Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Масюгин, Альберт Николаевич$<.>)

Общее количество найденных документов : 24
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-24

Гальваномагнитные свойства поликристаллического селенида марганца Gd0.2Mn0.8Se / О. Б. Романова [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2017. - Т. 59, Вып. 7. - С. 1290–1294, DOI 10.21883/FTT.2017.07.44589.003. - Библиогр.: 18. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ, правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности в рамках научного прокта N 17-42-240079 р\_сибирь\_а и РФФИ N 16-52-00045 Бел\_а. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44589.003. . - ISSN 0367-3294
Аннотация: Проведены исследования электрических и гальваномагнитных свойств твердого раствора Gd0.2Mn0.8Se в нулевом и магнитном поле 13 kOe в интервале температур 80-400 K. Найдено отрицательное магнитосопротивление ниже комнатных температур и гистерезис вольт-амперных характеристик. Установлена смена знака магнитосопротивления и коэффициента термоэдс с ростом температуры. Определены типы носителей тока из константы Холла и найдено отличие знаков коэффициентов термоэдс и Холла при высоких температурах. Экспериментальные данные объясняются в модели орбитального упорядочения и спин-орбитального взаимодействия.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь

Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Харьков, А. М.; Масюгин, Альберт Николаевич; Янушкевич, Казимир Иосифович; Yanushkevich K. I.
}
Найти похожие

Магнитострикция и тепловое расширение пленок висмут-неодимовых ферритов-гранатов / С. С. Аплеснин [и др.] // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" : в 2-х т. / Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. - Нижний Новгород, 2018. - Т. 1. Секция: Магнитные наноструктуры. - С. 140-141. - Библиогр.: 3 . - ISBN 978-5-91326-446-6
Аннотация: Обнаружено влияние подложки на смену знака коэффициента теплового расширения пленок висмут неодимовых ферритов – гранатов, нанесенных на подложку из стекла и галий гадолиниевого граната. Исследована магнитострикция пленок в интервале температур 80-380 К и магнитных полей до 13 кЭ. Обнаружена смена знака магнитострикции по температуре и от магнитного поля. Экспериментальные данные объясняются в рамках одноионной модели с учетом магнитоэлектрического взаимодействия.

Материалы симпозиума,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Масюгин, Альберт Николаевич; Ситников, Максим Николаевич; Рыбина, У. И.; Ишибаши, Т.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(22 ; 2018 ; март. ; 12-15 ; Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
}
Найти похожие

Магнитоимпеданс неупорядоченных твердых растворов TmxMn1-xS / М. Н. Ситников [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докладов VIII Междунар. науч. конф. : в 3 т. - Минск, 2018. - Т., Секция А : Магнетики . - ISBN 978-985-7202-55-3

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Ситников, Максим Николаевич; Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Харьков, Анатолий Михайлович; Кретинин, В. В.; Kretinin, V. V.; Масюгин, Альберт Николаевич; Рыбина, У. И.; Актуальные проблемы физики твердого тела, международная научная конференция(8 ; 2018 ; сент. ; 24-28 ; Минск, Беларусь); Национальная Академия наук Беларуси; Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси (Институт физики твердого тела и полупроводников); Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
}
Найти похожие

Мультиферроики на основе пленок висмут-неодимовых ферритов-гранатов / С. С. Аплеснин [и др.] // Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докладов VIII Междунар. науч. конф. : в 3 т. - Минск, 2018. - Т. . - ISBN 978-985-7202-55-3

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Масюгин, Альберт Николаевич; Фисенко, О. Н.; Ишибаши, Т.; Актуальные проблемы физики твердого тела, международная научная конференция(8 ; 2018 ; сент. ; 24-28 ; Минск, Беларусь); Национальная Академия наук Беларуси; Научно-практический центр по материаловедению НАН Беларуси (Институт физики твердого тела и полупроводников); Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
}
Найти похожие

Структурные и магниторезистивные свойства твердых растворов системы Mn-Se-Te при переходе от объемных образцов к наноструктурируемым пленкам при анионном замещении / С. С. Аплеснин [и др.] // XXXVIII Совещание по физике низких температур (НТ-38) : тезисы докладов: 17-22 сентября 2018 г., г. Москва - г. Ростов-на-Дону – пос. Шепси. - Ростов-на-Дону, 2018. - С. 29-30 . - ISBN 978-5-6041447-8-7
Аннотация: Впервые показано, что для реальной модели электронного строения купратных сверхпроводников в режиме сильных корреляций уравнение самосогласования для сверхпроводящего параметра порядка не имеет нетривиального решения для s-типа симметрии. В то же время для d- типа симметрии решение для сверхпроводящей фазы реализуется при любом значении межузельного кулоновского отталкивания для ближайших кислородных дырок. Подавление сверхпроводящей d-фазы происходит только за счет кулоновского отталкивания дырок во второй координационной сфере. Отмеченные особенности обусловлены особенностями кристаллографического строения CuO2 плоскости и объясняют результат экспериментально наблюдаемой конкуренции между d- и s-фазами.

