Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Insulator<.>)

Общее количество найденных документов : 86
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Samoshkina Yu. E., Edelman I. S., Sokolov A. E., Rautskii M. V., Semenov S. V., Andreev N. V., Chichkov V. I.
Заглавие : La-Sr and Pr-Sr polycrystalline manganite films: correlation between magneto-optical and transport properties
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.P6.7. - P.315. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : The work was supported partly by the Russian Foundation for Basic Researches, Grants Nos. 14-02-01211 and 16-32-00209
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hole-doped manganites--thin films--magnetic circular dichroism--metal-insulator transition
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kolovsky A. R., Maksimov D. N.
Заглавие : Mott-insulator state of cold atoms in tilted optical lattices: Doublon dynamics and multilevel Landau-Zener tunneling
Место публикации : Phys. Rev. A: American Physical Society, 2016. - Vol. 94, Is. 4. - Ст.043630. - ISSN 10502947 (ISSN), DOI 10.1103/PhysRevA.94.043630
Примечания : Cited References: 34
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): crystal lattices--optical materials--analytical expressions--cold atoms--doublons--dynamical response--in-laboratory experiments--landau zener tunneling--mott insulator state--optical lattices
Аннотация: We discuss the dynamical response of strongly interacting Bose atoms in an adiabatically tilted optical lattice. The analysis is performed in terms of the multilevel Landau-Zener tunneling. Different regimes of tunneling are identified and analytical expressions for the doublon number, which is the quantity measured in laboratory experiments, are derived. © 2016 American Physical Society.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/insulator/semiconductor hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Место публикации : VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016): abstracts/ ed.: O. A. Maksimova, R. D. Ivantsov. - Krasnoyarsk: KIP RAS SB, 2016. - Ст.I4.4. - P.214. - ISBN 978-5-904603-06-9 (Шифр -478014040)
Примечания : References: 3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--magnetoresistance--magnetoimpedance
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : LOSEVA G. V., RYABINKINA L. I., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : METAL-INSULATOR TRANSITION AND ANTIFERROMAGNETIC ORDER IN CRXMN1-XS
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1989. - Vol. 31, Is. 3. - P45-49. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 12
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : OVCHINNIKOV S. G.
Заглавие : METAL-EXCITON INSULATOR TRANSITION IN MAGNETITE
Место публикации : Fiz. Tverd. Tela: MEZHDUNARODNAYA KNIGA, 1987. - Vol. 29, Is. 6. - P1758-1762. - ISSN 0367-3294
Примечания : Cited References: 30
WOS
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Abramova G. M., Hanzawa A., Kagayama T., Mita Y., Eremin E. V., Zeer G. M., Zharkov S. M., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Pressure-induced metallization of the Mott insulator FeXMn1−XS system
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater. - 2018. - Vol. 465. - P.775-779. - ISSN 03048853 (ISSN), DOI 10.1016/j.jmmm.2018.05.056
Примечания : Cited References: 23. - This study was supported by the KAKENHI JSPS, project no. 18540317.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): correlated electron systems--metal-insulator transitions--high pressure and low temperature
Аннотация: Electrical resistivity of the FeXMn1−XS (0 ≤ X ≤ 0.29) single crystals based on the Mott insulator α-MnS is experimentally studied in the temperature range of 2–300 K at ambient pressure (P = 0) and at high (up to 30 GPa) hydrostatic pressures for x = 0.12. The electron subsystem of FeXMn1−XS undergoes insulator-to-metal transitions indicated by a resistivity drop by a factor of 106 with an increase in the chemical pressure (X) due to the cation substitution under ambient conditions and at the hydrostatic pressure (PC = 27 ± 5 GPa) for x = 0.12. The results obtained show that the hydrostatic pressure - and cation-substitution induced insulator-to-metal transitions in the α-MnS-based Mott compounds have similar mechanisms. The dependence of the critical hydrostatic pressure PC on the Fe content in FeXMn1−XS is established.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Smolyakov D. A., Tarasov A. S., Yakovlev I. A., Masyugin A. N., Volochaev M. N., Bondarev I. A., Kosyrev N. N., Volkov N. V.
