Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Шанидзе, Лев Викторович$<.>)
Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-25 
1.


   
    Магнитозависимый фотовольтаический эффект в гибридной структуре Mn/SiO2/N-Si / М. В. Рауцкий [и др.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - С. 112. - Библиогр.: 1 . - ISBN 978-5-00133-051-6
   Перевод заглавия: magnetic field dependent photovoltaic effect in Mn/SiO2/N-Si hybrid structure

РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R. S. \чл. прогр. ком.\; Исхаков, Рауф Садыкович; Ovchinnikov, S. G. \чл. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Aplesnin, S. S. \чл. прогр. ком.\; Аплеснин, Сергей Степанович; Balaev, D. A. \чл. прогр. ком.\; Балаев, Дмитрий Александрович; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Tarasov, I. A.; Варнаков, Сергей Николаевич; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(8 ; 2018 ; Aug. 24-28 ; Irkutsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие
2.


   
    Synthesis and transport properties of hybrid structures with quasi-two-dimensional α-FeSi2 nanocrystals / M. V. Rautskii [et al.] // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. VIII Байкал. междунар. конф. BICMM-2018 / чл. прогр. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2018. - P. 130. - Библиогр.: 3 . - ISBN 978-5-00133-051-6
   Перевод заглавия: Синтез и транспорные свойства гибридных структур с квазидвумерными нанокристаллами α-FeSi2

РИНЦ,
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Iskhakov, R. S. \чл. прогр. ком.\; Исхаков, Рауф Садыкович; Ovchinnikov, S. G. \чл. прогр. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Aplesnin, S. S. \чл. прогр. ком.\; Аплеснин, Сергей Степанович; Balaev, D. A. \чл. прогр. ком.\; Балаев, Дмитрий Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(8 ; 2018 ; авг. ; 24-28 ; Иркутск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(8 ; 2018 ; Aug. 24-28 ; Irkutsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие
3.


   
    Transport properties of spintronic devices fabricated from ferromagnet/silicon hybrid structures / A. V. Lukyanenko [et al.] // Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019) : Book of abstracts / чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст. A.O8. - P. 66-67. - Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No. 18-42-243022 . - ISBN 978-5-9500855-7-4

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \чл. конс. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V. \чл. конс. ком.\; Волков, Никита Валентинович; Dzebisashvili, D. M. \чл. прогр. ком.\; Дзебисашвили, Дмитрий Михайлович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Zelenov, F. V.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Уральское отделение РАН; Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина; Российский фонд фундаментальных исследований; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(7 ; 2019 ; Sept. ; 8-13 ; Ekaterinburg)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
4.


   
    Magnetic-field-driven electron transport in SOI back-gate device / L. V. Shanidze [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст. 012204, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012204. - Cited References: 8. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund by project No 18-42-243022 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research by project no. 18-32-00035. The work was partially supported by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and by Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (Project II.8.70) and Fundamental research program of the Presidium of the RAS no. 32 «Nanostructures: physics, chemistry, biology, basics of technologies». . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
РУБ Electric, Magnetic and Microwave Devices

Аннотация: In this work, we studied the electronic transport properties of silicon nanowire field-effect transistors with a back gate. A nontrivial magnetic field influence on the drain current at low temperature (10 K) was found. The strongest effect was observed in the majority carrier accumulation mode. In this mode magnetic field of 0.5 T increases current through the device by more than an order of magnitude. The paper describes the possible mechanisms of the magnetic field influence on the electronic transport characteristics of the structures.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zelenov, F. N.; Зеленов, Ф. В.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures(6 ; 2019 ; 22-25 April ; Saint Petersburg)
}
Найти похожие
5.


   
    Synthesis and transport properties of FET based on Heusler alloy thin films formed by rapid thermal annealing / A. V. Lukyanenko [et al.] // J. Phys.: Conf. Ser. - 2019. - Vol. 1410. - Ст. 012017, DOI 10.1088/1742-6596/1410/1/012017. - Cited References: 10. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 17-02-00302 and supported in part by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences, Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies». . - ISSN 1742-6588. - ISSN 1742-6596
РУБ Crystal growth and structural properties of semiconductor materials and nanostructures

Аннотация: In this work we show a preparation technique of Co2FeSi full-Heusler alloy thin films on silicon-on-insulator (SOI) substrates, employing rapid thermal annealing (RTA). The films of the Co2FeSi alloy were formed by a silicidation reaction, caused by RTA, between the ultrathin SOI (001) layer and the Fe/Co layers deposited on it. It is assumed that this technology is compatible with the process of formation of a half-metal source-drain in an advanced CMOS and SOI technology and will be applicable for the manufacture of a source-drain of a field-effect transistor. Schottky barrier field-effect transistors (FET) with a back-gate, based on silicon nanowires with source and drain of a Co2FeSi film, synthesized on an SOI substrate, were manufactured. The transport properties of the device were investigated.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russia
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk 660037, Russia

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Zelenov, F. V.; Зеленов, Ф. В.; Masugin, A. N.; Масюгин, Альберт Николаевич; Ivanov, A. B.; Иванов, А. Б.; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International School and Conference on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures(6 ; 2019 ; 22-25 April ; Saint Petersburg)
}
Найти похожие
6.


   
    Protein biosensor based on nanowire field effect transistor / T. E. Smolyarova, A. V. Lukyanenko, L. V. Shanidze [et al.] // The Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials : Proceedings. - VLadivostok : Dalnauka Publishing, 2020. - Ст. VII.31.03p. - P. 195. - The work is carried out with the assistance of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center «Krasnoyarsk Science Center SB RAS» and Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project № 18-42-243013. . - ISBN 978-5-8044-1698-1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Institute of Biophysics KSC SB RAS, 50/50 Academgorodok St., Krasnoyarsk, 660036, Russia
Krasnoyarsk Science Center of SB RAS, 50 Academgorodok St., Krasnoyarsk, 660036, Russia
Siberian Federal University, 76 Svobodny Av., Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Krasitskaya, V. V.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(5 ; 2020 ; 30 Jul - 3 Aug ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(5 ; 2013 ; 30 июля - 3 авг. ; Владивосток)
}
Найти похожие
7.


   
    Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films / F.A. Baron [и др.] // 1st FunMAX Workshop 2020 : Book of Abstracts. - 2020. - P. 15. - Cited References: 1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics

Доп.точки доступа:
Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Mikhlin, Yu. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug ; 10-12 ; Krasnoyarsk); Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
}
Найти похожие
8.


   
    Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films / F. A. Baron, M. N. Volochaev, A. V. Lukyanenko [et al.] ; чл. орг. ком.: M. Farle [et al.] ; секр. орг. ком. T. E. Smolyarova // International workshop on functional MAX-materials (1st FunMax). - 2020. - P. 15. - Cited references: 1

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Mikhlin, Yu. L.; Михлин, Юрий Леонидович; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Farle, M. \чл. орг. ком.\; Tarasov, A. S. \чл. орг. ком.\; Ovchinnikov, S. G. \чл. орг. ком.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Smolyarova, T. E. \секр. орг. ком.\; International workshop on functional MAX-materials(1 ; 2020 ; Aug. 10-12 ; Krasnoyarsk (on-line)); Kirensky Institute of Physics
}
Найти похожие
9.


   
    Silicon nanowire based biosensor for detection of organic molecules / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova [et al.] // Molecular Therapy - Nucleic Acids : book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P. 4-5

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Aptamers in Russia, international conference(1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk)
}
Найти похожие
10.


   
    Biocompatible nanostructures fabricated by Dip-Pen nanolithography / T. E. Smolyarova, A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko [et al.] // Molecular Therapy - Nucleic Acids : book of abstracts of the 1st Int. conf. "Aptamers in Russia 2019". - 2019. - Vol. 17, Suppl. 1. - P. 8-9

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Aptamers in Russia, international conference(1 ; 2019 ; Aug. 27-30 ; Krasnoyarsk)
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-25 
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)