Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (27)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Волков, Никита Валентинович$<.>)

Общее количество найденных документов : 425
Показаны документы с 1 по 20

Гистерезис магнитосопротивления в гранулярном La0.7Ca0.3MnO3 при низких температурах [Текст] / Семёнов С.В., Шайхутдинов К.А., Балаев Д.А., Петров М.И., Волков Н.В. // Третья международная конференция "Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости" ФПС'08 = The 3rd International Conference "Fundamental Problems of High Temperature Superconductivity" FPS'08 : 13-17 окт., Звенигород, 2008 : сборник трудов. - С. 223-224

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Семенов, Сергей Васильевич; Semenov, S. V.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Shaikhutdinov; Балаев, Дмитрий Александрович; Balaev; Петров, Михаил Иванович; Petrov; Волков, Никита Валентинович; Volkov; "Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости", международная конференция(3 ; 2008 ; окт. ; Звенигород)
}
Найти похожие

Synthesis and magnetic property feature of La0.7Sr0.3MnO3 manganite polycrystalline / Patrin G.S., Polyakova K.P., Patrusheva T.N., Velikanov D.A., Volkov N.V., Balaev D.A., Patrin K.G., Klabukov A.A. // III Байкальская международная конференция, Иркутск, 2008, C. 79

Доп.точки доступа:
Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Polyakova, K. P.; Полякова, Клавдия Павловна; Patrusheva, T. N.; Патрушева, Тамара Николаевна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Patrin, K. G.; Патрин, Константин Геннадьевич; Klabukov, A. A.
}
Найти похожие

Электрические свойства твердых растворов на основе MnS и CuCrS2. / Абрамова Г.М.Волков Н.В. [и др.] // XII Международная Конференция "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты". МКЭЭЭ-2008 = XIIth Intrenational Conference on Electromechanics, Electrotechnology and Electromaterial Science : труды : 18-23 сентября 2008 г., Крым, г. Алушта . - С. 88

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Абрамова, Галина Михайловна; Abramova, G. M.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Петраковский, Герман Антонович; Petrakovskii, G. A.; Мазалов, Л. В.; Крючкова, Н. А.; Соколов, Валерий Владимирович; Sokolov V. V.; "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты", Международная конференция(12 ; 2008 ; сент ; Алушта, Крым)
}
Найти похожие

Structure, magnetic and magnetocaloric properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) / A. S. Tarasov, S. V. Komogortsev, A. V. Lukyanenko [et al.] // J. Mater. Sci. - 2024. - Vol. 59, Is. 21. - P. 9423-9436, DOI 10.1007/s10853-024-09755-6. - Cited References: 79. - The study was supported by the Russian Science Foundation Grant of the № 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science. The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance . - ISSN 0022-2461. - ISSN 1573-4803
Аннотация: Mn5Ge3 is a ferromagnetic hexagonal crystal promising for spintronics and magnetocalorics. A systematic study and analysis of the magnetic properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) were performed. The magnetic anisotropy of the film is determined by the shape anisotropy and the easy magnetization axis aligned along the c axis of the crystal. The uniaxial anisotropy constant Ku fully corresponds to that for a bulk single crystal, which indicates that c axis coincides with film normal. Mn5Ge3 film demonstrates high saturation magnetization MS = 900 emu/cm3 (900 kA/m) at T = 100 K and magnetocaloric effect ΔS = 3.16 ± 0.22 J kg−1 K−1 at 300 K and B = 1.5 T. ΔS is comparable to that for multicomponent or Gd rare earth films. Furthermore, a different anisotropy of the magnetocaloric effect compared to bulk Mn5Ge3 was found, which may be related to the anisotropy of the film shape and, possibly, to the domain structure. The results obtained are promising for the design and development of magnetocaloric, spintronic, and spin-caloritronic devices on a silicon platform.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, Russia, 660036
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia, 660037
Federal Research Center KSC SB RAS, Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk, Russia, 660036