Заглавие : Influence of metal magnetic state and metal-insulator-semiconductor structure composition on magnetoimpedance effect caused by interface states
Место публикации : Thin Solid Films. - 2019. - Vol. 671. - P.18-21. - ISSN 00406090 (ISSN) , DOI 10.1016/j.tsf.2018.12.026
Примечания : Cited References: 15. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research , project no. 18-32-00035 and supported in part by the Russian Foundation for Basic Research , Government of the Krasnoyarsk Territory, and the Krasnoyarsk Territorial Foundation for Support of Scientific and R&D Activities, project no. 18-42-243022, and the Ministry of Education and Science of the Russian Federation and the Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences , project II.8.70, and the Presidium of the Russian Academy of Sciences , Fundamental Research Program no. 32 «Nanostructures: Physics, Chemistry, Biology, Basics of Technologies».
Аннотация: This article presents the results of a study of the transport properties of metal/insulator/semiconductor (MIS) hybrid structures in alternating current (ac) mode. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator, and semiconductor. We prepared a series of samples with different layers of metal, insulator and semiconductor. Ferromagnetic Fe and non-magnetic Cu and Mn were chosen as metals, the insulators were SiO2 and Al2O3, and n- and p-type Si substrates were used as semiconductors. Temperature dependence of the real part of the impedance showed peculiar peaks below 40К for different combinations of metals, insulators and semiconductors. For all samples the effect of the magnetic field on the transport properties was studied. At low temperatures, the magnetic field shifts peaks toward higher temperatures. Metal magnetic state does not significantly affect this phenomenon. Changing the type of the insulator and its thickness also did not cause any significant effect. However, the effect was observed for samples with different composition. Moreover, the type of conductivity of the substrate, as well as the type of metal, determines the value of magnetoimpedance. The main role in the magnetoimpedance effect is played by recharge of the energy states localized at the insulator/semiconductor interface. This mechanism allows obtaining a MI effect even in “nonmagnetic” MIS structures; magnetoimpedance can be either positive or negative, depending on temperature and frequency. We suggest that the observed ac magnetotransport phenomena could be used for creating magnetic field sensors, working on new principles.
Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Polukeev S. I., Gavrichkov V. A., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Effects of optical intra-gap transitions on superexchange interaction in La2CuO4 with nonequilibrium photoexcited centers
Место публикации : J. Sib. Fed. Univ. Math. Phys. - 2018. - Vol. 11, Is. 2. - P.159-170. - ISSN 19971397 (ISSN), DOI 10.17516/1997-1397-2018-11-2-159-170; Журн. СФУ. Сер. "Математика и физика"
Примечания : Cited References: 39
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): superexchange--optically excited states--mott-hubbard insulator--суперобмен--оптически возбужденные состояния--диэлектрик мотта-хаббарда
Аннотация: We investigated the effects of excited many-electron states in the optical control of the magnetic state in undoped Mott-Hubbard insulator. To derive the spin Hamiltonian in material under optical pumping we have used many-electron approach based on the X-operator representation. Extending the projection operators approach on arbitrary energy spectra of the Mott-Hubbard insulator, we obtained the Hamiltonian of superexchange interaction in analytical form. The Hamiltonian includes the spin-exciton variables which are usually missing in discussion on the magnetic response to optical pumping, and is not additive over contributions from the ground and optically excited states. As a test, a microscopic background for the optical induced superexchange was analyzed in La2CuO4 (further La214).Мы исcледовали эффекты возбужденных многоэлектронных состояний в оптическом способе управления магнитным состоянием недопированных Мотт-Хаббардовских материалов. Для вывода спинового гамильтониана в веществе под воздействием оптической накачки был использован многоэлектронный метод, основанный на представлении X-операторов. С помощью обобщенного на произвольный энергетический спектр метода проекционных операторов мы получили гамильтониан суперобменного взаимодействия в аналитической форме. Гамильтониан является не аддитивными по вкладам от основных и оптически возбуждённых состояний, а также содержит спин-экситонные переменные, которые обычно отсутствуют в обсуждении магнитного отклика на оптическую накачку. В качестве конкретного приложения для теории мы рассчитали индуцированный суперобмен для оптически возбужденного купрата La2CuO4 (в дальнейшем La214).
Смотреть статью,
РИНЦ,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Kudashkin K., Nikolaev S. V., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Spectral properties of the Bose-Hubbard model within the cluster perturbation theory in X-operators representation
Коллективы : RFBR [16-02-00098, 16-42-243048, 16-42-240511, 16-42-240769]; Government of Krasnoyarsk Territory; Russian President Grant [NSh-7559.2016.2]
Место публикации : J. Supercond. Nov. Magn.: Springer, 2017. - Vol. 30, Is. 1. - P.103-107. - ISSN 1557-1939, DOI 10.1007/s10948-016-3781-y. - ISSN 1557-1947(eISSN)
Примечания : Cited References:16. - This work was supported by RFBR grant 16-02-00098, Government of Krasnoyarsk Territory and RFBR according to the research projects 16-42-243048, 16-42-240511, and 16-42-240769, and the Russian President Grant NSh-7559.2016.2.
Предметные рубрики: TRANSITION
SUPERFLUID
INSULATOR
ATOMS
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): bose-hubbard model--ultracold gases--cluster perturbation theory--density of states--spectral properties
Аннотация: We study the two-dimensional ultracold Bose gas in optical lattice. We use cluster perturbation theory based on Hubbard X-operators to calculate the spectral function and phase diagram of Bose-Hubbard model which is minimal model to describe behavior of ultracold gases in optical lattices. We have analyzed spectral properties of spinless bosons in a square lattice taking into account the short-range correlation.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Volkov N. V., Tarasov A. S., Rautskii M. V., Lukyanenko A. V., Varnakov S. N., Ovchinnikov S. G.
Заглавие : Magnetic-field-driven electron transport in ferromagnetic/ insulator/ semiconductor hybrid structures
Коллективы : Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism", "Trends in MAGnetism", Euro-Asian Symposium, Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН , Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund [16-42-242036, 16-42-243046]; Russian Ministry of Education and Science [16.663.2014K]
Место публикации : J. Magn. Magn. Mater.: Elsevier Science, 2017. - Vol. 440: EURO-Asian Symposium on Trends in Magnetism (EASTMAG) (AUG 15-19, 2016, Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk, RUSSIA). - P.140-143. - ISSN 0304-8853, DOI 10.1016/j.jmmm.2016.12.092. - ISSN 1873-4766(eISSN)
Примечания : Cited References:27. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund, Project nos. 16-42-242036 and 16-42-243046, the Russian Ministry of Education and Science, state assignment no. 16.663.2014K.
Предметные рубрики: SPINTRONICS
BREAKDOWN
SILICON
SPIN
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): hybrid structures--magnetoresistance--magnetoimpedance--photovoltage
Аннотация: Extremely large magnetotransport phenomena were found in the simple devices fabricated on base of the Me/SiO2/p-Si hybrid structures (where Me are Mn and Fe). These effects include gigantic magnetoimpedance (MI), dc magnetoresistance (MR) and the lateral magneto-photo-voltaic effect (LMPE). The MI and MR values exceed 10(6)% in magnetic field about 0.2 T for Mn/SiO2/p-Si Schottky diode. LMPE observed in Fe/SiO2/p-Si lateral device reaches the value of 10(4)% in a field of 1 T. We believe that in case with the Schottky diode MR and MI effects are originate from magnetic field influence on impact ionization process by two different ways. First, the trajectory of the electron is deflected by a magnetic field, which suppresses acquisition of kinetic energy and therefore impact ionization. Second, the magnetic field gives rise to shift of the acceptor energy levels in silicon to a higher energy. As a result, the activation energy for impact ionization significantly increases and consequently threshold voltage rises. Moreover, the second mechanism (acceptor level energy shifting in magnetic field) can be responsible for giant LMPE.
Смотреть статью,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие