Библиотека института физики им. Л.В. Киренского СО РАН

Главная

Базы данных

Труды сотрудников ИФ СО РАН - результаты поиска

Вид поиска

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН

Труды сотрудников ИФ СО РАН

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Каталог книг и брошюр библиотеки ИФ СО РАН (24)

Каталог журналов библиотеки ИФ СО РАН (12)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=electrical<.>)

Общее количество найденных документов : 108
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2335126!-051111
Автор(ы) : Великанов, Дмитрий Анатольевич
Заглавие : Электрический дератизатор .-
Коллективы : Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН, Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2008. - № 28. - ISBN 2313-7436
Аннотация: Электрический дератизатор относится к средствам для борьбы с грызунами и может быть использован для отпугивания грызунов от мест хранения сельскохозяйственной продукции и продуктов питания, от подвалов зданий, от коллекторов подземных коммуникаций. Электрический дератизатор содержит высоковольтные контактные электроды, которые подсоединены к источнику высоковольтных импульсов, состоящему из зарядной цепи, двух шин электропитания, высоковольтного трансформатора и генератора импульсов, включающего энергонакопительный конденсатор и электронный ключ, и питаемому от первичного источника тока. Новым является то, что первичная и вторичная обмотки высоковольтного трансформатора гальванически развязаны между собой, к обоим концам вторичной обмотки высоковольтного трансформатора подключены высоковольтные контактные электроды, электронный ключ имеет два электрода, питание генератора импульсов от первичного источника тока происходит от полуволн тока обеих полярностей с помощью зарядной цепи, состоящей из токоограничительного конденсатора, двух диодов и катушки индуктивности, при этом катод первого диода, анод второго диода и первая обкладка токоограничительного конденсатора соединены между собой, катушка индуктивности подключена первым выводом к катоду второго диода, ее второй вывод, первый вывод первичной обмотки высоковольтного трансформатора и первая обкладка энергонакопительного конденсатора соединены между собой, второй вывод первичной обмотки высоковольтного трансформатора подключен к аноду электронного ключа, анод первого диода, вторая обкладка энергонакопительного конденсатора и катод электронного ключа соединены между собой и подключены к первой шине электропитания, вторая обкладка токоограничительного конденсатора подключена ко второй шине электропитания. Согласно второму варианту изобретения технический результат достигается тем, что в электрическом дератизаторе новым является то, что в отличие от первого варианта один конец вторичной обмотки высоковольтного трансформатора соединен с заземляющим устройством, а другой конец - подключен к высоковольтным контактным электродам. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции электрического дератизатора и повышение его эксплуатационных характеристик в области электробезопасности как персонала, так и электрических сетей, а также - в области противопожарной безопасности. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил.Electrical deratisation device relates to means of rodent control and can be used for scaring away rodents from storing places of agricultural and food products, from building basements, from underground pipeline collectors. Electrical deratisation device comprises high-voltage terminal electrodes connected to high-voltage pulse source which consists of charging circuit, two power rails, high-voltage transformer and pulse generator which includes energy-storage capacitor and electronic switch and which is fed from primary cell. Feature of novelty consists in fact that primary and secondary windings of high-voltage transformer are galvanically disconnected from each other. High-voltage terminal electrodes are connected to both ends of secondary high-voltage transformer winding. Electronic switch is fitted with two electrodes. Pulse generator is fed from primary cell through current half-waves of both polarities with the help of charging circuit consisting of current-limiting capacitor, two diodes and inductance coil. Cathode of the first diode, anode of the second diode and first plate of current-limiting capacitor are connected to each other. First lead of inductance coil is connected to cathode of the second diode; its second lead, first lead of the high-voltage transformer primary winding and first plate of energy-storage capacitor are connected to each other. Second lead of high-voltage transformer primary winding is connected to the anode of electronic switch. Anode of the first diode, second plate of energy-storage capacitor and cathode of electronic switch are connected to each other and are connected to the first power rail. Second plate of current-limiting capacitor is connected to the second power rail. According to the second version and in contrast to the first one feature of novelty of the electrical deratisation device consists in fact that one end of high-voltage transformer secondary winding is connected to grounding device, and the other end is connected to high-voltage terminal electrodes./p p num="47"EFFECT: simplification of electrical deratisation device design and improvement of performance characteristics regarding electrical and fire safety./p p num="48"6 cl, 4 dwg/p
eLibrary,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Аплеснин, Сергей Степанович, Харьков, Анатолий Михайлович, Балаев, Александр Дмитриевич, Соколов В. В.
Заглавие : Электрические свойства соединения SmxMn1–xS с переменной валентностью
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научная конференция, Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева, Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АО, Красноярский машиностроительный завод, ОАО
Место публикации : Решетневские чтения: [Электронный ресурс] : материалы XIV Междунар. науч. конф., посвяще. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч./ Сиб. гос. аэрокосмич. ун-т.; под общ. ред. Ю.Ю. Логинова. - Красноярск, 2010. - Ч. 2. - С. 572-574
Примечания : Библиогр.: 2
Аннотация: Проведено исследование электрических свойств соединения SmxMn1–xS с переменной валентностью в ин тервале температур 90 К T 400 К для составов x
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : Описание изобретения к патенту 2801388!-561310100
Автор(ы) : Боев, Никита Михайлович, Крёков, Сергей Дмитриевич, Подшивалов, Иван Валерьевич, Соловьев, Платон Николаевич, Изотов, Андрей Викторович, Негодеева, Ирина Александровна, Александровский, Александр Сергеевич
Заглавие : Устройство для передачи электрической энергии на промышленной частоте через проводящий экран .-
Коллективы : Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук", Федеральная служба по интеллектуальной собственности (Роспатент), Федеральный институт промышленной собственности
Место публикации : Изобретения. Полезные модели: офиц. бюл. Фед. службы по интеллектуал. собственности (Роспатент). - 2023. - № 22
Аннотация: Изобретение относится к области электротехники, предназначено для беспроводной передачи электромагнитной энергии через проводящие экраны на промышленной частоте и может быть использовано в беспроводных зарядных устройствах, в системах энергоснабжения устройств, находящихся в частично или полностью замкнутых металлических экранах. Устройство для передачи электрической энергии на промышленной частоте через проводящий экран включает передатчик электрической энергии с передающей катушкой, приемник электрической энергии с приемной катушкой, новым является то, что между передающей и приемной катушками расположен проводящий электрический ток экран, толщина которого меньше глубины скин-слоя в нем для заданной рабочей частоты, параллельно передающей и приемной катушкам подключены конденсаторы, при этомкатушки и конденсаторы образуют связанные колебательные контуры, а передача электрической энергии осуществляется на одной из резонансных частот, на которой разница междуфазами токов, текущих в приемной и передающей катушках, находится в диапазоне от 160° до 180°. Техническим результатом является обеспечение возможности передачи электрической энергии на промышленной частоте (50/60 Гц) через проводящий электрический ток экран. 17 ил.
Смотреть патент,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Тамбасов, Игорь Анатольевич, Воронин, Антон Сергеевич, Масюгин, Альберт Николаевич, Тамбасова Е. В., Горнаков М. О.
Заглавие : Синтез и электричсекие свойства тонких нанокомпозитных ZnO/ОУНТ пленок
Коллективы : "Решетневские чтения", международная научно-практическая конференция, Сибирский государственный университет науки и технологий им. акад. М. Ф. Решетнева, Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева, АО, Красноярский машиностроительный завод, ОАО
Место публикации : Решетневские чтения: [Электронный ресурс] : материалы XXIV Междунар. науч.-практич. конф., посвящ. памяти ген. конструктора ракет.-космич. систем акад. М. Ф. Решетнева : в 2-х ч. : электронное издание. - Красноярск: СибГУим. М. Ф. Решетнева, 2020. - Ч. 1. - С. 456-457
Примечания : Библиогр.: 5. - Исследование выполнено при финансовой поддержке стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1)
Аннотация: Тонкие нанокомпозитные ZnO/SWCNTs пленки были синтезированы с помощью вакуумной фильтрации и атомно-слоевого осаждения. Были измерены вольт-амперные характеристики образцов пленок. Наосновевольт-амперных характеристик было рассчитано электрическое сопротивление для нанокомпозитных ZnO/ОУНТ пленок.
Материалы конференции,
Материалы конференции,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Чжан А. В., Дрокин, Николай Александрович, Ничкова Н. М., Мороз Ж. М.
Заглавие : Особенности спектральных характеристик электрического импеданса увлажненных зерен пшеницы
Место публикации : Усп. совр. естествознания. - 2022. - № 5. - С. 34-38. - ISSN 1681-7494, DOI 10.17513/use.37821; Adv. curr. nat. sci.
Примечания : Библиогр.: 9
Аннотация: Целью работы является определение особенностей спектральных характеристик электрического импеданса зерен пшеницы. Исследованы электрофизические свойства цельных спрессованных, а также размолотых образцов зёрен пшеницы с различной влажностью в диапазоне частот от 1 Гц до 100 МГц. Исходная партия зерен предварительно высушивалась в нагревательном шкафу при температуре 60 °С и затем насыщалась влагой в паровой бане при той же температуре. Влажность оценивалась по разнице веса между исходным и подвергнутым воздействию образцами (сушке или увлажнению). Исследовались образцы двух типов, отличающихся способом подготовки и структурой. Образцы первого типа состояли из цельных зерен, которые помещались в пресс-форму и подвергались всестороннему сжатию небольшим давлением, что исключало наличие воздушных промежутков между зернами. В образцах второго типа зерна предварительно размалывались в ступе и затем в виде порошка помещались в измерительную ячейку. Измерительная ячейка с образцом при комнатной температуре подключалась к анализаторам спектров Elins 1500J и Agilent E5061B, которые позволяют получать частотные зависимости импеданса и фазы. Согласно полученным данным, область низких частот (до 10 кГц) характеризуется преобладающим влиянием активной составляющей полного сопротивления, в то время как выше этой частоты преобладает реактивная часть. Выявлены процессы накопления электрических зарядов у поверхности металлических электродов, которые экранируют внешнее электрическое поле и приводят к аномальному увеличению диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь в области низких частот. Полученные спектры сопоставлялись со спектрами наиболее подходящих эквивалентных электрических схем, радиотехнические компоненты которых помогают понять основные механизмы прохождения переменного электрического тока через неоднородную структуру зерна.The aim of this work is to determine the features of the spectral characteristics of the electrical impedance of wheat grains. The electrophysical properties of whole pressed and ground samples of wheat grains with different moisture content in the frequency range from 1 Hz to 100 MHz have been studied. The initial batch of grains was preliminarily dried in a heating cabinet at a temperature of 60°C and then saturated with moisture in a steam bath at the same temperature. Moisture was estimated from the difference in weight between the original and exposed samples (drying or wetting). Samples of two types were studied, differing in the method of preparation and structure. Samples of the first type consisted of whole grains, which were placed in a mold and subjected to all-round compression by a small pressure, which excluded the presence of air gaps between the grains. In samples of the second type, the grains were preliminarily ground in a mortar and then placed in the form of a powder into a measuring cell. The measuring cell with the sample at room temperature was connected to the Elins 1500J and Agilent E5061B spectrum analyzers, which make it possible to obtain the frequency dependences of the impedance and phase. According to the data obtained, the low-frequency region (up to 10 kHz) is characterized by the predominant influence of the active component of the impedance, while above this frequency, the reactive part predominates. The processes of accumulation of electric charges near the surface of metal electrodes, which shield the external electric field and lead to an anomalous increase in the permittivity and loss tangent in the low-frequency region are revealed. The obtained spectra were compared with the spectra of the most suitable equivalent electrical circuits, the radio engineering components of which help to understand the main mechanisms of the passage of an alternating electric current through a heterogeneous grain structure.
Смотреть статью,
РИНЦ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Фадеева Н. П., Сайкова С. В., Пикурова Е. В., Воронин А. С., Фадеев Ю. В., Самойло А. С., Тамбасов, Игорь Анатольевич
Заглавие : Новый метод получения прозрачных проводящих пленок оксида индия (III) и оксида индия-олова
Место публикации : Журн. СФУ. Химия. - 2021. - Т. 14, № 1. - С. 45-58. - ISSN 1998-2836, DOI 10.17516/1998-2836-0215; J. Sib. Fed. Univ. Chem. - ISSN 2313-6049(eISSN)
Примечания : Библиогр.: 36. - Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 18-33-00504) и стипендии Президента Российской Федерации (СП-2235.2019.1). В работе использованы приборы ЦКП СФУ и Красноярского регионального центра коллективного пользования ФИЦ КНЦ СО РАН
Предметные рубрики: ITO THIN-FILMS
ELECTRICAL-PROPERTIES
DEPOSITION
Аннотация: В работе получены седиментационно устойчивые золи гидроксидов индия (III) и олова (IV) методом анионообменного синтеза, заключающимся в обменной реакции между ОН‑ионами анионообменной смолы и анионами металлосодержащих растворов. Синтезированные гидрозоли использованы для получения проводящих пленок оксида индия (III) In2O3 и оксида индия, легированного оловом In2O3:Sn, с поверхностным сопротивлением 4 кОм/кв, толщинами 200–500 нм и прозрачностью более 85 %. Подобраны режимы нанесения прекурсоров на стеклянные подложки модифицированным спрей-методом и методом центрифугирования. Пленки исследованы с помощью РФА, СЭМ, оптической микроскопии и спектрофотометрии.In the work, sedimentation-stable sols of indium (III) and tin (IV) hydroxides were obtained by the Anion Resin Exchange Precipitation, which consists of the exchange reaction between the OH ions of the anion exchange resin and the anions of metal-containing solutions. The synthesized hydrosols were used to obtain conducting films of indium (III) In2O3 oxide and indium oxide doped with Tin In2O3: Sn, with a surface resistance of 4 kOhm/sq, thicknesses of 200-500 urn and a transparency of more than 85 %. The modes of applying precursors to glass substrates by the modified spray method and centrifugation method are selected. Films were studied using XRD, SEM, optical microscopy and spectrophotometry.
Смотреть статью,
РИНЦ,
WOS,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Удод, Любовь Викторовна, Ситников, Максим Николаевич
Заглавие : Влияние катионного замещения на полиморфные переходы в пирасаннате висмута Bi2Sn2O7
Место публикации : Вестник СибГАУ. - Красноярск: СибГАУ, 2015. - Т. 16, № 4. - С. 975-982. - ISSN 1816-9724
Примечания : Библиогр.: 53. - Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований, грант № 15-42-04099 р_сибирь_а, и государственного задания № 114090470016
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полиморфные переходы--диэлектрическая проницаемость--электросопротивление--катионное замещение--дифференциальная сканирующая калориметрия--polymorphic transitions--dielectric permeability--cation substitution--electrical resistivity--differential scanning calorimetry
Аннотация: Рассмотрена разработка технологии новых сенсорных материалов, необходимых для газочувствительных приборов, применяемых в ракетостроении. Целью данной работы является изучение влияния допирования разновалентными катионами на кристаллографическую структуру, диэлектрические и электрические свойства пирохлорного соединения Bi 2Sn 2O 7, обладающего селективной избирательностью к газам. Методом твердофазного синтеза впервые синтезированы соединения Bi2(Sn1-xMex)2O7, где Me = Mn, Cr, x = 0, 0,05, находящиеся сразу в двух полиморфных модификациях - орторомбической и кубической. В твердых растворах Bi2(Sn0,95Cr0,05)2O 7 методом сканирующей калориметрии обнаружено два новых структурных перехода, по сравнению со станнатом висмута Bi2Sn2O7. Ионы Mn 4+ сместили фазовые границы полиморфных переходов в сторону меньших температур, а фазовый α→β-переход около 370 К, характерный для Bi2(Sn1-xCrx)2O7, где x = 0, 0,05, подавили почти полностью. Полиморфный переход при Т = 543 К для Bi 2(Sn0,95Mn0,05) 2O 7 протекает с выделением тепла, в отличие от Bi2(Sn1-xCrx)2O7, где x = 0, 0,05. Исследована взаимосвязь структурных, электрических и диэлектрических свойств. Установлены аномалии в температурной зависимости электросопротивления и диэлектрической проницаемости (мнимой и реальной частями) как в области низких температур, так и при высоких температурах. Эти особенности объясняются в рамках модели мартенситных фазовых переходов. Методом сканирующей калориметрии найдены температуры структурных фазовых переходов, которые коррелируют с аномалиями электросопротивления в интервале температур 300 T 1000 К для Bi2(Sn1-xCrx)2O7, x The goal of this work is to develop a new technology of sensor materials required for gas sensing devices used in missile. The aim of this work is to study the effect of doping cations with different valency on the crystallographic structure, dielectric and electrical properties of pyrochlore compound Bi2Sn2O7 with selectivity to gases. Polycrystalline compounds Bi2(Sn1-xMex)2O7, where Me = Mn, Cr, x = 0, 0.05 have been synthesized by conventional solid-state reaction. According to the X-ray powder diffraction research, our sample consists of two polymorphs phases: cubic and rhombic. Two new structural transition are found in Bi2(Sn0.95Cr0.05)2O7 solid solutions by scanning calorimetry, as compared to bismuth pyrostannate Bi2Sn2O7. Ions Mn 4+ leads to shift of phase boundary of polymorphic transitions towards lower temperatures, and the phase α→β-transition at about 370 K, which is characteristic for Bi2(Sn1-xCrx)2O7, where x = 0, 0.05 is suppressed. The polymorphic transition at T = 543 K for Bi2(Sn0.95Mn0.05)2O7 occurs with calorification, in contrast to Bi2(Sn1-xCrx)2 7, where x = 0, 0.05. The relationship between structural, electrical and dielectric properties is investigated. Anomalies in the temperature dependence of electrical resistivity and dielectric permeability (real and imaginary part) as in the low region temperatures as in the high region temperature are found. These features are explained within a model of martensitic phase transitions. The temperature of the structural phase transitions correlates with temperature of maximum of the electrical resistivity in the temperature range 300 T 1000 K for Bi2(Sn1-xCrx)2O7, x
РИНЦ,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Epov M. I., Yeltsov I. N., Mironov V. L., Muzalevskiy K. V.
Заглавие : UWB Borehole Logging Tool to Explore the Electrical and Structural Properties of Near-wellbore Fluid-filled Areas
Коллективы : Progress In Electromagnetics Research Symposium Proceedings
Серия: PIERS 2011 Suzhou - Progress in Electromagnetics Research Symposium, Proceedings
Место публикации : Proc. PIER. - 2011. - С. 59-62
eLibrary
Найти похожие

Вид документа : Статья из сборника (выпуск продолж. издания)
Шифр издания :
Автор(ы) : Kleshnina S. A., Belyaev B. A., Boev N. M., Izotov A. V., Burmitskikh A. V., Gorchakovsky A.
Заглавие : Unit for measuring the magnetic characteristics of thin ferromagnetic films
Коллективы : Ural Symposium on Biomedical Engineering, Radioelectronics and Information Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers
Место публикации : Ural Symposium on Biomedical Engineering, Radioelectronics and Information Technology, USBEREIT 2020: proceedings. - 2020. - Ст.9117609. - P.326-329. - , DOI 10.1109/USBEREIT48449.2020.9117609
Примечания : Cited References: 7. - This work was supported by the Ministry of Education and Science of 075 11 2019-054
Аннотация: Studying the properties of ferromagnetic films helps in solving the fundamental problems of the physics of magnetic phenomena and in developing the theory of ferromagnetism. Modern software and hardware, along with reliable diagnostic methods are used to research and design thin-film devices. In this regard, the development of devices and methods for measuring the magnetic characteristics of thin ferromagnetic films is an essential task. The aim of the work is to develop an unit for local measurements of the magnetic characteristics of thin ferromagnetic films, which has the ability to change the degree of locality of measurements over a wide range and has high sensitivity at the same time. The article reviews a new unit for measuring the magnetic characteristics of thin ferromagnetic films. The unit allows measuring the value and direction of the anisotropy field on a local area of the film. A block diagram and description of a new unit, as well as methods of measurements are shown in the article. The experimentally obtained distribution of the anisotropy field over the area of the studied sample of Ni 80 Fe 20 film is shown in this work. The experimental results confirm the compliance of the new unit with the declared characteristics. The unit can be used for non-destructive quality control and for measuring uniformity of thin ferromagnetic films magnetic characteristics.
Смотреть статью,
Scopus,
Читать в сети ИФ
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания :
Автор(ы) : Lemberg K. V., Kosmynin A. N., Stupnitsky D. A., Grushevsky E. O., Podshivalov I. V.
Заглавие : Tunable meta-surface antenna array with holographic beamforming
Коллективы : All-Russian Microwave Conference, Institute of Electrical and Electronics Engineers
Место публикации : 7th All-Russian Microwave Conference (RMC): proceedings: IEEE, 2020. - P.159-161. - ISBN 978-1-7281-8078-6, DOI 10.1109/RMC50626.2020.9312354
Примечания : Cited references: 11
Аннотация: The paper describes tunable meta-surface antenna arrays operation principle. In such an arrays beamforming is carried out by modulating the coupling coefficients between a wave traveling along the surface and electrically small radiators. It is shown that the law of coupling coefficient modulation can be calculated using the principles of holography on the basis of the given “reference” (corresponding to the excitation of the meta-surface) and “object” (corresponding to the required radiation pattern) waves. The results of numerical simulation of the X-band linear antenna array with liquid crystal control elements, which using the described beamforming principle, are presented.
Материалы конференции,
Смотреть статью,
Scopus,
WOS
Найти похожие