Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Аксенов, Сергей Владимирович$<.>)

Общее количество найденных документов : 108
Показаны документы с 1 по 20

   В37
   А 42

    Аксенов, Сергей Владимирович.
    Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах [Рукопись] : дис. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. В. Аксенов ; науч. рук. В. В. Вальков ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - Красноярск, 2011. - 168 с. - Библиогр.: 195 назв. -

ГРНТИ

29.19.22

ББК В373.3я031

Держатели документа:
Библиотека Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Доп.точки доступа:
Вальков, Валерий Владимирович \науч. рук.\; Val'kov V.V.; Aksenov, S. V.; Российская академия наук; Сибирское отделение РАН; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Экземпляры всего: 1
ДС (1)
Свободны: ДС (1)}
Найти похожие

Аксенов, Сергей Владимирович.
Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 143, Вып. 5. - С. 984-990DOI 10.7868/S0044451013050248
Аннотация: Показано, что включение неупругих спин-зависящих процессов рассеяния электрона на потенциальных профилях одиночной магнитной примеси и спинового димера инициирует резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано, в транспортных характеристиках таких спиновых структур атомного масштаба. Для реализации резонанса и антирезонанса Фано принципиальную роль играют спин-флип-процессы, приводящие к конфигурационному взаимодействию состояний системы. Установлено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет радикально изменять проводящие свойства спиновых структур через резонансный механизм Фано

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.
}
Найти похожие

Val'kov, V. V.
Spin-flip induction of Fano resonance upon electron tunneling through atomic-scale spin structures / V.V. Val'kov // J. Experim. Theor. Phys. - 2013. - Vol. 116, Is. 5. - P. 854-859DOI 10.1134/S1063776113050130
Аннотация: The inclusion of inelastic spin-dependent electron scatterings by the potential profiles of a single magnetic impurity and a spin dimer is shown to induce resonance features due to the Fano effect in the transport characteristics of such atomic-scale spin structures. The spin-flip processes leading to a configuration interaction of the system’s states play a fundamental role for the realization of Fano resonance and antiresonance. It has been established that applying an external magnetic field and a gate electric field allows the conductive properties of spin structures to be changed radically through the Fano resonance mechanism

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Индуцирование спин-флип-процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые структуры атомного масштаба. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia;

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Физ. низких температур. - 2013. - Т. 39, Вып. 1. - С. 48-52

Смотреть статью,
WOS

Переводная версия Val'kov, V. V. Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov // Low Temperature Physics / Физика низких температур . - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P.35-38

Держатели документа:
Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

    Val'kov, V. V.
    Fano effect upon tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity / V.V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Low Temp. Phys. - 2013. - Vol. 39, no. 1. - P. 35-38 ; Физика низких температурDOI 10.1063/1.4775746
   Перевод заглавия: Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
Аннотация: The calculations of transport characteristics of a single magnetic impurity showed that the presence of different effective channels for electron transmission results in the Fano effect. It was noticed that the external magnetic field and gate voltage allow controlling the conducting properties, which are governed by the configuration interaction between the states of the system

Смотреть статью

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович

}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты многократного отражения при неупругом электронном транспорте через анизотропный магнитный атом / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Письма в Журн. эксперим. и теор. физ. - 2013. - Т. 98, Вып. 7. - С. 459-465DOI 10.7868/S0370274X13190107
Аннотация: Исследовано влияние многократного отражения при электронном транспорте на вольт-амперную характеристику адсорбированного магнитного атома с одноионной анизотропией. Для учета вкладов всех порядков теории возмущений по параметрам связи контактов с многоуровневой примесью применены операторы Хаббарда и диаграммная техника Келдыша. Показано, что в режиме сильной неравновесности вольт-амперные характеристики рассмотренной системы содержат участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Обсуждаются способы увеличения этого эффекта.

Смотреть статью,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Effects of multiple reflection in the process of inelastic electron transport through an anisotropic magnetic atom. - [Б. м. : б. и.]

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Неупругий транспорт электронов в магнитном поле через адсорбированную на поверхность магнитную примесь / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // XI Российская конференция по физике полупроводников : Тезисы докладов. - 2013. - С. 306. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», ФЦП (ГК № 16.740.11.0644), РФФИ (гранты № 12-02-31130, № 13-02-00523), а также гранта Президента РФ МК-526.2013.2 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Российская конференция по физике полупроводников (11 ; 2013 ; сент. ; 16–20 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

    Val'kov, V. V.
    Effect of multiple scattering on the quantum transport of electrons through a magnetic impurity with a single-ion anisotropy : abstract / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // Spin Waves 2013, Int. Symp. : Program. Abstracts. - СПб., 2013. - P. 75 . - ISBN 978-5-91918-334-1
   Перевод заглавия: Влияние многократного рассеяния на квантовый транспорт электронов через магнитную примесь с одноионной анизотропией

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; "Spin Waves", International Symposium (2013 ; июнь ; 9-15 ; Санкт-Петербург)
}
Найти похожие

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление антирезонанса Фано в вольт-амперной характеристике наноструктуры с одиночной магнитной примесью / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Изв. РАН. Сер. физич. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 411-416
Аннотация: Проведено теоретическое изучение квантового когерентного электронного транспорта через наноструктуру, содержащую примесный ион с нескомпенсированным магнитным моментом. Показано, что коэффициент прохождения спин-поляризованного электрона через такую структуру содержит особенность, в виде антирезонанса Фано. Этот эффект возникает в результате обменного взаимодействия спинового момента транспортируемого электрона со спиновым моментом примеси. Продемонстрировано, что наличие антирезонанса Фано приводит к качественному изменению вольт-амперной характеристики структуры и индуцирует большое значение магнитосопротивления.

РИНЦ,
Читать в сети ИФ

10.

    Val'kov, V. V.
    Effect of multiple scattering on the quantum transport of electrons through a magnetic impurity with a single-ion anisotropy : abstract / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov ; Taurida National V. I. Vernadsky University // Functional materials : Abstracts / ed. V. N. Berzhansky. - Simferopol, 2013. - Ст. BP2-1P/2. - P. . - ISBN 978-966-491-465-6
   Перевод заглавия: Влияние многократного рассеяния на квантовый транспорт электронов через магнитную примесь с одноионной анизотропией

Материалы конференции

Доп.точки доступа:
Berzhansky, V. N. \ed.\; Бержанский, Владимир Наумович; Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович; Taurida National V. I. Vernadsky University; "Functional Materials", International Conference(2013 ; 29 Sept.-5 Oct. ; Partenit, Yalta; Ukraine Crimea)
}
Найти похожие

11.

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление эффекта Фано в транспортных характеристиках спиновых структур / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Нанофизика и наноэлектроника : Труды XVII междунар. симп. - 2013. - Т. 1. - С. 99-100

Материалы симпозиума,
Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум(17 ; 2013 ; март. ; 11-15 ; Нижний Новгород)
}
Найти похожие

12.

Aksenov, S. V.
A Fano resonance in transport characteristics of 1D atomic spin structures / S. V. Aksenov // Book of abstracts of Advances Research Workshop "Meso–2012". - 2012. - P. 37

Доп.точки доступа:
Val'kov, V. V.; Вальков, Валерий Владимирович; Ulanov, E. A.; Уланов Е.А.; Аксенов, Сергей Владимирович; Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН; Институт физики твердого тела РАН; "Mesoscopic and Strongly Correlated Electron Systems", conference (6 ; 2012 ; июнь ; 17-23 ; Черноголовка, Моск. обл.)
}
Найти похожие

13.

Вальков, Валерий Владимирович.
Проявление резонанса Фано в транспортных характеристиках спин-димерной системы / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // XIX Уральская междунар. зимняя шк. по физике полупроводников : 20-25 февр. 2012 г. : программа и тезисы докладов. - Екатеринбург, 2012. - Ст. NM-14. - P. 220-221

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; Российская академия наук; Научный совет по проблеме "Физика полупроводников» РАН; Уральское отделение РАНИнститут физики металлов Уральского отделения РАН; Уральский Федеральный университет им. Первого Президента России Б.Н. Ельцина; Новоуральский государственный технологический институт; Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников(19 ; 2012 ; февр. ; Екатеринбург / Новоуральск)
}
Найти похожие

14.

Вальков, Валерий Владимирович.
Индуцирование спин-флип процессами резонанса Фано при туннелировании электрона через спиновые / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, Е. А. Уланов // XXXVI Совещание по физике низких температур (НТ-36) : тезисы докл. - СПб., 2012. - Ст. N25. - P. 213-214
Аннотация: На основе точного решения задачи о квантовом транспорте электрона через потенциальный профиль одиночной магнитной примеси и спинового димера показано, что транспортные характеристики таких спиновых структур проявляют резонансные особенности, обусловленные эффектом Фано. Существенно, что для реализации этого эффекта принципиальную роль играет учет спин-флип процессов, приводящих к конфигурационному взаимодействию состояний в системе. Показано, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами спиновых структур, обусловленными.