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Масюгин, Альберт Николаевич; Янушкевич, Казимир Иосифович; Yanushkevich K. I.; Совещание по физике низких температур(38 ; 2018 ; сент. ; пос. Шепси, Краснодарский край); Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН; Южный федеральный университет
}
Найти похожие

Structural, Optical, and Thermoelectric Properties of the ZnO:Al Films Synthesized by Atomic Layer Deposition / I. A. Tambasov [et al.] // Phys. Solid State. - 2019. - Vol. 61, Is. 10. - P. 1904-1909, DOI 10.1134/S1063783419100354. - Cited References: 33. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 17-72-10079. . - ISSN 1063-7834
Кл.слова (ненормированные):
atomic layer deposition -- thin films -- aluminum-doped zinc oxide -- structural and optical properties -- thermoelectric properties
Аннотация: Aluminum-doped zinc oxide thin films have been grown by atomic layer deposition at a temperature of 200°C. Using X-ray diffraction, it has been established that the ZnO:Al thin films exhibits the reflections from the (100), (002), (110), and (201) ZnO hexagonal phase planes. The (101) and (102) planes have also been detected by electron diffraction. The ZnO:Al thin films grow smooth with a root-mean-square roughness of Rq = 0.33 nm and characteristic nanocrystallite sizes of ~70 and ~15 nm without additional aluminum or aluminum oxide phases. The transmission at a wavelength of 550 nm with regard to the substrate has been found to be 96%. The refractive indices and absorption coefficients of the ZnO:Al thin films in the wavelength range of 250–900 nm have been determined. The maximum refractive indices and absorption coefficients have been found to be 2.09 at a wavelength of 335 nm and 0.39 at a wavelength of 295 nm, respectively. The optical band gap is 3.56 eV. The resistivity, Seebeck coefficient, and power factor of the ZnO:Al thin films are ∼1.02 × 10–3 Ω cm, –60 μV/K, and 340 μW m–1 K–2 at room temperature, respectively. The maximum power factor attains 620 μW m–1 K–2 at a temperature of 200°C.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch,Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660014, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Tambasov, I. A.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Voronin, A. S.; Evsevskaya, N. P.; Евсевская, Н. П.; Masyugin, A. N.; Масюгин, Альберт Николаевич; Aleksandrovskii, A. S.; Александровский, Александр Сергеевич; Smolyarova, T. E.; Nemtsev, I. V.; Немцев, Иван Васильевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Bondarenko, G. N.; Tambasova, E. V.
}
Найти похожие

Влияние подложки на магнитоэлектрический эффект пленок висмутового феррита граната с редкоземельным замещением / С. С. Аплеснин [и др.] // Письма в ЖЭТФ. - 2019. - Т. 110, № 3-4. - С. 204-212, DOI 10.1134/S0370274X19150128. - Библиогр.: 29. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта # 18-42-240001: “Инверсия знака компонент магнитоэлектрического тензора по температуре в пленках висмутового феррита граната, замещенного неодимом”; частично поддержано Российским фондом фундаментальных исследований #,18-32-00079 мол_а, 18-52-00009 bel_a и госзаданием # 3.5743.2017/6.7. . - ISSN 0370-274X
Аннотация: В пленках висмутового феррита граната с редкоземельным замещением определяется механизм релаксации электрической поляризации в зависимости от подложки из стекла и галий-гадолиниевого граната без магнитного поля и в магнитном поле 12 кЭ в интервале температур 80-380 К. Обнаружено изменение знака остаточной электрической поляризации после выключения электрического поля и смещение петли гистерезиса в магнитном поле. Найден линейный и квадратичный магнитоэлектрический эффект, компоненты тензора которого зависят от типа подложки. Линейный магнитоэлектрический эффект связан со спин-орбитальным взаимодействием электронов на интерфейсе пленка-подложка, квадратичный магнитоэлектрический эффект с обменно-стрикционным механизмом.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Nagaoka University of Technology
Институт физики им. Л. В. Киренского
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М. Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович; Aplesnin, S. S.; Масюгин, Альберт Николаевич; Ситников, Максим Николаевич; Sitnikov, M. N.; Ишибаши, Т.
}
Найти похожие

Структурные, оптические и термоэлектрические свойства тонких ZnO:Al пленок, полученных атомно-слоевым осаждением / И. А. Тамбасов [и др.] // Физ. тверд. тела. - 2019. - Т. 61, Вып. 10. - С. 1941-1947, DOI 10.21883/FTT.2019.10.48274.455. - Библиогр.: 33. - Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект No 17-72-10079). . - ISSN 0367-3294
Кл.слова (ненормированные):
атомно-слоевое осаждение -- тонкие пленки -- легированный алюминием оксид цинка -- структурные и оптические свойства -- термоэлектрические свойства
Аннотация: Тонкие пленки оксида цинка легированного алюминием были выращены с помощью атомно-слоевого осаждения при температуре 200°С. С помощью рентгеновской дифракции было обнаружено, что тонкие ZnO:Al пленки имеют пики от плоскостей (100), (002), (110) и (201) гексагональной фазы ZnO. Плоскости (101) и (102) были обнаружены также с помощью электронной дифракции. Тонкие ZnO:Al пленки растут гладкими со среднеквадратичной шероховатостью Rq равной 0.33 nm и характерными размерами нанокристаллита ~70 и ~15 nm без дополнительных фаз связанных с алюминием или оксидами алюминия. Пропускание на длине волны 550 nm с учетом подложки составляло ~96%. Были найдены коэффициенты преломления и поглощения тонких ZnO:Al пленок в диапазоне длин волн 250-900 nm. Максимальные значения для коэффициентов преломления и поглощения были 2.09 на длине волны 335 nm и 0.39 на длине волны 295 nm соответственно. Оптическая ширина запрещeнной зоны составляла 3.56 eV. Удельное сопротивление, коэффициент Зеебека и фактор мощности тонких ZnO:Al пленок составляли ~1.02·10-3 Ohm·cm, ~-60μV/K и 340 μW·m-1·K-2 при комнатной температуре соответственно. Максимальный фактор мощности достигал 620 μW·m-1·K-2 при температуре 200°C.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Красноярский научный центр, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Воронин, А. С.; Евсевская, Н. П.; Evsevskaya N. P.; Масюгин, Альберт Николаевич; Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovskii, A. S.; Смолярова, T. E.; Немцев, Иван Васильевич; Nemtsev, I. V.; Лященко, Сергей Александрович; Lyashchenko, S. A.; Бондаренко, Г. Н.; Тамбасова, Е. В.
}
Найти похожие

Synthesis and transport properties of FET based on Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing / A. V. Lukyanenko [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст. 012017, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012017. - Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 17-02-00302 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies». . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596

РУБ Crystal growth and structural properties of semiconductor materials and nanostructures

Аннотация: In this work we show a preparation technique of Co2FeSi full-Heusler alloy thin films on silicon-on-insulator (SOI) substrates, employing rapid thermal annealing (RTA). The films of the Co2FeSi alloy were formed by a silicidation reaction, caused by RTA, between the ultrathin SOI (001) layer and the Fe/Co layers deposited on it. It is assumed that this technology is compatible with the process of formation of a half-metal source-drain in an advanced CMOS and SOI technology and will be applicable for the manufacture of a source-drain of a field-effect transistor. Schottky barrier field-effect transistors (FET) with a back-gate, based on silicon nanowires with source and drain of a Co2FeSi film, synthesized on an SOI substrate, were manufactured. The transport properties of the device were investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk 660037, Russia

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zelenov, F. V.; Зеленов, Ф. В.; Masugin, A. N.; Масюгин, Альберт Николаевич; Ivanov, A. B.; Иванов, А. Б.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures(6 ; 2019 ; 22-25 April ; Saint Petersburg)
}
Найти похожие

10.

Синтез одномерных фотонных кристаллов на основе SiO2/Si3N4 / А. С. Александровский, И. А. Тамбасов, А. Н. Масюгин [и др.] // Енисейская фотоника-2020 : тезисы докладов. - Красноярск : ИФ СО РАН, 2020. - С. 189. - Cited References: 2 . - ISBN 978-5-6042995-8-6
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты по синтезу одномерных фотонных кристаллов (ОФК) на основе SiO2/Si3N4 с помощью плазменно-химического осаждения из газовой фазы (PECVD). Синтез одномерных фотонных кристаллов проводился в соответствии с модельными расчетами. Было получено хорошее согласование между экспериментальными и расчетными данными в части оптических свойств одномерных фотонных кристаллов. На основе синтезированных ОФК были получены оптиче-ские элементы с подслоем из золота для экспериментального наблюдения Таммовского плазмон-поляритона (ТПП).

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Александровский, Александр Сергеевич; Aleksandrovsky, A. S.; Тамбасов, Игорь Анатольевич; Tambasov, I. A.; Масюгин, Альберт Николаевич; Панкин, Павел Сергеевич; Pankin, P. S.; Мысливец, Сергей Александрович; Myslivets, S. A.; Тимофеев, Иван Владимирович; Timofeev, I. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Сибирский федеральный университет; "Енисейская фотоника", Всероссийская научная конференция с международным участием(1 ; 2020 ; сент. ; 14-19 ; Красноярск)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие