Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Рауцкий, Михаил Владимирович$<.>)

Общее количество найденных документов : 142
Показаны документы с 1 по 20

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Иван Анатольевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Бондарев, Илья Александрович, Шанидзе Лев Викторович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Методы формирования низкоразмерных структур из тонких магнитных плёнок для устройств спинтроники
Коллективы : Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Новосибирский государственный университет, Новосибирский государственный технический университет, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Научный совет РАН по физике низких температур
Место публикации : XIII Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2021): сб. тезисов докладов/ сопредс., чл. прогр. ком. С. Г. Овчинников и др. - 2021. - С. 48. - ISBN 978-5-90168-835-9
Примечания : Библиогр.: 4. - Работа выполнена при финансовой поддержке Правительства Российской Федерации в рамках гранта на создание лабораторий мирового уровня (Соглашение
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Rautskiy M. V., Zelenov F. V., Konovalov S. O., Nemtsev I. V., Voloshin A. S., Tarasov I. A., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Cu-doped TiNxOy thin film resistors DC/RF performance and reliability
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Appl. Sci. - 2021. - Vol. 11, Is. 16. - Ст.7498. - ISSN 2076-3417(eISSN), DOI 10.3390/app11167498
Примечания : Cited References: 13. - This research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project code 20-42-240013 and by Grant of the Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories (contract No. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: GROWTH
Аннотация: We fabricated Cu-doped TiNxOy thin film resistors by using atomic layer deposition, optical lithography, dry etching, Ti/Cu/Ti/Au e-beam evaporation and lift-off processes. The results of the measurements of the resistance temperature dependence, non-linearity, S-parameters at 0.01–26 GHz and details of the breakdown mechanism under high-voltage stress are reported. The devices’ sheet resistance is 220 ± 8 Ω/□ (480 ± 20 µΩ*cm); intrinsic resistance temperature coefficient (TCR) is ~400 ppm/°C in the T-range of 10–300 K; and S-parameters versus frequency are flat up to 2 GHz with maximum variation of 10% at 26 GHz. The resistors can sustain power and current densities up to ~5 kW*cm−2 and ~2 MA*cm−2, above which they switch to high-resistance state with the sheet resistance equal to ~200 kΩ/□ (~0.4 Ω*cm) caused by nitrogen and copper desorption from TiNxOy film. The Cu/Ti/TiNxOy contact is prone to ageing due to gradual titanium oxidation while the TiNxOy resistor body is stable. The resistors have strong potential for applications in high-frequency integrated and hybrid circuits that require small-footprint, medium-range resistors of 0.05–10 kΩ, with small TCR and high-power handling capability.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Денисова, Елена Александровна, Чеканова, Лидия Александровна, Комогорцев, Сергей Викторович, Ли О.А., Рауцкий, Михаил Владимирович, Немцев, Иван Васильевич, Исхаков, Рауф Садыкович
Заглавие : Ферромагнитный резонанс Со-Ni композитных наностержней, осажденных в поликарбонатные мембраны
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст.11-35-38
Примечания : Библиогр.: 4. - Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта No 20-43-240003
Аннотация: Пористый полимер, наполненный сегментированными наностержнями из магнитного металла, перспективен для создания новых микроволновых устройств. Массивы двухсегментных стержней Ni/Co и коаксиальных стержней Ni@Co получены методом химического осаждения в поликарбонатную трековую мембрану. Внутреннее эффективное магнитное поле магнитных композитных наностержней, упорядоченных на немагнитной подложке, исследовано с помощью ферромагнитного резонанса. Установлено влияние межфазных границ для двух типов стержней на эффективное поле. Обнаружено, что характеристиками ФМР можно управлять с помощью конструкции стержня (ядро-оболочка или двухсегментный стержень), свойств матрицы (пористость) и условий химического осаждения.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Denisova E. A., Chekanova L. A., Komogortsev S. V., Rautsky M. V., Nemtsev I. V., Iskhakov R. S., Plotnikov V. S., Tkachev V. V., Li O. A., Dolgopolova M. V.
Заглавие : Core-shell and bi-segmented cobalt-nickel nanorods prepared by electroless deposition
Место публикации : IEEE Trans. Magn. - 2022. - Vol. 58, Is. 2. - Ст.2300805. - ISSN 00189464 (ISSN), DOI 10.1109/TMAG.2021.3098747
Примечания : Cited References: 27. - This work was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-43-240003. The authors thank the Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center“ Krasnoyarsk Science Center SB RAS” for the provided equipment
Аннотация: A porous polymer loaded with segmented nanorods of magnetic metal is very promising for the design of novel microwave devices. Arrays of bi-segmented Ni/Co and core-shell Ni@Co rods were prepared by electroless deposition into porous of polycarbonate track etched membrane. An intrinsic effective magnetic field of the magnetic composite nanorods aligned in the nonmagnetic template was studied by magnetization curves and ferromagnetic resonance. The effect of the interface boundaries for two types of bi-segmented rods with coaxial and along-axis Co/Ni segmentation to effective field was established.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Vazhenina I. G., Iskhakov R. S., Milyaev M. A., Naumova L. I., Rautskii M. V.
Заглавие : Spin Wave Resonance in the [(Co0.88Fe0.12)/Cu]N Synthetic Antiferromagnet
Коллективы : Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [AAAA-A18-118020290104-2]; Russian Foundation for Basic ResearchRussian Foundation for Basic Research (RFBR) [20-42-660018]
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2020. - Vol. 46, Is. 11. - P.1076-1079. - ISSN 1063-7850, DOI 10.1134/S1063785020110140. - ISSN 1090-6533(eISSN)
Примечания : Cited References: 19. - This study was carried out under a state order of the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (theme "Spin" no. AAAA-A18-118020290104-2) and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research (project no. 20-42-660018)
Предметные рубрики: MAGNETIC-PROPERTIES
MAGNETORESISTANCE
SPECTRUM
FILMS
Аннотация: The [(Co0.88Fe0.12)/Cu]N synthetic antiferromagnet has been investigated by the spin wave resonance method over the entire range of angles of an external dc magnetic field to the film surface normal. The investigations have shown that the superlattice under study consists of two exchange-coupled magnetic subsystems, each manifested in the recorded spectra as a series of spin-wave modes. The dependence of the linear region of propagation of a standing spin-wave mode on the sample orientation in an external magnetic field has been established.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International workshop on functional MAX-materials, Kirensky Institute of Physics
Место публикации : International workshop on functional MAX-materials (1st FunMax). - 2020. - P.15
Примечания : Cited references: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Mikhlin, Yurii L., Molokeev M. S., Rautskiy M. V., Tarasov I. A., Volochaev M. N., Shanidze L. V., Lukyanenko A. V., Smolyarova T. E., Konovalov, Stepan O., Zelenov, Fyodor, V, Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Structural, optical, and electronic properties of Cu-doped TiNxOy grown by ammonothermal atomic layer deposition
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2021. - Vol. 13, Is. 27. - P.32531-32541. - ISSN 1944-8244, DOI 10.1021/acsami.1c08036. - ISSN 1944-8252(eISSN)
Примечания : Cited References: 69. - This research was funded by the RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (project code 20-42-240013) and by the grant of the Government of the Russian Federation for Creation of World Tier Laboratories (contract no. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: OXYNITRIDE THIN-FILMS
TITANIUM-NITRIDE
CONFORMAL TIN
Аннотация: Copper-doped titanium oxynitride (TiNxOy) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) using the TiCl4 precursor, NH3, and O2 at 420 °C. Forming gas was used to reduce the background oxygen concentration and to transfer the copper atoms in an ALD chamber prior to the growth initiation of Cu-doped TiNxOy. Such forming gas-mediated Cu-doping of TiNxOy films had a pronounced effect on their resistivity, which dropped from 484 ± 8 to 202 ± 4 μΩ cm, and also on the resistance temperature coefficient (TCR), which decreased from 1000 to 150 ppm °C–1. We explored physical mechanisms causing this reduction by performing comparative analysis of atomic force microscopy, X-ray photoemission spectroscopy, X-ray diffraction, optical spectra, low-temperature transport, and Hall measurement data for the samples grown with and without forming gas doping. The difference in the oxygen concentration between the films did not exceed 6%. Copper segregated to the TiNxOy surface where its concentration reached 0.72%, but its penetration depth was less than 10 nm. Pronounced effects of the copper doping by forming gas included the TiNxOy film crystallite average size decrease from 57–59 to 32–34 nm, considerably finer surface granularity, electron concentration increase from 2.2(3) × 1022 to 3.5(1) × 1022 cm–3, and the electron mobility improvement from 0.56(4) to 0.92(2) cm2 V–1 s–1. The DC resistivity versus temperature R(T) measurements from 4.2 to 300 K showed a Cu-induced phase transition from a disordered to semimetallic state. The resistivity of Cu-doped TiNxOy films decreased with the temperature increase at low temperatures and reached the minimum near T = 50 K revealing signatures of the quantum interference effects similar to 2D Cu thin films, and then, semimetallic behavior was observed at higher temperatures. In TiNxOy films grown without forming gas, the resistivity decreased with the temperature increase as R(T) = – 1.88T0.6 + 604 μΩ cm with no semimetallic behavior observed. The medium range resistivity and low TCR of Cu-doped TiNxOy make this material an attractive choice for improved matching resistors in RF analog circuits and Si complementary metal–oxide–semiconductor integrated circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Ruseikina A. V., Molokeev M. S., Chernyshev V. А., Aleksandrovsky A. S., Krylov A. S., Krylova S. N., Velikanov D. A., Grigoriev M. V., Maximov N. G., Shestakov N. P., Garmonov A. A., Matigorov A. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Khritokhin N. А., Melnikova L. V., Tretyakov N. Y.
Заглавие : Synthesis, structure, and properties of EuScCuS3 and SrScCuS3
Место публикации : J. Solid State Chem. - 2021. - Vol. 296. - Ст.121926. - ISSN 00224596 (ISSN), DOI 10.1016/j.jssc.2020.121926
Примечания : Cited References: 72. - The work was supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation under Project No. FEUZ-2020-0054; by RFBR Grant 18-02-00754 ; by the “UMNIK” program research project № 14977GY/2019; by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (contract no. 05.594.21.0019 , unique identification number RFMEFI59420X0019). Maxim S. Molokeev, Anton S. Tarasov and Mikhail V. Rautskii acknowledge additional funding from Research Grant No. 075-15-2019-1886 from the Government of the Russian Federation. The subset research was performed in Research Resource Center “Natural Resource Management and Physico-Chemical Research.” The use of equipment of Krasnoyarsk Regional Center of Research Equipment of Federal Research Center « Krasnoyarsk Science Center SB RAS» is acknowledged
Аннотация: The crystal structures of the first-synthesized compound EuScCuS3 and previously known SrScCuS3 are refined by Rietveld analysis of X-ray powder diffraction data. The structures are found to belong to orthorhombic crystal system, space group Cmcm, structural type KZrCuS3, with a = 3.83413(3) Å, b = 12.8625(1) Å, c = 9.72654(8) Å (SrScCuS3) and a = 3.83066(8) Å, b = 12.7721(3) Å, c = 9.7297(2) Å (EuScCuS3). The temperatures and enthalpies of incongruent melting are the following: Тm = 1524.5 К, ΔHm = 21.6 kJ•mol−1 (SrScCuS3), and Тm = 1531.6 К, ΔHm = 26.1 kJ•mol−1 (EuScCuS3). Ab initio calculations of the crystal structure and phonon spectrum of the compounds were performed. The types and wavenumbers of fundamental modes were determined and the involvement of ions participating in the IR and Raman modes was assessed. The experimental IR and Raman spectra were interpreted. EuScCuS3 manifests a ferromagnetic transition at 6.4 K. The SrScCuS3 compound is diamagnetic. The optical band gaps were found to be 1.63 eV (EuScCuS3) and 2.24 eV (SrScCuS3) from the diffuse reflectance spectra. The latter value is in good agreement with that calculated by the DFT method. The narrower band gap of EuScCuS3 is explained by the presence of 4f-5d transition in Eu2+ ion that indicates a possibility to control the band gap of the chalcogenides by the inclusion of Eu. The activation energy of crystal structure defects, being the source of additional absorption in the NIR spectral range, was found to be 0.29 eV.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Denisova E. A., Chekanova L. A., Komogortsev S. V., Rautskii M. V., Nemtsev I. V., Iskhakov R. S., Tkachev V. V., Plotnikov V. S., Dolgopolova M. V.
Заглавие : Core-shell and Bi-segmented cobalt-nickel nanorods prepared by electroless deposition
Коллективы : IEEE International Magnetics Conference
Место публикации : IEEE International Magnetics Virtual Conference (INTERMAG'21): Digest book. - 2021. - P.1342
Примечания : Cited References: 2. - This work was funded by the RFBR, the Government of the Krasnoyarsk Territory, the KRFS (project no. 20-43-240003)
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Patrin G. S., Turpanov I.A., Kobyakov A.V., Patrin K. G., Yushkov V. I., Li L. A., Petrakovskaya E. A., Rautskii M. V.
Заглавие : Physical Properties of Co/Ge/Co films
Коллективы : Moscow International Symposium on Magnetism
Место публикации : Moscow Int. Symp. on Magnet. (MISM-2011): Book of abstracts. - 2011. - Ст.22PO-I-5. - P.104
Примечания : Библиогр.: 2. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, project no. 11-02-00675-а
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Eremin E. V., Rauckii M. V., Shaikhutdinov K. A., Petrov M. I., Leksikov An. A.
Заглавие : Magnetically driven high-frequency rectification in a cooperative system of magnetic tunnel junctions: Frequency dependence
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater. - 2011. - Vol. 323, Is. 7. - P.1001-1005. - APR. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2010.11.096
Примечания : Cited Reference Count: 9. - Гранты: This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Project no. 08-02-00259-a and the Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences, Program "Spin-dependent Effects in Solids and Spintronics", Project no. 2.4.2 of the Siberian Branch of the RAS, and Integration Programs of the Siberian Branch of the RAS, Projects nos. 5 and 134.Финансирующая организация: Russian Foundation for Basic Research [08-02-00259-a]; Division of Physical Sciences of the Russian Academy of Sciences; Siberian Branch of the RAS [2.4.2, 5, 134]
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): magnetic tunnel junction--high-frequency rectification--spintronics--high-frequency rectification--magnetic tunnel junction--spintronics--absorption lines--conducting grains--cooperative systems--different frequency--frequency dependence--high frequency hf--magnetic field dependences--magnetic tunnel junction--microwave radiations--polycrystalline--radiation frequencies--ramified network--rectification effects--rectified voltage--spin-polarized currents--spintronics--electric rectifiers--magnetic devices--magnetic fields--magnetic resonance--manganese oxide--nanotechnology--tunnel junctions
Аннотация: The effect of magnetically driven high-frequency rectification in a polycrystalline La0.7Ca0.3MnO3 manganite has been measured at different frequencies of microwave radiation. The magnetic field dependence of a rectified voltage has a broad peak resembling an absorption line, whose shape and position are determined by the radiation frequency. The rectification effect in a polycrystalline manganite sample is related to a ramified network of magnetic tunnel junctions, which is formed by ferromagnetic conducting grains with insulator boundaries. The results of measurements are consistent with a model for the magneto-dependent rectification effect based on the interplay between a spin-polarized current through the tunnel junctions and magnetic resonance induced in the grains forming the junctions. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
WOS,
Scopus,
eLibrary
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Петраковская, Элеонора Анатольевна, Ищенко Л. А.
Заглавие : Измерения ЭМР наночастиц ферригидрита, синтезированных бактериальной культурой Klebsiella oxytoca
Коллективы : Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения РАН, "Магнитный резонанс в химической и биологической физике", всероссийская молодежная школа, Международный томографический центр СО РАН
Место публикации : Всерос. молодежн. шк. с междунар. участием "Магнитн. резонанс в хим. и биол. физике": 6-10 сент. 2010, Новосибирск : программа и тез. докл. - Новосибирск, 2010. - С. 90
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Rautskii M. V., Smolyakov D. A., Eremin E. V., Patrin G. S., Turpanov I. A., Jushkov V. I., Lee L. A.
Заглавие : Spin pumping and conversion of spin current into charge current in Co/Y3Fe5012 bilayer structure
Коллективы : "Spin Waves", International Simposium, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Место публикации : Spin Waves 2011, Int. Symp.: program, abstracts. - СПб., 2011. - P.73
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Platunov M. S., Volochaev M. N., Efimov, Dmitriy D., Goikhman, Aleksandr Yu., Belyaev B. A., Baron F. A., Shanidze, Lev V., Farle M., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties
Коллективы : RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
Место публикации : Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст.131. - ISSN 2079-4991(eISSN), DOI 10.3390/nano12010131
Примечания : Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Предметные рубрики: FILMS
ANISOTROPY
SI(001)
DEVICES
SURFACE
GROWTH
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 x 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Samoshkina Yu. E., Rautskii M. V., Neznakhin D. S., Stepanova E., Andreev N. V., Chichkov V. I.
Заглавие : High-temperature martensitic transformation in Pr-Sr manganites
Коллективы : IEEE International Magnetics Conference
Место публикации : IEEE International Magnetics Virtual Conference (INTERMAG'21): Digest book. - 2021. - Ст.DP-08. - P.686
Примечания : Cited References: 8
Читать в сети ИФ
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kobyakov A. V., Patrin G. S., Turpanov I. A., Li L. A., Patrin K. G., Yushkov V. I., Petrakovskaya E. A., Rautskii M. V.
Заглавие : Interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayers
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Solid State Phenomena. - 2011. - Vol. 168-169. - P.273-276. - ISSN 10120394 ; 9783037850213, DOI 10.4028/www.scientific.net/SSP.168-169.273
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): electron magnetic resonance--interlayer coupling--magnetization--magnetoresistance--semiconductor spacer--trilayer films--electric resistance--magnetic field effects--magnetization--magnetoelectronics--magnetoresistance--magnetic resonance--magnetism--magnetization--magnetoresistance--electron magnetic resonance--exchange constants--interlayer coupling--semiconductor spacer--squid magnetometry--temperature dependent--trilayer film--trilayers--magnetic resonance--cobalt
Аннотация: The interlayer coupling in Co/Ge/Co trilayer films has been experimentally studied by the SQUID magnetometry and electron magnetic resonance. It has been found that the interlayer coupling is temperature-dependent. The values of the exchange constants have been determined.
Scopus,
eLibrary,
eLibrary
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Рауцкий, Михаил Владимирович, Тарасов, Антон Сергеевич, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Исследование влияния оптического излучения на низкотемпературный магнитоимпеданс в гибридной структуре Fe/Al2O3/p-Si
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников. - 2021. - Секция 7: Кинетические эффекты в магнетиках. - С. 15-16
Примечания : Библиогр.: 1
Материалы конференции,
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Volochaev M. N., Lukyanenko A. V., Mikhlin Yu. L., Molokeev M. S., Rautskii M. V., Smolyarova T. E., Shanidze L. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Effect of the forming gas ALD chamber preconditioning on the physical properties of TiN1-xOx films
Коллективы : International Online Workshop on the properties of Functional MAX-materials, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : 1st FunMAX Workshop 2020: Book of Abstracts/ , Ин-т физики им. Л.В. Киренского. - 2020. - P15
Примечания : Cited References: 1
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Vazhenina I. G., Iskhakov R. S., Rautskii M. V., Milyaev M. A., Naumova L. I., Klepikova A. S.
Заглавие : Angular dependences of uniform and non-uniform ferromagnetic resonance in multilayer films
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.B.P19. - P.193. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 2. - The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Regional Fund of Science to the research project No 18-42-243005 ”Synthesis and investigation of magnetic properties of gradient materials that are characterized by predetermine type of the magnetic parameter change”.
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

20.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Sokolov V. V., Malakhovskii A. V., Gudim I. A., Rautskii M. V.
Заглавие : Magnetic circular dichroism of 5 I8 5F5 transition in HoAl3(BO3)4 and HoFe3(BO3)4 crystals
Коллективы : Российская академия наук, Уральское отделение РАН, Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Российский фонд фундаментальных исследований, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : Euro-asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2019): Book of abstracts/ чл. конс. ком.: S. G. Ovchinnikov, N. V. Volkov [et al.] ; чл. прогр. ком. D. M. Dzebisashvili [et al.]. - 2019. - Vol. 1. - Ст.E.P2. - P.423-424. - ISBN 978-5-9500855-7-4 (Шифр В33/E12-125657784)
Примечания : Cited References: 4. - Support by the Russian Foundation for Basic Researches grant 19-02-00034 is acknowledged
Материалы симпозиума,
Читать в клокальной сети ИФ
Найти похожие