Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Шанидзе, Лев Викторович$<.>)

Общее количество найденных документов : 25
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-25

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Shanidze, Lev, Bondarev I. A., Baron F. A., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Volochaev M. N., Volkov N. V.
Заглавие : Effect of magnetic and electric fields on the AC resistance of a silicon-on-insulator-based transistor-like device
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240013]; Government of the Russian Federation; Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Phys. Status Solidi A. - 2022. - Vol. 219. Is. 1. - Ст.2100459. - ISSN 1862-6300, DOI 10.1002/pssa.202100459. - ISSN 1862-6319(eISSN)
Примечания : Cited References: 19. - The authors thank the Krasnoyarsk Territorial Center for Collective Use, Krasnoyarsk Scientific Center of the SB RAS, for electron microscope investigations. This study was supported by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013, and by the Government of the Russian Federation, the Mega-grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories, agreement no. 075-15-2019-1886
Предметные рубрики: NANOSTRUCTURES
Аннотация: Herein, the AC magnetoresistance (MR) in the silicon-on-insulator (SOI)-based Fe/Si/SiO2/p-Si structure is presented. The structure is used for fabricating a back-gate field-effect pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) device. The effects of the magnetic field and gate voltage on the transport characteristics of the device are investigated. Magnetoimpedance value of up to 100% is obtained due to recharging of the impurity and surface centers at the insulator/semiconductor interface. A resistance variation of up to 1000% is found, which is caused by the voltage applied to the gate and the field effect on the band structure of the sample. Combining the magnetic and electric fields, one can either change the absolute value of the AC resistance while having the MR fixed or change the sign and character of the field dependence of the MR. The observed effects can be used in the development of magnetic-field-driven SOI-based devices and high-frequency circuits.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyarova T. E., Shanidze, Lev V., Lukyanenko A. V., Baron F. A., Krasitskaya, Vasilisa V., Kichkailo, Anna S., Tarasov A. S., Volkov N. V.
Заглавие : Protein biosensor based on Schottky barrier nanowire field effect transistor
Место публикации : Talanta. - 2022. - Vol. 239. - Ст.123092. - ISSN 0039-9140 (ISSN), DOI 10.1016/j.talanta.2021.123092. - ISSN 1873-3573 (eISSN)
Примечания : Cited References: 44. - The reported study was funded by RFBR according to the research project № 20-32-90134. The authors thank RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science (projects nos. 20-42-243007 and 20-42-240013) and the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886) for financial support. Electron microscopy investigations were conducted with the help of equipment of the Krasnoyarsk Territorial Shared Resource Center, Krasnoyarsk Scientific Center, Russian Academy of Sciences
Аннотация: A top-down nanofabrication approach involving molecular beam epitaxy and electron beam lithography was used to obtain silicon nanowire-based back gate field-effect transistors with Schottky contacts on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The resulting device is applied in biomolecular detection based on the changes in the drain-source current (IDS). In this context, we have explained the physical mechanisms of charge carrier transport in the nanowire using energy band diagrams and numerical 2D simulations in TCAD. The results of the experiment and numerical modeling matched well and may be used to develop novel types of nanowire-based biosensors.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Tarasov I. A., Yakovlev I. A., Rautskii M. V., Bondarev I. A., Lukyanenko A. V., Platunov M. S., Volochaev M. N., Efimov, Dmitriy D., Goikhman, Aleksandr Yu., Belyaev B. A., Baron F. A., Shanidze, Lev V., Farle M., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties
Коллективы : RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
Место публикации : Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст.131. - ISSN 2079-4991(eISSN), DOI 10.3390/nano12010131
Примечания : Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Предметные рубрики: FILMS
ANISOTROPY
SI(001)
DEVICES
SURFACE
GROWTH
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 x 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Бондарев, Илья Александрович, Шанидзе, Лев Викторович
Заглавие : Исследование магниточувствительного латерального фотовольтоического эффекта в гибридной структурЕ Mn/SiO2/n-Si в широком спектральном диапазоне
Коллективы : "Новое в магнетизме и магнитных материалах", международная конференция, Научный совет по физике конденсированных сред РАН, МИРЭА - Российский технологический университет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Магнитное общество России
Место публикации : Новое в магнетизме и магнитных материалах: сборник трудов XXIV международной конференции/ прогр. ком.: Р. С. Исхаков, С. Г. Овчинников [и др.]. - 2021. - Секция 11: Магнитные наноструктуры. - Ст.11-88-89
Примечания : Библиогр.: 1
Аннотация: Работа посвящена исследованию латерального фотовольтаического эффекта в гибридной структуре Mn/SiO2/n-Si. Подобные структуры находят широкое применение в магнитооптических датчиках и устройствах спинтроники. В ходе работы были проведены измерения латерального и поперечного фотонапряжения индуцированного оптическим излучением широкого спектра, а также изучено влияние магнитного поля на фотовольтаический эффект.The work is devoted to the study of lateral photovoltaic effect in the Mn/SiO2/n-Si hybrid structure. Such structures are widely applied in magneto-optical sensors and spintronic devices. Lateral and transverse photovoltage, induced by optical irradiation in a wide spectrum range had been measured and magnetic field effect on photovoltaic effect had been investigated.
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Shanidze L. V., Tarasov A. S., Rautskiy M. V., Zelenov F. V., Konovalov S. O., Nemtsev I. V., Voloshin A. S., Tarasov I. A., Baron F. A., Volkov N. V.
Заглавие : Cu-doped TiNxOy thin film resistors DC/RF performance and reliability
Коллективы : RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-240013]; Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories [075-15-2019-1886]
Место публикации : Appl. Sci. - 2021. - Vol. 11, Is. 16. - Ст.7498. - ISSN 2076-3417(eISSN), DOI 10.3390/app11167498
Примечания : Cited References: 13. - This research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project code 20-42-240013 and by Grant of the Government of the Russian Federation for Creation ofWorld Tier Laboratories (contract No. 075-15-2019-1886)
Предметные рубрики: GROWTH
Аннотация: We fabricated Cu-doped TiNxOy thin film resistors by using atomic layer deposition, optical lithography, dry etching, Ti/Cu/Ti/Au e-beam evaporation and lift-off processes. The results of the measurements of the resistance temperature dependence, non-linearity, S-parameters at 0.01–26 GHz and details of the breakdown mechanism under high-voltage stress are reported. The devices’ sheet resistance is 220 ± 8 Ω/□ (480 ± 20 µΩ*cm); intrinsic resistance temperature coefficient (TCR) is ~400 ppm/°C in the T-range of 10–300 K; and S-parameters versus frequency are flat up to 2 GHz with maximum variation of 10% at 26 GHz. The resistors can sustain power and current densities up to ~5 kW*cm−2 and ~2 MA*cm−2, above which they switch to high-resistance state with the sheet resistance equal to ~200 kΩ/□ (~0.4 Ω*cm) caused by nitrogen and copper desorption from TiNxOy film. The Cu/Ti/TiNxOy contact is prone to ageing due to gradual titanium oxidation while the TiNxOy resistor body is stable. The resistors have strong potential for applications in high-frequency integrated and hybrid circuits that require small-footprint, medium-range resistors of 0.05–10 kΩ, with small TCR and high-power handling capability.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Лукьяненко, Анна Витальевна, Тарасов, Иван Анатольевич, Рауцкий, Михаил Владимирович, Смолярова, Татьяна Евгеньевна, Бондарев, Илья Александрович, Шанидзе Лев Викторович, Волков, Никита Валентинович
Заглавие : Методы формирования низкоразмерных структур из тонких магнитных плёнок для устройств спинтроники
Коллективы : Сибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Новосибирский государственный университет, Новосибирский государственный технический университет, Сибирский федеральный университет, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Научный совет РАН по физике низких температур
Место публикации : XIII Cибирский семинар по высокотемпературной сверхпроводимости и физике наноструктур (ОКНО-2021): сб. тезисов докладов/ сопредс., чл. прогр. ком. С. Г. Овчинников и др. - 2021. - С. 48. - ISBN 978-5-90168-835-9
Примечания : Библиогр.: 4. - Работа выполнена при финансовой поддержке Правительства Российской Федерации в рамках гранта на создание лабораторий мирового уровня (Соглашение
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Baron F. A., Shanidze L. V., Rautskiy M. V., Mikhlin Yu. L., Lukyanenko A. V., Konovalov S. O., Zelenov F. V., Shvets P. V., Goikhman A. Yu., Volkov N. V., Tarasov A. S.
Заглавие : Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors
Место публикации : Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48, Is. 10. - P.74-77. - ISSN 10637850 (ISSN), DOI 10.21883/TPL.2022.10.54805.19292. - ISSN 10906533 (eISSN)
Примечания : Cited References: 14. - This study was supported financially by the Russian Foundation for Basic Research, the Government of Krasnoyarsk Krai, and the Krasnoyarsk Krai Foundation of Science as part of scientific project No. 20-42-240013. The Rutherford backscattering study of samples was performed at Research and Education Center ” Functional Nanomaterials“ of the Baltic Federal University with financial support from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008)
Аннотация: The temperature dependence of the resistivity of titanium oxynitride TiNxOy thin films with different oxygen and nitrogen content obtained by atomic layer deposition was investigated. We found that the resistance of all films monotonically decreased with increasing temperature and varied within a wide range depending on the chemical composition and thickness of the film. The technology for obtaining a compact temperature sensor of wide range from helium to room temperature based on 40 nm thick TiN0.87O0.97 is presented.
Смотреть статью
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Шанидзе, Лев Викторович
Заглавие : Низкотемпературный транспорт пленок TiNxOy легированных Cu, выращенных методом атомно-слоевого осаждения
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Институт биофизики Сибирского отделения РАН, Институт химии и химической технологии Сибирского отделения РАН, Институт вычислительного моделирования Сибирского отделения РАН, Институт леса им. В. Н. Сукачева Сибирского отделения РАН, Научно-исследовательский институт медицинских проблем Севера, Междисциплинарная конференция молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН
Место публикации : Тезисы докладов Междисциплинарной конференции молодых ученых ФИЦ КНЦ СО РАН (КМУ-XXVI). - Красноярск: ИФ СО РАН, 2023. - Секция "Физика". - С. 30. - ISBN 978-5-6045250-7-4
Примечания : Библиогр.: 4
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Tarasov A. S., Lukyanenko A. V., Yakovlev I. A., Tarasov I. A., Bondarev I. A., Sukhachev A. L., Shanidze L. V., Smolyakov D. A., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Volkov N. V.
Заглавие : Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybrid structures: Synthesis, magnetic and transport properties
Колич.характеристики :14 с
Место публикации : Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys. - 2023. - Vol. 87, Suppl. 1. - P.S133-S146. - ISSN 10628738 (ISSN), DOI 10.1134/S1062873823704518. - ISSN 19349432 (eISSN)
Примечания : Cited References: 54. - The authors thank the laboratory of Magnetic MAX Materials created under Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Branch, Russian Academy of Sciences) for assistance. The authors also thank Professor B.A. Belyaev for FMR calculationsSupported by the Russian Science Foundation, grant no. 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Аннотация: Planar and vertical hybrid structures, which combine ferromagnetic and semiconductor layers are essential for implementation and study of spin transport phenomena in semiconductors, which is crucial for the advancement and development of spintronics. We have developed approaches for the synthesis of Fe3 + xSi1 – x epitaxial thin films and demonstrated the spin accumulation effect in multiterminal devices based on Fe3 + xSi1 – x/Si. Fe3 + xSi1 – x/Ge/Fe3Si and Fe3 + xSi1 – x/Ge/Mn5Ge3 multilayer hybrid structures were synthesized on a Si(111) substrate, study of their structural, magnetic and transport properties were performed. The effect of synthesis conditions on the growth of epitaxial structures and on their magnetic and transport properties was discussed. The results obtained may prove valuable in the development and fabrication of spintronic devices.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lukyanenko A. V., Tarasov A. S., Tarasov I. A., Rauckii M.V., Yakovlev I. A., Kosyrev N. N., Komarov V. A., Shanidze L. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G., Patrin G. S., Volkov N. V.
Заглавие : Magnetic properties of mn-doped Fe3+xSi1–x films synthesized on soi substrate by low temperature annealing
Коллективы : Российская академия наук, Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН, Казанский (Приволжский) федеральный университет, Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium
Место публикации : VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022): Book of abstracts/ program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. J: Soft and hard magnetic materials. - Ст.J.P24. - P.248-249. - ISBN 978-5-94469-051-7
Примечания : Cited References: 6. - The research was funded by Krasnoyarsk Regional Fund of Science
Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Найти похожие