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Solovyov, L. A.; Andryushchenko, T. A.; Андрющенко, Татьяна Александровна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Lateral photovoltaic effect in silicon-based hybrid structures under external magnetic field / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, N. V. Volkov [et al.] // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2023. - Vol. 167. - Ст. 107786, DOI 10.1016/j.mssp.2023.107786. - Cited References: 32 . - ISSN 1369-8001. - ISSN 1873-4081
Кл.слова (ненормированные):
Lateral photovoltaic effect -- MIS structures -- Interface states -- Schottky field
Аннотация: Charge transport in semiconductor devices is highly sensitive to light, which opens up wide application prospects. The lateral photovoltaic effect (LPE) is widely used in position sensitive detectors due to its high sensitivity to the light spot position. We report on the features of the LPE in silicon-based metal/insulator/semiconductor structures at helium temperatures. To investigate the LPE, Fe/SiO2/p-Si and Mn/SiO2/n-Si structures have been fabricated by molecular beam epitaxy. It has been found by studying the lateral photovoltage that the SiO2/Si interface plays a significant role in transport of photogenerated carriers, mainly via the interface states, which induce electron capture/emission processes at certain temperatures. The value of the photovoltage is likely affected not only by the metallic film thickness, but also by the substrate conductivity type and Schottky barrier. The effect of the magnetic field on the LPE is driven by two mechanisms. The first one is the well-known action of the Lorentz force on photogenerated carriers and the second one is shifting of the interface state energy levels. Basically, the magnetic field suppresses the contribution of the interface states to the LPE, which suggests that the interface-induced transport can be controlled magnetically.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences”, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

Growth, magnetic and transport properties of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111) / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 59. - Cited References: 4. - РНФ № 23-22-10033 ; Регион. науч. фонд

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Rudenko, R. Yu.; Руденко, Роман Юрьевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие

The role of SiO2/Si interface in magnetic field driven lateral photovoltaic effect in Mn/SiO2/n-Si and Fe/SiO2/p-Si MIS structures / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, N. V. Volkov [et al.] // Book of abstacts of Samarkand International Symposium on Magnetism (SISM-2023) / int. adv. com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2023. - Ст. 3OT-A-8. - P. 145. - Cited References: 1 . - ISBN 978-5-00202-320-2

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \int. adv. com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Samarkand International Symposium on Magnetism(2023 ; July 2-6 ; Samarkand); Samarkand State University
}
Найти похожие

Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties / A. S. Tarasov, A. V. Lukyanenko, I. A. Yakovlev [et al.] // Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P. S133-S146, DOI 10.1134/S1062873823704518. - Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculations. - Supported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science . - ISSN 1062-8738. - ISSN 1934-9432
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- manganese germanide -- MBE -- FMR -- electronic transport -- spintronics
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 660041, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center”, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

Magnetic anisotropy and domain structure of epitaxia Mn5Ge3 thin film on Si(111) substrate / M. V. Rautskii, I. Sobolev, I. A. Yakovlev [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 151. - Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226 ; Красноярский регион. фонд науки

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sobolev, I.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие

10.

Magnetic properties of mn-doped Fe3+xSi1–x films synthesized on soi substrate by low temperature annealing / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Tarasov [et al.] // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. J : Soft and hard magnetic materials. - Ст. J.P24. - P. 248-249. - Cited References: 6. - The research was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Rauckii, M.V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Kosyrev, N. N.; Косырев, Николай Николаевич; Komarov, V. A.; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Patrin, G. S.; Патрин, Геннадий Семёнович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие

11.

Volkov, N. V.
Synthesis, optical and magnetic properties of Au-Fe3O4 nanohybrids / N. V. Volkov, T. E. Smolyarova // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. M : Magnetism in biology and medicine. - Ст. M.P9. - P. 440-441. - Cited References: 14 . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, FRC KSC SB RAS Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Волков, Никита Валентинович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАНКазанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие

12.

Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
оксинитрид титана -- температурные сенсоры -- тонкие пленки -- атомно-слоевое осаждение -- элементы интегральных схем
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors [Текст] / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 10.- P.74-77

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие

13.

