Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (27)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Волков, Никита Валентинович$<.>)

Общее количество найденных документов : 425
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Семенов, Сергей Васильевич, Шайхутдинов, Кирилл Александрович, Балаев, Дмитрий Александрович, Петров, Михаил Иванович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Гистерезис магнитосопротивления в гранулярном La0.7Ca0.3MnO3 при низких температурах
Коллективы : "Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости", международная конференция
Место публикации : Третья международная конференция "Фундаментальные проблемы высокотемпературной сверхпроводимости" ФПС'08: 13-17 окт., Звенигород, 2008 : сборник трудов. - С. 223-224
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Polyakova K. P., Patrusheva T. N., Velikanov D. A., Volkov N. V., Balaev D. A., Patrin K. G., Klabukov A. A.
Заглавие : Synthesis and magnetic property feature of La0.7Sr0.3MnO3 manganite polycrystalline
Место публикации : III Байкальская международная конференция, Иркутск, 2008, C. 79
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Абрамова, Галина Михайловна, Волков, Никита Валентинович, Петраковский, Герман Антонович, Мазалов Л. В., Крючкова Н. А., Соколов, Валерий Владимирович
Заглавие : Электрические свойства твердых растворов на основе MnS и CuCrS2.
Коллективы : "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты", Международная конференция
Место публикации : XII Международная Конференция "Электромеханика, электротехнологии, электротехнические материалы и компоненты". МКЭЭЭ-2008: труды : 18-23 сентября 2008 г., Крым, г. Алушта . - С. 88
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Komogortsev S. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Sukhachev A. L., Rautskii M. V., Solovyov L. A., Andryushchenko T. A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Structure, magnetic and magnetocaloric properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111)
Колич.характеристики :14 с
Место публикации : J. Mater. Sci. - 2024. - Vol. 59, Is. 21. - P.9423-9436. - ISSN 00222461 (ISSN), DOI 10.1007/s10853-024-09755-6. - ISSN 15734803 (eISSN)
Примечания : Cited References: 79. - The study was supported by the Russian Science Foundation Grant of the № 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science. The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance
Аннотация: Mn5Ge3 is a ferromagnetic hexagonal crystal promising for spintronics and magnetocalorics. A systematic study and analysis of the magnetic properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) were performed. The magnetic anisotropy of the film is determined by the shape anisotropy and the easy magnetization axis aligned along the c axis of the crystal. The uniaxial anisotropy constant Ku fully corresponds to that for a bulk single crystal, which indicates that c axis coincides with film normal. Mn5Ge3 film demonstrates high saturation magnetization MS = 900 emu/cm3 (900 kA/m) at T = 100 K and magnetocaloric effect ΔS = 3.16 ± 0.22 J kg−1 K−1 at 300 K and B = 1.5 T. ΔS is comparable to that for multicomponent or Gd rare earth films. Furthermore, a different anisotropy of the magnetocaloric effect compared to bulk Mn5Ge3 was found, which may be related to the anisotropy of the film shape and, possibly, to the domain structure. The results obtained are promising for the design and development of magnetocaloric, spintronic, and spin-caloritronic devices on a silicon platform.
Смотреть статью,
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Rautskii M. V., Volkov N. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Tarasov A. S.
Заглавие : Lateral photovoltaic effect in silicon-based hybrid structures under external magnetic field
Колич.характеристики :6 с
Место публикации : Mater. Sci. Semicond. Process. - 2023. - Vol. 167. - Ст.107786. - ISSN 13698001 (ISSN), DOI 10.1016/j.mssp.2023.107786. - ISSN 18734081 (eISSN)
Примечания : Cited References: 32
Аннотация: Charge transport in semiconductor devices is highly sensitive to light, which opens up wide application prospects. The lateral photovoltaic effect (LPE) is widely used in position sensitive detectors due to its high sensitivity to the light spot position. We report on the features of the LPE in silicon-based metal/insulator/semiconductor structures at helium temperatures. To investigate the LPE, Fe/SiO2/p-Si and Mn/SiO2/n-Si structures have been fabricated by molecular beam epitaxy. It has been found by studying the lateral photovoltage that the SiO2/Si interface plays a significant role in transport of photogenerated carriers, mainly via the interface states, which induce electron capture/emission processes at certain temperatures. The value of the photovoltage is likely affected not only by the metallic film thickness, but also by the substrate conductivity type and Schottky barrier. The effect of the magnetic field on the LPE is driven by two mechanisms. The first one is the well-known action of the Lorentz force on photogenerated carriers and the second one is shifting of the interface state energy levels. Basically, the magnetic field suppresses the contribution of the interface states to the LPE, which suggests that the interface-induced transport can be controlled magnetically.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Sukhachev A. L., Rudenko R. Yu., Volochaev M. N., Varnakov S. N., Volkov N. V.
Заглавие : Growth, magnetic and transport properties of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111)
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.59
Примечания : Cited References: 4. - РНФ № 23-22-10033 ; Регион. науч. фонд
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Bondarev I. A., Rautskii M. V., Volkov N. V., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Varnakov S. N., Tarasov A. S.
Заглавие : The role of SiO2/Si interface in magnetic field driven lateral photovoltaic effect in Mn/SiO2/n-Si and Fe/SiO2/p-Si MIS structures
Коллективы : Samarkand International Symposium on Magnetism, Samarkand State University
Место публикации : Book of abstacts of Samarkand International Symposium on Magnetism (SISM-2023)/ int. adv. com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2023. - Ст.3OT-A-8. - P.145. - ISBN 978-5-00202-320-2
Примечания : Cited References: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Sukhachev A. L., Shanidze L. V., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties
Колич.характеристики :14 с
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P.S133-S146. - ISSN 10628738 (ISSN), DOI 10.1134/S1062873823704518. - ISSN 19349432 (eISSN)
Примечания : Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculationsSupported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Rautskii M. V., Sobolev I., Yakovlev I. A., Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic anisotropy and domain structure of epitaxia Mn5Ge3 thin film on Si(111) substrate
Коллективы : International Baltic Conference on Magnetism, Балтийский федеральный университет им. И. Канта
Место публикации : V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM: Book of abstracts. - 2023. - P.151
Примечания : Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226 ; Красноярский регион. фонд науки
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Tarasov I. A., Rauckii M.V., Yakovlev I. A., Kosyrev N. N., Komarov V. A., Shanidze L. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic properties of mn-doped Fe3+xSi1–x films synthesized on soi substrate by low temperature annealing
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. J: Soft and hard magnetic materials. - Ст.J.P24. - P.248-249. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 6. - The research was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Smolyarova T. E.
Заглавие : Synthesis, optical and magnetic properties of Au-Fe3O4 nanohybrids
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. M: Magnetism in biology and medicine. - Ст.M.P9. - P.440-441. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 14
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Барон, Филипп Алексеевич, Шанидзе, Лев Викторович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Михлин Ю. Л., Лукьяненко, Анна Витальевна, Коновалов С. О., Зеленов Ф. В., Швец П. В., Гойхман А. Ю., Волков, Никита Валентинович, Тарасов, Антон Сергеевич
Заглавие : Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур
Место публикации : Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42. - ISSN 0320-0116, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292
Примечания : Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008)
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Илья Александрович
Заглавие : Влияние магнитного поля на спектральные и температурные характеристики фотовольтаического эффекта в структуре Mn/SiO2/n-Si
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт биофизики Сибирского отделения РАН, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН, Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера, Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН
Место публикации : Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXV). - Красноярск: ФИЦ КНЦ СО РАН, 2022. - секция: Физика. - С. 18. - ISBN 978-5-6045249-8-5 (Шифр -757481004)
Примечания : Библиогр.: 3. - Работа выполнена научным коллективом. - Загл. с титул. экрана
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Shanidze, Lev, Bondarev I. A., Baron F. A., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст.2100459. - ISSN 1862-6300, DOI 10.1002/pssa.202100459. - ISSN 1862-6319(eISSN)
Примечания : Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886
Предметные рубрики: NANOSTRUCTURES
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Shanidze, Lev V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Krasitskaya, Vasilisa V., Kichkailo, Anna S., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on Schottky barrier nanowire field effect transistor
Место публикации : Talanta. - 2022. - Vol. 239. - Ст.123092. - ISSN 0039-9140 (ISSN), DOI 10.1016/j.talanta.2021.123092. - ISSN 1873-3573 (eISSN)
Примечания : Cited References: 44. - The reported study was funded by RFBR according to the research project № 20-32-90134. The authors thank RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013) and the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) for financial support. Electron microscopy investigations were conducted with the help of equipment of the Krasnoyarsk Territorial Shared Resource Center, Krasnoyarsk Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Аннотация: A top-down nanofabrication approach involving molecular beam epitaxy and electron beam lithography was used to obtain silicon nanowire-based back gate field-effect transistors with Schottky contacts on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The resulting device is applied in biomolecular detection based on the changes in the drain-source current (IDS). In this context, we have explained the physical mechanisms of charge carrier transport in the nanowire using energy band diagrams and numerical 2D simulations in TCAD. The results of the experiment and numerical modeling matched well and may be used to develop novel types of nanowire-based biosensors.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Platunov M. S., Volochaev M. N., Efimov, Dmitriy D., Goikhman, Aleksandr Yu., Belyaev B. A., Baron F. A., Shanidze, Lev V., Farle M., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties
Коллективы : RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
Место публикации : Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст.131. - ISSN 2079-4991(eISSN), DOI 10.3390/nano12010131
Примечания : Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Предметные рубрики: FILMS
ANISOTROPY
SI(001)
DEVICES
SURFACE
GROWTH
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 x 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Илья Александрович, Рауцкий, Михаил Владимирович, Яковлев, Иван Александрович, Волочаев, Михаил Николаевич, Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Антон Сергеевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Влияние магнитного поля на спектральные и температурные характеристики фотовольтаического эффекта в структуре Mn/SiO2/n-Si
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Конкурс-конференция молодых учёных, аспирантов и студентов
Место публикации : Тезисы Конкурса-конференции молодых учёных, аспирантов и студентов: Красноярск, 31 марта 2022 г. - 2022. - С. 8
Примечания : Библиогр.: 3. - Загл. с титул. экрана
Читать в сети ИФ
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Lukyanenko A. V., Rautskii M. V., Solovyov L., Sukhachev A. L., Volochaev M. N., Efimov D., Goikhman A., Bondarev I. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Sublayer-enhanced growth of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111)
Место публикации : Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 24. - Ст.4365. - ISSN 20794991 (eISSN), DOI 10.3390/nano12244365
Примечания : Cited References: 23. - The research was funded by Russian Science Foundation, project No. 21-12-00226. The RBS experiment was conducted in REC «Functional Nanomaterials», Immanuel Kant Baltic Federal University under the financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: Mn5Ge3 epitaxial thin films previously grown mainly on Ge substrate have been synthesized on Si(111) using the co-deposition of Mn and Ge at a temperature of 390 °C. RMS roughness decreases by almost a factor of two in the transition from a completely polycrystalline to a highly ordered growth mode. This mode has been stabilized by changing the ratio of the Mn and Ge evaporation rate from the stoichiometric in the buffer layer. Highly ordered Mn5Ge3 film has two azimuthal crystallite orientations, namely Mn5Ge3 (001) [1-10] and Mn5Ge3 (001) [010] matching Si(111)[-110]. Lattice parameters derived a (7.112(1) Å) and c (5.027(1) Å) are close to the bulk values. Considering all structural data, we proposed a double buffer layer model suggesting that all layers have identical crystal structure with P6₃/mcm symmetry similar to Mn5Ge3, but orientation and level of Si concentration are different, which eliminates 8% lattice mismatch between Si and Mn5Ge3 film. Mn5Ge3 film on Si(111) demonstrates no difference in magnetic properties compared to other reported films. TC is about 300 K, which implies no significant excess of Mn or Si doping. It means that the buffer layer not only serves as a platform for the growth of the relaxed Mn5Ge3 film, but is also a good diffusion barrier.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Shanidze L. V., Rautskiy M. V., Mikhlin Yu. L., Lukyanenko A. V., Konovalov S. O., Zelenov F. V., Shvets P. V., Goikhman A. Yu., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P.74-77. - ISSN 10637850 (ISSN), DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - ISSN 10906533 (eISSN)
Примечания : Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Смотреть статью
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Sukhachev A. L., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybryd structures: synthesys, magnetic and transport properties
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect.: Spintronics and magnetic nanostructures. - Ст.A.O2. - P.31-32. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 10. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory
Материалы симпозиума, ,
Найти похожие