -- СПИНТРОНИКА -- THIN FILMS -- MONOLAYERS -- SPINTRONICS
Аннотация: В последнее время такие материалы, как графен, h-BN и дихалькогениды переходных металлов, получают широкое применение в различных областях (спинтроника, фотовольтаика, валлейтроника) в связи с их низкой размерностью и проявлением свойств, отличных от их объемных аналогов. В то же время на данном этапе развития науки активно исследуются другие двумерные материалы, в том числе нитриды и карбиды переходных металлов. Некоторые из них уже экспериментально получены, охарактеризованы и имеют большой потенциал применения в наноэлектронике. Схожие с графеном 2D-структуры могут быть основаны на нитриде хрома, магнитные своиства которого будут зависеть от координационного числа и, соответственно, количества неспаренных электронов. В данной работе, используя метод PAW и обобщенное градиентное приближение GGA-PBE в рамках теории функционала плотности (DFT+U) с коррекцией слабого дисперсионного взаимодействия, было предсказано существование моно- и бислоев нитрида хрома с кристаллографическими индексами поверхностей (100) и (111). Показано изменение геометрии двумерных структур относительно кристаллической фазы. Полученные 2D CrN (100) и (111) являются идеально плоскими. Для сравнения энергетической стабильности двумерного CrN была рассчитана относительная энергия образования монослоя. Проведены спин-поляризованные расчеты ферромагнитного и антиферромагнитного состояний. Анализ электронной структуры указывает на то, что данные материалы являются ферромагнетиками со 100 % спиновой поляризацией. В соответствии с классической моделью Гейзенберга был рассчитан обменный параметр J для монослоя (100). Исследована зависимость изменения свойств при переходе от моно- к бислойным структурам.
Lately, such materials as graphene h-BN and transition metal dichalcogenides have been widely used in various fields and have received a lot of attention owing to its numerous device applications (spintronics, photovoltaic, valleitronics). This is due to the low dimensionality and different properties from those bulk materials. At the same time, at this stage of scientific development, other two-dimensional materials have been actively studied, including carbides and nitrides of transition metals. Some of them have been experimentally obtained, characterized and have great potential for application in nanoelectronics. Similar to the 2D graphene structures can be based on chromium nitride whose magnetic properties will depend on the coordination number and the number of uncoupled electrons correspondingly.In this work, using PAW method and the gradient corrected density functional GGA-PBE within the framework of generalized Kohn-Sham density functional theory (DFT+U) considering weak dispersion interaction, we have predicted the existence of a chromium nitride mono- and bilayers of (100) and (111) crystallographic surface. It was shown that the monolayers geometry relative to the crystalline phase was changed. The 2D CrN (100) and (111) are perfectly flat. To comparison of the energy stability of two dimensional CrN the relative energy of monolayer formation was calculated. Using spin-polarized calculations we calculate ferromagnetic and antiferromagnetic states. The analysis of electronic structure shows that these materials are ferromagnets with 100 % spin polarization. According to the classical Heisenberg model, the exchange parameter J has been calculated (for monolayer 100). The dependence of the changes in the properties during the transition from mono to bilayers structures was investigated.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Сибирский федеральный университет
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Куклин, Артем Валентинович; Kuklin A. V.; Кузубов, Александр Александрович; Kuzubov, A. A.; Денисов, Виктор Михайлович; Denisov V. M.; Ковалева, Евгения Андреевна; Шостак, С. А.; Shostak, S. A.
}
Найти похожие

    Магнитотранспортные свойства тонких пленок оксида индия при низких температурах / И. А. Тамбасов [и др.] // Решетневские чтения : материалы XIX Междунар. науч. конф. : в 2-х ч. - Красноярск : Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева, 2015. - Ч. 1. - С. 546-547. - Библиогр.: 5. - Исследование было поддержано Российским фондом фундаментальных исследований (грант 15-02-00948-A,), Советом по грантам Президента Российской Федерации (СП-317.2015.1) и программой Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере ("У.М.Н.И.К."). . - ISBN 1990-7702
   Перевод заглавия: Magnetotransport properties of indium oxide thin films at low temperatures
Кл.слова (ненормированные):
оксид индия -- тонкие пленки -- автоволновое окисление -- indium oxide -- thin films -- autowave oxidation
Аннотация: Представлено исследование магнитотранспортных свойств пленок оксида индия в температурном диапазоне от 4,2 до 80 K. Полученные экспериментальные данные могут быть полезны для специалистов аэрокосмической отрасли.
This paper presents a study of magnetotransport properties of indium oxide films in the temperature range from 4.2 to 80 K. The experimental data can be useful for aerospace specialists.

Материалы конференции,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Тамбасова, Е. Г.; Tambasova E. V.; "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция(19 ; 2015 ; нояб. ; 10-14 ; Красноярск)
}
Найти похожие

    Аверьянов, Евгений Михайлович.
    Молекулярно-оптическая анизотропия тонких пленок полифенил- хиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул / Е. М. Аверьянов // Жидк. кристаллы и их практич. использ. - 2018. - Т. 18, № 4. - С. 48–56 ; Liq. Cryst. Appl., DOI 10.18083/LCAppl.2018.4.48. - Библиогр.: 11 . - ISSN 1991-3966. - ISSN 2499-9644
   Перевод заглавия: Molecular-optical anisotropy of poly(phenylquinoxaline) thin films with in-plane orientation of macromolecules
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- тонкие пленки -- производные полифенилхиноксалинов -- молекулярная поляризуемость -- optical properties -- thin films -- poly(phenylquinoxaline) derivatives -- molecular polarizability
Аннотация: Для одноосных тонких пленок двух производных полифенилхиноксалинов с плоскостной ориентацией макромолекул исследована связь показателей преломления nj с параметрами поляризуемости Г {компонентами γj, средним значением γ‾= (γ || + 2γ⊥)/3, анизотропией δγ = γ|| – γ⊥} двуосного мономерного звена полимерной цепи при поляризациях световой волны вдоль (j = ||) и нормально (j =⊥) оптической оси, которая перпендикулярна плоскости пленки. В компонентах fj =1+Lj(nj2–1) тензора локального поля значения компонент Lj тензора Лоренца получены с использованием экспериментальных зависимостей nj(λ) от длины световой волны λ. Показано, что для исследованных пленок с малым двулучепреломлением Δn = n||–n⊥ модельные тензоры fj, широко используемые для полимерных пленок, приводят к существенно заниженным значениям δγ и искажению дисперсии Г(λ). Впервые отмечено, что для двуосных мономерных звеньев с двумя параметрами одноосного ориентационного порядка (S, G) и двумя типами анизотропии поляризуемости (Δγ, Δγ') связь Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 может приводить к равенству Δn = 0 при S≠ 0, G≠ 0. Выяснены молекулярные и структурные особенности реализации состояния пленки с Δn = 0.
For the uniaxial thin films of two poly(phenylquinoxaline) derivatives with in-plane orientation of macromolecules, the relationship between refractive indices nj and polarizability parameters Г {components γj, mean value γ‾ = (γ || + 2γ⊥)/3, anisotropy δγ = γ|| – γ⊥} of the biaxial monomer unit of the polymer chain for the light-wave polarization along (j = ||) and across (j =⊥) the optical axis which is perpendicular to the film plane, was investigated. In the local-field tensor components fj =1+Lj(nj2–1), the Lorentz-tensor components values (Lj) were obtained using the experimental dependences of nj(λ) on the light wavelength λ . The model tensors fj, which are widely used for polymer films, lead to essentially understated values of δγ and distortion of the dispersion Г(λ)for the investigated films with low birefringence Δn = n||–n⊥. It was observed for the first time, that for biaxial monomer units with two parameters of uniaxial orientational order (S, G) and two types of the polarizability anisotropy (Δγ, Δγ') the relation Δn ∝ δγ = SΔγ + GΔγ'/2 can lead to the equality Δn = 0 at S≠ 0, G≠ 0.Molecular and structural peculiarities required for realization of the film state with Δn = 0were established.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского, ФИЦ КНЦ СО РАН, Академгородок, 50, 660036 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Aver'yanov, E. M.

}
Найти похожие

Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455. - Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079). . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
атомно-слоевое осаждение -- тонкие пленки -- легированный алюминием оксид цинка -- структурные и оптические свойства -- термоэлектрические свойства
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский научный центр, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Воронин, А. С.; Евсевская, Н. П.; Evsevskaya N. P.; Масюгин, Альберт Николаевич; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovskii, A. S.; Смолярова, T. E.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Бондаренко, Г. Н.; Тамбасова, Е. В.
}
Найти похожие

Структура и электрические свойства тонких пленок (ZnO/SiO2)25 / М. Н. Волочаев [и др.] // Физ. и техника полупроводников. - 2019. - Т. 53, Вып. 11. - С. 1505-1511, DOI 10.21883/FTP.2019.11.48445.9185. - Библиогр.: 16. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках проектной части государственного задания (проект No 3.1867.2017/4.6). . - ISSN 0015-3222
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- многослойные структуры -- оксидные полупроводники -- прыжковая проводимость -- термическая стабильность
Аннотация: В едином процессе напыления были синтезированы многослойные тонкопленочные образцы (ZnO/SiO2)25, состоящие из слоев нанокристаллического ZnO и прослоек аморфного SiO2, с толщиной бислоя от 6 до 10 нм. Из анализа температурных зависимостей удельного электрического сопротивления тонких пленок (ZnO/SiO2)25 было установлено, что в диапазоне температур 77-300 K наблюдается последовательная смена доминирующего механизма проводимости от прыжкового с переменной длиной прыжка в узкой полосе энергий вблизи уровня Ферми при температурах 77-250 K к термоактивированной примесной проводимости при температурах, близких к комнатной. По результатам исследования температурных зависимостей электрического сопротивления сделаны оценки эффективной плотности локализованных состояний на уровне Ферми и значений энергии активации примесных уровней. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. Было обнаружено, что в тонкопленочных системах (ZnO/SiO2)25 при температурах 580-600oC происходит химическое взаимодействие между слоями ZnO и SiO2, сопровождающееся разрушением многослойной структуры и появлением химического соединения Zn2SiO4 с тетрагональной структурой (пространственная группа I-42d). Ключевые слова: тонкие пленки, многослойные структуры, оксидные полупроводники, прыжковая проводимость, термическая стабильность.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия

Доп.точки доступа:
Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Калинин, Ю. Е.; Каширин, М. А.; Макагонов, В. А.; Панков, С. Ю.; Бассараб, В. В.
}
Найти похожие

    Пленки аморфного и кристаллического оксида никеля, полученные экстракционно-пиролитическим методом для электрохромных ячеек / А. Л. Белоусов [и др.] // Хим. технол. - 2019. - Т. 20, № 5. - С. 215-221, DOI 10.31044/1684-5811-2019-20-5-215-221. - Библиогр.: 8 . - ISSN 1684-5811
   Перевод заглавия: Films of amorphous and crystalline nickel oxide, produced by extraction-pyrolitic method for electrochromic cells
Кл.слова (ненормированные):
экстракты никеля -- экстракционно-пиролитическая технология -- тонкие пленки -- отжиг -- электрохромная ячейка -- nickel extract -- extraction-pyrolitic technology -- thin film -- annealing -- electrochromic cell
Аннотация: Представлены исследования тонких пленок оксида никеля, полученных экстракционно-пиролитическим методом на стеклянных и кварцевых подложках при температурах 380-600 °С. Пленки охарактеризованы методами атомно-силовой микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что на стекле формируются аморфные, а на кварце - кристаллические пленки оксида никеля. Размер зерна в пленках зависит от температуры отжига, при этом повышенные температуры отжига приводят к рекристаллизации и снижению размера зерна в пленках NiO от 130 до 35 нм.
Study results of thin films of nickel oxide, produced by the extraction-pyrolitic method on glass and quartz substrates at temperatures 380-600 °С are presented. The film characteristics were obtained by the methods of atomic-force microscopy and X-ray diffraction. It has been found out that amorphous films are formed on glass and crystalline ones of nickel oxide are formed on quartz. Grain dimensions in the films depend on annealing temperature.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Amorphous and Crystalline Nickel Oxide Films Obtained by the Extraction-Pyrolysis Method for Electrochromic Cells [Текст] / A. L. Belousov, T. N. Patrusheva, A. A. Karacharov [et al.] // Theor. Found. Chem. Eng. - 2020. - Vol. 54 Is. 4.- P.699-705

Держатели документа:
Балтийский государственный технический университет Военмех им. Д. Ф. Устинова
Институт общей и неорганической химии РАН
Институт физики им. Киренского СО РАН
Институт химии и химической технологии СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Белоусов, А.Л.; Belousov A.L.; Патрушева, Т.Н.; Patrusheva T.N.; Карачаров, А.А.; Karacharov A.A.; Иваненко, Александр Анатольевич; Ivanenko, A. A.; Кирик, С.Д.; Kirik S.D.; Холькин, А.И.; Kholkin A.I.
}
Найти похожие

Алтунин, Р. Р.
Структурные фазовые превращения при твердофазной реакции в двухслойной тонкопленочной наносистеме Al/Fe / Р. Р. Алтунин, Е. Т. Моисеенко, С. М. Жарков // Физ. тверд. тела. - 2020. - Т. 62, Вып. 1. - С. 158-163, DOI 10.21883/FTT.2020.01.48754.543. - Библиогр.: 36. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант No 18-03-01173а) . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- Al/Fe -- твердофазная реакция -- фазообразование -- дифракция электронов
Аннотация: Методом in situ дифракции электронов исследованы процессы формирования фаз при твердофазной реакции между нанослоями Fe и Al. Установлено, что процесс твердофазной реакции на границе нанослоев железа и алюминия начинается при ≈100°C с формирования неупорядоченного твердого раствора Al в α-Fe. Показано, что в ходе дальнейшего нагрева последовательно формируются интерметаллические фазы FeAl6 и/или Fe2Al5, FeAl, Fe3Al.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ,
РИНЦ

Переводная версия Altunin R. R. Structural phase transformations during a solid-state reaction in a bilayer Al/Fe thin-film nanosystem [Текст] / R. R. Altunin, E. T. Moiseenko, S. M. Zharkov // Phys. Solid State. - 2020. - Vol. 62 Is. 1.- P.200-205

Держатели документа:
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Моисеенко, Е. Т.; Жарков, Сергей Михайлович; Zharkov, S. M.
}
Найти похожие

10.

Нанокомпозитные пленки CoPt–Al2O3: синтез, структурные и магнитные свойства / В. С. Жигалов, Л. Е. Быкова, В. Г. Мягков [и др.] // Поверхность. - 2020. - № 1. - С. 60-67, DOI 10.31857/S1028096020010227. - Библиогр.: 29. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ совместно с Правительством Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки (проект №. 18-42-243009р_мол_а и № 19-43-240003р_а), Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере (договор № 11843ГУ/2017, код 0033636, конкурс "Умник") . - ISSN 1028-0960
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- ферромагнитные нанокомпозиты -- сплав CoPt -- магнитная анизотропия
Аннотация: Представлены результаты исследования структурных и магнитных свойств нанокомпозитных пленок CoPt–Al2O3, полученных путем отжига двухслойных пленок Al/(Co3O4 + Pt) на подложке MgO(001) при температуре 650°С в вакууме. Синтезированные композитные пленки содержали ферромагнитные наногранулы CoPt со средним размером 25–45 нм, вложенные в непроводящую матрицу Al2O3. Намагниченность насыщения Ms ~ 330 Гс и коэрцитивная сила Hc ≈ 6 кЭ измерены в плоскости пленки и перпендикулярно ей. Полученные пленки обладали пространственной магнитной вращающейся анизотропией, позволяющей произвольно устанавливать легкую ось намагничивания, как в плоскости пленки, так и перпендикулярно ей, в магнитном поле напряженностью, превышающей коэрцитивную силу (H ˃ Hc).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия CoPt-Al2O3 nanocomposite films: synthesis, structure, and magnetic properties [Текст] / V. S. Zhigalov, L. E. Bykova, V. G. Myagkov [et al.] // J. Surf. Ingestig. - 2020. - Vol. 14 Is. 1.- P.47-53

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского ФИЦ КНЦ СО РАН, 660036 Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, 660000 , Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, 660004 Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Жигалов, Виктор Степанович; Zhigalov, V. S.; Быкова, Людмила Евгеньевна; Bykova, L. E.; Мягков, Виктор Григорьевич; Myagkov, V. G.; Павлова, А. Н.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Мацынин, Алексей Александрович; Matsynin, A. A.; Патрин, Геннадий Семёнович; Patrin, G. S.
}
Найти похожие