Материалы конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Российская академия наук; Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Совещание по физике низких температур (36 ; 2012 ; июль ; 2-6 ; Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
}
Найти похожие

15.

Вальков, Валерий Владимирович.
Эффекты ФАНО при квантовом транспорте через спиновую наноструктуру / В. В. Вальков, С. В. Аксенов // Тезисы III Международного междисциплинарного симпозиума “Среды со структурным и магнитным упорядочением” (Multiferroics-3) / "Среды со структурным и магнитным упорядочением", Международный междисциплинарный симпозиум (3 ; 2011 ; сент. ; 4-8 ; Лоо, Россия). - 2011

Программа конференции
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Val'kov, V. V.; "Среды со структурным и магнитным упорядочением", Международный междисциплинарный симпозиум(3 ; 2011 ; сент. ; 4-8 ; Лоо, Россия); Российская академия наук; Южный федеральный университетИнститут радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
}
Найти похожие

16.

Val'kov, V. V.
Effects of multiple reflection in the process of inelastic electron transport through an anisotropic magnetic atom / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // JETP Letters. - 2013. - Vol. 98, Is. 7. - P. 403-409, DOI 10.1134/S0021364013200162. - Cited References: 27. - This work was supported by the Presidium of the Russian Academy of Sciences (program "Quantum Mesoscopic and Disordered Systems"), the Ministry of Education and Science of Russian Federation (state contract no. 16.740.11.0644, federal program "Human Capital for Science and Education in Innovative Russia" for 2009-2013), and the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 12-02-31130, 13-02-00523, and 13-02-98013). S. V. A. is grateful to the Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools, project nos. MK-526.2013.2 and SP-6361.2013.5. . - ISSN 0021-3640

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
QUANTUM
SPECTROSCOPY
STATE
Аннотация: The effect of multiple reflection in the process of electron transport on the current-voltage characteristics of an adsorbed magnetic atom with single-ion anisotropy has been investigated. All orders of the perturbation theory with respect to the parameter of coupling between the contacts and the multilevel impurity have been taken into account by the Keldysh diagram technique with the use of Hubbard operators. It has been shown that the current-voltage characteristics of the system in a strongly nonequilibrium regime contains regions of negative differential conductance. The ways of enhancing this effect are discussed.

WOS,
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Эффекты многократного отражения при неупругом электронном транспорте через анизотропный магнитный атом. - [S. l. : s. n.]

Держатели документа:
Russian Acad Sci, LV Kirensky Phys Inst, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Вальков, Валерий Владимирович; Presidium of the Russian Academy of Sciences; Ministry of Education and Science of Russian Federation [16.740.11.0644]; Russian Foundation for Basic Research [12-02-31130, 13-02-00523, 13-02-98013]; Council of the President of the Russian Federation for Support of Young Scientists and Leading Scientific Schools [MK-526.2013.2, SP-6361.2013.5]
}
Найти похожие

17.

Val'kov, V. V.
Inelastic tunnel transport of electrons through an anisotropic magnetic structure in an external magnetic field / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // J. Exp. Theor. Phys. - 2014. - Vol. 119, Is. 1. - P. 124-137, DOI 10.1134/S1063776114060065. - Cited References: 35. - This work was performed under the Program "Quantum Mesoscopic and Disordered Systems" of the Presidium of the Russian Academy of Sciences and supported financially by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 13-02-00523, 13-02-98013, and 14-02-31280). The work of one of coauthors (S. V. A.) was supported by grant no. MK-526-526.2013.2 of the President of the Russian Federation and scholarship SP-6361.2013.5 of the President of the Russian Federation. . - ISSN 1063-7761. - ISSN 1090-6509

РУБ Physics, Multidisciplinary
Рубрики:
SINGLE-MOLECULE
   SPECTROSCOPY
   ATOM
   STATE
Аннотация: Quantum transport of electrons through a magnetic impurity located in an external magnetic field and affected by a substrate is considered using the Keldysh diagram technique for the Fermi and Hubbard operators. It is shown that in a strongly nonequilibrium state induced by multiple reflections of electrons from the impurity, the current-voltage (I-V) characteristic of the system contains segments with a negative conductivity. This effect can be controlled by varying the anisotropy parameter of the impurity center as well as the parameters of coupling between the magnetic impurity and metal contacts. The application of the magnetic field is accompanied by an increase in the number of Coulomb steps in the I-V curve of the impurity. The effect of appreciable magnetoresistance appears in this case. We demonstrate the possibility of switching between magnetic impurity states with different total spin projection values in the regime of asymmetric coupling of this impurity with the contacts.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Вальков, Валерий Владимирович. Неупругий туннельный транспорт электронов через анизотропную магнитную структуру во внешнем магнитном поле [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журн. эксперим. и теор. физ. : Наука, 2014. - Т. 146 Вып. 1. - С. 144-159