Бондарев, Илья Александрович.
Влияние магнитного поля на спектральные и температурные характеристики фотовольтаического эффекта в структуре Mn/SiO2/n-Si / Бондарев Илья Александрович // Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXV). - Красноярск : ФИЦ КНЦ СО РАН, 2022. - секция: Физика. - С. 18. - Библиогр.: 3. - Работа выполнена научным коллективом . - ISBN 978-5-6045249-8-5

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Bondarev, I. A.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Институт биофизики Сибирского отделения РАН; Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН; Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН; Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН; Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера; Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН(25 ; 2022 ; 14 апр. ; Красноярск)

Нет сведений об экземплярах }
Найти похожие

14.

    Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device / D. Smolyakov, A. Tarasov, L. Shanidze [et al.] // Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст. 2100459, DOI 10.1002/pssa.202100459. - Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886 . - ISSN 1862-6300. - ISSN 1862-6319
   Перевод заглавия: Влияние магнитного и электрического полей на сопротивление на переменном токе транзисторного устройства на основе кремния на изоляторе

РУБ Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied + Physics, Condensed Matter
Рубрики:
NANOSTRUCTURES
Кл.слова (ненормированные):
impurities states -- magnetoimpedance -- magnetoresistance -- pseudo-MOSFET -- semiconductors -- SOI structure -- transistor
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Akademgorodok 50,Bld 38, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Pr Svobodny 79, Krasnoyarsk 660041, Russia.
Russian Acad Sci, Krasnoyarsk Sci Ctr, Siberian Branch, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk 660036, Russia.

Доп.точки доступа:
Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Shanidze, Lev; Шанидзе, Лев Викторович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
}
Найти похожие

15.

    Protein biosensor based on Schottky barrier nanowire field effect transistor / T. E. Smolyarova, L. V. Shanidze, A. V. Lukyanenko [et al.] // Talanta. - 2022. - Vol. 239. - Ст. 123092, DOI 10.1016/j.talanta.2021.123092. - Cited References: 44. - The reported study was funded by RFBR according to the research project № 20-32-90134. The authors thank RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013) and the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) for financial support. Electron microscopy investigations were conducted with the help of equipment of the Krasnoyarsk Territorial Shared Resource Center, Krasnoyarsk Scientific Center, Russian Academy of Sciences . - ISSN 0039-9140. - ISSN 1873-3573
   Перевод заглавия: Биосенсор для белков на основе полевого нанопроволочного транзистора с барьером Шоттки
Кл.слова (ненормированные):
Silicon-on-insulator -- Schottky contacts FET -- Si nanowire biosensor -- Back gate nanowire FET
Аннотация: A top-down nanofabrication approach involving molecular beam epitaxy and electron beam lithography was used to obtain silicon nanowire-based back gate field-effect transistors with Schottky contacts on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The resulting device is applied in biomolecular detection based on the changes in the drain-source current (IDS). In this context, we have explained the physical mechanisms of charge carrier transport in the nanowire using energy band diagrams and numerical 2D simulations in TCAD. The results of the experiment and numerical modeling matched well and may be used to develop novel types of nanowire-based biosensors.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Institute of Biophysics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russia
Krasnoyarsk State Medical University, Krasnoyarsk, 660022, Russia

Доп.точки доступа:
Smolyarova, T. E.; Смолярова, Татьяна Евгеньевна; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Krasitskaya, Vasilisa V.; Kichkailo, Anna S.; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие

16.

Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties / A. S. Tarasov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст. 131, DOI 10.3390/nano12010131. - Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991

РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Nanoscience & Nanotechnology + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
FILMS
   ANISOTROPY
   SI(001)
   DEVICES
   SURFACE
   GROWTH
Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- germanium -- molecular beam epitaxy -- epitaxial stress -- lattice distortion -- dislocation lattices -- FMR -- Rutherford backscattering -- spintronics
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 < x < 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Boreskov Inst Catalysis SB, Synchrotron Radiat Facil SKIF, Nikolskiy Prospekt 1, Koltsov 630559, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Smart Mat & Biomed Applicat, Kaliningrad 236041, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Funct Nanomat, Kaliningrad 236016, Russia.
Univ Duisburg Essen, Fac Phys, D-47057 Duisburg, Germany.
Univ Duisburg Essen, Ctr Nanointegrat, D-47057 Duisburg, Germany.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, Dmitriy D.; Goikhman, Aleksandr Yu.; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Farle, M.; Фарле, Михаель; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
}
Найти похожие

17.

