Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Rautskii, M. V.$<.>)
Общее количество найденных документов : 134
Показаны документы с 1 по 20
1.


   
    Strain-induced charge ordering above room temperature in rare-earth manganites / Yu. Samoshkina, M. Rautskii, D. Neznakhin [et al.] // Dalton Trans. - 2024. - Vol. 53, Is. 12. - P. 5721-5731, DOI 10.1039/D3DT04299E. - Cited References: 52 . - ISSN 1477-9226. - ISSN 1477-9234
Аннотация: Most known mixed manganites containing rare-earth elements demonstrate a pronounced charge ordering (CO) state below room temperature. The behavior of the magnetic susceptibility and electronic magnetic resonance of polycrystalline Pr1−xSrxMnO3/YSZ (x = 0.2 and x = 0.4) films without a pronounced texture indicates the formation of the CO phase in the samples at temperatures close to and above room temperature. Moreover, this phase manifests itself with a typical sign of martensitic transformation.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk 660036, Russia
Institute of Natural Sciences and Mathematics, Ural Federal University, Yekaterinburg 620002, Russia
National University of Science and Technology (NUST “MISIS”), Moscow 119991, Russia
Research and Education Center “Smart Materials and Biomedical Applications”, Immanuel Kant Baltic Federal University, Kaliningrad 236041, Russia
Boreskov Institute of Catalysis, Novosibirsk, 630090, Russia
Moscow Technical University of Communication and Informatics, Moscow 111024, Russia

Доп.точки доступа:
Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Neznakhin, D.; Stepanova, E.; Andreev, N.; Chichkov, V.; Zaikovskii, V.; Chernichenko, A.
}
Найти похожие
2.


   
    Structure, magnetic and magnetocaloric properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) / A. S. Tarasov, S. V. Komogortsev, A. V. Lukyanenko [et al.] // J. Mater. Sci. - 2024. - Vol. 59, Is. 21. - P. 9423-9436, DOI 10.1007/s10853-024-09755-6. - Cited References: 79. - The study was supported by the Russian Science Foundation Grant of the № 23-22-10033, https://rscf.ru/project/23-22-10033/, Krasnoyarsk Regional Fund of Science. The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance . - ISSN 0022-2461. - ISSN 1573-4803
Аннотация: Mn5Ge3 is a ferromagnetic hexagonal crystal promising for spintronics and magnetocalorics. A systematic study and analysis of the magnetic properties of the Mn5Ge3 thin film grown on Si(111) were performed. The magnetic anisotropy of the film is determined by the shape anisotropy and the easy magnetization axis aligned along the c axis of the crystal. The uniaxial anisotropy constant Ku fully corresponds to that for a bulk single crystal, which indicates that c axis coincides with film normal. Mn5Ge3 film demonstrates high saturation magnetization MS = 900 emu/cm3 (900 kA/m) at T = 100 K and magnetocaloric effect ΔS = 3.16 ± 0.22 J kg−1 K−1 at 300 K and B = 1.5 T. ΔS is comparable to that for multicomponent or Gd rare earth films. Furthermore, a different anisotropy of the magnetocaloric effect compared to bulk Mn5Ge3 was found, which may be related to the anisotropy of the film shape and, possibly, to the domain structure. The results obtained are promising for the design and development of magnetocaloric, spintronic, and spin-caloritronic devices on a silicon platform.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Federal Research Center KSC SB RAS, Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk, Russia, 660036
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia, 660037
Federal Research Center KSC SB RAS, Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk, Russia, 660036

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Solovyov, L. A.; Andryushchenko, T. A.; Андрющенко, Татьяна Александровна; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович
}
Найти похожие
3.