Держатели документа:
Russian Acad Sci, Siberian Branch, LV Kirensky Phys Inst, Krasnoyarsk 660036, Russia
Siberian Aerosp Univ, Krasnoyarsk 660014, Russia

Доп.точки доступа:
Aksenov, S. V.; Аксенов, Сергей Владимирович; Ulanov, E. A.; Уланов Е. А.; Вальков, Валерий Владимирович; Russian Foundation for Basic Research [13-02-00523, 13-02-98013, 14-02-31280]; Russian Federation [MK-526-526.2013.2, SP-6361.2013.5]
}
Найти похожие

18.

Вальков, Валерий Владимирович.
Неупругий туннельный транспорт электронов через анизотропную магнитную структуру во внешнем магнитном поле / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2014. - Т. 146, Вып. 1. - С. 144-159, DOI 10.7868/S0044451014070165. - Библиогр.: 35 назв. - Работа выполнена в рамках Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы», при финансовой поддержке РФФИ (гранты ЖХН 3-02-00523, 13-02-98013, 14-02-31280). Работа одного из соавторов (С. В. А.) выполнена при поддержке гранта Президента РФ (МК-526.2013.2) и стипендии Президента РФ (СП-6361.2013.5). . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Методом диаграммной техники Келдыша для фермиевских и хаббардовских операторов рассмотрен квантовый транспорт электронов через магнитную примесь, находящуюся во внешнем магнитном поле и подверженную влиянию подложки. Показано, что в условиях сильной неравновесности, индуцированной процессами многократного отражения электронов на примеси, вольт-амперная характеристика устройства содержит участки с отрицательной проводимостью. Этим эффектом можно управлять посредством изменения параметра анизотропии примесного центра, а также параметров связи магнитной примеси с металлическими контактами. Включение магнитного поля сопровождается увеличением числа кулоновских ступенек в вольт-амперной характеристике примеси. При этом возникает эффект значительного магнитосопротивления. В режиме асимметричной связи магнитной примеси с контактами показана возможность переключения между ее состояниями с различными значениями проекции полного спина.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Val'kov V. V. Inelastic tunnel transport of electrons through an anisotropic magnetic structure in an external magnetic field [Текст] / V. V. Val'kov, S. V. Aksenov, E. A. Ulanov // J. Exp. Theor. Phys. : MAIK Nauka-Interperiodica / Springer, 2014. - Vol. 119 Is. 1.- P.124-137

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Ulanov E. A.; Val'kov, V. V.
}
Найти похожие

19.

Вальков, Валерий Владимирович.
Влияние процессов многократного рассеяния на квантовый транспорт электронов в магнитном поле через анизотропный атом / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов // Урал. междунар. зимняя шк. по физике полупроводников : 17-22 февр. 2014 г. : [Тез. докл.]. - 2014. - С. 180-181. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН "Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы", Российского фонда фундаментальных исследований (гранты #13-02-00523, #13-02-98013, #14-02-31280), гранта Президента РФ МК-526.2013.2 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5

Материалы школы
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников(20 ; 2014 ; февр. ; Екатеринбург / Новоуральск)
}
Найти похожие

20.

Вальков, Валерий Владимирович.
Формирование отрицательной дифференциальной проводимости магнитного адатома при учете процессов многократного рассеяния / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов ; Юж. федер. ун-т // Междунар. междисциплинар. молод. симп. «Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных матер. (Анализ совр. сост. и персп. развития)» («LFPM–2014») : Труды симп. - 2014. - Вып. 3, т. 1. - С. 232-235. - Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН "Квантовые мезоскопические и неупорядоченные системы", Российского фонда фундаментальных исследований (гранты #13-02-00523, #13-02-98013), гранта Президента РФ МК-526.2013.2 и стипендии Президента РФ СП-6361.2013.5 . - ISBN 978-5-241-01142-8

Материалы симпозиума
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Аксенов, Сергей Владимирович; Aksenov, S. V.; Уланов, Е. А.; Val'kov, V. V.; Южный федеральный университет; "Физика бессвинцовых пьезоактивных и родственных материалов (Анализ современного состояния и перспективы развития)", международный междисциплинарный молодежный симпозиум (3 ; 2014 ; сентябрь, 2-6 ; Ростов-на-Дону / Туапсе, Россия)
}
Найти похожие