Влияние магнитного поля на спектральные и температурные характеристики фотовольтаического эффекта в структуре Mn/SiO2/n-Si / И.А. Бондарев, М.В. Рауцкий [и др.] // Тезисы Конкурса-конференции молодых учёных, аспирантов и студентов : Красноярск, 31 марта 2022 г. - 2022. - С. 8. - Библиогр.: 3

Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Волочаев, Михаил Николаевич; Volochaev, M. N.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук"; Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН; Конкурс-конференция молодых учёных, аспирантов и студентов(2022 ; март ; Красноярск)
}
Найти похожие

18.

Sublayer-enhanced growth of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111) / I. Yakovlev, I. Tarasov, A. Lukyanenko [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 24. - Ст. 4365, DOI 10.3390/nano12244365. - Cited References: 23. - The research was funded by Russian Science Foundation, project No. 21-12-00226. The RBS experiment was conducted in REC «Functional Nanomaterials», Immanuel Kant Baltic Federal University under the financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991
Кл.слова (ненормированные):
manganese germanide -- thin film -- MBE -- ferromagnetism -- sublayer
Аннотация: Mn5Ge3 epitaxial thin films previously grown mainly on Ge substrate have been synthesized on Si(111) using the co-deposition of Mn and Ge at a temperature of 390 °C. RMS roughness decreases by almost a factor of two in the transition from a completely polycrystalline to a highly ordered growth mode. This mode has been stabilized by changing the ratio of the Mn and Ge evaporation rate from the stoichiometric in the buffer layer. Highly ordered Mn5Ge3 film has two azimuthal crystallite orientations, namely Mn5Ge3 (001) [1-10] and Mn5Ge3 (001) [010] matching Si(111)[-110]. Lattice parameters derived a (7.112(1) Å) and c (5.027(1) Å) are close to the bulk values. Considering all structural data, we proposed a double buffer layer model suggesting that all layers have identical crystal structure with P6₃/mcm symmetry similar to Mn5Ge3, but orientation and level of Si concentration are different, which eliminates 8% lattice mismatch between Si and Mn5Ge3 film. Mn5Ge3 film on Si(111) demonstrates no difference in magnetic properties compared to other reported films. TC is about 300 K, which implies no significant excess of Mn or Si doping. It means that the buffer layer not only serves as a platform for the growth of the relaxed Mn5Ge3 film, but is also a good diffusion barrier.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Siberian Federal University, 660041 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia
REC «Functional Nanomaterials», Immanuel Kant Baltic Federal University, 236016 Kaliningrad, Russia

Доп.точки доступа:
Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Solovyov, L.; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, D.; Goikhman, A.; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

19.

Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P. 74-77, DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 1063-7850. - ISSN 1090-6533
Кл.слова (ненормированные):
titanium oxide-nitride -- temperature sensors -- thin films -- atomic layer deposition -- integrated circuit components
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.

Смотреть статью

Публикация на русском языке Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур [Текст] / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48 Вып. 20. - С. 39-42

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia
Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia
Research and Education Center “Functional Nanomaterials”, Immanuel Kant Baltic Federal University, Kaliningrad, Russia

Доп.точки доступа:
Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, L. V.; Шанидзе, Лев Викторович; Rautskiy, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Mikhlin, Yu. L.; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Konovalov, S. O.; Zelenov, F. V.; Shvets, P. V.; Goikhman, A. Yu.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие

20.

Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybryd structures: synthesys, magnetic and transport properties / I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, M. V. Rautskii [et al.] // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect. : Spintronics and magnetic nanostructures. - Ст. A.O2. - P. 31-32. - Cited References: 10. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума, ,
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientiؤc Center, SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \program com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие