Главная
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (6)Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Power<.>)
Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40  
1.


   
    Magnetic and electrical properties of bismuth cobaltite Bi24(CoBi)O40 with charge ordering / S. S. Aplesnin [и др.] // Phys. Solid State. - 2012. - Vol. 54, Is. 10. - P. 2005-2014, DOI 10.1134/S106378341210006X. - Cited References: 22. - This study was supported by the Russian Foundation for Basic Research (project nos. 09-02-92001-NNS_a, 12-02-00125-a, and 11-02-98004-r_sibir'_a) . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics + Condensed Matter
Рубрики:
Thermoelectric-power
   Co3O4

   Conductivity

   Transition

Аннотация: The compound Bi24(CoBi)O40 has been synthesized using the solid-phase reaction method. The temperature and field dependences of the magnetic moment in the temperature range 4 K T 300 K and the temperature dependences of the EPR line width and g-factor at temperatures 80 K T 300 K have been investigated. The electrical resistivity and thermoelectric power have been measured in the temperature range 100 K T 1000 K. The activation energy has been determined and the crossover of the thermoelectric power from the phonon mechanism to the electron mechanism with variations in the temperature has been observed. The thermal expansion coefficient of the samples has been measured in the temperature range 300 K T 1000 K and the qualitative agreement with the temperature behavior of the electrical resistivity has been achieved. The electrical and structural properties of the compound have been explained in the framework of the model of the electronic-structure transition with inclusion of the exchange and Coulomb interactions between electrons and the electron-phonon interaction.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Магнитные и электрические свойства кобальтита висмута Bi24(CoBi)O40 с зарядовым упорядочением [Текст] / С. С. Аплеснин [и др.] // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2012. - Т. 54 Вып. 10. - С. 1882-1890


Доп.точки доступа:
Aplesnin, S. S.; Аплеснин, Сергей Степанович; Udod, L. V.; Удод, Любовь Викторовна; Sitnikov, M. N.; Velikanov, D. A.; Великанов, Дмитрий Анатольевич; Gorev, M. V.; Горев, Михаил Васильевич; Molokeev, M. S.; Молокеев, Максим Сергеевич; Galyas, A. I.; Yanushkevich, K. I.
}
Найти похожие
2.


    Bulgakov, E. N.
    Light-induced degeneracy of resonance modes in a nonlinear microcavity coupled with waveguides: Application to channel drop filter / E. N. Bulgakov, A. F. Sadreev // J. Opt. Soc. Am. B. - 2013. - Vol. 30, Is. 9. - P. 2549-2554, DOI 10.1364/JOSAB.30.002549 . - ISSN 0740-3224
   Перевод заглавия: Свето-индуцированное восстановления вырождения в нелинейном микрорезонаторе, связанного с волноводами: приложение к переключателю каналов
Кл.слова (ненормированные):
Channel drop filters -- Channel dropping -- Eigen modes -- Injected power -- Light-induced -- Parallel waveguides -- Resonance mode -- Two-dimensional photonic crystals -- Microcavities -- Natural frequencies -- Waveguides -- Waveguide filters
Аннотация: We consider a microcavity with degenerate dipole or hexapole eigenmodes. If the cavity is positioned between waveguides, degeneracy is lifted. However, we show that in a nonlinear microcavity the degeneracy is recovered at certain injected power. In application we consider a two-dimensional photonic crystal of GaAs rods holding two parallel waveguides and one defect made of Kerr media. We show that 100% efficiency channel dropping can be attained without a necessity to tune the resonant frequencies of the microcavity. В© 2013 Optical Society of America.

Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Sadreev, A. F.; Садреев, Алмаз Фаттахович; Булгаков, Евгений Николаевич
}
Найти похожие
3.


    Korshunov, M. A.
    Molecular dynamics investigation of the helical structure of smectic C* / M. A. Korshunov, A. V. Shabanov // Phys. Solid State. - 2012. - Vol. 54, Is. 8. - P. 1704-1708, DOI 10.1134/S106378341208015X. - Cited References: 34 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
LIQUID-CRYSTALS
   SHORT-PITCH

   FORCE-FIELD

   SIMULATIONS

   MODES

   PHASE

   DOBAMBC

   POWER

Аннотация: The numerical simulation of the behavior of the molecules of the DOBAMBC liquid crystal by the molecular dynamics method allowed us to find the change of the the conformation of molecules as a function of temperature and to reveal the helical structures with various pitches in the smectic phase C*. These results explained the anomalous temperature dependences of the order parameter at the molecular level, as well as the optical second harmonic generation in the region of smectic A.

Смотреть статью,
Scopus,
WoS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Коршунов, Михаил Анатольевич. Исследование геликоидальной структуры смектика C* методом молекулярной динамики [Текст] / М. А. Коршунов, А. В. Шабанов // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 2012. - Т. 54 Вып. 8. - С. 1596-1599

Держатели документа:
[Korshunov, M. A.
Shabanov, A. V.] Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50-38, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Shabanov, A. V.; Шабанов, Александр Васильевич; Коршунов, Михаил Анатольевич
}
Найти похожие
4.


   
    Efficient selective excitation in optically thick extensive media by adiabatic population transfer / V. G. Arkhipkin [et al.] ; ed.: K Mima, GL Kulcinski, ki, GL Kulci // High-power lasers in energy engineering. Ser. Proceedings of the society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE) : SPIE-Int. Soc. Optical Engineering, 2000. - Vol. 3886. - P. 699-703, DOI 10.1117/12.375171. - Cited References: 13 . - ISBN 0277-786X. - ISBN 0-8194-3484-1
РУБ Optics + Physics, Applied + Physics, Fluids & Plasmas
Рубрики:
ELECTROMAGNETICALLY INDUCED TRANSPARENCY
   MULTILEVEL SYSTEMS

   LASER-PULSES

Кл.слова (ненормированные):
adiabatic population transfer -- electromagnetically induced transparency -- counterintuitive pulse sequence
Аннотация: In this work the feature of spatio-temporal evolution of two partially overlapped short pulses of counterintuitive sequence in a medium of three-level absorbing atoms in conditions of adiabatic transfer of population are investigated. The analytic solution is constructed. It is shown, that selective excitation of two-photon resonant state with a near-unity probability is conserved on the length of medium, which is considerably greater than the absorbtion length of a weak probe pulse in the absence of a coupling pulse at the adjacent transition.

WOS,
Читать в сети ИФ

Доп.точки доступа:
Arkhipkin, V. G.; Архипкин, Василий Григорьевич; Manushkin, D. V.; Timofeev, V. P.; Timofeev, I. V.; Тимофеев, Иван Владимирович; Conference on High-Power Lasers in Energy Engineering (1999, Nov. ; Osaka, Japan)
}
Найти похожие
5.


   
    Переход металл-диэлектрик в катион-замещенных соединениях ReхMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) / О. Б. Романова [и др.] // Вестник СибГАУ. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 478-484. - Библиогр.: 38. - Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ № 15-42-04099 р_Cибирь_а и государственного задания № 114090470016. . - ISSN 1816-9724
   Перевод заглавия: Metal-insulator transition in the cation-substituted compounds RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho)
Кл.слова (ненормированные):
СУЛЬФИДЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ -- ПЕРЕХОД МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК -- ТЕРМОЭДС -- SULFIDES OF RARE-EARTH ELEMENTS -- CONDUCTIVITY -- TRANSITION METAL-INSULATOR -- THERMOELECTRIC POWER
Аннотация: Представлены результаты исследования транспортных свойств катион-замещенных сульфидов RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) с ГЦК-решеткой типа NaCl в области температур 77-1200 К. С увеличением степени катионного замещения в этих соединениях RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho) изменяется тип проводимости от полупроводникового до металлического при критической концентрации Х С. Концентрационный переход металл-диэлектрик в системе Gd XMn 1-XS сопровождается уменьшением величины удельного электросопротивления на 12 порядков и коэффициента термоЭДС (α) на два порядка. Катионное замещение в твердых растворах GdxMn1-xS приводит к смене дырочного типа проводимости (α > 0), свойственного моносульфиду марганца, на электронный (α < 0). Уменьшение величины α с увеличением содержания гадолиния в решетке MnS указывает на то, что Gd действует как донорная примесь. Для Sm 0,2Mn 0,8S обнаружен резкий максимум сопротивления при Т = 100 К, который может быть вызван рассеянием электронов проводимости на спиновых флуктуациях локализованных электронов. Установлен металлический тип проводимости для Sm 0,25Mn 0,75S и механизм электрического сопротивления, который связан с рассеянием электронов на акустических фононах и с магнитным рассеянием на нескомпенсированных антиферромагнитных кластерах марганца при Т < 180 К. В результате замещения марганца самарием в твердом растворе SmxMn1-xS электронная структура перестраивается, и сопротивление невозможно объяснить на основе протекания ионов самария. Общей закономерностью температурных зависимостей коэффициента термоЭДС как для системы с гадолинием, так и для системы с самарием является проявление отрицательного значения термоЭДС во всем диапазоне температур с ростом Х. В системе HoxMn1-xS переход металл-диэлектрик обнаружен для ХС = 0,3 с уменьшением величины удельного электросопротивления на десять порядков. Цель данной работы - установить условия реализации перехода металл-диэлектрик в катион-замещенных системах RexMn1-xS (Re = Gd, Sm, Ho).
This paper presents the results of a study of the transport properties of cation-substituted sulfides Re XMn 1-XS (Re = = Gd, Sm, Ho) with FCC NaCl type in the temperature range 77-1200 K. With increasing degree of cation substitution in these compounds Re XMn 1- ХS (Re = Gd, Sm, Ho) the conductivity type changes from the semiconductor to the «metal» at the critical concentration X C. The concentration of metal-insulator transition in the system Gd XMn 1-XS is accompanied by a decreasing in the electrical resistivity of value on 12 orders and Seebeck coefficient (α) is on two orders. The cation-substitution in the solid solutions Gd XMn 1-XS leads to p-type conductivity (α > 0), as comprising to electronic (α < 0) for manganese monosulfide. Decrease of α with increasing gadolinium concentration in the MnS lattice indicates that the Gd acts as a donor impurity. For Sm 0,2Mn0,8S a maximum resistance at T = 100 K attributed to the scattering of conduction electrons by spin fluctuations of localized electrons. The metallic conductivity for Sm 0.25Mn 0.75S and the mechanism of electrical resistance, which is related to the scattering of electrons by acoustic phonons and magnetic scattering by uncompensated antiferromagnetic manganese clusters at T < 180 K were revealed. As a result of the substitution of manganese to samarium in solid solution Sm XMn 1-XS the electron structure is reconstructed, and the resistance cannot be explained on the basis of the percolation of samarium ions. The temperature dependence of Seebeck coefficient for systems with gadolinium and with samarium reveals the negative values of thermoelectric power in the all range of temperatures with increasing concentration (X). The metal-insulator transition for system Ho XMn 1-XS at Х С= 0,3 is observed with decreasing resistivity on ten orders. The purpose of this work is to establish conditions for the realization of the metal-insulator transition in a cation-substituted systems Re XMn 1-XS (Re = Gd, Sm, Ho).

РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
Сибирский государственный аэрокосмический университет имени акад. М. Ф. Решетнева

Доп.точки доступа:
Романова, Оксана Борисовна; Romanova, O. B.; Харьков, Анатолий Михайлович; Kharkov A. M.; Ситников, Максим Николаевич; Sitnicov M. N.; Кретинин, В. В.; Kretinin, V. V.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)
}
Найти похожие
6.


   
    Magnetoresistance anisotropy and scaling in textured high-temperature superconductor Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox / D. M. Gokhfel’d [et al.] // Phys. Solid State. - 2015. - Vol. 57, Is. 11. - P. 2145-2150, DOI 10.1134/S1063783415110128. - Cited References: 29 . - ISSN 1063-7834
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
ELECTRIC-POWER APPLICATIONS
   TRANSPORT CRITICAL-CURRENT

   T-C

   SINGLE-CRYSTALS

   TAPES

   DISSIPATION

   BOUNDARIES

   DENSITY

   FIELD

Аннотация: The magnetoresistance of the textured high-temperature superconductor (HTSC) Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox + Ag has been studied at different directions of the transport current I and external magnetic field H with respect to crystallographic directions of HTSC crystallites. When I and H are oriented along the ab planes of crystallites and φ is the angle between H and I, the anisotropic part of the magnetoresistance follows the functional dependence sin2φ, which is characteristic of vortex flows under Lorentz forces. The magnetoresistance R at H parallel to the c axis of crystallites (H || c) is higher than R at H || ab for both cases of I || c and I || ab. The anisotropy coefficient γ ≈ 2.3 has been estimated from the scaling of the dependences R(H) measured at H || c and H || ab. The inclusion of the magnetic field induced by the transport current allows scaling of the dependences R(H) at different values of I. A qualitative picture of the current flow along the c axis of crystallites in the textured HTSC has been proposed. © 2015, Pleiades Publishing, Ltd.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ

Публикация на русском языке Анизотропия и скейлинг магнитосопротивления в текстурированном высокотемпературном сверхпроводнике Bi1.8Pb0.3Sr1.9Ca2Cu3Ox [Текст] / Д. М. Гохфельд [и др.] // Физ. тверд. тела : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2015. - Т. 57 Вып. 11. - С. 2090-2094

Держатели документа:
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, Akademgorodok 50–38, Krasnoyarsk, Russian Federation
Siberian Federal University, pr. Svobodnyi 79, Krasnoyarsk, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Gokhfel'd, D. M.; Гохфельд, Денис Михайлович; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Semenov, S. V.; Семёнов, Сергей Васильевич; Petrov, M. I.; Петров, Михаил Иванович
}
Найти похожие
7.


   
    Исследование функционирования микрополоскового устройства защиты с ВТСП элементом в режимах повышенной мощности и кратковременных импульсов / И. В. Говорун [и др.] // Изв. вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8/2. - С. 126-128. - Библиогр.: 2. - Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, соглашение №14-607-21-0039 . - ISSN 0021-3411
   Перевод заглавия: Investigation of operation of microstrip HTSC based power limiter in high power and short pulses modes
Кл.слова (ненормированные):
микрополосковый резонатор -- ВТСП -- устройство защиты -- взаимодействие резонаторов -- microstrip resonator -- HTS -- protection device -- interaction of resonators
Аннотация: Разработано и изготовлено устройство защиты на основе микрополосковых резонаторов форме гантели с переключающим элементом, выполненным из ВТСП тонкой пленки. Исследованы передаточные характеристики устройства при работе с сигналами до 40 Вт мощности, а также влияние на полосу пропускания длительности одиночного импульса сигнала разной мощности. Проведена экспериментальная оценка времени переключения в закрытый режим.
A microstrip power limiter based on dumbbell-shaped resonators having a switcher made from high-temperature superconducting film was designed and fabricated. The transmission characteristics of the device were investigated in the case of microwave power level up to 40 W. An influence of single pulse duration of various magnitudes upon the passband of the device was investigated. An experimental estimation of the switch time to the closed mode was done.

Держатели документа:
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Доп.точки доступа:
Говорун, Илья Валерьевич; Govorun, I. V.; Лексиков, Александр Александрович; Leksikov, Al. A.; Лексиков, Андрей Александрович; Leksikov, An. A.; Сержантов, Алексей Михайлович; Serzhantov, A. M.
}
Найти похожие
8.


   
    Reflective power limiter for X-band with HTSC switching element / B. A. Belyaev [et al.] // IEEE Trans. Appl. Supercond. - 2016. - Vol. 26, Is. 6. - Ст. 1500506, DOI 10.1109/TASC.2016.2530700. - Cited References:23 . - ISSN 1051-8223. - ISSN 1558-2515
РУБ Engineering, Electrical & Electronic + Physics, Applied
Рубрики:
Superconducting transmission-line
Кл.слова (ненормированные):
Microstrip structure -- microwave (MW) -- power limiter (PL) -- transmission -- zero
Аннотация: This paper presents a new type of power limiter (PL), using superconducting-to-normal state phase transition in high-temperature superconductor. The presented device differs from the existing ones mainly in the reflective principle of its operation. In fact, the PL is a three-resonator microstrip filter, whose resonators are configured and arranged in such a manner that coupling coefficient between the outer resonators is equal to zero and the inner one has a gap in the middle section shunted by a high-temperature superconducting (HTS) film element. In small-signal mode, the HTS element is in low-loss state, and the device is essentially a three-pole filter with low transmission loss. When the level of the signal exceeds the threshold, the HTS element transits to the high-loss state, and the Q-factor of the inner resonator falls, breaking the coupling in the structure. This leads to the corresponding increase in the PL's transmission loss due to reflection. The higher the level of incoming power, the more the Q-factor falls. The PL operating frequency is 8 GHz with 8.5% fractional bandwidth. It remains operable up to 40 W of input power, providing 38-dB limitation.

Смотреть статью,
Scopus,
WOS,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
Russian Acad Sci, Kirensky Inst Phys, Siberian Branch, Krasnoyarsk 660036, Russia.
Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660074, Russia.

Доп.точки доступа:
Belyaev, B. A.; Беляев, Борис Афанасьевич; Govorun, I. V.; Говорун, Илья Валерьевич; Leksikov, Al. A.; Лексиков, Александр Александрович; Serzhantov, A. M.; Сержантов, Алексей Михайлович; Leksikov, An. A.; Лексиков, Андрей Александрович
}
Найти похожие
9.


    Bulgakov, E. N.
    Switching through symmetry breaking for transmission in a T-shaped photonic waveguide coupled with two identical nonlinear micro-cavities / E. . Bulgakov, A. . Sadreev // J. Phys.: Condens. Matter. - 2011. - Vol. 23, Is. 31. - Ст. 315303, DOI 10.1088/0953-8984/23/31/315303. - Cited References: 32 . - ISSN 0953-8984
РУБ Physics, Condensed Matter
Рубрики:
MODE THEORY
   NUCLEAR REACTIONS

   UNIFIED THEORY

   FIBER

   INSTABILITIES

   RESONANCE

   GRATINGS

   SYSTEM

   STATES

Кл.слова (ненормированные):
All-optical switching -- Anti-symmetric -- Central waveguides -- Coupled mode theory -- Input power -- Input pulse -- Mirror symmetry -- Nonlinear cavities -- Output waveguides -- Photonic waveguides -- Standing wave -- Symmetry-breaking -- Microcavities -- Mirrors -- Waveguides -- Light transmission
Аннотация: Using coupled mode theory we consider transmission in a T-shaped waveguide coupled with two identical symmetrically positioned nonlinear micro-cavities with mirror symmetry. For input power injected into the central waveguide we show the existence of a symmetry breaking solution which is a result of mixing of the symmetrical input wave with an antisymmetric standing wave in the Fabry-Perot interferometer. With growth of the input power, a feature in the form of loops arises in the solution which originates from bistability in the transmission in the output left/right waveguide coupled with the first/second nonlinear cavity. The domains of stability of the solution are found. The breaking of mirror symmetry gives rise to nonsymmetrical left and right outputs. We demonstrate that this phenomenon can be explored for all-optical switching of light transmission from the left output waveguide to the right one by application of input pulses.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Bulgakov, Evgeny
Sadreev, Almas] LV Kirenskii Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Bulgakov, Evgeny] Siberian State Aerosp Univ, Krasnoyarsk, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk Rabochii, Krasnoyarsk 31, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Sadreev, A. F.; Садреев, Алмаз Фаттахович; Булгаков, Евгений Николаевич
}
Найти похожие
10.


   
    The magnetic-field-driven effect of microwave detection in a manganite granular system / N. V. Volkov [et al.] // J. Phys. D. - 2008. - Vol. 41, Is. 1. - Ст. 15004, DOI 10.1088/0022-3727/41/1/015004. - Cited References: 24 . - ISSN 0022-3727
РУБ Physics, Applied
Рубрики:
IDENTICAL METALS
   TUNNEL-JUNCTIONS

   MAGNETORESISTANCE

   RECTIFICATION

   SPINTRONICS

   TEMPERATURE

   PEROVSKITES

Кл.слова (ненормированные):
Bias currents -- Curie temperature -- Electric power generation -- Granular materials -- Magnetic field effects -- Microwave irradiation -- Voltage measurement -- Direct current voltage -- Magnetic tunnel junctions -- Metal insulator metal junctions -- Nonmagnetic metals -- Manganites
Аннотация: We demonstrate the microwave detection effect in a granular La0.7Ca0.3MnO3 sample. Dc voltage generated by the sample in response to microwave irradiation below the Curie temperature is found to be dependent on the applied magnetic field. The magnetic field dependence of the dc voltage has a broad peak resembling an absorption line. The detection effect depends substantially on the magnetic history of the sample; however, identical measurement conditions provide reproducibility of the experimental results. The detected dc voltage increases linearly with microwave power and strongly depends on a bias current through the sample. According to the results of systematic measurements, there exist two contributions to a value of the detected output signal. The first is magneto-independent; it can be explained in the framework of a mechanism used traditionally for description of the rectification effect in metal-insulator-metal junctions with nonmagnetic metals. The other is magneto-dependent; it originates from the interplay between the spin-dependent current through magnetic tunnel junctions and spin dynamics of the grains, which form these junctions in the sample.

WOS,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Держатели документа:
[Volkov, N. V.
Eremin, E. V.
Shaykhutdinov, K. A.
Tsikalov, V. S.
Petrov, M. I.
Balaev, D. A.
Semenov, S. V.] Russian Acad Sci, Siberian Branch, Kirensky Inst Phys, Krasnoyarsk 660036, Russia
[Volkov, N. V.] Siberian Fed Univ, Krasnoyarsk 660041, Russia
ИФ СО РАН
Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk 660036, Russian Federation
Siberian Federal University, Krasnoyarsk 660041, Russian Federation

Доп.точки доступа:
Volkov, N. V.; Волков, Никита Валентинович; Eremin, E. V.; Еремин, Евгений Владимирович; Shaykhutdinov, K. A.; Шайхутдинов, Кирилл Александрович; Tsikalov, V. S.; Petrov, M. I.; Петров, Михаил Иванович; Balaev, D. A.; Балаев, Дмитрий Александрович; Semenov, S. V.; Семенов, Сергей Васильевич
}
Найти похожие
 1-10    11-20   21-30   31-40  
 

Другие библиотеки

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)