   
    Growth process, structure and electronic properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films prepared by magnetron sputtering / A. S. Tarasov, S. A. Lyaschenko, M. V. Rautskii [et al.] // Processes. - 2023. - Vol. 11, Is. 8. - Ст. 2236, DOI 10.3390/pr11082236. - Cited References: 43. - This study was supported by the Russian Science Foundation, project no. 21-12-00226. - The authors thank the laboratory of the Magnetic MAX Materials created under the Megagrant project (agreement no. 075-15-2019-1886) for providing experimental equipment and the Collective Use Center at the Krasnoyarsk Scientific Center (Siberian Division, Russian Academy of Sciences) for assistance . - ISSN 2227-9717
Кл.слова (ненормированные):
MAX phase -- thin film -- magnetron sputtering -- electronic transport -- optical spectra
Аннотация: The growth and phase formation features, along with the influence of structure and morphology on the electronic, optical, and transport properties of Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC MAX phase thin films synthesized by magnetron sputtering technique, were studied. It was found that the Cr:Ge:C atomic ratios most likely play the main role in the formation of a thin film of the MAX phase. A slight excess of carbon and manganese doping significantly improved the phase composition of the films. Cr2GeC films with a thicknesses exceeding 40 nm consisted of crystallites with well-developed facets, exhibiting metallic optical and transport properties. The hopping conduction observed in the Cr2-xMnxGeC film could be attributed to the columnar form of crystallites. Calculations based on a two-band model indicated high carrier concentrations N, P and mobility μ in the best-synthesized Cr2GeC film, suggesting transport properties close to single crystal material. The findings of this study can be utilized to enhance the growth technology of MAX phase thin films.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Andryushchenko, T. A.; Андрющенко, Татьяна Александровна; Solovyov, Leonid A.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Shevtsov, D. V.; Шевцов, Дмитрий Валентинович; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич
}
Найти похожие
4.


   
    Lateral photovoltaic effect in silicon-based hybrid structures under external magnetic field / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, N. V. Volkov [et al.] // Mater. Sci. Semicond. Process. - 2023. - Vol. 167. - Ст. 107786, DOI 10.1016/j.mssp.2023.107786. - Cited References: 32 . - ISSN 1369-8001. - ISSN 1873-4081
Кл.слова (ненормированные):
Lateral photovoltaic effect -- MIS structures -- Interface states -- Schottky field
Аннотация: Charge transport in semiconductor devices is highly sensitive to light, which opens up wide application prospects. The lateral photovoltaic effect (LPE) is widely used in position sensitive detectors due to its high sensitivity to the light spot position. We report on the features of the LPE in silicon-based metal/insulator/semiconductor structures at helium temperatures. To investigate the LPE, Fe/SiO2/p-Si and Mn/SiO2/n-Si structures have been fabricated by molecular beam epitaxy. It has been found by studying the lateral photovoltage that the SiO2/Si interface plays a significant role in transport of photogenerated carriers, mainly via the interface states, which induce electron capture/emission processes at certain temperatures. The value of the photovoltage is likely affected not only by the metallic film thickness, but also by the substrate conductivity type and Schottky barrier. The effect of the magnetic field on the LPE is driven by two mechanisms. The first one is the well-known action of the Lorentz force on photogenerated carriers and the second one is shifting of the interface state energy levels. Basically, the magnetic field suppresses the contribution of the interface states to the LPE, which suggests that the interface-induced transport can be controlled magnetically.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Federal Research Center “Krasnoyarsk Scientific Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences”, Krasnoyarsk, 660036, Russia
Siberian Federal University, Institute of Engineering Physics and Radio Electronics, Krasnoyarsk, 660041, Russia

Доп.точки доступа:
Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие
5.


   
    Particles–matrix bond in ZnCoO:H and ZnCoAlO:H films: Issues of magnetism and spin injection / Yu. E. Samoshkina, M. V. Rautskii, D. S. Neznakhin [et al.] // Materials. - 2023. - Vol. 16, Is. 10. - Ст. 3659, DOI 10.3390/ma16103659. - Cited References: 45. - This work was supported by the Russian Science Foundation [grant number 21-72-00061] . - ISSN 1996-1944
Кл.слова (ненормированные):
thin films -- zinc oxide -- metallic Co nanoparticles -- magnetic properties -- magnetic circular dichroism spectroscopy -- giant magnetoresistance effect
Аннотация: ZnCoO:H and ZnCoAlO:H films were synthesized by radio frequency magnetron sputtering in a (1 − x)Ar + xH2 mixed atmosphere with x = 0.2–0.5. The films contain different amounts of metallic Co particles (from 7.6% and higher) ~4–7 nm in size. The magnetic and magneto-optical (MO) behavior of the films was analyzed in combination with their structural data. The samples exhibit high values of magnetization (up to 377 emu/cm3) and MO response at room temperature. Two situations are considered: (1) the film magnetism is associated only with isolated metal particles and (2) magnetism is present both in the oxide matrix and in metal inclusions. It has been established that the formation mechanism of the magnetic structure of ZnO:Co2+ is due to the spin-polarized conduction electrons of metal particles and zinc vacancies. It was also found that in the presence of two magnetic components in the films, these components are exchange-coupled. In this case, the exchange coupling generates a high spin polarization of the films. The spin-dependent transport properties of the samples have been studied. A high value of the negative magnetoresistance of the films at room temperature (~4%) was found. This behavior was explained in terms of the giant magnetoresistance model. Thus, the ZnCoO:H and ZnCoAlO:H films with high spin polarization can be considered as sources of spin injection.

Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, 660036 Krasnoyarsk, Russia
Institute of Natural Sciences and Mathematics, Ural Federal University, 620002 Yekaterinburg, Russia
Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung 80424, China
Department of Applied Physics, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 81148, China

Доп.точки доступа:
Samoshkina, Yu. E.; Самошкина, Юлия Эрнестовна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Neznakhin, D. S.; Stepanova, E. A.; Edelman, I. S.; Эдельман, Ирина Самсоновна; Chou, Hsiung
}
Найти похожие
6.


   
    Facile synthesis and selected characteristics of two-dimensional material composed of iron sulfide and magnesium-based hydroxide layers (tochilinite) / Yu. L. Mikhlin, R. V. Borisov, M. N. Likhatski [et al.] // New J. Chem. - 2023. - Vol. 47, Is. 25. - P. 11869-11881, DOI 10.1039/D3NJ00758H. - Cited References: 97. - This research was financially supported by the Russian Science Foundation, project 22-13-00321 . - ISSN 1144-0546. - ISSN 1369-9261
   Перевод заглавия: Синтез и некоторые характеристики двумерного материала, состоящего из слоев сульфида железа и гидроксида на основе магния (точилинит)
Аннотация: We report here a simple hydrothermal synthesis of 100–200 nm flakes of tochilinite (Fe1−xS)·n(Mg,Fe)(OH)2 constructed by interchanging atomic sulfide and hydroxide sheets as a representative of a new platform of multifunctional two-dimensional materials. The reliable formation of tochilinites was ensured by an excess of sodium sulfide, with the assembly of the metal sulfide and hydroxide sheets driven by their opposite electric charges. X-ray photoelectron spectroscopy found that the hydroxide layers involved Fe3+ cations from 10 to 40% of total iron tuned by addition of Al and Li entering the layers; the Fe1−xS sheets comprised comparable amounts of high-spin Fe3+ and Fe2+ centers, and minor S–S bonding. The room-temperature Mössbauer spectra fitted with several doublets (chemical shift of 0.35–0.4 mm s−1 and varying quadrupole splitting) transformed to three six-line patterns (hyperfine fields of ∼290, 350 and 480 kOe) due to magnetic ordering at 4.2 K, albeit the paramagnetic behavior observed in SQUID experiments. A series of UV-vis absorption maxima were explained in terms of both the high-index all-dielectric Mie resonance, in line with the permittivity measurement data, and the ligand-metal charge transfer resembling that in Fe–S clusters in proteins. Prospective properties and applications of the materials are discussed.

Смотреть статью,
WOS
Держатели документа:
Institute of Chemistry and Chemical Technology, Krasnoyarsk Science Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok, 50/24, Krasnoyarsk, Russia
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk Science Center of the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50/38, Krasnoyarsk, Russia
Siberian Federal University, Svobodny av. 79, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Mikhlin, Yuri L.; Borisov, Roman V.; Likhatski, Maxim N.; Bayukov, O. A.; Баюков, Олег Артемьевич; Knyazev, Yu. V.; Князев, Юрий Владимирович; Zharkov, S. M.; Жарков, Сергей Михайлович; Vorobyev, Sergey A.; Tomashevich, Yevgeny V.; Ivaneeva, Anastasiya D.; Karacharov, Anton A.; Karpov, Denis V.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Smolyakov, D. A.; Смоляков, Дмитрий Александрович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич
}
Найти похожие
7.


   
    Магнитные свойства и анизотропия магнитокалорического эффекта в тонких пленках MnGe3, выращенных на Si (111) / А. С. Тарасов, М. В. Рауцкий, А. В. Лукьяненко, И. А. Соболев // Магнитные материалы. Новые технологии : тез. докл. IX Байкал. междунар. конф. BICMM-2023 / чл. прогр. ком.: S. S. Aplesnin [et al.] ; чл. орг. ком. R. S. Iskhakov [et al.]. - Иркутск, 2023. - С. 145, DOI 10.26516/978-5-9624-2178-0.2023.1-207. - Библиогр.: 4 . - ISBN 978-5-962402178-0
   Перевод заглавия: Magnetic properties and anisotropy of magnetocaloricc effect in the MnGe3 thin film grown on Si(111)

Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский федеральный университет

Доп.точки доступа:
Аплеснин, Сергей Степанович \чл. прогр. ком.\; Aplesnin, S. S.; Балаев, Дмитрий Александрович \чл. прогр. ком.\; Balaev, D. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич \чл. прогр. ком.\; Ovchinnikov, S. G.; Исхаков, Рауф Садыкович \чл. орг. ком.\; Iskhakov, R. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Соболев, И. А.; Байкальская международная конференция "Магнитные материалы. Новые технологии"(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Магнитные материалы. Новые технологии", Байкальская международная конференция(9 ; 2023 ; сент. ; 11-14 ; Байкальск); "Magnetic materials. New tecnologies", Baikal International Conference(9 ; 2023 ; Sept. ; 11-14 ; Baikalsk); Иркутский государственный университет
}
Найти похожие
8.


   
    Magnetic anisotropy and domain structure of epitaxia Mn5Ge3 thin film on Si(111) substrate / M. V. Rautskii, I. Sobolev, I. A. Yakovlev [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 151. - Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226 ; Красноярский регион. фонд науки

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sobolev, I.; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие
9.


   
    The role of SiO2/Si interface in magnetic field driven lateral photovoltaic effect in Mn/SiO2/n-Si and Fe/SiO2/p-Si MIS structures / I. A. Bondarev, M. V. Rautskii, N. V. Volkov [et al.] // Book of abstacts of Samarkand International Symposium on Magnetism (SISM-2023) / int. adv. com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2023. - Ст. 3OT-A-8. - P. 145. - Cited References: 1 . - ISBN 978-5-00202-320-2

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
L.V. Kirensky Institute of Physics SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \int. adv. com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Samarkand International Symposium on Magnetism(2023 ; July 2-6 ; Samarkand); Samarkand State University
}
Найти похожие
10.


   
    Electronic transport in Cr2GeC and Cr2-xMnxGeC thin films grown by magnetron sputtering / A. S. Tarasov, M. V. Rautskii, A. V. Lukyanenko [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 130. - Cited References: 5. - РФН № 21-12-00226

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Bondarev, M. A.; Бондарев, Михаил Александрович; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Andryushchenko, T. A.; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие
11.


   
    Growth, magnetic and transport properties of highly ordered Mn5Ge3 thin film on Si(111) / A. V. Lukyanenko, A. S. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // V International Baltic Conference on Magnetism. IBCM : Book of abstracts. - 2023. - P. 59. - Cited References: 4. - РНФ № 23-22-10033 ; Регион. науч. фонд

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS
Siberian Federal University

Доп.точки доступа:
Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Rudenko, R. Yu.; Руденко, Роман Юрьевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; International Baltic Conference on Magnetism(5 ; 2023 ; Aug. 20-24 ; Svetlogorsk, Russia); Балтийский федеральный университет им. И. Канта
}
Найти похожие
12.


   
    Тонкие пленки оксинитрида титана для сенсоров широкого диапазона температур / Ф. А. Барон, Л. В. Шанидзе, М. В. Рауцкий [и др.] // Письма в Журн. техн. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 20. - С. 39-42, DOI 10.21883/PJTF.2022.20.53695.19292. - Библиогр.: 14. - Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края, Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240013. Исследование образцов методом резерфордовского обратного рассеяния, проведенное в Научно-образовательном центре "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета, осуществлено при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (проект FZWN-2020-0008) . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
оксинитрид титана -- температурные сенсоры -- тонкие пленки -- атомно-слоевое осаждение -- элементы интегральных схем
Аннотация: Исследована температурная зависимость удельного сопротивления тонких пленок оксинитрида титана TiNxOy с различным содержанием азота и кислорода, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Обнаружено, что сопротивление всех пленок монотонно убывает с ростом температуры и меняется в широких пределах в зависимости от химического состава и толщины пленки. Представлена технология получения компактного температурного сенсора широкого диапазона температур (от гелиевых до комнатных) на основе TiN0.87O0.97 толщиной 40 nm. Данный сенсор может быть легко интегрирован в современные изделия микроэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Titanium oxynitride thin films wide temperature range sensors [Текст] / F. A. Baron, L. V. Shanidze, M. V. Rautskiy [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 10.- P.74-77

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Институт химии и химической технологии СО РАН, ФИЦ КНЦ СО РАН, Красноярск, Россия
Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Научно-образовательный центр "Функциональные наноматериалы" Балтийского федерального университета им. И. Канта, Калининград, Россия

Доп.точки доступа:
Барон, Филипп Алексеевич; Baron, F. A.; Шанидзе, Лев Викторович; Shanidze, L. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Михлин, Ю. Л.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Lukyanenko, A. V.; Коновалов, С. О.; Зеленов, Ф. В.; Швец, П. В.; Гойхман, А. Ю.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие
13.


   
    The manifestation of stoichiometry deviation in silica-coated magnetite nanoparticles / S. V. Stolyar, D. A. Velikanov, A. V. Tyumentseva [et al.] // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 2, Sect. M : Magnetism in biology and medicine. - Ст. M.P15. - P. 451-453. - Cited References: 4. - The study was supported by the Russian Science Foundation and the Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund., grant No. 22-14-20020 . - ISBN 978-5-94469-051-7
   Перевод заглавия: Проявление отклонения от стехиометрии в наночастицах магнетита, покрытых кремнезёмом

Материалы симпозиума,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientific Center, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Stolyar, S. V.; Столяр, Сергей Викторович; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Tyumentseva, A. V.; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Yaroslavtsev, R. N.; Ярославцев, Роман Николаевич; Gerasimova, Yu. V.; Герасимова, Юлия Валентиновна; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Iskhakov, R. S.; Исхаков, Рауф Садыкович; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие
14.


   
    Влияние сильного магнитного поля на транспортные свойства МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si на переменном токе / Д. А. Смоляков, М. В. Рауцкий, И. А. Бондарев [и др.] // Журн. эксперим. и теор. физ. - 2022. - Т. 162, Вып. 3. - С. 432-439, DOI 10.31857/S0044451022090176. - Библиогр.: 38. - Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда поддержки научной и научно-технической деятельности (проект No 20-42-243007) . - ISSN 0044-4510
Аннотация: Были проведены исследования транспортных свойств МДП-структуры Fe/SiO2/n-Si в виде диода Шоттки на переменном токе в магнитных полях до 9 Тл. Обнаруженный сдвиг максимумов на температурных зависимостях действительной части импеданса в магнитном поле, сопровождаемый эффектом магнитоимпеданса (МИ), происходит только при определенной ориентации поля относительно плоскости образца. Выявлено, что МИ связан с перезарядкой примесных состояний. Были рассчитаны энергии ES примесных состояний в магнитном поле, а также в его отсутствии. Энергия примесных уровней нелинейно зависит от магнитного поля и может быть качественно описана в рамках теории гигантского эффекта Зеемана в разбавленных магнитных полупроводниках. Нельзя также исключать вклад других механизмов воздействия магнитного поля на транспорт в МДП-структурах на переменном токе и, в частности, на перезарядку примесных состояний, что требует дальнейшего исследования. Полученные результаты могут обеспечить более глубокое понимание природы магниторезистивных эффектов в полупроводниковых материалах и использоваться при разработке и создании новых устройств магнитоэлектроники.

Смотреть статью,
РИНЦ

Переводная версия Influence of a strong magnetic field on the ac transport properties of Fe/SiO2/n-Si MIS structure [Текст] / D. A. Smolyakov, M. V. Rautskii, I. A. Bondarev [et al.] // J. Exp. Theor. Phys. - 2022. - Vol. 135 Is. 3.- P.377-382

Держатели документа:
Институт физики имени Л. В. Киренского, Красноярский научный центр, Сибирское отделение Российской академии наук, 660036, Красноярск, Россия
Институт инженерной физики и радиоэлектроники, Сибирский федеральный университет, 660041, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Смоляков, Дмитрий Александрович; Smolyakov, D. A.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Бондарев, Илья Александрович; Bondarev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Yakovlev, I. A.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Ovchinnikov, S. G.; Волков, Никита Валентинович; Volkov, N. V.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, A. S.
}
Найти похожие
15.


   
    Anomalous hall effect in an epitaxial Mn5Ge3 thin film on Si(111) / M. V. Rautskii, I. A. Yakovlev, S. N. Varnakov, A. S. Tarasov // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect. : Spintronics and magnetic nanostructures. - Ст. A.P34. - P. 163-164. - Cited References: 5. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума, ,
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \program com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие
16.


   
    Ferromagnetic silicides and germanides epitaxial films and multilayered hybryd structures: synthesys, magnetic and transport properties / I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, M. V. Rautskii [et al.] // VIII Euro-Asian symposium "Trends in magnetism" (EASTMAG-2022) : Book of abstracts / program com. S. G. Ovchinnikov [et al.]. - 2022. - Vol. 1, Sect. : Spintronics and magnetic nanostructures. - Ст. A.O2. - P. 31-32. - Cited References: 10. - Support by Russian Foundation for Basic Research, the Government of the Krasnoyarsk Territory . - ISBN 978-5-94469-051-7

Материалы симпозиума, ,
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Krasnoyarsk, Russia
Krasnoyarsk Scientiؤc Center, SB RAS, Krasnoyarsk, Russia

Доп.точки доступа:
Ovchinnikov, S. G. \program com.\; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Sukhachev, A. L.; Сухачев, Александр Леонидович; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Российская академия наук; Физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанского научного центра РАН; Казанский (Приволжский) федеральный университет; Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism"(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan); "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium(8 ; 2022 ; Aug. ; 22-26 ; Kazan)
}
Найти похожие
17.


   
    New ternary magnetic films of MAX phases / I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev, M. A. Visotin [et al.] // The Sixth Asian school-conference on physics and technology of nanostructured materials : Proceedings. - VLadivostok, 2022. - Ст. Plenary 10. - P. 23-24. - Cited References: 16 . - ISBN 987-5-8044-1716-2
Аннотация: This article is devoted to the data analysis of magneto-optical ellipsometry data when they are collected from structures with uniaxial optical anisotropy. The magneto-optical parameter, being a part of an off-diagonal tensor elements of dielectric permit tivity, was deduced through Maxwell equations consideration. The way of carrying out an experiment is also dicsussed.

Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, FRC KSC SB RAS
Siberian Federal University
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology

Доп.точки доступа:
Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Visotin, M. A.; Высотин, Максим Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Lyashchenko, S. A.; Лященко, Сергей Александрович; Maximova, O. A.; Максимова, Ольга Александровна; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Andryushchenko, T. A.; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials(6 ; 2022 ; Apr. 25-29 ; Vladivostok); Азиатская школа-конференция по физике и технологии наноструктурированных материалов(6 ; 2022 ; 25-29 апр. ; Владивосток)
}
Найти похожие
18.


   
    Manifestation of stoichiometry deviation in silica-coated magnetite nanoparticles / S. V. Stolyar, R. N. Yaroslavtsev, A. V. Tyumentseva [et al.] // J. Phys. Chem. C. - 2022. - Vol. 126, Is. 17. - P. 7510-7516, DOI 10.1021/acs.jpcc.2c00349. - Cited References: 30. - This work was supported by the Russian Science Foundation and the Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund, grant No. 22-14-20020. We are grateful to the Center of collective use of FRC KSC SB RAS for the provided equipment . - ISSN 1932-7447
Кл.слова (ненормированные):
High resolution transmission electron microscopy -- Magnetite nanoparticles -- Magnetization -- Nanomagnetics -- Silica -- Silicates -- Stoichiometry -- Synthesis (chemical) -- Temperature distribution
Аннотация: Iron oxide nanoparticles were synthesized by the coprecipitation method. Two varying Fe3O4/tetraethoxysilane ratios were used for silanization: 1:1.3 and 1:4.5. The samples were investigated using transmission electron microscopy, ferromagnetic resonance, IR spectroscopy, and magnetometry. Magnetic measurements have shown that the magnetite core in nanoparticles has a higher magnetization than stoichiometric magnetite nanoparticles of the same size. The increased magnetization was caused by the deviation of the magnetite stoichiometry due to the interaction with the silicate coating. The blocking temperature distribution was determined from the temperature dependence of the coercive force and from the ZFC/FC dependencies. Nanoparticles with a thicker shell have shown greater efficiency in DNA isolation.

Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Krasnoyarsk Scientific Center, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB RAS, Akademgorodok 50, Bld. 38, Krasnoyarsk, 660036, Russian Federation
Reshetnev Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, 660049, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk, 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Stolyar, S. V.; Столяр, Сергей Викторович; Yaroslavtsev, R. N.; Tyumentseva, A. V.; Komogortsev, S. V.; Комогорцев, Сергей Викторович; Tyutrina, E. S.; Saitova, A. T.; Gerasimova, Yu. V.; Герасимова, Юлия Валентиновна; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Iskhakov, R. S.; Исхаков, Рауф Садыкович
}
Найти похожие
19.


   
    Asymmetric interfaces in epitaxial off-stoichiometric Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x hybrid structures: Effect on magnetic and electric transport properties / A. S. Tarasov, I. A. Tarasov, I. A. Yakovlev [et al.] // Nanomaterials. - 2022. - Vol. 12, Is. 1. - Ст. 131, DOI 10.3390/nano12010131. - Cited References: 61. - The research was funded by RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-243007, and by the Government of the Russian Federation, Mega Grant for the Creation of Competitive World-Class Laboratories (Agreement no. 075-15-2019-1886). I.A.T. and S.N.V. thank RFBR, Krasnoyarsk Territory, and Krasnoyarsk Regional Fund of Science, project number 20-42-240012, for partial work related to the development of the simulation model of the pore autocorrelated radial distribution function coupled with the near coincidence site model, the Fe3+xSi1-x lattice distortion analysis, and processing Rutherford backscattering spectroscopy data. The Rutherford backscattering spectroscopy measurements were supported by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (project FZWN-2020-0008) . - ISSN 2079-4991
РУБ Chemistry, Multidisciplinary + Nanoscience & Nanotechnology + Materials Science, Multidisciplinary + Physics, Applied
Рубрики:
FILMS
   ANISOTROPY

   SI(001)

   DEVICES

   SURFACE

   GROWTH

Кл.слова (ненормированные):
iron silicide -- germanium -- molecular beam epitaxy -- epitaxial stress -- lattice distortion -- dislocation lattices -- FMR -- Rutherford backscattering -- spintronics
Аннотация: Three-layer iron-rich Fe3+xSi1-x/Ge/Fe3+xSi1-x (0.2 < x < 0.64) heterostructures on a Si(111) surface with Ge thicknesses of 4 nm and 7 nm were grown by molecular beam epitaxy. Systematic studies of the structural and morphological properties of the synthesized samples have shown that an increase in the Ge thickness causes a prolonged atomic diffusion through the interfaces, which significantly increases the lattice misfits in the Ge/Fe3+xSi1-x heterosystem due to the incorporation of Ge atoms into the Fe3+xSi1-x bottom layer. The resultant lowering of the total free energy caused by the development of the surface roughness results in a transition from an epitaxial to a polycrystalline growth of the upper Fe3+xSi1-x. The average lattice distortion and residual stress of the upper Fe3+xSi1-x were determined by electron diffraction and theoretical calculations to be equivalent to 0.2 GPa for the upper epitaxial layer with a volume misfit of -0.63% compared with a undistorted counterpart. The volume misfit follows the resultant interatomic misfit of |0.42|% with the bottom Ge layer, independently determined by atomic force microscopy. The variation in structural order and morphology significantly changes the magnetic properties of the upper Fe3+xSi1-x layer and leads to a subtle effect on the transport properties of the Ge layer. Both hysteresis loops and FMR spectra differ for the structures with 4 nm and 7 nm Ge layers. The FMR spectra exhibit two distinct absorption lines corresponding to two layers of ferromagnetic Fe3+xSi1-x films. At the same time, a third FMR line appears in the sample with the thicker Ge. The angular dependences of the resonance field of the FMR spectra measured in the plane of the film have a pronounced easy-axis type anisotropy, as well as an anisotropy corresponding to the cubic crystal symmetry of Fe3+xSi1-x, which implies the epitaxial orientation relationship of Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Ge(111)[1-10] || Fe3+xSi1-x (111)[0-11] || Si(111)[1-10]. Calculated from ferromagnetic resonance (FMR) data saturation magnetization exceeds 1000 kA/m. The temperature dependence of the electrical resistivity of a Ge layer with thicknesses of 4 nm and 7 nm is of semiconducting type, which is, however, determined by different transport mechanisms.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Inst Engn Phys & Radio Elect, Krasnoyarsk 660041, Russia.
RAS, Fed Res Ctr KSC SB, Krasnoyarsk Sci Ctr, Krasnoyarsk 660036, Russia.
RAS, Boreskov Inst Catalysis SB, Synchrotron Radiat Facil SKIF, Nikolskiy Prospekt 1, Koltsov 630559, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Smart Mat & Biomed Applicat, Kaliningrad 236041, Russia.
Immanuel Kant Balt Fed Univ, REC Funct Nanomat, Kaliningrad 236016, Russia.
Univ Duisburg Essen, Fac Phys, D-47057 Duisburg, Germany.
Univ Duisburg Essen, Ctr Nanointegrat, D-47057 Duisburg, Germany.

Доп.точки доступа:
Tarasov, A. S.; Тарасов, Антон Сергеевич; Tarasov, I. A.; Тарасов, Иван Анатольевич; Yakovlev, I. A.; Яковлев, Иван Александрович; Rautskii, M. V.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Bondarev, I. A.; Бондарев, Илья Александрович; Lukyanenko, A. V.; Лукьяненко, Анна Витальевна; Platunov, M. S.; Платунов, Михаил Сергеевич; Volochaev, M. N.; Волочаев, Михаил Николаевич; Efimov, Dmitriy D.; Goikhman, Aleksandr Yu.; Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Baron, F. A.; Барон, Филипп Алексеевич; Shanidze, Lev V.; Шанидзе, Лев Викторович; Farle, M.; Фарле, Михаель; Varnakov, S. N.; Варнаков, Сергей Николаевич; Ovchinnikov, S. G.; Овчинников, Сергей Геннадьевич; Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; RFBRRussian Foundation for Basic Research (RFBR); Krasnoyarsk Regional Fund of Science [20-42-243007, 20-42-240012]; Government of the Russian Federation [075-15-2019-1886]; Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation [FZWN-2020-0008]
}
Найти похожие
20.


   
    Температурные зависимости межслойной обменной константы трехслойных пленок FeNi/Dy/FeNi, исследованные динамическим методом / И. Г. Важенина, С. В. Столяр, В. Ю. Яковчук [и др.] // Письма в Журн. технич. физ. - 2022. - Т. 48, Вып. 10. - С. 8-11, DOI 10.21883/PJTF.2022.10.52548.19135. - Библиогр.: 22. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, Правительства Красноярского края и Красноярского краевого фонда науки в рамках научного проекта N 20-42-240010 . - ISSN 0320-0116
Кл.слова (ненормированные):
межслойное обменное взаимодействие -- геликоидальная магнитная структура -- ферромагнитный резонанс -- трехслойные пленки
Аннотация: Трехслойные пленки FeNi/Dy/FeNi исследованы методом ферромагнитного резонанса в диапазоне температур от 4 до 300 K. Регистрируемые в СВЧ-спектрах акустический и оптический пики демонстрируют наличие обменной связи между ферромагнитными слоями FeNi планарной структуры и позволяют установить знак и величину константы межслойного обменного взаимодействия. Температурные зависимости константы межслойного обменного взаимодействия трехслойных пленок с толщинами промежуточного слоя Dy 5 и 10 nm демонстрируют ряд особенностей (смена знака и точка экстремума), которые отражают трансформации магнитной структуры Dy.

Смотреть статью,
РИНЦ,
Читать в сети ИФ

Переводная версия Temperature dependences of the interlayer exchange constant of three-layer FeNi/Dy/FeNi films studied by the resonance method [Текст] / I. G. Vazhenina, S. V. Stolyar, V. Yu. Yakovchuk [et al.] // Tech. Phys. Lett. - 2022. - Vol. 48 Is. 5.- P.38-41

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СO РАН, Красноярск, Россия
Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия

Доп.точки доступа:
Важенина, Ирина Георгиевна; Vazhenina, I. G.; Столяр, Сергей Викторович; Stolyar, S. V.; Яковчук, Виктор Юрьевич; Yakovchuk, V. Yu.; Рауцкий, Михаил Владимирович; Rautskii, M. V.; Исхаков, Рауф Садыкович; Iskhakov, R. S.
}
Найти похожие
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)